JP6321323B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
固定層2の磁気モーメントは、反強磁性層1との磁気結合により方向が固定されている。漏れ磁場により磁化自由回転層4の磁気モーメントの方向が変化すると、Cu層3を流れる電流が変化し、漏れ磁場の変化が読み取れる。
また、例えば、特許文献2に記載のものは、磁界の方向の影響を受けることが少なく磁界の大きさを精度よく検出できる巨大磁気抵抗素子に関するもので、このGMR素子は、GMRチップ上に対してバイアス磁石とともに設置されている。
また、例えば、特許文献4に記載のものは、温度の影響を受けることが少なく磁界の大きさを精度よく検出できるトンネル磁気抵抗素子に関するもので、このTMR素子は、チップ上に磁気遮蔽されているものと磁場に対して応答するものそれぞれを有している。
また、特許文献2及び3の磁気センサは、磁気抵抗素子を用いてブリッジを形成し、その中点電位を出力信号として取り出すため、磁気抵抗素子を形成する物質の抵抗値を出力に含んでしまうため外部の温度に対して出力信号が敏感に変動してしまう。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、周囲の温度の影響を最小限に抑え、かつ、感磁軸方向以外の磁場を検知できる単軸の磁気センサを提供することにある。
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明において、前記一方及び他方の感磁部の出力が入力される差分回路を備えていることを特徴とする。
また、請求項9に記載の発明は、基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサにおいて、前記基板平面に平行に配置された一方及び他方の感磁部と、該一方及び他方の感磁部の近傍かつ前記磁気センサを平面視したとき前記基板平面における前記一方及び他方の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている矩形状の磁気収束部とを備え、前記一方及び他方の感磁部は前記基板平面に対して平行であって、前記磁気収束部の短手方向に平行な同一の方向に感磁軸を持つ素子であり、前記一方及び他方の感磁部が、前記磁気センサを平面視したときに、前記磁気収束部の短手方向の中線が、前記一方及び他方の感磁部の一部と交差するように配置され、前記一方の感磁部からの出力信号及び他方の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分、または、前記基板平面に対して平行かつ前記感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力する磁気センサであって、前記一方及び他方の感磁部が、第7及び第8の感磁部で、前記磁気収束部が、第6乃至第8の磁気収束部であり、前記第6の磁気収束部と前記第8の磁気収束部とが、前記第7の磁気収束部の長手方向の中線に対して線対称で、前記第6の磁気収束部が、前記第7の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ前記第7の磁気収束部が、前記第8の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、前記第7の磁気収束部の短手方向の中線が前記第6及び第8の磁気収束部の中心同士を結ぶ仮想線分と平行で、かつ重ならず、前記第7及び第8の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して平行、かつ前記第7及び第8の感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することを特徴とする。
また、請求項11に記載の発明は、請求項1〜4、6〜8、10のいずれかに記載の発明において、前記仮想線分が、お互いに重なっていないことを特徴とする。
本発明の磁気センサは、基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサである。各実施例で順次説明するように、基板平面に平行に配置された一方及び他方の感磁部21,22,41,42,61,62,81,82と、感磁部の近傍に配置された磁気収束部31,32,50,71,72,91,92とを備え、一方及び他方の感磁部21,22,41,42,61,62,81,82は、磁気センサを平面視したときに、磁気収束部31,32,50,71,72,91,92の短手方向の中線が一方及び他方の感磁部21,22,41,42,61,62,81,82の一部と交差するように配置されている。
このような構成により、一方及び他方の感磁部21,22,41,42,61,62,81,82からの出力信号の差分により、基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分、または、前記基板平面に対して平行かつ感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することができる。
また、測定精度向上の観点から、磁気センサを平面視したとき、感磁部と磁気収束部が重なる面積が等しいことが好ましい。
以下に、図面を参照して具体的な各実施例について説明する。
本実施例1の磁気センサは、基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサである。なお、基板平面とは基板の表面側の平面を意味している。
