JP2012049547A - 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 - Google Patents
三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012049547A JP2012049547A JP2011198613A JP2011198613A JP2012049547A JP 2012049547 A JP2012049547 A JP 2012049547A JP 2011198613 A JP2011198613 A JP 2011198613A JP 2011198613 A JP2011198613 A JP 2011198613A JP 2012049547 A JP2012049547 A JP 2012049547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- region
- photodetector
- charge
- gates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 114
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 37
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 36
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 25
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 18
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 10
- 238000013507 mapping Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004456 color vision Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 32
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 26
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 22
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 22
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 21
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 19
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 16
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005284 basis set Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000010845 search algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 210000001835 viscera Anatomy 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
- G01S17/32—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of continuous waves, whether amplitude-, frequency-, or phase-modulated, or unmodulated
- G01S17/36—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of continuous waves, whether amplitude-, frequency-, or phase-modulated, or unmodulated with phase comparison between the received signal and the contemporaneously transmitted signal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
- G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
- G01S17/894—3D imaging with simultaneous measurement of time-of-flight at a 2D array of receiver pixels, e.g. time-of-flight cameras or flash lidar
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/491—Details of non-pulse systems
- G01S7/4912—Receivers
- G01S7/4913—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
- G01S7/4914—Circuits for detection, sampling, integration or read-out of detector arrays, e.g. charge-transfer gates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/491—Details of non-pulse systems
- G01S7/493—Extracting wanted echo signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02024—Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1133—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a conductor-insulator-semiconductor diode or a CCD device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】オンチップ測定情報を、順番にではなく、ランダムに出力することができ、三次元画像を必要とするオブジェクト追跡、及び他の情報のためのオンチップ信号処理を、すぐに遂行することができる。システム全体は小さく、強固で、かなり少ないオフチップの別個の構成要素を必要とし、かつ、検出信号特性の改善を示す。オンチップ回路は、そのようなTOFデータを使って、場面内の一つのオブジェクト、又は全てのオブジェクト上の全ての点の距離及び速度を、同時に、容易に測定することができる。オンチップ回路はまた、検出センサ内の各画素における検出画像の分光組成を特定することができる。
【選択図】図3
Description
本出願は、Bamji他の名義で出願され、カリフォルニア州サンノゼにあるCanesta社が譲受人である、2001年12月11日に出願された「量子効率変調を使った、CMOS適合の三次元画像検出のためのシステム」という名称の係属中の米国特許出願第10/020,339号(「’339出願」)からの一部継続出願であり、本出願は、現在、米国特許出願第6,580,496号(2003)である。この’339出願は、(2000年12月11日出願された)米国仮特許出願第60/254,873号、及び(2000年11月9日出願された)第60/247,158号に基づく優先権を主張するものである。
現在USP6,580,496号(2003年)(496発明)である、親出願の発明は、全く可動部品を必要とせず、かつ、光度データに依存するのではなく、飛行時間(TOF)データを使って、リアルタイムで距離及び速度データを測定するCMOS実装可能なシステムを提供した。光子光エネルギーを検知するCMOS適合画素検出器の二次元アレイ、及び関連処理回路の両方を含む単一IC上に、このシステムを作ることができるであろう。’496特許を生んだ出願の関連出願は、現在、Bamji他著(2003年)「量子効率変調を使ったCMOS適合三次元画像検出のための方法」という名称のUSP6,515,740号である。
Φ = 2・ω・z/C = 2・(2・π・f)・z/C
であり、ここで、Cは光の速度300,000Km/secである。従って、エネルギーエミッタからの(及び、検出器アレイからの)距離zは、以下で与えられる。
z = Φ・C/2・ω = Φ・C/{2・(2・π・f)}
3つの参照される仮特許出願で示す発明を説明する前に、USP6,580,496号、以後「’496発明」、又はUSP6,515,740号の発明を初めに説明することが役立つであろう。’496及び’740特許は同じ仕様を持つので、どちらの発明の参照も、本出願では、’496発明の参照であると表す。
W = [2ε・(Ψ0+VR-VB)]0.5{[qNA・(1+NA/ND)]-0.5+[qND・(1+ND/NA)]-0.5}
ここで、(VR-VB)はフォトダイオード240の逆バイアス、NA及びNdは、ダイオードのn及びp領域におけるそれぞれのドーピング濃度であり、かつ Ψ0=VTln(NAND/ni 2) であり、ここで、VT=kT/q=26mV、かつni=1.5・1010cm-3である。
(表1)
ΔVd=[ΔVd2(τ2)-ΔVd1(τ2)]/ΔVd1(τ1)
ここで、時間τ1において、
ΔVd1=A[1+cos(ωt)]cos(ωt+Φ)
ΔVd1=Acos(ωt+Φ)+0.5A{cos(Φ)+cos(2ωt+Φ)}
及び、時間τ2において、
ΔVd1=A[1+cos(ωt-120)]cos(ωt+Φ)
ΔVd1=Acos(ωt+Φ)+0.5A[cos(Φ+120)+cos(2ωt+Φ-120)]
ΔVd2=A[1+cos(ωt-240)]cos(ωt+Φ)
ΔVd2=Acos(ωt+Φ)+0.5A[cos(Φ-120)+cos(2ωt+Φ+120)]
従って、フィルタリング後、
ΔVd=[cos(Φ-120)-cos(Φ+120)]/cos(Φ)
ΔVd=2sin(Φ)sin(120)/cos(Φ)
ΔVd=K1sin(Φ)/cos(Φ)
ΔVd=K1tan(Φ) ここで、K1=√3
ΔVd=[ΔVd3(τ1)-ΔVd2(τ1)]/ΔVd1(τ1)=K1tan(Φ) ここで、K1=√3である。
0°-180°測定値:ΔVd(τ1)
90°-270°測定値:ΔVd(τ2)⇒ΔVd(τ2)/ΔVd(τ1)=tan(Φ)
0°-180°測定値:ΔVd(τ3)⇒ΔVd(τ2)/ΔVe(τ3)=tan(Φ)
90°-270°測定値:ΔVd(τ4)⇒ΔVd(τ4)/ΔVd(τ3)=tan(Φ) 等となる。
(1)時間 0<t<t1 においては、例えば0°及び180°変調のように、検出器D又は240-(x)は、信号S1=1+cos(ωt)でバイアスされ、検出器240-(x+1)は、信号S2=1+cos(ωt+180°)でバイアスされる。
(2)時間 0<t<t1 の間、2つの検出器から出力された信号が蓄積され、時間t=t1において、差分信号を、デジタル又はアナログの形で、格納又はサンプリングする。
(3)時間 t1<t<t2 の間、検出器240-(x)は、信号S1=1+cos(ωt+180°)でバイアスされ、検出器240-(x+1)は、信号S2=1+cos(ωt)でバイアスされる。
(4)2つの検出器からの出力信号は蓄積され、蓄積の最後、時間t=t2において、デジタル又はアナログの形で、差分信号を格納又はサンプリングする。
(5)サンプリング又は格納されたアナログ及び/又はデジタル信号について、差分信号を計算する。
(表2)
P = P0e-xK(λ) (1)
ここで、P0は、シリコン表面における光子の数である。
は、各帯域内の平均吸収係数である。それゆえ、全n個の測定値で、画像のRGB成分を以下のように推定することができる。
Claims (35)
- 高周波数成分を含む変調周期波形を持つ光エネルギーで、ターゲットを照明し、かつ
前記ターゲットにより反射された前記光エネルギーの一部を、少なくとも一つの光検出器で検出するシステムにおいて使用するための、検出を改善する方法であって、
前記光エネルギーの一部によって前記光検出器内で生成された電荷を、前記光検出器内の収集ノードへ向けるための手段を、前記各光検出器に提供し、及び、
前記電荷の少なくとも幾つかを、前記収集ノードから収集する
ステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記電荷を向けるための手段が、
半導体光検出器に、基板内に形成された第一及び第二のソースを提供し、かつ、前記基板の表面上に、第一及び第二の電荷転送ゲート、及び該第一と第二の電荷転送ゲートとの間に配置された空乏ゲートを形成すること、及び
電圧信号を、前記第一及び第二の電荷転送ゲートに結合して、前記光検出器によって生成された前記電荷を、前記第一及び第二のソースの少なくとも一方に向けること
を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記光検出器の量子効率を変調するステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 平面図において、前記空乏ゲートは、前記第一と第二の電荷転送ゲートとの間に配置され、該第一及び第二の電荷転送ゲートは、前記第一と第二のソースの中間に配置される、 ことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記空乏ゲート、及び前記第一及び第二の電荷転送ゲートの少なくとも一つに存在する少なくとも一つの周期信号から、前記第一及び第二のソースによって収集された電荷を保護するための手段を提供するステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記光検出器は、基板内に形成された第一及び第二のソースを提供された半導体光検出器であり、かつ、前記基板の表面上に、第一と第二のバイアスゲートとの間に配置される空乏ゲートを形成し、かつ、前記第一と第二のバイアスゲートとの間に配置される第一及び第二の電荷転送ゲートを形成し、
