JP2002131342A - 電流センサ - Google Patents
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号線に流れる電流からの磁界を前記信号線
の近傍に配置される２つの磁気検出素子により検知して
得た２信号を差動増幅して前記電流の検知信号を得る電
流センサにおいて、省スペースが図れ、Ｓ／Ｎ比を向上
できる構成を提供する。 【解決手段】 検知すべき電流が流される信号線８の中
心軸をｚ軸、このｚ軸に直交する一軸をｘ軸、このｘ軸
とｚ軸に直交する一軸をｙ軸とする。２つの磁気インピ
ーダンス素子１０Ａ，１０Ｂは、信号線８の近傍で、そ
れぞれの磁界検知方向（磁性薄膜からなる磁気検知部１
４ａ，１４ｂの長手方向）がｘ軸方向になるようにし
て、ｘ軸を挟んでｙ軸方向に隣接して配置される。素子
１０Ａ，１０Ｂは、信号線８に流れる電流Ｉからの磁界
Ｈのｘ軸方向の磁界成分を検知することになる。
の近傍に配置される２つの磁気検出素子により検知して
得た２信号を差動増幅して前記電流の検知信号を得る電
流センサにおいて、省スペースが図れ、Ｓ／Ｎ比を向上
できる構成を提供する。 【解決手段】 検知すべき電流が流される信号線８の中
心軸をｚ軸、このｚ軸に直交する一軸をｘ軸、このｘ軸
とｚ軸に直交する一軸をｙ軸とする。２つの磁気インピ
ーダンス素子１０Ａ，１０Ｂは、信号線８の近傍で、そ
れぞれの磁界検知方向（磁性薄膜からなる磁気検知部１
４ａ，１４ｂの長手方向）がｘ軸方向になるようにし
て、ｘ軸を挟んでｙ軸方向に隣接して配置される。素子
１０Ａ，１０Ｂは、信号線８に流れる電流Ｉからの磁界
Ｈのｘ軸方向の磁界成分を検知することになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号線に流れる電
流からの磁界を磁気検出素子により検知して前記電流を
検知する電流センサに関するものである。
流からの磁界を磁気検出素子により検知して前記電流を
検知する電流センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電流を検知するセンサには、カレ
ントトランス、ホール素子、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素
子）等が使われてきた。近年、省エネルギー要求の高ま
りで電流センサの市場は拡大しており、性能的には、よ
りきめこまかい電流監視に対応して、精度の高い電流セ
ンサが要求されてきている。しかし、従来の電流センサ
では、限界が見えつつあり、新しい電流センサの登場が
期待されている。
ントトランス、ホール素子、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素
子）等が使われてきた。近年、省エネルギー要求の高ま
りで電流センサの市場は拡大しており、性能的には、よ
りきめこまかい電流監視に対応して、精度の高い電流セ
ンサが要求されてきている。しかし、従来の電流センサ
では、限界が見えつつあり、新しい電流センサの登場が
期待されている。
【０００３】その要求に対して、信号線に流れる電流か
らの磁界を磁気検出素子により検知して前記電流を検知
する電流センサにおいて、磁気検出素子に磁気インピー
ダンス素子（以下、ＭＩ素子と略す）を用いるという考
えがある。ＭＩ素子は、磁性体からなる磁気検知部に高
周波電流を印加すると、外部磁界に応じて磁気検知部の
両端間のインピーダンスが変化するもので、そのインピ
ーダンス変化を信号として取り出すものである。
らの磁界を磁気検出素子により検知して前記電流を検知
する電流センサにおいて、磁気検出素子に磁気インピー
ダンス素子（以下、ＭＩ素子と略す）を用いるという考
えがある。ＭＩ素子は、磁性体からなる磁気検知部に高
周波電流を印加すると、外部磁界に応じて磁気検知部の
両端間のインピーダンスが変化するもので、そのインピ
ーダンス変化を信号として取り出すものである。
【０００４】特に、出願人がすでに提案した特開平８−
３３０６４４号や特開平９−１２７２１８号等の公報に
記載された後述の図８に示す素子のように、非磁性基板
上に、直線を複数回平行に折り返した細長いつづら折り
状パターンの磁性薄膜からなる磁気検知部を設けたＭＩ
素子は、チップ抵抗のような小型サイズでＭＲ素子より
２桁高い感度が得られる特長を持つ。
３３０６４４号や特開平９−１２７２１８号等の公報に
記載された後述の図８に示す素子のように、非磁性基板
上に、直線を複数回平行に折り返した細長いつづら折り
状パターンの磁性薄膜からなる磁気検知部を設けたＭＩ
素子は、チップ抵抗のような小型サイズでＭＲ素子より
２桁高い感度が得られる特長を持つ。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の高感度のＭＩ素
子を検知すべき電流が流される信号線に近接して配置
し、前記電流から発せられる磁界をＭＩ素子により検知
して前記電流を検知することになるが、１個のＭＩ素子
だけでは周囲の外乱磁気の影響を排除してＳ／Ｎ比の良
い電流検知を行うことが困難である。
子を検知すべき電流が流される信号線に近接して配置
し、前記電流から発せられる磁界をＭＩ素子により検知
して前記電流を検知することになるが、１個のＭＩ素子
だけでは周囲の外乱磁気の影響を排除してＳ／Ｎ比の良
い電流検知を行うことが困難である。
【０００６】その対策として、２個のＭＩ素子を用いて
差動動作させる構成が知られている。その従来例を図８
に示してある。図８において、８は検知すべき電流が流
される信号線、１０Ａ，１０ＢはＭＩ素子、１２ａ，１
２ｂはＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの非磁性基板、１４ａ，
１４ｂは非磁性基板１２ａ，１２ｂ上に設けられた磁気
検知部であり、先述した細長いつづら折り状パターンの
磁性薄膜からなり、その磁界検知方向はつづら折り状パ
ターンの長手方向である。
差動動作させる構成が知られている。その従来例を図８
に示してある。図８において、８は検知すべき電流が流
される信号線、１０Ａ，１０ＢはＭＩ素子、１２ａ，１
２ｂはＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの非磁性基板、１４ａ，
１４ｂは非磁性基板１２ａ，１２ｂ上に設けられた磁気
検知部であり、先述した細長いつづら折り状パターンの
磁性薄膜からなり、その磁界検知方向はつづら折り状パ
ターンの長手方向である。
【０００７】ここでは、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの配置
を説明する便宜上、信号線８の中心軸をｚ軸とし、この
ｚ軸に対して直交する一軸をｘ軸とし、このｘ軸とｚ軸
に直交する一軸をｙ軸として示してある。ＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂは、信号線８の近傍において、信号線８を中
心とした同一円周上で１８０度離れて対向した位置に配
置され、それぞれの磁界検知方向がｘ軸とｙ軸により形
成されるｘｙ平面内における前記円周の接線方向で互い
に平行になるように配置されている。
を説明する便宜上、信号線８の中心軸をｚ軸とし、この
ｚ軸に対して直交する一軸をｘ軸とし、このｘ軸とｚ軸
