JP2014531571A - Mtj三軸磁場センサおよびそのパッケージ方法 - Google Patents
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Abstract
Description
A)X軸に沿って感知方向を有するX軸ブリッジセンサを製造し、前記X軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
B)Y軸に沿って感知方向を有するY軸ブリッジセンサを製造し、前記Y軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
C)ウェハ上にMTJ磁気抵抗素子を製造し、前記MTJウェハを斜めに切断してMTJ磁気センサチップを形成し、前記MTJ磁気センサチップの取付け縁部を前記ASICチップ上に設け、各前記取付け縁部は、前記ウェハの隣接面に対して角度を有し、前記角度は、鋭角または鈍角であり、前記MTJ磁気センサチップのそれぞれを、半田バンプを用いて、前記ASICチップと物理的に接続し、前記MTJ磁気センサチップを電気接続してZ軸磁気センサを形成する工程と、を含む方法。
A)X軸に沿って感知方向を有するX軸磁場センサブリッジを製造し、前記X軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
B)X軸に沿って感知方向を有するY軸磁場センサブリッジを製造し、前記X軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
C)ウェハ上にMTJ磁気抵抗素子を製造し、前記ウェハの後部側をエッチングして斜面を形成し、前記MTJウェハを切断してMTJ磁気センサチップを形成し、前記MTJ磁気センサチップの取付け縁部を前記ASICチップ上に設け、各前記取付け縁部は、前記ウェハの隣接面に対して角度を有し、前記角度は、鋭角または鈍角であり、前記MTJ磁気センサチップのそれぞれを、半田バンプを用いて、前記ASICチップと物理的に接続し、前記MTJ磁気センサチップを電気接続してZ軸磁気センサを形成する工程と、を含む方法。
図1は、標準MTJ素子の概略図である。標準MTJ素子1は、強磁性自由層6、強磁性ピン層2、および強磁性層の間のトンネルバリア層5を含む。強磁性自由層6は、強磁性材料で構成され、強磁性自由層の磁化方向は、外部からの磁場に応答して変化し得る。強磁性ピン層2は、一方向に固定された(pinned)磁化方向を有し、一般的な動作条件では変化しない。強磁性層4は、反強磁性層3の頂部または底部のいずれかに存在し得る。MTJ構造は、通常、導電シード層11の頂部に配置されるのに対して、上部電極12は、通常、MTJ構造の頂部に配置される。MTJ素子の抵抗は、シード層11と上部電極12との間で測定され、その値13は、強磁性自由層6と強磁性ピン層2の磁化の相対的な配向を示している。
図4は、MTJプッシュプルフルブリッジセンサの概略図である。4つのMTJ素子R1、R2、R3およびR4は、フルブリッジとして相互接続され、各MTJ素子は、1つのMTJまたは直列接続された複数のMTJから構成される(図2)。磁気抵抗素子のそれぞれについて、ピン層の磁化方向は同じであり、このピン層の磁化方向に対する自由層の磁化方向は、角度θ(30°と90°との間)であり、この角度θは同じ大きさである。磁気抵抗素子対(R1およびR3、R2およびR4)は、同じ自由層磁化方向(41および43、42および44)を有するのに対して、互いに隣接して設けられた磁気抵抗素子(R1およびR2、R3およびR4)は、異なる方向に設けられた自由層磁化(41および42、43および44)を有する。この特定のフルブリッジ構成では、感知方向10は、強磁性ピン層磁化方向8と直交する。各磁気抵抗素子の磁気ピン層磁化方向8は同じであるため、このプッシュプルフルブリッジセンサ設計は、マルチチップパッケージングプロセスを用いることなく、また、ローカルレーザ加熱を実施する必要なしに、単一チップ上で具現化されてプッシュプルフルブリッジセンサを形成する。
(1)形状異方性:MTJ素子の形状異方性を用いて磁化容易軸を形成し、磁気自由層磁化方向にバイアスをかける。MTJ素子の形状異方性は、MTJ素子の幅に対する長さを変更し、また、素子を回転させることによって調整され得る
(2)永久磁石バイアス:MTJ素子の周囲に永久磁石をセットして磁場を形成し、自由層磁化方向にバイアスをかける
(3)コイルバイアス:MTJ素子の上下の層に磁場を生成するための電流を流すために用いられる金属ワイヤを配置し、磁気自由層の方向に磁場を生成する
(4)ネールカップリング:強磁性ピン層と強磁性自由層との間のネールカップリング磁場を用いて、強磁性自由層磁化にバイアスをかける
(5)交換バイアス:この技術では、自由層上の隣接した強磁性層への弱い交換カップリングを用いて効果的なバイアス場を生成する。強磁性層と自由層との間にCuまたはTa層を配置することによって強度を調整し、それによって交換バイアスの強度を低減させる。
図6は、参照フルブリッジMTJセンサ(referenced full bridge MTJ sensor)の概略図である。ここで、4つのMTJ磁気抵抗素子R1、R2、R3およびR4は、相互接続されブリッジを形成し、各磁気抵抗素子は、1つのMTJまたは直列接続された1つより多くのMTJで構成される(図2)。この設計では、磁気抵抗素子R1およびR3の出力曲線は、印加磁場9に強く依存し、これらの素子を感知アームと呼ぶ。他方、素子R2およびR4の磁気抵抗応答は、印加磁場9にわずかに依存するだけであり、これらの素子を参照アーム(reference arms)と呼ぶ。この参照フルブリッジ構造の感知方向10は、ピン方向8と平行である。この特定の参照ブリッジ設計は、すべてのブリッジアームに対して同じ強磁性ピン層方向を用いるため、マルチチップパッケージングプロセスまたはローカルレーザ加熱を用いることなく、プッシュプルフルブリッジセンサと同じチップ上に構築され得る。
(1)磁気遮蔽:高透磁率強磁性層を参照アーム上に配置し、印加磁場を減衰させる
(2)形状異方性:参照素子および感知素子を異なる大きさにパターン化し、異なる形状異方性エネルギーおよび異なる感度を成し遂げる。参照素子の反磁場が、感知素子の反磁場よりもはるかに大きくなるように感知素子の長さ対幅の比を変更することは最も一般的に行われていることである
(3)交換バイアス:この技術は、反強磁性層に対する弱い交換カップリングを用いることによって、MTJ素子の感知方向に対して直交するバイアス場をMTJ素子の自由層上に形成するために用いられる。CuまたはTaバリア層を自由層と交換バイアス層との間に設け、交換バイアスの強度を低減させてもよい
(4)インスタック・バイアス:この技術では、Fe、Co、CrまたはPtの永久磁石合金が磁気トンネル接合の感知素子の表面に配置され、得られた漂遊磁場がMTJ素子1にバイアスをかける。次いで、異なる角度にセンサを初期化するために大きな磁場が用いられ得る。非常に重要な利点は、バイアス場がMTJ素子における磁気ドメインを排除し、MTJ素子の安定性および線形性を改善させ、磁化方向が応答の調整に大きな柔軟性をもたらすように調整され得ることである。
