JP2011501153A - ブリッジにおけるgmrセンサの整合 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の好ましい実施形態を述べたが、それらの概念を組み込む他の実施形態が使用されてもよいことは、当業者には今では明らかになるであろう。従って、これらの実施形態は、開示された実施形態に限定されるべきではなく、むしろ添付の特許請求の範囲の精神および範囲によってのみ限定されるべきであると感じられる。
Claims (21)
- 1つまたは複数の磁気抵抗(MR)素子と、
1つまたは複数のダミーMR素子とを含み、各当該ダミーMR素子は、前記1つまたは複数のMR素子の選択された1つの近くに配置される、
センサ。 - 前記1つまたは複数のMR素子は、ブリッジ回路を形成するように電気的に接続されたMR素子を含み、各当該ダミーMR素子は、前記ブリッジ回路の前記MR素子の選択された1つの近くに配置される、請求項1に記載のセンサ。
- 前記MR素子の前記選択された1つは、隣接素子として前記ブリッジ回路の前記MR素子のもう1つと前記ダミーMR素子とを有し、前記隣接素子は、前記MR素子の前記選択された1つの対向する両側に配置され、前記MR素子の前記選択された1つに対して構造および位置に関して対称的である、請求項2に記載のセンサ。
- 前記ブリッジ回路は、全ブリッジ回路を含む、請求項2に記載のセンサ。
- 前記隣接素子は、遮蔽されたMR素子である、請求項2に記載のセンサ。
- 前記ダミーMR素子は、電圧源に接続され、センサ動作中に、前記隣接素子は、同様の大きさの電流を通す、請求項2に記載のセンサ。
- 前記ブリッジ回路の前記MR素子はすべて、能動MR素子である、請求項2に記載のセンサ。
- 前記ブリッジ回路は、半ブリッジ回路を含む、請求項2に記載のセンサ。
- 前記ブリッジ回路の出力端子に接続される増幅器と、
電流が供給されて通る導体とをさらに含み、
前記増幅器は、出力として前記供給電流に比例する出力電圧を提供する、請求項2に記載のセンサ。 - 第2のブリッジ回路を形成するように電気的に接続された磁気抵抗(MR)素子であって、前記ブリッジ回路の前記MR素子から所定の角度だけオフセットする前記第2のブリッジ回路の前記MR素子と、
第2のダミーMR素子とをさらに含み、
前記第2のブリッジ回路の前記MR素子の1つは、能動MR素子であり、隣接素子として前記第2のブリッジ回路の別の前記MR素子と前記第2のダミーMR素子とを有し、前記隣接素子は、前記第2のブリッジ回路の前記能動MR素子の対向する両側に配置され、前記第2のブリッジ回路の前記能動MR素子に対して構造および位置に関して対称的である、請求項2に記載のセンサ。 - 前記ブリッジ回路および前記第2のブリッジ回路は、半ブリッジ回路である、請求項10に記載のセンサ。
- 前記所定の角度は、前記ブリッジ回路によって生成される出力信号が所定の電気的位相シフトを示すように選択される、請求項10に記載のセンサ。
- 前記1つまたは複数のMR素子および前記1つまたは複数のダミーMR素子は、巨大磁気抵抗(GMR)素子を含む、請求項1に記載のセンサ。
- 前記1つまたは複数のMR素子および前記1つまたは複数のダミーMR素子は、磁気トンネル接合(MTJ)素子を含む、請求項1に記載のセンサ。
- 前記1つまたは複数のMR素子および前記1つまたは複数のダミーMR素子は、トンネル磁気抵抗(TMR)素子を含む、請求項1に記載のセンサ。
- 第1の検出デバイスと、
第2の検出デバイスとを含む角度測定デバイスであって、
前記第1および第2の検出デバイスの各々は、
ブリッジ回路を形成するように電気的に接続された磁気抵抗(MR)素子と、
1つまたは複数のダミーMR素子とを含み、各当該ダミーMR素子は、前記MR素子の選択された1つの近くに配置され、
前記第2の検出デバイスの前記MR素子は、前記第1の検出デバイスの前記MR素子に対して所定の角度で提供される、角度測定デバイス。 - 前記第1および第2の検出デバイスによって生成される出力信号から角度を決定するために、前記第1および第2の検出デバイスに結合されるデバイスをさらに含む、請求項16に記載の角度測定デバイス。
- 前記第1および第2の検出デバイスの前記MR素子は、GMR素子を含む、請求項16に記載の角度測定デバイス。
- 前記第1および第2の検出デバイスの前記MR素子は、MTJ素子を含む、請求項16に記載の角度測定デバイス。
- 前記第1および第2の検出デバイスの前記MR素子は、TMR素子を含む、請求項16に記載の角度測定デバイス。
- ブリッジ回路を形成するように電気的に接続された磁気抵抗(MR)素子と、
ダミーMR素子とを含む検出デバイスであって、
前記ブリッジ回路の前記MR素子の1つは、能動MR素子であり、隣接素子として前記ブリッジ回路の別の前記MR素子と前記ダミーMR素子とを有し、前記隣接素子は、前記能動MR素子の対向する両側に配置され、前記能動MR素子に対して構造および位置に関して対称的である、
検出デバイス。
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