に直交する一軸をｙ軸として示してある。ＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂは、信号線８の近傍において、信号線８を中
心とした同一円周上で１８０度離れて対向した位置に配
置され、それぞれの磁界検知方向がｘ軸とｙ軸により形
成されるｘｙ平面内における前記円周の接線方向で互い
に平行になるように配置されている。
【０００８】電流検知時には、図９に示すように、ＭＩ
素子１０Ａ，１０Ｂに対してｘ軸方向に沿った一方向に
バイアス磁界Ｈｂがかけられる。そして、ＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂに対して、信号線８の電流Ｉから発せられる
磁界Ｈｉについては逆相、それ以外の外来の磁界に対し
ては同相の磁界が掛かり、差動動作させることで磁界Ｈ
ｉ以外の外来の磁界が相殺されるので、Ｓ／Ｎ比の良い
電流検知が可能となる。
素子１０Ａ，１０Ｂに対してｘ軸方向に沿った一方向に
バイアス磁界Ｈｂがかけられる。そして、ＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂに対して、信号線８の電流Ｉから発せられる
磁界Ｈｉについては逆相、それ以外の外来の磁界に対し
ては同相の磁界が掛かり、差動動作させることで磁界Ｈ
ｉ以外の外来の磁界が相殺されるので、Ｓ／Ｎ比の良い
電流検知が可能となる。
【０００９】しかし、この種の電流センサでさらなる性
能の向上が要求されている。そこで本発明の課題は、こ
の種の電流センサの性能をさらに向上し、さらに設置ス
ペースを小さくでき、外乱磁界に対して強く、Ｓ／Ｎ比
に優れた電流センサを提供することにある。
能の向上が要求されている。そこで本発明の課題は、こ
の種の電流センサの性能をさらに向上し、さらに設置ス
ペースを小さくでき、外乱磁界に対して強く、Ｓ／Ｎ比
に優れた電流センサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、検知すべき電流が流される信号線
の近傍に配置される２つの磁気検出素子（例えばＭＩ素
子）を有し、前記信号線に流れる電流からの磁界を前記
２つの磁気検出素子により検知して得た２信号を差動増
幅して前記電流の検知信号を得る電流センサにおいて、
前記信号線の中心軸をｚ軸、該ｚ軸に直交する一軸をｘ
軸、該ｘ軸と前記ｚ軸に直交する一軸をｙ軸として、前
記２つの磁気検出素子は、それぞれの磁界検知方向が前
記ｘ軸方向になるようにして、前記ｘ軸を挟んで前記ｙ
軸方向に隣接して配置された構成、及び、前記２つの磁
気検出素子は、それぞれの磁界検知方向が前記ｘ軸とｚ
軸により形成されるｘｚ平面に平行な平面内で前記ｘ軸
方向に対して傾斜した方向になるようにして、前記ｘ軸
を挟んで前記ｙ軸方向に隣接して配置された構成を採用
した。
め、本発明によれば、検知すべき電流が流される信号線
の近傍に配置される２つの磁気検出素子（例えばＭＩ素
子）を有し、前記信号線に流れる電流からの磁界を前記
２つの磁気検出素子により検知して得た２信号を差動増
幅して前記電流の検知信号を得る電流センサにおいて、
前記信号線の中心軸をｚ軸、該ｚ軸に直交する一軸をｘ
軸、該ｘ軸と前記ｚ軸に直交する一軸をｙ軸として、前
記２つの磁気検出素子は、それぞれの磁界検知方向が前
記ｘ軸方向になるようにして、前記ｘ軸を挟んで前記ｙ
軸方向に隣接して配置された構成、及び、前記２つの磁
気検出素子は、それぞれの磁界検知方向が前記ｘ軸とｚ
軸により形成されるｘｚ平面に平行な平面内で前記ｘ軸
方向に対して傾斜した方向になるようにして、前記ｘ軸
を挟んで前記ｙ軸方向に隣接して配置された構成を採用
した。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態を説明する。ここでは、先述したＭＩ素子を２つ
用いて、信号線に流れる電流からの磁界を検知して前記
の電流を検知する電流センサの実施形態を示す。
の形態を説明する。ここでは、先述したＭＩ素子を２つ
用いて、信号線に流れる電流からの磁界を検知して前記
の電流を検知する電流センサの実施形態を示す。
【００１２】［第１の実施形態］本発明の第１の実施形
態を図１〜図６により説明する。まず、図１は、本実施
形態の電流センサに用いられる２つのＭＩ素子の配置を
示している。ここでは、その配置の説明の便宜上、ｘ，
ｙ，ｚの直交座標系を用いており、検知すべき電流Ｉが
流される信号線８の中心軸をｚ軸、このｚ軸に対して点
ｏで直交する一軸をｘ軸、このｘ軸とｚ軸に対して点ｏ
で直交する一軸をｙ軸としている。なお、信号線８は、
少なくともＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂと近接する部分は直
線状であるものとする。
態を図１〜図６により説明する。まず、図１は、本実施
形態の電流センサに用いられる２つのＭＩ素子の配置を
示している。ここでは、その配置の説明の便宜上、ｘ，
ｙ，ｚの直交座標系を用いており、検知すべき電流Ｉが
流される信号線８の中心軸をｚ軸、このｚ軸に対して点
ｏで直交する一軸をｘ軸、このｘ軸とｚ軸に対して点ｏ
で直交する一軸をｙ軸としている。なお、信号線８は、
少なくともＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂと近接する部分は直
線状であるものとする。
【００１３】ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂは、それぞれ非磁
性基板１２ａ，１２ｂ上に、高透磁率の磁性薄膜からな
る磁気検知部１４ａ，１４ｂを設けて構成されている。
磁気検知部１４ａ，１４ｂの磁性薄膜は、直線を複数回
平行に折り返した細長いつづら折り状パターンに形成さ
れており、それぞれの両端には端子部１６ａ，１６ｂが
形成されている。磁気検知部１４ａ，１４ｂの磁界検知
方向は、そのつづら折り状パターンの長手方向である。
この磁性薄膜を用いたＭＩ素子は、パターンの長手方向
に極めて強い一軸の指向性を持ち、本件のようにある方
向の磁界成分を検知するには優れた特性をもっている。
性基板１２ａ，１２ｂ上に、高透磁率の磁性薄膜からな
る磁気検知部１４ａ，１４ｂを設けて構成されている。
磁気検知部１４ａ，１４ｂの磁性薄膜は、直線を複数回
平行に折り返した細長いつづら折り状パターンに形成さ
れており、それぞれの両端には端子部１６ａ，１６ｂが
形成されている。磁気検知部１４ａ，１４ｂの磁界検知
方向は、そのつづら折り状パターンの長手方向である。
この磁性薄膜を用いたＭＩ素子は、パターンの長手方向
に極めて強い一軸の指向性を持ち、本件のようにある方
向の磁界成分を検知するには優れた特性をもっている。
【００１４】ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂは、信号線８の近
傍において、それぞれの磁界検知方向、すなわち磁気検
知部１４ａ，１４ｂの長手方向がｘ軸方向になるように
して、ｘ軸を挟んでｙ軸方向に隣接して配置されてい
る。
傍において、それぞれの磁界検知方向、すなわち磁気検
知部１４ａ，１４ｂの長手方向がｘ軸方向になるように
して、ｘ軸を挟んでｙ軸方向に隣接して配置されてい
る。
【００１５】次に、図２は、本実施形態の電流センサの
回路構成を示している。ここに示す構成において、電流
検知時には、高周波発振器２０からバッファーアンプ２
１、直流カット用のコンデンサ２２、インピーダンス調