センサは、同じウェハ上に同時に配置された磁気抵抗膜で構成されるため、異なるセンサ軸を形成するために用いられるピン層磁化方向は同じである。残念なことに、二軸磁場センサは、互いに90度の角度で回転しなければならない2つのブリッジセンサからなる。以下の説明では、単一のチップ二軸磁場センサの実現について説明する。単一MTJ軸磁場センサ設計は、以下の方法またはいくつかの方法の組合せによって成し遂げられ得る
方法1:ローカルレーザ加熱:配置された後、異なるセンサブリッジのピン層は、互いに平行に配列される。ローカルレーザパルスは、磁場の存在下で印加され、特定の領域におけるピン層を再配列させ得る
方法2:複数配置:異なる磁気抵抗膜がチップの異なる領域に配置され、各センサに対する正しいピン層配向を成し遂げ得る。
三軸磁気センサは、X軸に沿って感知方向を有するX軸ブリッジセンサ25と、Y軸に沿って感知方向を有するY軸ブリッジセンサ26と、Z軸に沿って感知方向を有するZ軸センサ27とを有し、前記X軸、前記Y軸および前記Z軸は、互いに直交し、ASICチップ19は前記X軸25、前記Y軸26および前記Z軸ブリッジセンサ27と接続かつ整合し、前記Z軸センサ27は、いくつかの相互接続された磁気センサチップ24を有し、前記相互接続された磁気センサチップ24のそれぞれは、基板18を有し、その基板18上にはMTJ素子1が配置され、前記相互接続された磁気センサチップ24のそれぞれは、取付け縁部21に沿って前記ASICチップ19上に配置され、前記取付け縁部21は、表面縁部22に隣接し、前記MTJ素子の縁部に対して角度23を有して配向され、前記角度23は、鋭角または鈍角である。ASICチップ19は、信号調整に用いられる。
Claims (11)
- X軸に沿って感知方向を有するX軸ブリッジセンサと、Y軸に沿って感知方向を有するY軸ブリッジセンサと、Z軸に沿って感知方向を有するZ軸センサとを備える三軸MTJセンサであって、前記X軸、前記Y軸および前記Z軸は、互いに直交し、ASICチップは、前記X軸、前記Y軸および前記Z軸ブリッジセンサと接続かつ整合し、前記Z軸センサは、相互接続された磁気センサチップを有し、前記相互接続された磁気センサチップのそれぞれは、基板を有し、その基板上にはMTJ素子が配置され、前記相互接続されたZ軸センサチップは、取付け縁部に沿って前記ASICチップ上に設けられ、前記取付け縁部は、隣接したZ軸センサチップ表面に対して角度を有して配向され、前記角度は、鋭角または鈍角である、三軸MTJセンサ。
- 前記X軸ブリッジセンサは、MTJセンサである、請求項1に記載の三軸MTJセンサ。
- 前記Y軸ブリッジセンサは、MTJセンサである、請求項1に記載の三軸MTJセンサ。
- 前記X軸ブリッジセンサおよび前記Y軸ブリッジセンサは、金ワイヤボンドを用いて、前記ASICチップと接続される、請求項1に記載の三軸MTJセンサ。
- 前記X軸ブリッジセンサおよび前記Y軸ブリッジセンサは、半田バンプを用いて、前記ASICチップと接続される、請求項1に記載の三軸MTJセンサ。
- 前記X軸ブリッジセンサおよび前記Y軸ブリッジセンサは、同じチップに集積される、請求項1に記載の三軸MTJセンサ。
- 前記X軸ブリッジセンサは、参照ブリッジセンサであり、前記Y軸ブリッジセンサは、プッシュ−プルブリッジセンサである、請求項4に記載の三軸MTJセンサ。
- 前記磁気センサチップのそれぞれは、半田バンプを用いて、前記ASICチップに接続される、請求項1に記載の三軸MTJセンサ。
- 前記Z軸センサは、2個または4個のMTJ磁気センサチップを有し、前記MTJセンサチップは、前記ASICチップ上に対称配置される、請求項1に記載の三軸MTJセンサ。
- 三軸MTJセンサパッケージング方法であって、
A)X軸に沿って感知方向を有するX軸ブリッジセンサを製造し、前記X軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
B)Y軸に沿って感知方向を有するY軸ブリッジセンサを製造し、前記Y軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
C)ウェハ上にMTJ磁気抵抗素子を製造し、前記MTJウェハを斜めに切断してMTJ磁気センサチップを形成し、前記MTJ磁気センサチップの取付け縁部を前記ASICチップ上に設け、各前記取付け縁部は、前記ウェハの隣接面に対して角度を有し、前記角度は、鋭角または鈍角であり、前記MTJ磁気センサチップのそれぞれを、半田バンプを用いて、前記ASICチップと物理的に接続し、前記MTJセンサチップを電気接続してZ軸磁気センサを形成する工程と、を含む方法。 - 三軸MTJセンサパッケージング方法であって、
A)X軸に沿って感知方向を有するX軸磁場センサブリッジを製造し、前記X軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
B)X軸に沿って感知方向を有するY軸磁場センサブリッジを製造し、前記X軸センサとASICチップとを電気接続する工程と、
C)ウェハ上にMTJ磁気抵抗素子を製造し、前記ウェハの後部側をエッチングして斜面を形成し、前記MTJウェハを切断してMTJ磁気センサチップを形成し、前記MTJ磁気センサチップの取付け縁部を前記ASICチップ上に設け、各前記取付け縁部は、前記ウェハの隣接面に対して角度を有し、前記角度は、鋭角または鈍角であり、前記MTJ磁気センサチップのそれぞれを、半田バンプを用いて、前記ASICチップと物理的に接続し、前記MTJ磁気センサチップを電気接続してZ軸磁気センサを形成する工程と、を含む方法。
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Cited By (1)
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KR20200112914A (ko) * | 2018-03-01 | 2020-10-05 | 요코가와 덴키 가부시키가이샤 | 전류 측정 장치, 전류 측정 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 비일시적 기록 매체 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102226835A (zh) * | 2011-04-06 | 2011-10-26 | 江苏多维科技有限公司 | 单一芯片双轴磁场传感器及其制备方法 |
CN102426344B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | 三轴磁场传感器 |
CN102385043B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | Mtj三轴磁场传感器及其封装方法 |
CN102809665B (zh) * | 2012-06-04 | 2016-08-03 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻齿轮传感器 |
WO2014059110A1 (en) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | Memsic, Inc. | Monolithic three-axis magnetic field sensor |
