JP2011527071A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. フラッシュ・メモリ・デバイスを読み取るための方法であって、
   少なくとも１つのターゲット・セルに関する読み取り値を獲得すること、
   前記ターゲット・セルより後にプログラミングされた少なくとも１つのアグレッサ・セルの中に格納された電圧を表す値を獲得すること、
   前記少なくとも１つのアグレッサ・セルからの前記ターゲット・セルに関するセル間干渉を算出すること、および
   前記読み取り値から前記算出されたセル間干渉を除去することによって前記ターゲット・セルの中に格納されたデータを表す新たな読み取り値を計算することを備える方法。
2. 少なくとも１つのアグレッサ・セルの中に格納された電圧を表す前記値は、測定された値、予期される値、推定される値、平均値、量子化された値、および検出された値の１つまたは複数を備える請求項１に記載の方法。
3. 復号誤りが生じた場合、１つまたは複数のセル間干渉軽減パラメータを調整するステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
4. 前記セル間干渉軽減パラメータは、考慮されるアグレッサ・セルの数を備える請求項３に記載の方法。
5. 前記セル間干渉軽減パラメータは、ハード電圧値に加えてソフト電圧値を使用することを備える請求項３に記載の方法。
6. 前記少なくとも１つのアグレッサ・セルは、前記ターゲット・セルに隣接する１つまたは複数のセルを備える請求項１に記載の方法。
7. 前記算出するステップは、少なくとも１つのアグレッサ・セルの中に格納された電圧を表す前記値に基づいて、セル間干渉を計算する請求項１に記載の方法。
8. 少なくとも１つのアグレッサ・セルの中に格納された電圧を表す前記値は、前記アグレッサ・セルが前記ターゲット・セルと同一のページまたは同一のワード線にある場合、測定された値を備え、さらに少なくとも１つのアグレッサ・セルの中に格納された電圧を表す前記値は、前記アグレッサ・セルが前記ターゲット・セルと異なるページまたは異なるワード線にある場合、推定される値を備える請求項１に記載の方法。
9. マルチステップ・ページ・プログラミング・シーケンスの１つまたは複数のステップに適用される請求項１に記載の方法。
10. フラッシュ・メモリ・デバイスを読み取るためのシステムであって、
    メモリと、
    前記メモリに結合され、
    少なくとも１つのターゲット・セルに関する読み取り値を獲得し、
    前記ターゲット・セルより後にプログラミングされた少なくとも１つのアグレッサ・セルの中に格納された電圧を表す値を獲得し、
    前記少なくとも１つのアグレッサ・セルからの前記ターゲット・セルに関するセル間干渉を算出し、さらに
    前記読み取り値から前記算出されたセル間干渉を除去することによって前記ターゲット・セルの中に格納されたデータを表す新たな読み取り値を計算するように動作する少なくとも１つのプロセッサとを備えるシステム。