前記第一及び第二のバイアスゲートは、ある電位でバイアスされて、前記空乏ゲート、及び前記第一及び第二の電荷転送ゲートの少なくとも一つに存在する少なくとも一つの周期信号から、前記第一及び第二のソースによって収集された電荷を保護する、
ことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記光エネルギーの波長に対する前記光検出器の感度応答を、電気的に変化させるステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記システムは、該システムと前記ターゲットとの間の距離を、前記光検出器から得られた飛行時間情報を使って測定する
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 基板、
前記基板内に形成された第一及び第二のソース、
前記基板の表面上に形成された第一及び第二の電荷転送ゲート、及び
前記第一と第二の電荷転送ゲートとの間に配置された空乏ゲート、
を含み、前記基板内で光エネルギーによって生成された電荷が、前記第一及び第二の電荷転送ゲートに結合可能な電圧信号に応じて、前記第一及び第二のソースの少なくとも一方に向けられる
ことを特徴とする、高周波数成分を含む変調周期波形を持つ光エネルギーで、ターゲットを照明し、かつ、前記ターゲットによって反射された前記光エネルギーの一部を、少なくとも一つの前記半導体光検出器で検出するシステムで使用可能な、CMOS実装可能な半導体光検出器。 - 前記第一及び第二のソースによって、前記空乏ゲート、及び前記第一及び第二の電荷転送ゲートの少なくとも一つに存在する少なくとも一つの周期信号から収集された電荷を保護するための手段
をさらに含む、ことを特徴とする請求項9に記載の半導体光検出器。 - 平面図において、前記第一及び第二の電荷転送ゲートと、前記第一及び第二のソースとの間で、前記基板の前記表面上に配置された第一及び第二のバイアスゲート、
をさらに含み、前記第一及び第二のバイアスゲートは、第一及び第二のソースによって、前記空乏ゲート、及び前記第一及び第二の電荷転送ゲートの少なくとも一つに存在する少なくとも一つの周期信号から収集された電荷を保護するように選択されたバイアス電位のソースに結合された、
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体光検出器。 - 前記半導体光検出器の量子効率を変調するための手段
をさらに含む、ことを特徴とする請求項9に記載の半導体光検出器。 - 前記光エネルギーの波長に対する前記半導体光検出器の感度応答を、電気的に変化させるための手段
をさらに含む、ことを特徴とする請求項9に記載の半導体光検出器。 - 前記システムが、該システムと前記ターゲットとの間の距離を、前記半導体光検出器から得られた飛行時間情報を使って測定する
ことを特徴とする、請求項9に記載の半導体光検出器。 - ルールのセットを使って、集積回路(IC)設計レイヤのセットを、前記ICを製造するために使用される製造マスクのセットへ変換する形式のCMOS製造プロセスで使用するための、前記ルールのセットを拡張して、IC構造の製造を最適化することを可能にする方法であって、
(a)提案されたICの構造を解析し、必要に応じて、前記IC設計レイヤの更なるレイヤを付加して、前記構造を実現し、
(b)ステップ(a)において必要とされるように特定された前記更なるレイヤを使用する、更なる前記ルールを定め、及び、
(c)新しいマスクを生成して、ステップ(a)において提案された前記ICを作成する
ステップを含み、前記製造マスクのセットで表現できるICの特性を最適化することができる、ことを特徴とする方法。 - 前記ICが、光エネルギーを検出するIC、及び前記IC内で生成された電荷を管理するICで構成される群から選択された、少なくとも一つのIC形式を含む、
ことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記方法が、前記CMOS製造プロセス、及び前記製造マスクのセットの少なくとも一つを、変更されないままにしておく、
ことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 高周波数成分を含む変調周期波形を持つ光エネルギーで、ターゲットを照明し、前記ターゲットによって反射された前記光エネルギーの一部を、少なくとも一つの半導体光検出器で検出するシステムにおいて使用するための、検出性能を改善する方法であって、
前記各半導体光検出器に、基板上に形成された空間的に離れた細長い構造の第一の群及び第二の群を提供し、ここで、隣接する前記構造を隔てるx方向の距離は、前記構造のy方向の長さより実質的に小さく、
前記基板内の検出生成電荷を、前記細長い構造の少なくとも第一の領域における局所収集のために、前記x方向に第一の速度で移動させ、かつ、前記第一の領域における前記検出生成電荷の少なくとも幾つかを、前記細長い構造の第二の領域における収集のために、前記y方向に第二の速度で移動させるように、前記半導体光検出器を動的にバイアスする
ステップを含み、前記半導体光検出器の性能は、前記第一の速度に実質的に依存し、前記第二の速度とは実質的に独立している、ことを特徴とする方法。 - 前記第一の速度が、前記第二の速度より実質的に速い、
ことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 前記細長い構造はゲート構造であり、かつ、
前記ゲート構造の前記第一の領域と前記第二の領域との間の電位差を維持するステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 前記ゲート構造の前記第一の領域にクロック信号を結合し、前記ゲート構造の前記第二の領域にコンデンサを結合するステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記ゲート構造の第一の群、及び前記ゲート構造の第二の群と関連付けられる空乏の深さを、動的に変えるステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記光エネルギーの波長に対する前記半導体光検出器の感度応答を、電気的に変化させるステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記半導体光検出器の量子効率を変調するステップ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 前記システムが、該システムと前記ターゲットとの間の距離を、前記半導体光検出器から得られた飛行時間情報を使って測定する、
ことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 高周波数成分を含む変調周期波形を持つ光エネルギーで、ターゲットを照明し、前記ターゲットによって反射される前記光エネルギーの一部を検出するシステムにおいて使用するための、該システムで使用されて前記光エネルギーの一部を検出する、少なくとも一つのCMOS実装可能な半導体光検出器であって、
基板上に形成された、空間的に離れた細長い構造の第一の群、及び第二の群、
を含み、隣接する前記構造を隔てるx方向の距離は、前記構造のy方向の長さより実質的に小さく、
前記基板内の検出生成電荷を、前記細長い構造の少なくとも第一の領域における局所収集のために、前記x方向に第一の速度で移動させ、かつ、前記第一の領域における前記検出生成電荷の少なくとも幾つかを、前記細長い構造の第二の領域における収集のために、前記y方向に第二の速度で移動させるように、前記半導体光検出器は、動的にバイアスされ、
前記半導体光検出器の性能は、前記第一の速度に実質的に依存し、前記第二の速度とは実質的に独立している、ことを特徴とする半導体光検出器。 - 前記第一の速度が、前記第二の速度より実質的に速い、
ことを特徴とする請求項26に記載の半導体光検出器。 - 前記細長い構造がゲート構造であり、かつ、
前記ゲート構造の前記第一及び第二の領域が、それらの間の電位差を維持するようにバイアス可能である、
ことを特徴とする請求項26に記載の半導体光検出器。 - 前記細長い構造がゲート構造であり、かつ、
前記ゲート構造の前記第二の領域に結合されたコンデンサ
をさらに含む、ことを特徴とする請求項26に記載の半導体光検出器。 - 前記細長い構造がゲート構造であり、かつ、
前記ゲート構造の第一の群、及び前記ゲート構造の第二の群の少なくとも一方と関連付けられる空乏の深さを、動的に変えるための手段
をさらに含む、ことを特徴とする請求項26に記載の半導体光検出器。 - 前記光エネルギーの波長に対する前記半導体光検出器の感度応答を、電気的に変化させるための手段
をさらに含む、ことを特徴とする請求項26に記載の半導体光検出器。 - 前記半導体光検出器の量子効率を変調するための手段、
をさらに含む、ことを特徴とする請求項26に記載の半導体光検出器。 - 前記システムが、該システムと前記ターゲットとの間の距離を、前記半導体光検出器から得られた飛行時間情報を使って測定する、
ことを特徴とする請求項26に記載の半導体光検出器。 - 検出される光エネルギーが当たり得る第一の表面を有する基板、
前記第一の表面上に配置された、空間的に離れたゲートの第一の群、及び
前記ゲートの第一の群の要素が、ゲートの第二の群の要素と交互に挟まれるように、前記第一の表面上に配置された、空間的に離れた該ゲートの第二の群、
を含む半導体センサを提供し、
前記ゲートの第一の群、及び第二の群の少なくとも一つを、電気的にプログラム可能な電位でバイアスして、その深さが該電位に応じる、前記ゲートと関連付けられる少なくとも第一の空乏領域を形成する
ステップを含み、前記半導体センサが、前記光エネルギー内の少なくとも一つの波長成分を識別できるように、該光エネルギーの波長成分が、前記第一の空乏領域内で収集可能な電荷を生成する
ことを特徴とする、半導体センサの波長応答を電気的にプログラムする、CMOS実装可能な方法。 - 前記第一の表面上に配置され、かつ前記ゲートの第一の群、及び第二の群の要素と交互に挟まれる、空間的に離れたゲートの第三の群を提供し、
前記空間的に離れたゲートの第三の群を、電気的にプログラム可能な電位でバイアスして、その深さが前記電位に応じる、前記ゲートと関連付けられる少なくとも第三の空乏領域を形成する
ステップをさらに含み、前記半導体センサが、前記光エネルギー内の少なくとも二つの波長成分を識別することができる、ことを特徴とする請求項34に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/464,299 | 2003-06-17 | ||
US10/464,299 US6906793B2 (en) | 2000-12-11 | 2003-06-17 | Methods and devices for charge management for three-dimensional sensing |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006517441A Division JP5357392B2 (ja) | 2003-06-17 | 2004-06-17 | 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012049547A true JP2012049547A (ja) | 2012-03-08 |
JP5638490B2 JP5638490B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=33539002
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006517441A Expired - Fee Related JP5357392B2 (ja) | 2003-06-17 | 2004-06-17 | 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 |
JP2011198613A Expired - Lifetime JP5638490B2 (ja) | 2003-06-17 | 2011-09-12 | 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 |
JP2011198612A Expired - Fee Related JP5792007B2 (ja) | 2003-06-17 | 2011-09-12 | 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006517441A Expired - Fee Related JP5357392B2 (ja) | 2003-06-17 | 2004-06-17 | 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011198612A Expired - Fee Related JP5792007B2 (ja) | 2003-06-17 | 2011-09-12 | 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6906793B2 (ja) |
EP (2) | EP1644700A4 (ja) |
JP (3) | JP5357392B2 (ja) |
WO (1) | WO2004114369A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014017314A1 (ja) | 2012-07-24 | 2014-01-30 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置 |
WO2015152297A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 株式会社ニコン | 検出素子、ロックイン検出装置、基板、および検出素子の製造方法 |
WO2019049662A1 (ja) | 2017-09-05 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップおよび電子機器 |
WO2019123738A1 (ja) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップ、電子機器、及び装置 |
WO2022064583A1 (ja) | 2020-09-24 | 2022-03-31 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | 距離情報生成装置および距離情報生成方法 |