第1及び第2の感磁部21,22は、基板平面に平行に配置されている。また、第1及び第2の磁気収束部31,32は、第1及び第2の感磁部21,22の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている。つまり、第1及び第2の磁気収束部31,32は、各々の対向する側において、第1及び第2の感磁部21,22の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている。なお、対向する側とは、磁気センサを平面視したとき、基板平面に平行に配置された第1の磁気収束部31と第2の磁気収束部32の互いに対向する側を意味している。
また、第1及び第2の感磁部21,22の中心同士を結ぶ仮想線分Mと、第1及び第2の磁気収束部31,32の中心同士を結ぶ仮想線分Nとが平行である。
このような構成により、第1及び第2の感磁部21,22からの出力信号の差分により、基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することができる。
また、本実施例1の磁気センサは、第1及び第2の感磁部21,22の出力が入力される差分回路(図示せず)を備えている。
また、磁気収束部は、NiFe、NiFeB、NiFeCo、CoFeのいずれかの軟磁性材料からなることが好ましい。また、磁気収束部の厚みは、1〜40ミクロンであることが好ましい。
第1の感磁部21の出力信号をS1、第2の感磁部22の出力信号をS2、第1及び第2感磁部21,22の抵抗をR、X方向の磁場をBx(磁場変換効率a)、Z方向の磁場をBz(磁場変換効率c)とした場合に、差分回路は、
S1=R+aBx−cBz
S2=R+aBx+cBz
S2−S1=2cBz
の演算を行う。これにより、基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分(Z軸方向の磁場)を検出することができる。
第3の磁気収束部50は、第3及び第4の感磁部41,42との間に配置された単一の磁気収束部であり、この第3の磁気収束部50は、その両側部において、第3及び第4の感磁部41,42の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、第3及び第4の感磁部41,42の中心同士を結ぶ仮想線分Mと、第3の磁気収束部50の長手方向の中線N1とが垂直である。
このような構成により、第3及び第4の感磁部41,42からの出力信号の差分により、基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することができる。
S3=R+aBx+cBz
S4=R+aBx−cBz
S3−S4=2cBz
の演算を行う。これにより、基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分(Z軸方向の磁場)を検出することができる。
本実施例3の磁気センサは、基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサである。なお、基板平面とは基板の表面側の平面を意味している。
第1及び第2の磁気収束部71,72は、対向する側と反対側において、第5及び第6の感磁部61,62の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている。なお、対向する側とは、磁気センサを平面視したとき、基板平面に平行に配置された第5の磁気収束部71と第6の磁気収束部72の互いに対向する側を意味している。
このような構成により、第5及び第6の感磁部61,62からの出力信号の差分により、基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することができる。
S5=R+aBx+cBz
S6=R+aBx−cBz
S5−S6=2cBz
の演算を行う。これにより、基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分(Z軸方向)の磁場を検出することができる。
第6の磁気収束部91と第8の磁気収束部93とは、第7の磁気収束部92の長手方向の中線N1に対して線対称である。また、第6の磁気収束部91が、第7の感磁部81の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ第7の磁気収束部92が、第8の感磁部82の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている。
このような構成により、第7及び第8の感磁部81,82からの出力信号の差分により、基板平面に対して平行、かつ第7及び第8の感磁部81,82の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することができる。
S7=R+aBx+bBy−cBz
S8=R+aBx−bBy−cBz
S7−S8=2bBy
の演算を行う。これにより、前記基板平面に対して平行かつ感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分(Y軸方向の磁場)を検出することができる。
上述した各実施例における差分回路は、2つの入力の差に応じた信号を出力するものであればよく、アナログ回路で実現する場合は、例えば、図10に示す様な差動増幅回路(Vout=R2(V1−V2)/R1)を用いることが出来るが、本発明はこれに限定されない。
2 ピンド層(固定層)
3 Cu層(スペーサ層)
4 フリー層(自由回転層)
11,16 層
12 フリー層(自由回転層)
13 導電層
14 ピンド層(固定層)
15 反強磁性層
21 第1の感磁部
22 第2の感磁部
31 第1の磁気収束部
32 第2の磁気収束部
21a,22a 感磁軸