整用の抵抗２３ａ，２３ｂを介してＭＨｚ帯の高周波電
流がＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１４
ｂに印加される。信号線８の電流Ｉからの磁界Ｈを含む
外部磁界に応じて磁気検知部１４ａ，１４ｂの両端間の
インピーダンスが変化し、それにより磁気検知部１４
ａ，１４ｂに印加された高周波電流が振幅変調され、磁
気検知部１４ａ，１４ｂの両端の端子部１６ａ，１６ｂ
における高周波電流の振幅電圧が変化する。その振幅電
圧変化のそれぞれが端子部１６ａ，１６ｂに接続された
検波回路２４ａ，２４ｂの検波によって信号として取り
出され、さらに取り出された２信号が差動増幅器２５に
よって差動増幅され、その出力信号が電流検知信号とし
て出力される。
回路構成を示している。ここに示す構成において、電流
検知時には、高周波発振器２０からバッファーアンプ２
１、直流カット用のコンデンサ２２、インピーダンス調
整用の抵抗２３ａ，２３ｂを介してＭＨｚ帯の高周波電
流がＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１４
ｂに印加される。信号線８の電流Ｉからの磁界Ｈを含む
外部磁界に応じて磁気検知部１４ａ，１４ｂの両端間の
インピーダンスが変化し、それにより磁気検知部１４
ａ，１４ｂに印加された高周波電流が振幅変調され、磁
気検知部１４ａ，１４ｂの両端の端子部１６ａ，１６ｂ
における高周波電流の振幅電圧が変化する。その振幅電
圧変化のそれぞれが端子部１６ａ，１６ｂに接続された
検波回路２４ａ，２４ｂの検波によって信号として取り
出され、さらに取り出された２信号が差動増幅器２５に
よって差動増幅され、その出力信号が電流検知信号とし
て出力される。
【００１６】次に、図３は、図１中のｚ軸方向に向かっ
て見たＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの配置を示している。こ
こで、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１
４ｂのｙ軸方向の中心軸の間隔をｄとする。また、磁気
検知部１４ａ，１４ｂのそれぞれのｘ軸方向の中心軸ｐ
とｙ軸の距離は等距離であってｓとする。
て見たＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの配置を示している。こ
こで、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１
４ｂのｙ軸方向の中心軸の間隔をｄとする。また、磁気
検知部１４ａ，１４ｂのそれぞれのｘ軸方向の中心軸ｐ
とｙ軸の距離は等距離であってｓとする。
【００１７】ここで、磁気検知部１４ａ，１４ｂは、そ
の磁界検知方向がｘ軸方向であるため、信号線８の電流
Ｉから発生する磁界Ｈのｘ軸方向の成分Ｈｘを検知する
ことになるが、磁気検知部１４ａ，１４ｂのｘ軸方向の
中心軸ｐのライン上での磁界成分Ｈｘの大きさは、
の磁界検知方向がｘ軸方向であるため、信号線８の電流
Ｉから発生する磁界Ｈのｘ軸方向の成分Ｈｘを検知する
ことになるが、磁気検知部１４ａ，１４ｂのｘ軸方向の
中心軸ｐのライン上での磁界成分Ｈｘの大きさは、
【００１８】
【数１】 で現される。図４にその計算例を示す。ここでは、信号
線８に直流１Ａを印加した際のｓ＝２．５ｍｍのライン
上でｘ軸からのｙ軸方向に沿った距離による磁界成分Ｈ
ｘの磁界分布を示している。磁界成分Ｈｘの分布はＸ軸
を挟んで逆向きの磁界となり、プラス側、マイナス側と
もに、ｘ軸からのｙ軸方向に沿った距離が２．５ｍｍの
ところで０．４Ｏｅの最大または最小値を取る。なお、
磁界の極性は、信号線８に向かう方向をプラスとした。
線８に直流１Ａを印加した際のｓ＝２．５ｍｍのライン
上でｘ軸からのｙ軸方向に沿った距離による磁界成分Ｈ
ｘの磁界分布を示している。磁界成分Ｈｘの分布はＸ軸
を挟んで逆向きの磁界となり、プラス側、マイナス側と
もに、ｘ軸からのｙ軸方向に沿った距離が２．５ｍｍの
ところで０．４Ｏｅの最大または最小値を取る。なお、
磁界の極性は、信号線８に向かう方向をプラスとした。
【００１９】このようなｘ方向の磁界成分Ｈｘに対し
て、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１４
ｂの磁界検知方向がｘ軸方向とされ、磁気検知部１４
ａ，１４ｂがｘ軸を挟んでｙ軸方向に隣接して配置され
ているので、磁気検知部１４ａ，１４ｂを差動動作させ
ることで、信号線８の電流Ｉからの磁界Ｈのｘ方向の磁
界成分Ｈｘは逆相で加算処理されるが、それ以外の外部
磁界は同相で除去されるため、良好なＳ／Ｎ比を確保で
きる。また、電流Ｉからの磁界Ｈのｘ方向の磁界成分Ｈ
ｘは、全体の磁界Ｈに対して弱いので、高感度のＭＩ素
子１０Ａ，１０Ｂを信号線８に近接して配置して使用で
きる。
て、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１４
ｂの磁界検知方向がｘ軸方向とされ、磁気検知部１４
ａ，１４ｂがｘ軸を挟んでｙ軸方向に隣接して配置され
ているので、磁気検知部１４ａ，１４ｂを差動動作させ
ることで、信号線８の電流Ｉからの磁界Ｈのｘ方向の磁
界成分Ｈｘは逆相で加算処理されるが、それ以外の外部
磁界は同相で除去されるため、良好なＳ／Ｎ比を確保で
きる。また、電流Ｉからの磁界Ｈのｘ方向の磁界成分Ｈ
ｘは、全体の磁界Ｈに対して弱いので、高感度のＭＩ素
子１０Ａ，１０Ｂを信号線８に近接して配置して使用で
きる。
【００２０】なお、磁界検知特性のリニアリティを確保
する上で、磁気検知部１４ａ，１４ｂの特性が等しくな
る様に、磁気検知部１４ａ，１４ｂがｘ軸を挟んで線対
称であって、ｘ軸からｙ軸方向に等距離の位置にあるこ
とが望ましい。
する上で、磁気検知部１４ａ，１４ｂの特性が等しくな
る様に、磁気検知部１４ａ，１４ｂがｘ軸を挟んで線対
称であって、ｘ軸からｙ軸方向に等距離の位置にあるこ
とが望ましい。
【００２１】さらに、信号線８の電流Ｉからの磁界が小
さい場合でその最大値を確保するためには、磁気検知部
１４ａ，１４ｂのｙ軸方向の中心軸の間隔ｄが磁気検知
部１４ａ，１４ｂのｘ軸方向の中心軸ｐとｙ軸の距離ｓ
の２倍になる様にすれば良い。また、電流Ｉが大きくて
それによる磁界が大きすぎる場合は、間隔ｄを小さくす
ることで検知磁界を調整することができる。要するに間
隔ｄは距離ｓの２倍以下にすればよい。従来例で示した
２つのＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂを信号線８を挟んで１８
０°はなれた位置に対向して配置した構成では、信号線
８からの磁界が大きすぎる場合に、単純に信号線８とＭ
Ｉ素子１０Ａ，１０Ｂとの距離を大きくするしかなかっ
たが、本実施形態の構成では距離ｓを大きくするだけで
なく、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの間隔ｄを小さくするこ
とでもある程度対応できる。このことは、信号線８の電
流Ｉが大きくてそれによる磁界が大きすぎる場合に、Ｍ
Ｉ素子１０Ａ，１０Ｂの設置スペースをやみくもに広げ
ることなく、小さなスペースで大きな電流計測にも対応
できることにつながる。
さい場合でその最大値を確保するためには、磁気検知部
１４ａ，１４ｂのｙ軸方向の中心軸の間隔ｄが磁気検知