Families Citing this family (180)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6906793B2 (en) * | 2000-12-11 | 2005-06-14 | Canesta, Inc. | Methods and devices for charge management for three-dimensional sensing |
US7352454B2 (en) * | 2000-11-09 | 2008-04-01 | Canesta, Inc. | Methods and devices for improved charge management for three-dimensional and color sensing |
NZ525241A (en) * | 2003-04-08 | 2006-02-24 | Univ Waikato | Range sensing system with shuttered receiver. |
US7139067B2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-11-21 | Textron Systems Corporation | Three-dimensional imaging with multiframe blind deconvolution |
JP2007519000A (ja) * | 2004-01-26 | 2007-07-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | オンチップ磁気共鳴分光法のための方法及びデバイス |
US8139141B2 (en) * | 2004-01-28 | 2012-03-20 | Microsoft Corporation | Single chip red, green, blue, distance (RGB-Z) sensor |
US7157685B2 (en) * | 2004-04-12 | 2007-01-02 | Canesta, Inc. | Method and system to enhance differential dynamic range and signal/noise in CMOS range finding systems using differential sensors |
US7321111B2 (en) * | 2004-04-12 | 2008-01-22 | Canesta, Inc. | Method and system to enhance differential dynamic range and signal/noise in CMOS range finding systems using differential sensors |
US7126100B1 (en) * | 2004-05-21 | 2006-10-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for sensing using adjustable modulation transfer function (MTF) |
DE602004021251D1 (de) * | 2004-08-04 | 2009-07-09 | Suisse Electronique Microtech | Festkörperbildsensor mit elektronischer Kontrolle der Apertur |
NZ535322A (en) * | 2004-09-13 | 2006-07-28 | Univ Waikato | Range sensing system |
EP1846948A4 (en) * | 2005-02-08 | 2009-09-09 | Canesta Inc | METHODS AND DEVICES FOR ENHANCED LOAD MANAGEMENT IN THREE-DIMENSIONAL AND COLOR DETECTION |
WO2006086455A2 (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Canesta, Inc. | Method and system to enhance differential dynamic range and signal/noise in cmos range finding systems using differential sensors |
US20060221328A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-05 | Rouly Ovi C | Automatic homing systems and other sensor systems |
US7910964B2 (en) * | 2005-08-30 | 2011-03-22 | National University Corporation Shizuoka University | Semiconductor range-finding element and solid-state imaging device |
US7504277B2 (en) * | 2005-10-12 | 2009-03-17 | Raytheon Company | Method for fabricating a high performance PIN focal plane structure using three handle wafers |
US8018579B1 (en) | 2005-10-21 | 2011-09-13 | Apple Inc. | Three-dimensional imaging and display system |
JP2007170856A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Denso Corp | 距離データ生成方法、距離画像生成装置、光電センサ |
US7791715B1 (en) * | 2006-10-02 | 2010-09-07 | Canesta, Inc. | Method and system for lossless dealiasing in time-of-flight (TOF) systems |
US7692130B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | CMOS imaging sensor having a third FET device with a gate terminal coupled to a second diffusion region of a first FET device and a first terminal coupled to a row select signal |
KR20080044017A (ko) * | 2006-11-15 | 2008-05-20 | 삼성전자주식회사 | 터치 스크린 |
EP1952752B2 (de) * | 2007-01-31 | 2019-10-16 | Richard Wolf GmbH | Endoskopsystem |
JP5295511B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-09-18 | 富士フイルム株式会社 | 測距装置及び測距方法 |
US20080258187A1 (en) * | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Ladd John W | Methods, systems and apparatuses for the design and use of imager sensors |
US8629976B2 (en) * | 2007-10-02 | 2014-01-14 | Microsoft Corporation | Methods and systems for hierarchical de-aliasing time-of-flight (TOF) systems |
NZ562739A (en) | 2007-10-19 | 2010-04-30 | Waikatolink Ltd | Signal simulation apparatus and method |
US8027029B2 (en) | 2007-11-07 | 2011-09-27 | Magna Electronics Inc. | Object detection and tracking system |
US7564022B1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-07-21 | Caeleste Cvba | Method and device for time-gating the sensitivity of an imager structure |
US7701763B2 (en) * | 2008-04-23 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Leakage compensation during program and read operations |
US8203699B2 (en) * | 2008-06-30 | 2012-06-19 | Microsoft Corporation | System architecture design for time-of-flight system having reduced differential pixel size, and time-of-flight systems so designed |
JP5283216B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-09-04 | 国立大学法人静岡大学 | 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置 |
US7973912B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-07-05 | Basis Software, Inc. | Binary modulation rangefinder |
US7999865B2 (en) * | 2008-10-20 | 2011-08-16 | Fairchild Imaging, Inc. | Imaging array with modulated pixels |
US8531651B2 (en) * | 2009-03-05 | 2013-09-10 | Panasonic Corporation | Distance measuring device, distance measuring method, program, and integrated circuit |
KR101668869B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2016-10-28 | 삼성전자주식회사 | 거리 센서, 3차원 이미지 센서 및 그 거리 산출 방법 |
KR101565969B1 (ko) | 2009-09-01 | 2015-11-05 | 삼성전자주식회사 | 깊이 정보를 추정할 수 있는 방법과 장치, 및 상기 장치를 포함하는 신호 처리 장치 |
US8681124B2 (en) * | 2009-09-22 | 2014-03-25 | Microsoft Corporation | Method and system for recognition of user gesture interaction with passive surface video displays |
JP5918465B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2016-05-18 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 光感知装置の単位ピクセル |
JP5483689B2 (ja) | 2009-11-24 | 2014-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
JP5620087B2 (ja) | 2009-11-30 | 2014-11-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
US8320621B2 (en) * | 2009-12-21 | 2012-11-27 | Microsoft Corporation | Depth projector system with integrated VCSEL array |
US8638424B2 (en) * | 2010-01-19 | 2014-01-28 | Microsoft Corporation | Charge equalizing clock driver and other enhancements for time-of-flight depth sensing and other systems |
KR101681198B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2016-12-01 | 삼성전자주식회사 | 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 센서를 포함하는 데이터 처리 시스템 |
KR20110093212A (ko) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 픽셀 및 픽셀 동작 방법 |
KR101643376B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2016-07-28 | 삼성전자주식회사 | 광센서를 이용한 리모트 터치 패널 및 이를 구비하는 리모트 터치 스크린 장치 |
KR101705251B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2017-02-10 | 삼성전자주식회사 | 광민감성 소자를 이용한 이미지 센서 및 그 동작 방법 |