41 第3の感磁部
42 第4の感磁部
50 第3の磁気収束部
61 第5の感磁部
62 第6の感磁部
71 第5の磁気収束部
72 第6の磁気収束部
81 第7の感磁部
82 第8の感磁部
91 第6の磁気収束部
92 第7の磁気収束部
93 第8の磁気収束部
Claims (11)
- 基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサにおいて、
前記基板平面に平行に配置された一方及び他方の感磁部と、該一方及び他方の感磁部の近傍かつ前記磁気センサを平面視したとき前記基板平面における前記一方及び他方の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている矩形状の磁気収束部とを備え、
前記一方及び他方の感磁部は前記基板平面に対して平行であって、前記磁気収束部の短手方向に平行な同一の方向に感磁軸を持つ素子であり、
前記一方及び他方の感磁部が、前記磁気センサを平面視したときに、前記磁気収束部の短手方向の中線が、前記一方及び他方の感磁部の一部と交差するように配置され、
前記一方及び他方の感磁部の中心同士を結ぶ仮想線分と、前記磁気収束部の中心同士を結ぶ仮想線分とが平行であるか、又は
前記一方及び他方の感磁部の中心同士を結ぶ仮想線分と、前記磁気収束部の長手方向の中線とが垂直で、
前記一方の感磁部からの出力信号及び他方の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分、または、前記基板平面に対して平行かつ前記感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することを特徴とする磁気センサ。 - 前記磁気センサを平面視したとき、前記感磁部と前記磁気収束部の重なる面積が等しいことを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記一方及び他方の感磁部の出力が入力される差分回路を備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気センサ。
- 前記一方及び他方の感磁部が、第1及び第2の感磁部で、前記磁気収束部が、第1及び第2の磁気収束部であり、
該第1及び第2の磁気収束部は前記基板の同一面に配置され、
前記第1及び第2の感磁部が、前記磁気センサを平面視したとき、該第1及び第2の磁気収束部どうしが対向する側に配置され、
前記第1の磁気収束部が前記第1の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、
前記の第2磁気収束部が前記第2の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、
前記第1及び第2感磁部の中心同士を結ぶ仮想線分と、前記第1及び第2の磁気収束部の中心同士を結ぶ仮想線分とが平行であり、
前記第1の感磁部の出力信号をS1、前記第2の感磁部の出力信号をS2、前記第1及び第2感磁部の抵抗をR、X方向の磁場をBx(磁場変換効率a)、Z方向の磁場をBz(磁場変換効率c)とした場合に、前記差分回路が、
S1=R+aBx−cBz
S2=R+aBx+cBz
S2−S1=2cBz
の演算をすることを特徴とする請求項3に記載の磁気センサ。 - 基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサにおいて、
前記基板平面に平行に配置された一方及び他方の感磁部と、該一方及び他方の感磁部の近傍かつ前記磁気センサを平面視したとき前記基板平面における前記一方及び他方の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている矩形状の磁気収束部と、前記一方及び他方の感磁部の出力が入力される差分回路とを備え、
前記一方及び他方の感磁部は前記基板平面に対して平行であって、前記磁気収束部の短手方向に平行な同一の方向に感磁軸を持つ素子であり、
前記一方及び他方の感磁部が、前記磁気センサを平面視したときに、前記磁気収束部の短手方向の中線が、前記一方及び他方の感磁部の一部と交差するように配置され、
前記一方の感磁部からの出力信号及び他方の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分、または、前記基板平面に対して平行かつ前記感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力する磁気センサであって、
前記一方及び他方の感磁部が、第3及び第4の感磁部で、前記磁気収束部が、前記第3及び第4の感磁部に間に配置された単一の第3の磁気収束部であり、該第3の磁気収束部が、両側部において、前記第3及び第4の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、前記第3及び第4の感磁部の中心同士を結ぶ仮想線分と、前記第3の磁気収束部の長手方向の中線が垂直であり、
前記第3の感磁部の出力信号をS3、前記第4の感磁部の出力信号をS4、前記第3及び第4感磁部の抵抗をR、X方向の磁場をBx(磁場変換効率a)、Z方向の磁場をBz(磁場変換効率c)とした場合に、前記差分回路が、
S3=R+aBx+cBz
S4=R+aBx−cBz
S3−S4=2cBz
の演算をすることを特徴とする磁気センサ。 - 前記一方及び他方の感磁部が、第5及び第6の感磁部で、前記磁気収束部が、第5及び第6の磁気収束部であり、
該第5及び第6の磁気収束部は前記基板の同一面に配置され、
該第5及び第6の感磁部が、前記磁気センサを平面視したとき、該第5及び第6の磁気収束部どうしが対向する側とは反対側に配置され、
前記第5の磁気収束部が前記第5の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、
前記第6の磁気収束部が前記第6の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されていて、
前記第5の感磁部の出力信号をS5、前記第6の感磁部の出力信号をS6、前記第5及び第6感磁部の抵抗をR、X方向の磁場をBx(磁場変換効率a)、Z方向の磁場をBz(磁場変換効率c)とした場合に、前記差分回路が、
S5=R+aBx+cBz
S6=R+aBx−cBz
S5−S6=2cBz
の演算をすることを特徴とする請求項3に記載の磁気センサ。 - 前記一方及び他方の感磁部が、第7及び第8の感磁部で、前記磁気収束部が、第6乃至第8の磁気収束部であり、
前記第6の磁気収束部と前記第8の磁気収束部とが、前記第7の磁気収束部の長手方向の中線に対して線対称で、
前記第6の磁気収束部が、前記第7の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ前記第7の磁気収束部が、前記第8の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、
前記第7及び第8の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して平行、かつ前記第7及び第8の感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気センサ。 - 前記第6の磁気収束部と前記第7の感磁部とからなる配置パターンと、前記第7の磁気収束部と前記第8の感磁部とからなる配置パターンとが、
前記第6の磁気収束部と前記第7の感磁部とからなる配置パターンを、前記第6の磁気収束部の短手方向の任意の軸に対して線対称な仮想パターンとして基板表面に対して平行にシフトさせると、前記第7の磁気収束部と前記第8の感磁部とからなる配置パターンと重なる関係にある配置パターンであることを特徴とする請求項7に記載の磁気センサ。 - 基板平面に対して任意の軸方向の磁場を検知できるようにした磁気センサにおいて、
前記基板平面に平行に配置された一方及び他方の感磁部と、該一方及び他方の感磁部の近傍かつ前記磁気センサを平面視したとき前記基板平面における前記一方及び他方の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置されている矩形状の磁気収束部とを備え、
前記一方及び他方の感磁部は前記基板平面に対して平行であって、前記磁気収束部の短手方向に平行な同一の方向に感磁軸を持つ素子であり、
前記一方及び他方の感磁部が、前記磁気センサを平面視したときに、前記磁気収束部の短手方向の中線が、前記一方及び他方の感磁部の一部と交差するように配置され、
前記一方の感磁部からの出力信号及び他方の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して垂直方向の軸方向の磁場成分、または、前記基板平面に対して平行かつ前記感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力する磁気センサであって、
前記一方及び他方の感磁部が、第7及び第8の感磁部で、前記磁気収束部が、第6乃至第8の磁気収束部であり、
前記第6の磁気収束部と前記第8の磁気収束部とが、前記第7の磁気収束部の長手方向の中線に対して線対称で、
前記第6の磁気収束部が、前記第7の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ前記第7の磁気収束部が、前記第8の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、
前記第7の磁気収束部の短手方向の中線が、
前記第6及び第8の磁気収束部の中心同士を結ぶ仮想線分と平行で、かつ重ならず、
前記第7及び第8の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して平行、かつ前記第7及び第8の感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力することを特徴とする磁気センサ。 - 前記一方及び他方の感磁部が、第7及び第8の感磁部で、前記磁気収束部が、第6乃至第8の磁気収束部であり、
前記第6の磁気収束部と前記第8の磁気収束部とが、前記第7の磁気収束部の長手方向の中線に対して線対称で、
前記第6の磁気収束部が、前記第7の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、かつ前記第7の磁気収束部が、前記第8の感磁部の長手方向に少なくとも一部が重なる位置に配置され、
前記第7及び第8の感磁部からの出力信号の差分により、前記基板平面に対して平行、かつ前記第7及び第8の感磁部の感磁軸に垂直な軸方向の磁場成分に応じた信号を出力し、
前記第7の感磁部の出力信号をS7、前記第8の感磁部の出力信号をS8、前記第7及び第8感磁部の抵抗をR、X方向の磁場をBx(磁場変換効率a)、Y方向の磁場をBy(磁場変換効率b)、Z方向の磁場をBz(磁場変換効率c)とした場合に、前記差分回路が、
S7=R+aBx+bBy−cBz
S8=R+aBx−bBy−cBz
S7−S8=2bBy
の演算をすることを特徴とする請求項3に記載の磁気センサ。 - 前記仮想線分が、お互いに重なっていないことを特徴とする請求項1〜4、6〜8、10のいずれかに記載の磁気センサ。
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