部１４ａ，１４ｂのｘ軸方向の中心軸ｐとｙ軸の距離ｓ
の２倍になる様にすれば良い。また、電流Ｉが大きくて
それによる磁界が大きすぎる場合は、間隔ｄを小さくす
ることで検知磁界を調整することができる。要するに間
隔ｄは距離ｓの２倍以下にすればよい。従来例で示した
２つのＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂを信号線８を挟んで１８
０°はなれた位置に対向して配置した構成では、信号線
８からの磁界が大きすぎる場合に、単純に信号線８とＭ
Ｉ素子１０Ａ，１０Ｂとの距離を大きくするしかなかっ
たが、本実施形態の構成では距離ｓを大きくするだけで
なく、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの間隔ｄを小さくするこ
とでもある程度対応できる。このことは、信号線８の電
流Ｉが大きくてそれによる磁界が大きすぎる場合に、Ｍ
Ｉ素子１０Ａ，１０Ｂの設置スペースをやみくもに広げ
ることなく、小さなスペースで大きな電流計測にも対応
できることにつながる。
【００２２】なお、信号線８に隣接して他の信号線があ
る場合やトランス等のノイズ源がある場合は、図５に示
すように、信号線８とＭＩ素子１０を包囲するように、
パーマロイやアモルファス、フェライト等の磁性体から
なるシールド部材１８を設けて磁気遮蔽することによ
り、良好なＳ／Ｎを保つこともできる。
る場合やトランス等のノイズ源がある場合は、図５に示
すように、信号線８とＭＩ素子１０を包囲するように、
パーマロイやアモルファス、フェライト等の磁性体から
なるシールド部材１８を設けて磁気遮蔽することによ
り、良好なＳ／Ｎを保つこともできる。
【００２３】なお、図５に示すＭＩ素子１０は、１枚の
非磁性基板１２上に、先述したつづら折り状パターンの
磁性薄膜からなる２つの磁気検知部１４ａ，１４ｂを隣
接して設けたもの、すなわち２つのＭＩ素子を一体に構
成したものである。このようにすると磁気検知部１４
ａ，１４ｂの間隔ｄを可変に調整することはできない
が、センサの構成とＭＩ素子の取り扱いが簡単になる。
非磁性基板１２上に、先述したつづら折り状パターンの
磁性薄膜からなる２つの磁気検知部１４ａ，１４ｂを隣
接して設けたもの、すなわち２つのＭＩ素子を一体に構
成したものである。このようにすると磁気検知部１４
ａ，１４ｂの間隔ｄを可変に調整することはできない
が、センサの構成とＭＩ素子の取り扱いが簡単になる。
【００２４】ところで、本実施形態の効果を検証するた
めに、本実施形態の電流センサで実際に電流を検知した
実験結果の検知データの一例を図６に示してある。
めに、本実施形態の電流センサで実際に電流を検知した
実験結果の検知データの一例を図６に示してある。
【００２５】その実験では、ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂ
は、それぞれガラスから形成した非磁性基板１２ａ，１
２ｂ上に、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系の磁性薄膜からなる前述の
つづら折り状パターンの磁気検知部１４ａ，１４ｂを長
さ１．４ｍｍで形成したものとした。また、検知感度を
得るためにバイアス磁界Ｈｂを磁界検知方向のｘ軸方向
に８エルステッドの大きさでＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの
両方に均等に掛けるように、永久磁石をＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂに近接して配置した。信号線８には、純銅の
直径１ｍｍの棒を用いて電流を流し、磁気検知部１４
ａ，１４ｂの間隔ｄを２ｍｍ、信号線８との距離ｓを
２．５ｍｍにして、０．１〜１０Ａの電流を検知して計
測した。電流センサの回路では、高周波発振器２０から
ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１４ｂに
２０ＭＨｚの高周波電流を印加した。差動増幅器２５の
増幅ゲインはＤＣ１Ａで０．１Ｖの変化になるように合
わせた。
は、それぞれガラスから形成した非磁性基板１２ａ，１
２ｂ上に、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系の磁性薄膜からなる前述の
つづら折り状パターンの磁気検知部１４ａ，１４ｂを長
さ１．４ｍｍで形成したものとした。また、検知感度を
得るためにバイアス磁界Ｈｂを磁界検知方向のｘ軸方向
に８エルステッドの大きさでＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの
両方に均等に掛けるように、永久磁石をＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂに近接して配置した。信号線８には、純銅の
直径１ｍｍの棒を用いて電流を流し、磁気検知部１４
ａ，１４ｂの間隔ｄを２ｍｍ、信号線８との距離ｓを
２．５ｍｍにして、０．１〜１０Ａの電流を検知して計
測した。電流センサの回路では、高周波発振器２０から
ＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂの磁気検知部１４ａ，１４ｂに
２０ＭＨｚの高周波電流を印加した。差動増幅器２５の
増幅ゲインはＤＣ１Ａで０．１Ｖの変化になるように合
わせた。
【００２６】その結果、図６のグラフに示すように、Ｍ
Ｉ素子の性能を生かして、０．１Ａから１０Ａまで直線
性に優れた電流検知特性が得られた。この構成で、間隔
ｄ，距離ｓの寸法をさらに小さくすれば、１０ｍＡ程度
までこの非接触の構成で対応可能である。
Ｉ素子の性能を生かして、０．１Ａから１０Ａまで直線
性に優れた電流検知特性が得られた。この構成で、間隔
ｄ，距離ｓの寸法をさらに小さくすれば、１０ｍＡ程度
までこの非接触の構成で対応可能である。
【００２７】［第２の実施形態］ＭＩ素子は、感度が良
い反面、磁界検知レンジが数エルステッドと狭くなるた
め、信号線８の電流Ｉが大きい場合は位置的な調整が必
要となる。磁界の検知レンジを下げるためには、図２で
説明した距離ｓを大きくすれば良いが、その他の方法と
して、図７に示すようにＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂを配置
する第２の実施形態の方法がある。すなわち、ＭＩ素子
１０Ａ，１０Ｂは、信号線８の近傍において、ｘ軸を挟
んでｙ軸方向に隣接する点では第１の実施形態と同様で
あるが、異なる点として、それぞれの磁界検知方向、す
なわち磁気検知部１４ａ，１４ｂのパターン長手方向
が、矢印で示すように、ｘ軸とｚ軸により形成されるｘ
ｚ平面に対して平行な面内でｘ軸方向に対して角度θ傾
斜した方向になるように配置されている。なお、ここで
は磁界検知方向がｘ軸方向に対してｚ軸の正の方向に傾
斜しているが、ｚ軸の負の方向に傾斜していてもよい。
なお、本実施形態のこれ以外の点は第１の実施形態と共
通とする。
い反面、磁界検知レンジが数エルステッドと狭くなるた
め、信号線８の電流Ｉが大きい場合は位置的な調整が必
要となる。磁界の検知レンジを下げるためには、図２で
説明した距離ｓを大きくすれば良いが、その他の方法と
して、図７に示すようにＭＩ素子１０Ａ，１０Ｂを配置
する第２の実施形態の方法がある。すなわち、ＭＩ素子