FR2958430A1 (fr) * | 2010-04-02 | 2011-10-07 | Univ Paris 13 | Circuit electronique analogique de traitement d'un signal lumineux, systeme et procede de traitement correspondants |
EP2405663A1 (en) * | 2010-06-15 | 2012-01-11 | Thomson Licensing | Method of driving an image sensor |
JP5645513B2 (ja) | 2010-07-07 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP5656484B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-01-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5697371B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-04-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5751766B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-07-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5643555B2 (ja) | 2010-07-07 | 2014-12-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP5885401B2 (ja) | 2010-07-07 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
US8587771B2 (en) * | 2010-07-16 | 2013-11-19 | Microsoft Corporation | Method and system for multi-phase dynamic calibration of three-dimensional (3D) sensors in a time-of-flight system |
JP5616170B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-10-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
TW201224899A (en) * | 2010-12-14 | 2012-06-16 | xiang-yu Li | Synchronization device for detecting induced electric field as capacitive touch position detection |
WO2012115083A1 (ja) * | 2011-02-21 | 2012-08-30 | パナソニック株式会社 | 空間情報検出装置 |
US9857868B2 (en) | 2011-03-19 | 2018-01-02 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method and system for ergonomic touch-free interface |
US8840466B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-09-23 | Aquifi, Inc. | Method and system to create three-dimensional mapping in a two-dimensional game |
US9735304B1 (en) | 2013-03-15 | 2017-08-15 | Actlight, S.A. | Photo detector systems and methods of operating same |
US8971572B1 (en) | 2011-08-12 | 2015-03-03 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hand pointing estimation for human computer interaction |
US8854433B1 (en) | 2012-02-03 | 2014-10-07 | Aquifi, Inc. | Method and system enabling natural user interface gestures with an electronic system |
WO2013133143A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor device |
DE102012204512B4 (de) | 2012-03-21 | 2020-08-06 | pmdtechnologies ag | Vorrichtung zur Phasenmessung eines modulierten Lichts |
US8539425B1 (en) * | 2012-03-28 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Utilizing gate phases for circuit tuning |
JP2012185174A (ja) * | 2012-05-29 | 2012-09-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 距離センサ及び距離画像センサ |
US9111135B2 (en) | 2012-06-25 | 2015-08-18 | Aquifi, Inc. | Systems and methods for tracking human hands using parts based template matching using corresponding pixels in bounded regions of a sequence of frames that are a specified distance interval from a reference camera |
US8934675B2 (en) | 2012-06-25 | 2015-01-13 | Aquifi, Inc. | Systems and methods for tracking human hands by performing parts based template matching using images from multiple viewpoints |
US8836768B1 (en) | 2012-09-04 | 2014-09-16 | Aquifi, Inc. | Method and system enabling natural user interface gestures with user wearable glasses |
DE102012109548B4 (de) | 2012-10-08 | 2024-06-27 | pmdtechnologies ag | Auslesegate |
US9602807B2 (en) * | 2012-12-19 | 2017-03-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Single frequency time of flight de-aliasing |
US9129155B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-09-08 | Aquifi, Inc. | Systems and methods for initializing motion tracking of human hands using template matching within bounded regions determined using a depth map |
US9092665B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-07-28 | Aquifi, Inc | Systems and methods for initializing motion tracking of human hands |
US9019480B2 (en) | 2013-02-26 | 2015-04-28 | Jds Uniphase Corporation | Time-of-flight (TOF) system, sensor pixel, and method |
KR102007277B1 (ko) | 2013-03-11 | 2019-08-05 | 삼성전자주식회사 | 3차원 이미지 센서의 거리 픽셀 및 이를 포함하는 3차원 이미지 센서 |
US10269855B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-23 | ActLight SA | Photo detector systems and methods of operating same |
US11837669B2 (en) | 2013-03-15 | 2023-12-05 | ActLight SA | Photo detector systems and methods of operating same |
US11114480B2 (en) | 2013-03-15 | 2021-09-07 | ActLight SA | Photodetector |
US10964837B2 (en) | 2013-03-15 | 2021-03-30 | ActLight SA | Photo detector systems and methods of operating same |
US9298266B2 (en) | 2013-04-02 | 2016-03-29 | Aquifi, Inc. | Systems and methods for implementing three-dimensional (3D) gesture based graphical user interfaces (GUI) that incorporate gesture reactive interface objects |
US9497440B2 (en) * | 2013-04-05 | 2016-11-15 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Burst-mode time-of-flight imaging |
CN105849583B (zh) * | 2013-07-05 | 2018-01-23 | 阿克特莱特股份公司 | 接近传感器系统及其操作方法 |
CN104280739A (zh) * | 2013-07-10 | 2015-01-14 | 富泰华工业(深圳)有限公司 | 距离测量系统及方法 |
US9798388B1 (en) | 2013-07-31 | 2017-10-24 | Aquifi, Inc. | Vibrotactile system to augment 3D input systems |
MX2016003587A (es) * | 2013-09-24 | 2016-06-02 | Alpha Corp | Sensor optico reflexivo vehicular. |
KR102079716B1 (ko) | 2013-10-25 | 2020-02-20 | 삼성전자주식회사 | 배경 신호를 제거하는 센서 및 배경 신호를 제거하는 방법 |
US10079325B2 (en) | 2013-11-04 | 2018-09-18 | Artto Aurola | Semiconductor radiation detector |
US9507417B2 (en) | 2014-01-07 | 2016-11-29 | Aquifi, Inc. | Systems and methods for implementing head tracking based graphical user interfaces (GUI) that incorporate gesture reactive interface objects |
US9619105B1 (en) | 2014-01-30 | 2017-04-11 | Aquifi, Inc. | Systems and methods for gesture based interaction with viewpoint dependent user interfaces |
KR20150092412A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입체영상 표시장치와 그 구동방법 |
US9658322B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-05-23 | Garmin Switzerland Gmbh | LIDAR optical scanner system |
JP6315679B2 (ja) | 2014-04-18 | 2018-04-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離画像センサ |
JP6231940B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2017-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距装置及び測距装置の駆動方法 |
JP6351097B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2018-07-04 | 国立大学法人静岡大学 | 電磁波検出素子及び固体撮像装置 |
US10237534B2 (en) | 2014-07-07 | 2019-03-19 | Infineon Technologies Ag | Imaging device and a method for producing a three-dimensional image of an object |
