JP5483689B2 - 距離センサ及び距離画像センサ - Google Patents
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Description
・パルス駆動信号SP:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・検出用ゲート信号S1:
・V(t)=1(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=0(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・検出用ゲート信号S2(=S1の反転):
・V(t)=0(但し、0<t<(T/2)の場合)
・V(t)=1(但し、(T/2)<t<Tの場合)
・V(t+T)=V(t)
・半導体基板1A:厚さ10〜1000μm/不純物濃度1×1012〜1015cm−3
・ウェル領域W1〜W4:厚さ0.5〜5μm/不純物濃度1×1016〜1018cm−3
・半導体領域FD1〜FD4:厚さ0.1〜1μm/不純物濃度1×1018〜1020cm−3
Claims (7)
- 半導体基板と、
半導体基板の表面上に設けられ、平面形状が互いに対向する第1辺及び第2辺を有するフォトゲート電極と、
前記フォトゲート電極の前記第1辺側において該第1辺に沿って互いに空間的に離間して配置され、前記半導体基板とは異なる導電型を有し且つ前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を蓄積する第1及び第2半導体領域と、
前記フォトゲート電極の前記第2辺側において該第2辺に沿って互いに空間的に離間し且つ前記第1辺及び前記第2辺の対向方向で前記フォトゲート電極を挟んで前記第1及び第2半導体領域と対向して配置され、前記半導体基板とは異なる導電型を有し且つ前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を蓄積する第3及び第4半導体領域と、
前記半導体基板の導電型と同一の導電型であって、前記半導体基板の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記第1〜第4半導体領域それぞれと重複するように設けられたウェル領域と、
異なる位相の電荷転送信号が与えられ、前記表面上において前記第1及び第3半導体領域と前記フォトゲート電極との間にそれぞれ設けられた第1転送電極並びに前記表面上において前記第2及び第4半導体領域と前記フォトゲート電極との間にそれぞれ設けられた第2転送電極と、を備え、
各前記第1転送電極は、各前記第1転送電極に与えられる前記電荷転送信号に基づいて、前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を前記第1及び第3半導体領域に送り、各前記第2転送電極は、各前記第1転送電極に与えられる前記電荷転送信号と位相が異なり且つ各前記第2転送電極に与えられる前記電荷転送信号に基づいて、前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を前記第2及び第4半導体領域に送ることを特徴とする距離センサ。 - 前記フォトゲート電極の前記第1辺側において該第1辺に沿って前記第1及び第2半導体領域と空間的に離間して配置され、前記半導体基板とは異なる導電型を有し且つ前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を蓄積する第5半導体領域と、
前記フォトゲート電極の前記第2辺側において該第2辺に沿って前記第3及び第4半導体領域と空間的に離間し且つ前記対向方向で前記フォトゲート電極を挟んで前記第5半導体領域と対向して配置され、前記半導体基板とは異なる導電型を有し且つ前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を収集する第6半導体領域と、を更に備え、
前記ウェル領域は、前記第5及び第6半導体領域それぞれと重複するように設けられ、
前記表面上において前記第5半導体領域と前記フォトゲート電極との間に前記第1転送電極が更に設けられ、
前記表面上において前記第6半導体領域と前記フォトゲート電極との間に前記第2転送電極が更に設けられ、
各前記第1転送電極は、各前記第1転送電極に与えられる前記電荷転送信号に基づいて、前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を前記第5半導体領域に送り、各前記第2転送電極は、各前記第2転送電極に与えられる前記電荷転送信号に基づいて、前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を前記第6半導体領域に送ることを特徴とする請求項1に記載の距離センサ。 - 前記第1辺側及び前記第2辺側それぞれにおいて、前記第1転送電極の長さの合計値と前記第2転送電極の長さの合計値とが同じであることを特徴とする請求項2に記載の距離センサ。
- 前記フォトゲート電極の平面形状は、互いに対向する第3辺及び第4辺を更に有し、
前記フォトゲート電極の前記第3辺側において該第3辺に沿って互いに空間的に離間して配置され、前記半導体基板とは異なる導電型を有し且つ前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を蓄積する第7及び第8半導体領域と、
前記フォトゲート電極の前記第4辺側において該第4辺に沿って互いに空間的に離間し且つ前記第3辺及び前記第4辺の対向方向で前記フォトゲート電極を挟んで前記第7及び第8半導体領域と対向して配置され、前記半導体基板とは異なる導電型を有し且つ前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を蓄積する第9及び第10半導体領域と、
異なる位相の電荷転送信号が与えられ、前記表面上において前記第7及び第9半導体領域と前記フォトゲート電極との間にそれぞれ設けられた第3転送電極並びに前記表面上において前記第8及び第10半導体領域と前記フォトゲート電極との間にそれぞれ設けられた第4転送電極と、を更に備え、
各前記第3転送電極は、各前記第1転送電極及び各前記第2転送電極に与えられる前記電荷転送信号と位相が異なり且つ各前記第3転送電極に与えられる前記電荷転送信号に基づいて、前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を前記第7及び第9半導体領域に送り、各前記第4転送電極は、各前記第1転送電極、各前記第2転送電極及び各前記第3転送電極に与えられる前記電荷転送信号と位相が異なり且つ各前記第4転送電極に与えられる前記電荷転送信号に基づいて、前記フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を前記第8及び第10半導体領域に送り、
前記ウェル領域は、前記第7〜第10半導体領域それぞれと重複するように設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の距離センサ。 - 請求項1に記載の距離センサと、
光源と、
前記光源にパルス駆動信号を与える駆動回路と、
前記第1及び第2転送電極に、前記パルス駆動信号に同期し且つ互いに異なる位相の電荷転送信号をそれぞれ与える制御回路と、
前記第1〜第4半導体領域から読み出された信号から、対象物までの距離を演算する演算回路と、を備えることを特徴とする距離画像センサ。 - 請求項2又は3に記載の距離センサと、
光源と、
前記光源にパルス駆動信号を与える駆動回路と、
前記第1及び第2転送電極に、前記パルス駆動信号に同期し且つ互いに異なる位相の電荷転送信号をそれぞれ与える制御回路と、
前記第1〜第6半導体領域から読み出された信号から、対象物までの距離を演算する演算回路と、を備えることを特徴とする距離画像センサ。 - 請求項4に記載の距離センサと、
光源と、
前記光源にパルス駆動信号を与える駆動回路と、
前記第1〜第4転送電極に、前記パルス駆動信号に同期し且つ互いに異なる位相の電荷転送信号をそれぞれ与える制御回路と、
前記第1〜第4半導体領域並びに前記第7〜第10半導体領域から読み出された信号から、対象物までの距離を演算する演算回路と、を備えることを特徴とする距離画像センサ。
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