１０Ａ，１０Ｂは、信号線８の近傍において、ｘ軸を挟
んでｙ軸方向に隣接する点では第１の実施形態と同様で
あるが、異なる点として、それぞれの磁界検知方向、す
なわち磁気検知部１４ａ，１４ｂのパターン長手方向
が、矢印で示すように、ｘ軸とｚ軸により形成されるｘ
ｚ平面に対して平行な面内でｘ軸方向に対して角度θ傾
斜した方向になるように配置されている。なお、ここで
は磁界検知方向がｘ軸方向に対してｚ軸の正の方向に傾
斜しているが、ｚ軸の負の方向に傾斜していてもよい。
なお、本実施形態のこれ以外の点は第１の実施形態と共
通とする。
【００２８】このような第２の実施形態におけるＭＩ素
子１０Ａ，１０Ｂの配置方法によれば、ＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂのサイズを維持したまま、より大きな電流に
対応して磁界の検知レンジを下げるように調整すること
が可能となる。すなわちＭＩ素子は、磁気検知部の長手
方向に強い一軸の磁気異方性を持つので、上記の角度θ
の傾斜により、ベクトル分圧を生かして、ｃｏｓθ分の
磁界減衰で感度を調整することが可能である。
子１０Ａ，１０Ｂの配置方法によれば、ＭＩ素子１０
Ａ，１０Ｂのサイズを維持したまま、より大きな電流に
対応して磁界の検知レンジを下げるように調整すること
が可能となる。すなわちＭＩ素子は、磁気検知部の長手
方向に強い一軸の磁気異方性を持つので、上記の角度θ
の傾斜により、ベクトル分圧を生かして、ｃｏｓθ分の
磁界減衰で感度を調整することが可能である。
【００２９】なお、以上説明した実施形態では、磁気検
出素子としてＭＩ素子を用いるものとしたが、例えばＭ
Ｒ素子などの他の素子を用いても良く、その場合に素子
の配置方法を実施形態と同様にすれば良い。
出素子としてＭＩ素子を用いるものとしたが、例えばＭ
Ｒ素子などの他の素子を用いても良く、その場合に素子
の配置方法を実施形態と同様にすれば良い。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、検知すべき電流が流される信号線の近傍に配
置される２つの磁気検出素子を有し、前記信号線に流れ
る電流からの磁界を前記２つの磁気検出素子により検知
して得た２信号を差動増幅して前記電流の検知信号を得
る電流センサにおいて、前記信号線の中心軸をｚ軸、該
ｚ軸に直交する一軸をｘ軸、該ｘ軸と前記ｚ軸に直交す
る一軸をｙ軸として、前記２つの磁気検出素子は、それ
ぞれの磁界検知方向が前記ｘ軸方向になるようにして、
或いは、それぞれの磁界検知方向が前記ｘ軸とｚ軸によ
り形成されるｘｚ平面に平行な平面内で前記ｘ軸方向に
対して傾斜した方向になるようにして、前記ｘ軸を挟ん
で前記ｙ軸方向に隣接して配置された構成を採用したの
で、高感度の磁気検出素子（例えばＭＩ素子）を前記信
号線に近接して配置しても、大きな電流の検知にも対応
することができ、２つの磁気検出素子の設置スペースを
小さくすることができ、省スペースを図れるとともに、
外乱磁界に対して強く、Ｓ／Ｎ比の良い優れた電流セン
サを提供することができる。
によれば、検知すべき電流が流される信号線の近傍に配
置される２つの磁気検出素子を有し、前記信号線に流れ
る電流からの磁界を前記２つの磁気検出素子により検知
して得た２信号を差動増幅して前記電流の検知信号を得
る電流センサにおいて、前記信号線の中心軸をｚ軸、該
ｚ軸に直交する一軸をｘ軸、該ｘ軸と前記ｚ軸に直交す
る一軸をｙ軸として、前記２つの磁気検出素子は、それ
ぞれの磁界検知方向が前記ｘ軸方向になるようにして、
或いは、それぞれの磁界検知方向が前記ｘ軸とｚ軸によ
り形成されるｘｚ平面に平行な平面内で前記ｘ軸方向に
対して傾斜した方向になるようにして、前記ｘ軸を挟ん
で前記ｙ軸方向に隣接して配置された構成を採用したの
で、高感度の磁気検出素子（例えばＭＩ素子）を前記信
号線に近接して配置しても、大きな電流の検知にも対応
することができ、２つの磁気検出素子の設置スペースを
小さくすることができ、省スペースを図れるとともに、
外乱磁界に対して強く、Ｓ／Ｎ比の良い優れた電流セン
サを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の電流センサにおける
２つのＭＩ素子の配置及び検知すべき電流とそれによる
磁界を示す斜視図である。
２つのＭＩ素子の配置及び検知すべき電流とそれによる
磁界を示す斜視図である。
【図２】同電流センサの回路構成を示すブロック回路図
である。
である。
【図３】同電流センサにおける２つのＭＩ素子のｚ軸方
向に向かって見た配置を示す説明図である。
向に向かって見た配置を示す説明図である。
【図４】図３中のラインｐ上でのｘ軸からの距離に応じ
たｘ軸方向の磁界成分Ｈｘの分布を示すグラフ図であ
る。
たｘ軸方向の磁界成分Ｈｘの分布を示すグラフ図であ
る。
【図５】同電流センサでシールド部材を設けた場合のシ
ールド部材の配置を示す斜視図である。
ールド部材の配置を示す斜視図である。
【図６】同電流センサで実際に電流を検知した実験結果
の検知データの一例を示すグラフ図である。
の検知データの一例を示すグラフ図である。
【図７】第２の実施形態の電流センサにおける２つのＭ
Ｉ素子の配置を示す斜視図である。
Ｉ素子の配置を示す斜視図である。
【図８】従来の電流センサにおける２つのＭＩ素子の配
置及び検知すべき電流による磁界を示す斜視図である。
置及び検知すべき電流による磁界を示す斜視図である。
【図９】同電流センサにおける２つのＭＩ素子のｚ軸方
向に向かって見た配置を示す説明図である。
向に向かって見た配置を示す説明図である。
８ 信号線 １０，１０Ａ，１０Ｂ ＭＩ素子 １２，１２ａ，１２ｂ 非磁性基板 １４ａ，１４ｂ 磁気検知部 １６ａ，１６ｂ 端子部 １８ シールド部材 ２０ 高周波発振器 ２１ バッファーアンプ ２２ コンデンサ ２３ａ，２３ｂ 抵抗 ２４ａ，２４ｂ 検波回路 ２５ 差動増幅器
Claims (8)
- 【請求項１】 検知すべき電流が流される信号線の近傍
に配置される２つの磁気検出素子を有し、前記信号線に
流れる電流からの磁界を前記２つの磁気検出素子により
検知して得た２信号を差動増幅して前記電流の検知信号
を得る電流センサにおいて、 前記信号線の中心軸をｚ軸、該ｚ軸に直交する一軸をｘ
軸、該ｘ軸と前記ｚ軸に直交する一軸をｙ軸として、前
記２つの磁気検出素子は、それぞれの磁界検知方向が前
記ｘ軸方向になるようにして、前記ｘ軸を挟んで前記ｙ
軸方向に隣接して配置されたことを特徴とする電流セン
サ。 - 【請求項２】 検知すべき電流が流される信号線の近傍
に配置される２つの磁気検出素子を有し、前記信号線に
流れる電流からの磁界を前記２つの磁気検出素子により
検知して得た２信号を差動増幅して前記電流の検知信号
を得る電流センサにおいて、 前記信号線の中心軸をｚ軸、該ｚ軸に直交する一軸をｘ
軸、該ｘ軸と前記ｚ軸に直交する一軸をｙ軸として、前
記２つの磁気検出素子は、それぞれの磁界検知方向が前
記ｘ軸とｚ軸により形成されるｘｚ平面に平行な平面内
で前記ｘ軸方向に対して傾斜した方向になるようにし
て、前記ｘ軸を挟んで前記ｙ軸方向に隣接して配置され
たことを特徴とする電流センサ。 - 【請求項３】 前記信号線と２つの磁気検出素子を包囲
して磁気遮蔽する磁性体からなるシールド部材を有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電流セン