US10158041B2 (en) * | 2014-07-09 | 2018-12-18 | Hoon Kim | Unit pixel of image sensor and photo detector using the same |
US9702976B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-07-11 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Time of flight camera |
US20160225812A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures |
US10419723B2 (en) | 2015-06-25 | 2019-09-17 | Magna Electronics Inc. | Vehicle communication system with forward viewing camera and integrated antenna |
US11131756B2 (en) * | 2015-09-29 | 2021-09-28 | Qualcomm Incorporated | LIDAR system with reflected signal strength measurement |
US10137904B2 (en) | 2015-10-14 | 2018-11-27 | Magna Electronics Inc. | Driver assistance system with sensor offset correction |
US11027654B2 (en) | 2015-12-04 | 2021-06-08 | Magna Electronics Inc. | Vehicle vision system with compressed video transfer via DSRC link |
EP3193190B1 (en) * | 2016-01-15 | 2023-04-12 | Sony Depthsensing Solutions N.V. | A detector device with majority current and a circuitry for controlling the current |
US10703204B2 (en) | 2016-03-23 | 2020-07-07 | Magna Electronics Inc. | Vehicle driver monitoring system |
US10571562B2 (en) | 2016-03-25 | 2020-02-25 | Magna Electronics Inc. | Vehicle short range sensing system using RF sensors |
US10534081B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-01-14 | Magna Electronics Inc. | Mounting system for vehicle short range sensors |
CN107370913B (zh) | 2016-05-11 | 2021-03-16 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置、摄像系统以及光检测方法 |
US10040481B2 (en) | 2016-05-17 | 2018-08-07 | Magna Electronics Inc. | Vehicle trailer angle detection system using ultrasonic sensors |
US10768298B2 (en) | 2016-06-14 | 2020-09-08 | Magna Electronics Inc. | Vehicle sensing system with 360 degree near range sensing |
US11454719B2 (en) | 2016-07-08 | 2022-09-27 | Magna Electronics Inc. | 2D MIMO radar system for vehicle |
US10239446B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-03-26 | Magna Electronics Inc. | Vehicle sensing system using daisy chain of sensors |
US10708227B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-07 | Magna Electronics Inc. | Scalable secure gateway for vehicle |
US10641867B2 (en) | 2016-08-15 | 2020-05-05 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar system with shaped radar antennas |
US10852418B2 (en) | 2016-08-24 | 2020-12-01 | Magna Electronics Inc. | Vehicle sensor with integrated radar and image sensors |
US10466355B2 (en) * | 2016-08-29 | 2019-11-05 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Optoelectronic modules for distance measurements and supplemental measurements |
WO2018042785A1 (ja) | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
US10836376B2 (en) | 2016-09-06 | 2020-11-17 | Magna Electronics Inc. | Vehicle sensing system with enhanced detection of vehicle angle |
US10677894B2 (en) | 2016-09-06 | 2020-06-09 | Magna Electronics Inc. | Vehicle sensing system for classification of vehicle model |
US10347129B2 (en) | 2016-12-07 | 2019-07-09 | Magna Electronics Inc. | Vehicle system with truck turn alert |
CN106643567B (zh) * | 2016-12-08 | 2019-03-01 | 广州汽车集团股份有限公司 | 一种车道偏移系统产线标定板的校验方法及系统 |
US10462354B2 (en) | 2016-12-09 | 2019-10-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicle control system utilizing multi-camera module |
CN106535412B (zh) * | 2016-12-21 | 2018-07-10 | 贵州恒芯微电子科技有限公司 | 一种端口共用的数字模拟调光电路 |
US10703341B2 (en) | 2017-02-03 | 2020-07-07 | Magna Electronics Inc. | Vehicle sensor housing with theft protection |
US10782388B2 (en) | 2017-02-16 | 2020-09-22 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar system with copper PCB |
US11536829B2 (en) | 2017-02-16 | 2022-12-27 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar system with radar embedded into radome |
US11142200B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-10-12 | Magna Electronics Inc. | Vehicular adaptive cruise control with enhanced vehicle control |
US10928489B2 (en) | 2017-04-06 | 2021-02-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Time of flight camera |
US10509113B2 (en) | 2017-04-07 | 2019-12-17 | ActLight SA | Techniques for performing time of flight measurements |
US10884103B2 (en) | 2017-04-17 | 2021-01-05 | Magna Electronics Inc. | Calibration system for vehicle radar system |
US10870426B2 (en) | 2017-06-22 | 2020-12-22 | Magna Electronics Inc. | Driving assistance system with rear collision mitigation |
CN108638969A (zh) | 2017-06-30 | 2018-10-12 | 麦格纳电子(张家港)有限公司 | 与拖车传感器通信的车辆视觉系统 |
EP3652555B1 (en) | 2017-08-31 | 2024-03-06 | SZ DJI Technology Co., Ltd. | A solid state light detection and ranging (lidar) system system and method for improving solid state light detection and ranging (lidar) resolution |
US10877148B2 (en) | 2017-09-07 | 2020-12-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar sensing system with enhanced angle resolution using synthesized aperture |
US10962641B2 (en) | 2017-09-07 | 2021-03-30 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar sensing system with enhanced accuracy using interferometry techniques |
US10962638B2 (en) | 2017-09-07 | 2021-03-30 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar sensing system with surface modeling |
US11150342B2 (en) | 2017-09-07 | 2021-10-19 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar sensing system with surface segmentation using interferometric statistical analysis |
US10933798B2 (en) | 2017-09-22 | 2021-03-02 | Magna Electronics Inc. | Vehicle lighting control system with fog detection |
US11391826B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-07-19 | Magna Electronics Inc. | Vehicle LIDAR sensor calibration system |
US11486968B2 (en) | 2017-11-15 | 2022-11-01 | Magna Electronics Inc. | Vehicle Lidar sensing system with sensor module |
US10816666B2 (en) | 2017-11-21 | 2020-10-27 | Magna Electronics Inc. | Vehicle sensing system with calibration/fusion of point cloud partitions |
US10215856B1 (en) | 2017-11-27 | 2019-02-26 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Time of flight camera |
CN108259131A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-07-06 | 武汉灵途传感科技有限公司 | 一种低功耗数传方法、发送端以及接收端 |
US11167771B2 (en) | 2018-01-05 | 2021-11-09 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Vehicular gesture monitoring system |
US10901087B2 (en) | 2018-01-15 | 2021-01-26 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Time of flight camera |