CN104995525A (zh) * | 2012-12-17 | 2015-10-21 | 地质研究院及核科学有限公司 | 宽动态范围磁强计 |
CN103885004A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 磁感科技香港有限公司 | 一种磁传感装置及其磁感应方法、制备工艺 |
CN103885005B (zh) * | 2012-12-21 | 2018-11-02 | 上海矽睿科技有限公司 | 磁传感装置及其磁感应方法 |
CN104155620B (zh) * | 2013-05-13 | 2017-05-31 | 上海矽睿科技有限公司 | 磁传感装置及其感应方法、制备工艺 |
CN103267520B (zh) * | 2013-05-21 | 2016-09-14 | 江苏多维科技有限公司 | 一种三轴数字指南针 |
CN104880678B (zh) * | 2014-02-28 | 2018-10-12 | 上海矽睿科技有限公司 | 一种磁传感装置及其制备工艺 |
CN103954920B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-09-14 | 江苏多维科技有限公司 | 一种单芯片三轴线性磁传感器及其制备方法 |
CN104197827B (zh) * | 2014-08-18 | 2017-05-10 | 江苏多维科技有限公司 | 一种双z轴磁电阻角度传感器 |
CN104596605B (zh) | 2015-02-04 | 2019-04-26 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁自动化流量记录器 |
CN105044631B (zh) * | 2015-08-28 | 2018-08-07 | 江苏多维科技有限公司 | 一种半翻转两轴线性磁电阻传感器 |
US9995600B2 (en) | 2015-09-01 | 2018-06-12 | General Electric Company | Multi-axis magneto-resistance sensor package |
US9841469B2 (en) | 2016-01-26 | 2017-12-12 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple sense layer magnetization orientations |
US9897667B2 (en) * | 2016-01-26 | 2018-02-20 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with permanent magnet biasing |
US10545196B2 (en) * | 2016-03-24 | 2020-01-28 | Nxp Usa, Inc. | Multiple axis magnetic sensor |
US10145907B2 (en) | 2016-04-07 | 2018-12-04 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with permanent magnet biasing |
US9933496B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-04-03 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple axis sense capability |
CN106052725B (zh) * | 2016-06-08 | 2018-07-03 | 江苏多维科技有限公司 | 一种z-x轴磁电阻传感器 |
KR102182095B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2020-11-24 | 한양대학교 산학협력단 | 3축 자기 센서 |
US10677857B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-06-09 | Biosense Webster (Israel) Ltd. | Three-axial sensor including six single-axis sensors |
US11199424B2 (en) | 2018-01-31 | 2021-12-14 | Allegro Microsystems, Llc | Reducing angle error in a magnetic field angle sensor |
US11175359B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-11-16 | Allegro Microsystems, Llc | Reducing voltage non-linearity in a bridge having tunneling magnetoresistance (TMR) elements |
US11467233B2 (en) * | 2020-03-18 | 2022-10-11 | Allegro Microsystems, Llc | Linear bridges having nonlinear elements |
US11408948B2 (en) | 2020-03-18 | 2022-08-09 | Allegro Microsystems, Llc | Linear bridge having nonlinear elements for operation in high magnetic field intensities |
CN115803647A (zh) * | 2020-07-06 | 2023-03-14 | 阿莱戈微系统有限责任公司 | 具有用于在高磁场强度下操作的非线性元件的线性电桥 |
US11719773B2 (en) | 2021-07-14 | 2023-08-08 | Globalfoundries U.S. Inc. | Magnetic field sensor with MTJ elements arranged in series |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11230782A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Toyota Motor Corp | 回転検出装置 |
JP2003060256A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気スイッチ及び磁気センサ |
JP2008216181A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Citizen Holdings Co Ltd | 方位センサ及び電子機器 |
JP2009122049A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Alps Electric Co Ltd | 地磁気センサ |
WO2009084433A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
JP2009543086A (ja) * | 2006-07-13 | 2009-12-03 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | 少なくとも2つの非平行平面上に分散配置された集積回路およびその製造方法 |
JP2011501153A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | ブリッジにおけるgmrセンサの整合 |
US20110147867A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-23 | Everspin Technologies, Inc. | Method of vertically mounting an integrated circuit |
WO2011092406A1 (fr) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Centre National De La Recherche Scientifique | Magnetometre integre et son procede de fabrication |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4541288A (en) * | 1983-10-27 | 1985-09-17 | General Electric Company | Operating circuit for magnetoelastic force/pressure sensors |
CN1234017C (zh) * | 2001-11-13 | 2005-12-28 | 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 | 一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件 |
JP4085859B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-05-14 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサおよびその製造方法 |
JP3823955B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2006-09-20 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサの製造方法およびリードフレーム |
JP2005268480A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
EP1580568A3 (en) * | 2004-03-24 | 2012-09-19 | Yamaha Corporation | Semiconductor device, magnetic sensor, and magnetic sensor unit |
US7126330B2 (en) * | 2004-06-03 | 2006-10-24 | Honeywell International, Inc. | Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device |
US7595548B2 (en) * | 2004-10-08 | 2009-09-29 | Yamaha Corporation | Physical quantity sensor and manufacturing method therefor |
WO2006070305A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Bridge type sensor with tunable characteristic |
TWI360243B (en) * | 2005-03-17 | 2012-03-11 | Yamaha Corp | Three-axis magnetic sensor and manufacturing metho |
JP4984408B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2012-07-25 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサおよびその製法 |
US7231828B2 (en) * | 2005-09-23 | 2007-06-19 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High temperature pressure sensing system |
JP2008270471A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP5157611B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2013-03-06 | 株式会社リコー | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP5165963B2 (ja) * | 2007-08-14 | 2013-03-21 | 新科實業有限公司 | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2009216390A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-24 | Ricoh Co Ltd | 3軸磁気センシング装置およびその製造方法 |
JP5152495B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-02-27 | 株式会社リコー | 磁気センサーおよび携帯情報端末装置 |
JP5075979B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-11-21 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサパッケージ |
US7965077B2 (en) * | 2008-05-08 | 2011-06-21 | Everspin Technologies, Inc. | Two-axis magnetic field sensor with multiple pinning directions |
DE102009001932A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Robert Bosch Gmbh | Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls |
US8390283B2 (en) * | 2009-09-25 | 2013-03-05 | Everspin Technologies, Inc. | Three axis magnetic field sensor |
US20110234218A1 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Matthieu Lagouge | Integrated multi-axis hybrid magnetic field sensor |
US8518734B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-08-27 | Everspin Technologies, Inc. | Process integration of a single chip three axis magnetic field sensor |
CN101813479B (zh) * | 2010-04-01 | 2012-10-10 | 王建国 | Tmr电子罗盘 |
US20120068698A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Industrial Technology Research Institute | Structure of tmr and fabrication method of integrated 3-axis magnetic field sensor and sensing circuit |
CN102385043B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | Mtj三轴磁场传感器及其封装方法 |
CN102426344B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-08-21 | 江苏多维科技有限公司 | 三轴磁场传感器 |
CN202362441U (zh) * | 2011-08-30 | 2012-08-01 | 江苏多维科技有限公司 | 三轴磁场传感器 |
CN202210145U (zh) * | 2011-08-30 | 2012-05-02 | 江苏多维科技有限公司 | Mtj三轴磁场传感器 |
-
2011
- 2011-08-30 CN CN2011102519048A patent/CN102385043B/zh active Active
-
2012
- 2012-08-27 WO PCT/CN2012/080607 patent/WO2013029512A1/zh active Application Filing
- 2012-08-27 JP JP2014527480A patent/JP6076346B2/ja active Active
- 2012-08-27 US US14/239,859 patent/US20140225605A1/en not_active Abandoned
- 2012-08-27 EP EP12826813.3A patent/EP2752675B1/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11230782A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Toyota Motor Corp | 回転検出装置 |
JP2003060256A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気スイッチ及び磁気センサ |
JP2009543086A (ja) * | 2006-07-13 | 2009-12-03 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | 少なくとも2つの非平行平面上に分散配置された集積回路およびその製造方法 |
JP2008216181A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Citizen Holdings Co Ltd | 方位センサ及び電子機器 |
JP2011501153A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | ブリッジにおけるgmrセンサの整合 |
JP2009122049A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Alps Electric Co Ltd | 地磁気センサ |
WO2009084433A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
US20110147867A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-23 | Everspin Technologies, Inc. | Method of vertically mounting an integrated circuit |
WO2011092406A1 (fr) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Centre National De La Recherche Scientifique | Magnetometre integre et son procede de fabrication |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200112914A (ko) * | 2018-03-01 | 2020-10-05 | 요코가와 덴키 가부시키가이샤 | 전류 측정 장치, 전류 측정 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 비일시적 기록 매체 |
KR102412180B1 (ko) | 2018-03-01 | 2022-06-22 | 요코가와 덴키 가부시키가이샤 | 전류 측정 장치, 전류 측정 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 비일시적 기록 매체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013029512A1 (zh) | 2013-03-07 |
US20140225605A1 (en) | 2014-08-14 |
JP6076346B2 (ja) | 2017-02-08 |
CN102385043A (zh) | 2012-03-21 |
EP2752675B1 (en) | 2020-08-05 |
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EP2752675A4 (en) | 2015-11-25 |
CN102385043B (zh) | 2013-08-21 |
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