サ。 - 【請求項４】 前記２つの磁気検出素子は、それぞれの
磁気検知部の前記ｘ軸方向の中心軸と前記ｙ軸の距離が
等距離ｓであって、それぞれの磁気検知部の前記ｙ軸方
向の中心軸の間隔ｄが前記距離ｓの２倍以下であるよう
に配置されたことを特徴とする請求項１から３までのい
ずれか１項に記載の電流センサ。 - 【請求項５】 前記２つの磁気検出素子は、それぞれの
磁気検知部が前記ｘ軸から前記ｙ軸方向に等距離の位置
にあるように配置されたことを特徴とする請求項１から
４までのいずれか１項に記載の電流センサ。 - 【請求項６】 前記磁気検出素子として磁気インピーダ
ンス素子を用いたことを特徴とする請求項１から５まで
のいずれか１項に記載の電流センサ。 - 【請求項７】 前記磁気インピーダンス素子は、非磁性
基板上に、直線を複数回平行に折り返した細長いつづら
折り状パターンの磁性薄膜からなる磁気検知部を設けて
構成されたことを特徴とする請求項６に記載の電流セン
サ。 - 【請求項８】 前記磁気インピーダンス素子として、１
枚の非磁性基板上に前記つづら折り状パターンの磁性薄
膜からなる磁気検知部が２つ隣接して設けられて２つの
磁気インピーダンス素子が一体に構成されたものを１つ
用いたことを特徴とする請求項７に記載の電流センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000318776A JP2002131342A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 電流センサ |
| EP01124870A EP1199573A3 (en) | 2000-10-19 | 2001-10-18 | Electric current sensor |
| US09/978,864 US6642705B2 (en) | 2000-10-19 | 2001-10-18 | Electric current sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000318776A JP2002131342A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 電流センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002131342A true JP2002131342A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18797351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000318776A Pending JP2002131342A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 電流センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6642705B2 (ja) |
| EP (1) | EP1199573A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002131342A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005070037A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電流測定装置、及び、電流測定方法 |
| JP2008151743A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Yazaki Corp | 電流センサ及びその成形方法 |
| JP2010122239A (ja) * | 2003-08-05 | 2010-06-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電流測定装置、及び、電流測定方法 |
| CN103733079A (zh) * | 2011-09-13 | 2014-04-16 | 阿尔卑斯绿色器件株式会社 | 电流传感器 |
| WO2015056397A1 (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 公立大学法人大阪市立大学 | 電流測定装置および電流測定方法 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7292400B2 (en) * | 2001-04-23 | 2007-11-06 | Seagate Technology Llc | Device for limiting current in a sensor |
| JP4695325B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2011-06-08 | キヤノン電子株式会社 | 磁気検出素子とその製造方法及び該素子を用いた携帯機器 |
| JP4160330B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2008-10-01 | キヤノン電子株式会社 | 磁界検出回路 |
| US6731105B1 (en) * | 2002-09-03 | 2004-05-04 | Lockheed Martin Corporation | Current sensor with correction for transverse installation misalignment |
| US7259545B2 (en) * | 2003-02-11 | 2007-08-21 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated sensor |
| JP4247821B2 (ja) | 2003-04-11 | 2009-04-02 | キヤノン電子株式会社 | 電流センサ |
| US7709754B2 (en) * | 2003-08-26 | 2010-05-04 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
| US20060219436A1 (en) * | 2003-08-26 | 2006-10-05 | Taylor William P | Current sensor |
| US7476816B2 (en) * | 2003-08-26 | 2009-01-13 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
| US7777607B2 (en) * | 2004-10-12 | 2010-08-17 | Allegro Microsystems, Inc. | Resistor having a predetermined temperature coefficient |
| EP1855118A4 (en) * | 2005-02-23 | 2009-12-09 | Asahi Kasei Emd Corp | CURRENT MEASURING INSTRUMENT |