US11199611B2 (en) | 2018-02-20 | 2021-12-14 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar system with T-shaped slot antennas |
US11047977B2 (en) | 2018-02-20 | 2021-06-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar system with solution for ADC saturation |
US10942274B2 (en) | 2018-04-11 | 2021-03-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Time of flight and picture camera |
JP2020009883A (ja) | 2018-07-06 | 2020-01-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、測距モジュール、および、電子機器 |
EP3598498B1 (en) * | 2018-07-16 | 2023-08-30 | IMEC vzw | A pixel architecture and an image sensor |
US10895925B2 (en) | 2018-10-03 | 2021-01-19 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Touch display alignment |
US10861886B2 (en) | 2018-10-05 | 2020-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and image processing system having pixel structure to improve demodulation contrast performance |
US11435476B2 (en) | 2018-10-12 | 2022-09-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Time-of-flight RGB-IR image sensor |
US11808876B2 (en) | 2018-10-25 | 2023-11-07 | Magna Electronics Inc. | Vehicular radar system with vehicle to infrastructure communication |
JP2020067385A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 演算処理装置、測距装置及び演算処理方法 |
US11683911B2 (en) | 2018-10-26 | 2023-06-20 | Magna Electronics Inc. | Vehicular sensing device with cooling feature |
US11638362B2 (en) | 2018-10-29 | 2023-04-25 | Magna Electronics Inc. | Vehicular radar sensor with enhanced housing and PCB construction |
US11454720B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-09-27 | Magna Electronics Inc. | Vehicle radar system with enhanced wave guide antenna system |
US11096301B2 (en) | 2019-01-03 | 2021-08-17 | Magna Electronics Inc. | Vehicular radar sensor with mechanical coupling of sensor housing |
US11332124B2 (en) | 2019-01-10 | 2022-05-17 | Magna Electronics Inc. | Vehicular control system |
US11245875B2 (en) | 2019-01-15 | 2022-02-08 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Monitoring activity with depth and multi-spectral camera |
US11294028B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-04-05 | Magna Electronics Inc. | Sensing system with enhanced electrical contact at PCB-waveguide interface |
US11609304B2 (en) | 2019-02-07 | 2023-03-21 | Magna Electronics Inc. | Vehicular front camera testing system |
US11550059B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-01-10 | Garmin Switzerland Gmbh | Three-dimensional scanning LIDAR system comprising a receiver channel primary collection lens and an electronically-controllable mirror array selectively direct a directed portion of reflected scanning signal |
US11333739B2 (en) | 2019-02-26 | 2022-05-17 | Magna Electronics Inc. | Vehicular radar system with automatic sensor alignment |
EP3719460B1 (en) * | 2019-04-01 | 2023-05-17 | Integrated Device Technology, Inc. | Optical spectrometer, particularly a closed-loop optical spectrometer |
US11251217B2 (en) | 2019-04-17 | 2022-02-15 | ActLight SA | Photodetector sensor arrays |
US11267393B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-03-08 | Magna Electronics Inc. | Vehicular alert system for alerting drivers of other vehicles responsive to a change in driving conditions |
DE102019123085A1 (de) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | TPMT-Tepin Microelectronic Technology Ltd. Co. | Solarzelle, zugehöriges Herstellungs- und Betriebsverfahren sowie Anordnung mit einer Solarzelle und einer Spannungsquelle |
DE102019123088A1 (de) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | TPMT-Tepin Microelectronic Technology Ltd. Co. | Photoschalterstruktur, zugehöriges Herstellungsverfahren sowie Anordnung mit einer Photoschalterstruktur und einer Spannungsquelle |
TW202111350A (zh) * | 2019-08-29 | 2021-03-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 測距感測器及其驅動方法、與測距模組 |
US11079515B2 (en) | 2019-12-18 | 2021-08-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Micro lens time-of-flight sensor having micro lens heights that vary based on image height |
CN115066662A (zh) | 2020-01-10 | 2022-09-16 | 马格纳电子系统公司 | 通信系统和方法 |
US20210302587A1 (en) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Magic Leap, Inc. | Power-efficient hand tracking with time-of-flight sensor |
US12013480B2 (en) | 2020-06-05 | 2024-06-18 | Magna Electronics Inc. | Vehicular radar sensor with waveguide connection embedded in PCB |
US11823395B2 (en) | 2020-07-02 | 2023-11-21 | Magna Electronics Inc. | Vehicular vision system with road contour detection feature |
US11749105B2 (en) | 2020-10-01 | 2023-09-05 | Magna Electronics Inc. | Vehicular communication system with turn signal identification |
CN112214954B (zh) * | 2020-10-10 | 2021-07-13 | 温州大学 | 一种SiC异构结微波二极管噪声的评价方法及系统 |
US12007476B2 (en) | 2021-09-13 | 2024-06-11 | Magna Electronics Inc. | Method for detecting objects via a vehicular sensing system |
CN114114441B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-10-20 | 深圳市菲森科技有限公司 | 一种抑制x射线数字探测器电磁干扰的数据处理方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02162776A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Yokogawa Electric Corp | ホトセンサ |
JPH03290958A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光情報処理装置 |
JPH0451576A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Glory Ltd | 光検出装置 |
JPH05251479A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-09-28 | Nec Corp | 高周波用電界効果トランジスタ |
JP2000517427A (ja) * | 1996-09-05 | 2000-12-26 | ルドルフ シュヴァルト | 電磁波の位相情報および/または振幅情報を調べるための方法と装置 |
JP2001264439A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-26 | Olympus Optical Co Ltd | 距離測定装置及び距離測定方法 |
JP2002516490A (ja) * | 1998-05-18 | 2002-06-04 | ルドルフ シュワルテ | 電磁波の位相及び振幅を検出するための装置並びに方法 |
JP2002526989A (ja) * | 1998-09-28 | 2002-08-20 | スリーディーヴィー システムズ リミテッド | カメラを用いた距離測定 |
JP2002368205A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Olympus Optical Co Ltd | 距離情報入力装置 |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1306901A (en) | 1919-06-17 | Apparatus for repairing worn pin-bearings oe pin-connected trusses | ||
US3521244A (en) * | 1968-10-23 | 1970-07-21 | Rca Corp | Electrical circuit for processing periodic signal pulses |
DE2225557A1 (de) * | 1971-06-23 | 1973-03-15 | Hauser Raimund | Entfernungsmesser |
US4277167A (en) | 1976-08-25 | 1981-07-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Depth mapping system |
EP0106514B1 (en) | 1982-09-23 | 1989-03-15 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Infrared detectors |
US4733609A (en) | 1987-04-03 | 1988-03-29 | Digital Signal Corporation | Laser proximity sensor |
US5446529A (en) | 1992-03-23 | 1995-08-29 | Advanced Scientific Concepts, Inc. | 3D imaging underwater laser radar |
GB2265514B (en) | 1992-03-28 | 1995-08-16 | Marconi Gec Ltd | A receiver-transmitter for a target identification system |
US5426069A (en) * | 1992-04-09 | 1995-06-20 | Dalsa Inc. | Method for making silicon-germanium devices using germanium implantation |
JP3338472B2 (ja) * | 1992-04-13 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置 |
JP3059599B2 (ja) * | 1992-10-19 | 2000-07-04 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
US5563801A (en) * | 1993-10-06 | 1996-10-08 | Nsoft Systems, Inc. | Process independent design for gate array devices |
JP3761918B2 (ja) * | 1994-09-13 | 2006-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
DE4440613C1 (de) | 1994-11-14 | 1996-07-25 | Leica Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Detektion und Demodulation eines intensitätsmodulierten Strahlungsfeldes |
US5682229A (en) | 1995-04-14 | 1997-10-28 | Schwartz Electro-Optics, Inc. | Laser range camera |
US5710621A (en) | 1995-04-25 | 1998-01-20 | Omron Corporation | Heterodyne measurement device and method |
JPH08313215A (ja) | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Olympus Optical Co Ltd | 2次元距離センサ |
IL116438A (en) | 1995-12-18 | 2000-01-31 | Israel State | Laser sensor |
US6002423A (en) | 1996-01-16 | 1999-12-14 | Visidyne, Inc. | Three-dimensional imaging system |
JP3543042B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2004-07-14 | 松下電器産業株式会社 | レイアウトパターン生成装置 |
US5650864A (en) * | 1996-04-08 | 1997-07-22 | Scanvision | Full color single-sensor-array contact image sensor (CIS) using advanced signal processing techniques |
US5831719A (en) | 1996-04-12 | 1998-11-03 | Holometrics, Inc. | Laser scanning system |
US5892575A (en) | 1996-05-10 | 1999-04-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for imaging a scene using a light detector operating in non-linear geiger-mode |
US5872049A (en) * | 1996-06-19 | 1999-02-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Nitrogenated gate structure for improved transistor performance and method for making same |
DE19704496C2 (de) * | 1996-09-05 | 2001-02-15 | Rudolf Schwarte | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Phasen- und/oder Amplitudeninformation einer elektromagnetischen Welle |
US6040592A (en) * | 1997-06-12 | 2000-03-21 | Intel Corporation | Well to substrate photodiode for use in a CMOS sensor on a salicide process |
TW486753B (en) * | 1997-08-22 | 2002-05-11 | Toshiba Corp | Method for aligning pattern of optical mask and optical mask used in the method |
US5953110A (en) | 1998-04-23 | 1999-09-14 | H.N. Burns Engineering Corporation | Multichannel laser radar |
FR2780163B1 (fr) | 1998-06-18 | 2000-08-11 | Agence Spatiale Europeenne | Systeme de telescopie laser doppler incoherente |
US6419626B1 (en) * | 1998-08-12 | 2002-07-16 | Inbae Yoon | Surgical instrument endoscope with CMOS image sensor and physical parameter sensor |
US6573548B2 (en) * | 1998-08-14 | 2003-06-03 | Monolithic System Technology, Inc. | DRAM cell having a capacitor structure fabricated partially in a cavity and method for operating same |
US6239456B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-05-29 | Photobit Corporation | Lock in pinned photodiode photodetector |
US6452666B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-09-17 | Photobit Corporation | Optical range finder |
US6137566A (en) | 1999-02-24 | 2000-10-24 | Eoo, Inc. | Method and apparatus for signal processing in a laser radar receiver |
US6691297B1 (en) * | 1999-03-04 | 2004-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI |
US6323942B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-11-27 | Canesta, Inc. | CMOS-compatible three-dimensional image sensor IC |
US6522395B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-02-18 | Canesta, Inc. | Noise reduction techniques suitable for three-dimensional information acquirable with CMOS-compatible image sensor ICS |
US6614422B1 (en) | 1999-11-04 | 2003-09-02 | Canesta, Inc. | Method and apparatus for entering data using a virtual input device |
US6512838B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-01-28 | Canesta, Inc. | Methods for enhancing performance and data acquired from three-dimensional image systems |
KR100353551B1 (ko) * | 2000-01-28 | 2002-09-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실리사이드 형성방법 |
JP2001281336A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Olympus Optical Co Ltd | 距離画像撮像装置 |
US6782516B2 (en) * | 2000-08-07 | 2004-08-24 | Dupont Photomasks, Inc. | System and method for eliminating design rule violations during construction of a mask layout block |
US6468915B1 (en) * | 2000-09-21 | 2002-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of silicon oxynitride ARC removal after gate etching |
JP3875477B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
US6515740B2 (en) | 2000-11-09 | 2003-02-04 | Canesta, Inc. | Methods for CMOS-compatible three-dimensional image sensing using quantum efficiency modulation |
US6580496B2 (en) * | 2000-11-09 | 2003-06-17 | Canesta, Inc. | Systems for CMOS-compatible three-dimensional image sensing using quantum efficiency modulation |
US6906793B2 (en) * | 2000-12-11 | 2005-06-14 | Canesta, Inc. | Methods and devices for charge management for three-dimensional sensing |
AU2002221005A1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-06-03 | Vision Sciences, Inc. | Programmable resolution cmos image sensor |
KR100382728B1 (ko) * | 2000-12-09 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 얕은 트렌치 아이솔레이션 구조를 갖는 반도체 디바이스및 그 제조방법 |
US6496416B1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-12-17 | Xilinx, Inc. | Low voltage non-volatile memory cell |
US6678039B2 (en) | 2001-05-23 | 2004-01-13 | Canesta, Inc. | Method and system to enhance dynamic range conversion useable with CMOS three-dimensional imaging |
JP2003017388A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Fujitsu Ltd | ブロックマスク製造方法、ブロックマスク、および、露光装置 |
JP2003051988A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Inst Of Physical & Chemical Res | 固体撮像素子 |
US6403425B1 (en) * | 2001-11-27 | 2002-06-11 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Dual gate oxide process with reduced thermal distribution of thin-gate channel implant profiles due to thick-gate oxide |