| US7768083B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-08-03 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for an integrated sensor |
| US20070279053A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-12-06 | Taylor William P | Integrated current sensor |
| US7528592B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-05-05 | Caterpillar Inc. | Magnetoresistive sensor for current sensing |
| US7795862B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-14 | Allegro Microsystems, Inc. | Matching of GMR sensors in a bridge |
| US8269491B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-09-18 | Allegro Microsystems, Inc. | DC offset removal for a magnetic field sensor |
| US7816905B2 (en) | 2008-06-02 | 2010-10-19 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor |
| US8093670B2 (en) | 2008-07-24 | 2012-01-10 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions |
| US8063634B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-11-22 | Allegro Microsystems, Inc. | Electronic circuit and method for resetting a magnetoresistance element |
| US7973527B2 (en) | 2008-07-31 | 2011-07-05 | Allegro Microsystems, Inc. | Electronic circuit configured to reset a magnetoresistance element |
| GB0914259D0 (en) | 2009-08-14 | 2009-09-30 | Sentec Ltd | Air cored current sensor |
| WO2011118184A1 (ja) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | キヤノン電子株式会社 | 電流から発生する磁界を検知して電流量を推定する方法 |
| JP5487402B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2014-05-07 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 磁気平衡式電流センサ |
| CN103415776B (zh) * | 2011-03-02 | 2015-06-03 | 阿尔卑斯绿色器件株式会社 | 电流传感器 |
| BR112014009068A2 (pt) * | 2011-10-12 | 2017-05-09 | Cequent Performance Prod Inc | conversor elétrico de sensor de corrente |
| TWI436083B (zh) | 2011-11-02 | 2014-05-01 | Ind Tech Res Inst | 近接式電流感測裝置與方法 |
| US8629539B2 (en) | 2012-01-16 | 2014-01-14 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle |
| WO2013136751A1 (ja) | 2012-03-16 | 2013-09-19 | キヤノン電子株式会社 | 計測モジュール、電子機器、電源タップ及び電源ユニット、並びに組込型計測モジュール |
| US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US9812588B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US9666788B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-05-30 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| TWI451095B (zh) | 2012-12-10 | 2014-09-01 | Ind Tech Res Inst | 電流偵測電路及其方法 |
| US9612262B1 (en) * | 2012-12-21 | 2017-04-04 | Neeme Systems Solutions, Inc. | Current measurement sensor and system |
| US9190606B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-11-17 | Allegro Micosystems, LLC | Packaging for an electronic device |
| US10345343B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-07-09 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor isolation |
| US9411025B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-08-09 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet |
| US9354284B2 (en) | 2014-05-07 | 2016-05-31 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor configured to measure a magnetic field in a closed loop manner |
| TWI531800B (zh) | 2014-09-16 | 2016-05-01 | 財團法人工業技術研究院 | 非接觸式雙線電源線電壓感測器及其安裝位置變動補償方法 |
| US9322887B1 (en) | 2014-12-01 | 2016-04-26 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with magnetoresistance elements and conductive-trace magnetic source |
| US11422164B2 (en) * | 2015-06-24 | 2022-08-23 | Currently, LLC | Contactless wideband magneto-resistive current sensor with low electromagnetic interference |
| JP6932561B2 (ja) | 2017-06-15 | 2021-09-08 | キヤノン電子株式会社 | ３軸磁気検出装置および人工衛星 |
| JP6815513B2 (ja) | 2018-01-31 | 2021-01-20 | キヤノン電子株式会社 | 検査装置 |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US10991644B2 (en) | 2019-08-22 | 2021-04-27 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a low profile |
| US11187764B2 (en) | 2020-03-20 | 2021-11-30 | Allegro Microsystems, Llc | Layout of magnetoresistance element |
| US11800813B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-10-24 | Allegro Microsystems, Llc | High isolation current sensor |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
| US11768230B1 (en) | 2022-03-30 | 2023-09-26 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor integrated circuit with a dual gauge lead frame |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH358157A (de) * | 1957-12-31 | 1961-11-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Strommesseinrichtung an Hochspannungsanlage, mit geradem Primärleiter und mindestens einem benachbarten Stromleiter |
| US5041780A (en) | 1988-09-13 | 1991-08-20 | California Institute Of Technology | Integrable current sensors |
| US5570034A (en) * | 1994-12-29 | 1996-10-29 | Intel Corporation | Using hall effect to monitor current during IDDQ testing of CMOS integrated circuits |
| JP3096413B2 (ja) | 1995-11-02 | 2000-10-10 | キヤノン電子株式会社 | 磁気検出素子、磁気センサー、地磁気検出型方位センサー、及び姿勢制御用センサー |
| JP3356585B2 (ja) | 1995-05-29 | 2002-12-16 | キヤノン電子株式会社 | 磁気検出素子及び磁気ヘッド |
| US5889403A (en) | 1995-03-31 | 1999-03-30 | Canon Denshi Kabushiki Kaisha | Magnetic detecting element utilizing magnetic impedance effect |
| DE19813890A1 (de) * | 1998-03-28 | 1999-09-30 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Strommessung |
| JP4024964B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2007-12-19 | キヤノン電子株式会社 | 磁気インク検知用磁気センサー、その信号処理方法、及び磁気インク検知装置 |
| DE29819486U1 (de) * | 1998-11-02 | 2000-03-16 | Ssg Halbleiter Vertriebs Gmbh | Meßvorrichtung zur Bestimmung eines einen elektrischen Leiters durchfließenden Stromes |
-
2000
- 2000-10-19 JP JP2000318776A patent/JP2002131342A/ja active Pending
-
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- 2001-10-18 US US09/978,864 patent/US6642705B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005070037A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電流測定装置、及び、電流測定方法 |
| JP2010122239A (ja) * | 2003-08-05 | 2010-06-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電流測定装置、及び、電流測定方法 |
| JP4515855B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2010-08-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流測定装置、及び、電流測定方法 |
| JP4726092B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2011-07-20 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流測定装置、及び、電流測定方法 |
| JP2008151743A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Yazaki Corp | 電流センサ及びその成形方法 |
| CN103733079A (zh) * | 2011-09-13 | 2014-04-16 | 阿尔卑斯绿色器件株式会社 | 电流传感器 |
| WO2015056397A1 (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 公立大学法人大阪市立大学 | 電流測定装置および電流測定方法 |
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