-
2003
- 2003-06-17 US US10/464,299 patent/US6906793B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-17 EP EP04755660A patent/EP1644700A4/en not_active Ceased
- 2004-06-17 JP JP2006517441A patent/JP5357392B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-17 EP EP11190111.2A patent/EP2442068A3/en not_active Withdrawn
- 2004-06-17 WO PCT/US2004/019620 patent/WO2004114369A2/en active Application Filing
- 2004-12-30 US US11/028,290 patent/US7464351B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-12 JP JP2011198613A patent/JP5638490B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-09-12 JP JP2011198612A patent/JP5792007B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02162776A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Yokogawa Electric Corp | ホトセンサ |
JPH03290958A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光情報処理装置 |
JPH0451576A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Glory Ltd | 光検出装置 |
JPH05251479A (ja) * | 1991-11-27 | 1993-09-28 | Nec Corp | 高周波用電界効果トランジスタ |
JP2000517427A (ja) * | 1996-09-05 | 2000-12-26 | ルドルフ シュヴァルト | 電磁波の位相情報および/または振幅情報を調べるための方法と装置 |
JP2002516490A (ja) * | 1998-05-18 | 2002-06-04 | ルドルフ シュワルテ | 電磁波の位相及び振幅を検出するための装置並びに方法 |
JP2002526989A (ja) * | 1998-09-28 | 2002-08-20 | スリーディーヴィー システムズ リミテッド | カメラを用いた距離測定 |
JP2001264439A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-26 | Olympus Optical Co Ltd | 距離測定装置及び距離測定方法 |
JP2002368205A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Olympus Optical Co Ltd | 距離情報入力装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014017314A1 (ja) | 2012-07-24 | 2014-01-30 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置 |
EP4057353A2 (en) | 2012-07-24 | 2022-09-14 | Sony Group Corporation | Imaging element, electronic device, and information processing device |
CN106134182B (zh) * | 2014-03-31 | 2019-05-17 | 株式会社尼康 | 检测元件、锁定检测装置、基板及检测元件的制造方法 |
JPWO2015152297A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 株式会社ニコン | 検出装置、電子機器および製造方法 |
US10026768B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-07-17 | Nikon Corporation | Detector, detector with lock-in amplifier, substrate, and method for manufacturing a detector |
CN106134182A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-11-16 | 株式会社尼康 | 检测元件、锁定检测装置、基板及检测元件的制造方法 |
WO2015152297A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 株式会社ニコン | 検出素子、ロックイン検出装置、基板、および検出素子の製造方法 |
WO2019049662A1 (ja) | 2017-09-05 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップおよび電子機器 |
US10418405B2 (en) | 2017-09-05 | 2019-09-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
US10748952B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-08-18 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
US10872920B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-12-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
US11889213B2 (en) | 2017-09-05 | 2024-01-30 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
WO2019123738A1 (ja) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップ、電子機器、及び装置 |
US11543497B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-03 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip, electronic equipment, and apparatus |
WO2022064583A1 (ja) | 2020-09-24 | 2022-03-31 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | 距離情報生成装置および距離情報生成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5792007B2 (ja) | 2015-10-07 |
WO2004114369A3 (en) | 2005-03-10 |
WO2004114369A2 (en) | 2004-12-29 |
US20050156121A1 (en) | 2005-07-21 |
EP1644700A2 (en) | 2006-04-12 |
JP2007526448A (ja) | 2007-09-13 |
EP1644700A4 (en) | 2009-09-02 |
US7464351B2 (en) | 2008-12-09 |
JP5357392B2 (ja) | 2013-12-04 |
EP2442068A3 (en) | 2013-10-30 |
JP2012037526A (ja) | 2012-02-23 |
US20030223053A1 (en) | 2003-12-04 |
JP5638490B2 (ja) | 2014-12-10 |
US6906793B2 (en) | 2005-06-14 |
EP2442068A2 (en) | 2012-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5638490B2 (ja) | 三次元及び色彩検出における電荷管理のための方法及び装置 | |
US7994465B1 (en) | Methods and devices for improved charge management for three-dimensional and color sensing | |
US7352454B2 (en) | Methods and devices for improved charge management for three-dimensional and color sensing | |
US6580496B2 (en) | Systems for CMOS-compatible three-dimensional image sensing using quantum efficiency modulation | |
US6515740B2 (en) | Methods for CMOS-compatible three-dimensional image sensing using quantum efficiency modulation | |
Bamji et al. | A 0.13 μm CMOS system-on-chip for a 512× 424 time-of-flight image sensor with multi-frequency photo-demodulation up to 130 MHz and 2 GS/s ADC | |
US20160225812A1 (en) | Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures | |
Lange et al. | Solid-state time-of-flight range camera | |
Keel et al. | A VGA Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With 4-Tap 7-$\mu $ m Global-Shutter Pixel and Fixed-Pattern Phase Noise Self-Compensation | |
US11709238B2 (en) | Demodulator with a carrier generating pinned photodiode and a method for operating it | |
JP4533582B2 (ja) | 量子効率変調を用いたcmosコンパチブルの三次元イメージセンシングのためのシステム | |
US7564022B1 (en) | Method and device for time-gating the sensitivity of an imager structure | |
EP1846948A2 (en) | Methods and devices for improved charge management for three-dimensional and color sensing | |
US11532663B2 (en) | Demodulator with a carrier generating pinned photodiode | |
US7521663B2 (en) | Optoelectronic detector with multiple readout nodes and its use thereof | |
Pancheri et al. | Sensors based on in-pixel photo-mixing devices | |
WO2024071088A1 (ja) | 撮像装置、測距装置及び撮像装置の制御方法 | |
Hossain | Design and Characterization of a Current Assisted Photo Mixing Demodulator for Tof Based 3d Cmos Image Sensor | |
Shcherbakova | 3D camera based on gain-modulated CMOS avalanche photodiodes | |
Hossain et al. | A 3D image sensor based on current assisted photonic mixing demodulator in 0.18 µm CMOS technology | |
Pancheri et al. | IR-optimized silicon demodulating detector with 3-dimensional electrodes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130522 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130822 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140414 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140714 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140814 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140922 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5638490 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |