JP2005268480A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】チャージダメージを低減出来る半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】半導体記憶装置10は、第1層間絶縁膜45中に形成された第1配線43と、前記第1層間絶縁膜45上に形成された第2配線32と、前記第2配線32上に形成された第1強磁性膜47と、前記1強磁性膜47上に形成されたトンネルバリア膜48と、前記トンネルバリア膜48上に形成された第2強磁性膜39とを備えるメモリセル30と、前記第1配線43上に形成され、前記第1配線43と前記第2配線32とを接続し、上面が前記第2配線32よりも高い位置にあるコンタクトプラグ46とを具備する。
【選択図】 図3
【解決手段】半導体記憶装置10は、第1層間絶縁膜45中に形成された第1配線43と、前記第1層間絶縁膜45上に形成された第2配線32と、前記第2配線32上に形成された第1強磁性膜47と、前記1強磁性膜47上に形成されたトンネルバリア膜48と、前記トンネルバリア膜48上に形成された第2強磁性膜39とを備えるメモリセル30と、前記第1配線43上に形成され、前記第1配線43と前記第2配線32とを接続し、上面が前記第2配線32よりも高い位置にあるコンタクトプラグ46とを具備する。
【選択図】 図3
Description
この発明は、半導体記憶装置に関するもので、例えば磁気ランダムアクセスメモリ(Magneto resistive Random Access Memory:MRAM)の備える磁気抵抗素子とその周囲の構造に関するものである。
MRAMは、情報の記録担体として強磁性体の磁化方向を利用した、記録情報を随時、書き換え、保持、読み出すことができる固体メモリの総称である。
MRAMのメモリセルは、通常複数の強磁性体を積層した構造を有する。情報の記録は、メモリセルを構成する複数の強磁性体の磁化の相対配置が、平行か、反平行であるかを2進のデータ“1”、“0”に対応させて行う。データの書き込みは、各メモリセルの強磁性体の磁化方向を、電流磁界によって反転させることによって行われる。
現在実用化の検討が進められているMRAMでは、メモリセルに強磁性トンネル接合(Magnetic Tunnel Junction : 以下MTJと略記)を用いている(例えば、非特許文献1参照)。MTJは、主として強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる三層膜で構成され、電流は絶縁層をトンネルして流れる。接合の抵抗値は、両強磁性金属層の磁化の相対角の余弦に比例して変化する。そして、接合の抵抗値は、両強磁性層の磁化の向き反平行の場合に極大値をとる。これがトンネル磁気抵抗効果である。MTJの構造としては、両方の強磁性体の保持力の差を利用してデータを保持するタイプがある。更には、磁界感度改善あるいは書き込み電流低減を目的として、一方の強磁性体に隣接して反強磁性体を配置し、磁化方向を固着させたいわゆるスピンバルブ構造のタイプ(例えば非特許文献2参照)が知られている。
しかしながら、一般にMTJ素子の形成に用いられる材料は蒸気圧が低いため、加工には高パワーのRIEが広く使用されている。従って、MTJ素子に対するチャージダメージが深刻な問題となっている。
"IEEE International Solid-State Circuits Conference 2000 Digest Papar", TA7.2 "Japanese Journal of Applied Physics", 1997年, 36号, p.200
"IEEE International Solid-State Circuits Conference 2000 Digest Papar", TA7.2 "Japanese Journal of Applied Physics", 1997年, 36号, p.200
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、チャージダメージを低減出来る半導体記憶装置を提供することにある。
この発明の第1の態様に係る半導体記憶装置は、層間絶縁膜中に形成された第1配線と、前記層間絶縁膜上に形成された第2配線と、前記第2配線上に形成された第1強磁性膜と、前記1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜とを備えるメモリセルと、前記第1配線上に形成され、前記第1配線と前記第2配線とを接続し、上面が前記第2配線よりも高い位置にあるコンタクトプラグとを具備する。
またこの発明の第2の態様に係る半導体記憶装置は、層間絶縁膜上に形成された第1配線と、前記第1配線上に形成された第1強磁性膜と、前記1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜を含み且つ上面に段差を有する導電膜とを備えた磁気抵抗素子を有するメモリセルとを具備する。
更にこの発明の第3の態様に係る半導体記憶装置は、第1強磁性膜と、前記第1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜とを備える磁気抵抗素子を含む複数のメモリセルと、前記メモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルに含まれる前記磁気抵抗素子と近接しつつ離隔して設けられた第1配線と、同一行の前記メモリセルの前記磁気抵抗素子に近接して設けられた前記第1配線を共通接続する書き込みワード線と、同一列の前記メモリセルの前記第1、第2強磁性膜のいずれか一方を共通接続するビット線と、前記ビット線と接地電位との間の接続をスイッチングし、前記メモリセルからデータを読み出す際、及び前記メモリセルにデータを書き込む際には、前記ビット線と前記接地電位との間を非接続とするスイッチ素子とを具備する。
この発明によれば、チャージダメージを低減出来る半導体記憶装置を提供できる。
以下、この発明の実施形態を図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
この発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置及びその製造方法について図1を用いて説明する。図1は本実施形態に係るMRAMのブロック図である。
図示するように、MRAM10は、メモリセルアレイ11、カラムデコーダ12、13、センスアンプ14、ビット線ドライバ15、16、ロウデコーダ17、18、選択用ワード線ドライバ19、書き込みワード線ドライバ20、及びカレントシンク21を備えている。
メモリセルアレイ11は、マトリクス状に配置された複数個((m+1)×(n+1)個、但しm、nは自然数であり、図1では(3×3)個のみ示す)のメモリセルMCを有している。メモリセルMCの各々は、磁気抵抗素子30及びスイッチングトランジスタ31を含んでいる。磁気抵抗素子30は、例えばMTJ素子である。磁気抵抗素子30の一端は、ビット線BL0〜BLnのいずれかに接続され、他端はスイッチングトランジスタ31の電流経路の一端に接続されている。スイッチングトランジスタ31のゲートは選択用ワード線SWL0〜SWLmのいずれかに接続され、電流経路の他端は接地電位に接続されている。そして、磁気抵抗素子30に近接して、書き込みワード線WWL0〜WWLmのいずれかが設けられている。同一行に配置されたメモリセルのスイッチングトランジスタ31のゲートは、選択用ワード線SWL0〜SWLmのいずれかに共通接続されている。また、同一行に配置されたメモリセルの磁気抵抗素子30の近傍に、書き込みワード線WWL0〜WWLmのいずれかが配線されている。更に同一列に配置されたメモリセルの磁気抵抗素子30の一端は、ビット線BL0〜BLnのいずれかに共通接続されている。なお、書き込みワード線WWL0〜WWLmとビット線BL0〜BLnとは、互いに直交するように配置されている。
カラムデコーダ12、13は、カラムアドレス信号をデコードして、カラムアドレスデコード信号を得る。
ビット線ドライバ15、16は、カレントソースまたはカレントシンクのいずれかとして機能する。書き込み時において、ビット線ドライバ15、16の一方がカレントソースとして機能する場合には、他方がカレントシンクとして機能する。そして、カレントソースとして機能する一方が、カラムアドレスデコード信号に基づいていずれかのビット線を選択し、選択ビット線BLに電流を供給する。そして、カレントソースから供給された電流は、カレントシンクに流れ込む。ビット線ドライバ15、16のいずれが電流を供給するかによって、メモリセルへの書き込みデータを制御できる。
ロウデコーダ17、18は、ロウアドレス信号をデコードして、ロウアドレスデコード信号を得る。
選択用ワード線ドライバ19は、書き込み時及び読み出し時において、ロウアドレスデコード信号に基づいて、選択用ワード線SWL0〜SWLmのいずれかを選択する。そして、選択した選択用ワード線に電圧を供給する。
書き込みワード線ドライバ20は、ロウアドレスデコード信号に基づいて、いずれかの書き込みワード線を選択する。そして、選択書き込みワード線に書き込み電流を供給する。この電流は、選択メモリセルの近傍を通ってカレントシンク21に流れ込む。なお、書き込みワード線に流す電流によって書き込みデータを制御する場合には、書き込みワード線ドライバ20及びカレントシンク21が、互いにカレントソース及びカレントシンクのいずれかとして機能するように構成されれば良い。
センスアンプ14は、ロウデコーダ17、18及びカラムデコーダ12、13によって選択されたメモリセルから読み出したデータを増幅する。
次に、メモリセルアレイ11の平面パターンについて、図2を用いて説明する。図2はメモリセルアレイ11の平面図であり、簡単化の為に、スイッチングトランジスタの図示を省略している。なお、図中に示す方向を、それぞれ困難軸方向及び容易軸方向と定義づけることとする。
図示するように、困難軸方向に沿って(1+n)本のビット線BL0〜BLnが設けられ(図2ではビット線BL0〜BL2のみ示す)、困難軸方向に直交する容易軸方向に沿って(1+m)本の書き込みワード線WWL0〜WWLmが設けられている(図2では書き込みワード線WWL0〜WWL3のみ示す)。そして、ビット線BL0〜BLnと書き込みワード線WWL0〜WWLmとの交点部分に磁気抵抗素子30が配置されている。ビット線BL0〜BLnは磁気抵抗素子30の一端と電気的に接続されている。他方、書き込みワード線WWL0〜WWLmは磁気抵抗素子30と電気的に分離されつつ、近接配置されている。
磁気抵抗素子30は、長手方向が容易軸方向に沿い、短手方向が困難軸方向に沿った略長方形の形状を有している。磁気抵抗素子の形状は、長方形の形状に限られるものではなく、例えば長軸が容易軸方向に沿った楕円形状などであってもよい。そして、磁気抵抗素子30の他端は、金属配線層32及びコンタクトプラグCPを介してスイッチングトランジスタ31(図示せず)に接続される。
次に、メモリセルアレイ11の断面構造について、図3を用いて説明する。図3は図2におけるX1−X1’線に沿った断面図である。
図示するように、p型半導体基板33中には素子分離領域STIが形成されており、素子分離領域によって周囲を取り囲まれた素子領域AA内に、スイッチングトランジスタ31が形成されている。スイッチングトランジスタ31は、半導体基板33の表面内に形成された不純物拡散層34、図示せぬゲート絶縁膜、及びゲート電極35を備えている。ゲート電極35は選択用ワード線SWL0〜SWLmのいずれかとして機能するものであり、容易軸方向(紙面に対して垂直方向)に沿ってストライプ状に形成されている。
また半導体基板33上には層間絶縁膜36が形成されている。層間絶縁膜36は、スイッチングトランジスタ31を被覆しており、また層間絶縁膜36内には、コンタクトプラグ37、38が形成されている。コンタクトプラグ37、38は、スイッチングトランジスタ31の不純物拡散層34の一方(ソース領域)及び他方(ドレイン領域)にそれぞれ接続されている。
層間絶縁膜36上には、コンタクトプラグ37、38にそれぞれ接続された金属配線層39、40が形成されている。金属配線層39は接地電位に接続されており、コンタクトプラグ37を介してスイッチングトランジスタ31のソース領域に接地電位を供給する。更に、層間絶縁膜41が層間絶縁膜36上に形成されている。層間絶縁膜41は、金属配線層39、40を被覆しており、また層間絶縁膜41内には、コンタクトプラグ42が形成されている。コンタクトプラグ42は、金属配線層40に接続されている。
層間絶縁膜41上には、コンタクトプラグ42に接続された金属配線層43、金属配線層43と電気的に分離された金属配線層44が形成されている。金属配線層44は書き込みワード線WWL0〜WWLmのいずれかとして機能するものであり、容易軸方向に沿ってストライプ状に形成されている。また、金属配線層44は、各々が電気的に接続されるスイッチングトランジスタ31のゲート電極35と、ほぼ重なるようにして形成されている。更に、層間絶縁膜45が層間絶縁膜41上に形成されている。層間絶縁膜45は金属配線層43、44を被覆しており、また層間絶縁膜45内にはコンタクトプラグ46が形成されている。コンタクトプラグ46は、金属配線層43と接続されている。
層間絶縁膜45上には、コンタクトプラグ46に接続された金属配線層32が形成されている。金属配線層32は引き出し配線として機能するものであり、例えば膜厚3nmのTa層、膜厚30nmのAl層、及び膜厚30nmのTa層が順次形成された多層膜で形成される。また非磁性導電膜32上には磁気抵抗素子30が形成されている。磁気抵抗素子30は、層間絶縁膜45及び金属配線層32を挟んで金属配線層44と重なるようにして形成されている。磁気抵抗素子30は、絶縁膜を磁性体膜で挟み込んだ構造を有する例えばMTJ素子である。すなわち、金属配線層32上に磁性体膜47が形成され、磁性体膜47上に絶縁膜48が設けられ、磁性体膜49が絶縁膜48上に設けられている。これらの磁性体膜47、49、及び絶縁膜48がMTJ素子を形成している。磁性体膜49の磁化の向きは、予め所定の方向に向くよう設定されている。その上で、磁性体膜47の磁化の向きを磁性体膜49に対して平行、または反平行とすることで、2つの状態を作り出し、“0”データ、または“1”データを書き込む。すなわち、磁性体膜49は固着層として機能し、例えば膜厚3nmのパーマロイ(Py:NiFe合金)で形成されたシード層(またはバッファ層)、膜厚15nmのIrMnで形成された反強磁性層、及び膜厚5nmのCoFe層で形成された固着強磁性層が順次形成された積層膜により形成されている。絶縁膜48はトンネルバリア膜として機能し、例えば膜厚1〜1.5nm程度のAl2O3層で形成される。磁性体膜47は記録層として機能し、例えば膜厚4nmのCoFe層34、膜厚20nmのPy層35が順次形成された積層膜により形成されている。
更に、層間絶縁膜50が層間絶縁膜45上に形成されている。層間絶縁膜50は金属配線層32及び磁気抵抗素子30の周辺を被覆している。また層間絶縁膜50上には、磁性体膜49に接続されるようにして金属配線層51が形成されている。金属配線層51はビット線BL0〜BLnのいずれかとして機能するものであり、困難軸方向(紙面内の左右方向)に沿ってストライプ状に形成されている。
以上のようにして、MRAMのメモリセルアレイ11は形成されている。なお、磁性体膜49上には、例えば膜厚20nmのTa層、膜厚50nmのAl層、及び膜厚10nmのTa層が順次形成されたキャップ層が形成されていても良い。
図4は、図3における一部領域の拡大図であり、層間絶縁膜41より上のレベルの領域について示した断面図である。図示するように、コンタクトプラグ46は、金属配線層32を貫通するようにして、層間絶縁膜45、50内に形成されている。そしてコンタクトプラグ46の上面は、金属配線層32の上面よりも、高さd1だけ高く位置している。
次に、上記構成のMRAM10の製造方法について、図5乃至図13を用いて説明する。図5乃至図13は本実施形態に係るMRAM10の製造工程を順次示す断面図である。
まず図5に示すように、半導体基板33内に素子分離領域STIを形成する。そして、素子分離領域STIによって取り囲まれた素子領域AA上に、選択トランジスタ31を周知の方法によって形成する。選択トランジスタ31のゲート電極35は、容易軸方向に沿ったストライプ状の形状に形成される。次に半導体基板33上に、層間絶縁膜36を形成する。層間絶縁膜36は選択トランジスタ31を被覆する。その後、層間絶縁膜36内にコンタクトプラグ37、38を形成する。コンタクトプラグ37、38は、それぞれ選択トランジスタのソース領域及びドレイン領域34に接続される。
次に層間絶縁膜36上に金属配線層39、40を形成する。金属配線層39、40は、それぞれコンタクトプラグ37、38に接続される。そして層間絶縁膜36上に層間絶縁膜41を形成する。引き続き、層間絶縁膜41内にコンタクトプラグ42を形成する。コンタクトプラグ41は金属配線層40に接続される。
次に層間絶縁膜41上に、金属配線層43、44を形成する。金属配線層43はコンタクトプラグ42に接続されている。金属配線層44は、金属配線層43と分離されており、容易軸方向に沿ったストライプ状の形状に形成され、且つ、ゲート電極35の直上に位置する。その後、層間絶縁膜41上に層間絶縁膜45を形成する。層間絶縁膜45は、金属配線層43、44を被覆する。
次に図6に示すように、層間絶縁膜45上に、金属配線層32、強磁性層47、トンネルバリア膜48、及び強磁性層49を、例えばスパッタリング法により順次形成する。
次に図7に示すように、フォトリソグラフィ技術と、RIE(Reactive Ion Etching)法またはArイオンミリングとを用いて、強磁性層47、49、及びトンネルバリア膜48をパターニングする。その結果、個々のメモリセル毎に分離された磁気抵抗素子30が形成される。
引き続き、図8に示すように、フォトリソグラフィ技術と、RIE法またはイオンミリングにより金属配線層32をエッチングして、図示するような引き出し配線32を形成する。
次に図9に示すように、層間絶縁膜45上に層間絶縁膜50を形成する。層間絶縁膜50は、磁気抵抗素子30及び引き出し配線32を被覆する。
次に図10に示すように、フォトリソグラフィ技術と、例えばRIE法等の異方性のエッチングとにより、コンタクトホール80を形成する。コンタクトホール80は、層間絶縁膜50及び引き出し配線32を貫通して、金属配線層43に達する。すなわち、コンタクトホール80の底部には金属配線層43の上面が露出され、側面の一部には引き出し配線32の側面が露出されている。
次に図11に示すように、層間絶縁膜50上、並びにコンタクトホール80の側面及び底面上に、例えばスパッタリング法によりバリアメタル層52を形成する。バリアメタル層52は、例えばTiN層により形成される。引き続き、バリアメタル層52上に、例えばスパッタリング法により、導電層53を形成する。導電層53は、コンタクトプラグ51内部を埋め込み、例えばAl層により形成される。
次に図12に示すように、例えばRIE法等により、バリアメタル層52及び導電層53をエッチバックして、コンタクトホール80内にのみ残存させる。その結果、図示するように、引き出し配線32を貫通し、且つ上面が引き出し配線32上面よりも高く位置するコンタクトプラグ46が完成する。
次に、層間絶縁膜50上に層間絶縁膜54を形成して、コンタクトホール80内におけるコンタクトプラグ46より上の領域を埋め込む。そして、磁気抵抗素子30をストッパーに用いたCMP(Cjemical Mechanical Polising)により、層間絶縁膜54、50を研磨して、図13に示す構成を得る。
その後は、ビット線として機能する金属配線層等を形成して、図3に示す構造が完成する。
本実施形態に係るMRAM及びその製造方法によれば、下記(1)の効果が得られる。すなわち、
(1)磁気抵抗素子をチャージダメージから保護することが出来る。
(1)磁気抵抗素子をチャージダメージから保護することが出来る。
この点につき、以下詳細に説明する。磁気抵抗素子は、その加工に高パワーのRIEが用いられる。すると、半導体ウェハがプラズマに晒されることによって、その表面にチャージが溜まる。このチャージによって磁気抵抗素子に大電流が流れ、その結果磁気抵抗素子が破壊される虞があった。
しかし本実施形態に係る構成であると、磁気抵抗素子30と、半導体基板33とを電気的に接続するコンタクトプラグ46を、磁気抵抗素子30の形成後に形成している。従って、磁気抵抗素子30の形成時点では、磁気抵抗素子30から半導体基板33に達する電流パスは存在しない。従って、磁気抵抗素子30形成時に使用される高パワーRIEによって溜まったチャージが、磁気抵抗素子30を、そのトンネルバリア膜48を貫通して流れることを防止出来る。その結果、製造時において磁気抵抗素子がプラズマダメージによって破壊されることを抑制出来、MRAMの製造歩留まりを向上出来る。
図14は、本実施形態の第1変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、磁気抵抗素子30の側壁上に形成された絶縁膜55を更に備えている。図14では、絶縁膜55は磁気抵抗素子30の側面上、及び上面上、並びに引き出し配線32上に形成されている。しかし、少なくとも磁気抵抗素子30の側面上に形成されていれば良い。また図14ではビット線となる金属配線層51と磁気抵抗素子30との間に絶縁膜55が存在するが、金属配線層51と磁気抵抗素子30とは電気的に接続されている。従って、磁気抵抗素子30の上面には絶縁膜55は形成されなくても良いし、または一部領域が除去されて、その領域を介して磁気抵抗素子30と金属配線層51とが接続されている。
次に、本変形例に係るMRAMの製造方法について図15を用いて説明する。図15は、本変形例に係るMRAMの製造工程の一部の断面図である。
まず上記第1の実施形態で説明した工程により、図7に示す構成を得る。次に図15に示すように、金属配線層32上に、磁気抵抗素子30を被覆するようにして絶縁膜55を形成する。絶縁膜55は例えばAl2O3膜で形成される。Al2O3膜は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成される。または、例えばスパッタリング法等によりAl層を形成し、Al層を酸化させることにより形成される。
その後、図8で説明したパターニング工程により、絶縁膜55と金属配線層32とをエッチングする。その後、図12に示す工程まで行い、図13に示す工程において、磁気抵抗素子30の上面上の絶縁膜55の全部または一部を除去する。
本変形例に係る構成によれば、上記(1)の効果に加えて、下記(2)、(3)の効果を併せて得ることが出来る。すなわち、
(2)MRAMの製造歩留まりを向上できる。この点について以下説明する。
(2)MRAMの製造歩留まりを向上できる。この点について以下説明する。
まず、磁気抵抗素子27の側面、すなわち、強磁性層47、49及びトンネルバリア膜48の側面に、絶縁膜55が形成されている。この絶縁膜55をを、磁気抵抗素子30の側壁に形成したAl層を酸化することによって形成した場合、例えば図7で説明したArイオンミリング工程(またはRIE工程)において、磁気抵抗素子30の周囲に残渣が残存したとしても、強磁性層47と強磁性層49との間のショートを防止できる。その結果、MRAMの製造歩留まりが向上され、特に大規模なMRAMにおいて効果的に向上できる。
また、絶縁膜55を形成することによってショートの発生を抑制しているから、図7におけるArイオンミリングまたはRIEを斜め方向から行う必要がない。すなわち、ArイオンミリングまたはRIEを半導体基板面にほぼ垂直な入射角で行うことが出来る。従って、磁気抵抗素子30の側面は、半導体基板面に対してほぼ垂直になる。その結果、隣接する磁気抵抗素子30間でのショートの発生を抑制でき、MRAMの製造歩留まり向上に寄与する。
更に、絶縁膜55を、磁気抵抗素子30の側壁に形成したAl層を酸化することによって形成した場合、酸化はAl層の外側面から徐々に進む。そして、最終的にはAl層の全てが酸化され、Al2O3層55が形成される。この際、トンネルバリア膜48であるAl2O3層の端部にも酸素が導入される。トンネルバリア膜48は、その加工時において、ArイオンミリングやRIEによってダメージを受ける。その結果、トンネルバリア膜48の端部では酸素が欠損する場合がある。すると、Al2O3層48の絶縁性が著しく失われ、強磁性層47と強磁性層48との間がショートする虞がある。しかし本変形例に係る製造方法であると、Al層を酸化する際に、トンネルバリア膜48端部にも酸素が導入される。従って、Al2O3層48は十分に絶縁性を保持する。その結果、強磁性層47と強磁性層84との間を電気的に十分に分離することが出来る。すなわち、磁気抵抗素子30内でのショートの発生を防止出来、MRAMの製造歩留まりを向上できる。
(3)MRAMの動作信頼性を向上できる。この点について以下説明する。
本変形例に係る製造方法であると、図7で説明したArイオンミリングまたはRIE工程を、半導体基板面にほぼ垂直な入射角で行うことが出来る。従って、磁気抵抗素子30の形状制御が容易である。そのため、書き込みに必要な電流値が、磁気抵抗素子毎にばらつくことを抑制することが可能である。その結果、MRAMの書き込み動作マージンを広くすることが出来、MRAMの動作信頼性を向上できる。
更に、固着層49に対する記録層47の横方向への拡がり幅を制御し易い。従って、記録層47からの漏れ磁界等による影響の、磁気抵抗素子毎のばらつきを低減できる。その結果、MRAMの書き込み動作マージンを広く出来、MRAMの動作信頼性を向上できる。
図16乃至図19は、上記第1の実施形態の第2変形例に係るMRAMの製造方法を順次示す断面図である。本変形例は、コンタクトプラグ46の形成方法について、上記第1の実施形態と異なる方法を示すものである。
まず第1の実施形態で説明した工程により図9に示す構造を得る。次に図16に示すように、強磁性層49をストッパに用いたCMP法により、層間絶縁膜50を研磨し、平坦化する。次に図17に示すように、フォトリソグラフィ技術とRIE法等により、コンタクトホール80を形成する。コンタクトホール80の形成方法は、図10で説明したとおりである。次に図18に示すように、層間絶縁膜50上に、バリアメタル膜52及び導電層53を形成してコンタクトホール80を埋め込む。この工程は図11で説明したとおりである。次に図19に示すように、図12を用いて説明した工程によりバリアメタル膜52及び導電層53を、コンタクトホール80内にのみ残存させる。その後は、コンタクトホール80内部を埋め込み、且つ強磁性層49上面を被覆する層間絶縁膜を形成する。
以上の方法によってコンタクトプラグ46を形成しても良い。
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置及びその製造方法について図20、図21を用いて説明する。図20は本実施形態に係るMRAMの断面図であり、図2におけるX1−X1’線方向に沿った構造を示している。また図21は、図20における一部領域の拡大図であり、図20における層間絶縁膜41より上のレベルの領域について示した断面図である。本実施形態は、上記第1の実施形態において、強磁性層49上面に段差を形成したものである。
図示するように、第1の実施形態で説明した構造において、本実施形態に係るMRAM10の備える磁気抵抗素子30は、その上面において段差を有している。すなわち、磁気抵抗素子30の強磁性層49の一部が除去されており、その他の領域よりも低く位置している。段差の大きさはd2である。また、隣接する磁気抵抗素子30は、コンタクトプラグ46に相対する側面同士が相対するか、またはコンタクトプラグ46に相対する面の反対側の側面同士が相対するように、配置されている。そして、強磁性層49に設けられる段差は、コンタクトプラグ46に相対する面の反対側の側面側に形成されている。更に、磁気抵抗素子30において、コンタクトプラグ46に相対する面と反対側の側面は、引き出し配線32の側面と一致、すなわち同一面上にある。
次に、本実施形態に係るMRAM10の製造方法について、図22乃至24を用いて説明する。図22乃至図23は、本実施形態に係るMRAMの製造工程を示す断面図であり、図22及び図24では対応する平面図も併せて示している。
まず上記第1の実施形態で説明した工程により、図7に示す構造を得る。次に、金属配線層32上にフォトレジスト56を塗布する。そして、フォトリソグラフィ技術により、フォトレジスト56を図22に示すようにパターニングする。図示するように、フォトレジスト56のパターンにおける困難軸方向の一端は、形成されるべき引き出し配線32の一端に位置し、他端は磁気抵抗素子30上に位置する。すなわち、上記第1の実施形態では、図8に示す引き出し配線加工工程において、フォトレジストは、磁気抵抗素子30を、少なくとも困難軸方向では完全に被覆する。これに対して本実施形態では図22に示すように、フォトレジスト56は、磁気抵抗素子30を、困難軸方向において完全には覆わず、上面から見ると強磁性層49がフォトレジスト56からはみ出しているような形状となる。
次に、図23に示すように、RIE法またはイオンミリングにより金属配線層32をエッチングして引き出し配線32を形成する。この際、フォトレジスト56及び磁気抵抗素子30が、金属配線層32のエッチングマスクとして機能する。従って、磁気抵抗素子30において、コンタクトプラグ46に相対する面と反対側の側面は、引き出し配線32の側面と同一面上にあるように形成される。
次に、フォトレジスト56をアッシング等により除去して図24の構造を得る。強磁性層49においてフォトレジスト56に被覆されない領域は、RIE法またはイオンミリングに晒されるため、その一部がエッチングされる。従って、強磁性層49の上面には、高さd2なる段差が形成される。
その後は第1の実施の形態で説明した図9以降の工程を行って、図20及び図21に示すMRAMが完成する。
本実施形態に係るMRAM及びその製造方法によれば、上記第1の実施形態で説明した(1)の効果に加えて、下記(4)、(5)の効果が得られる。
(4)磁気抵抗素子をチャージダメージから保護することが出来る。この点につき、以下説明する。
層間絶縁膜50の形成は、通常、例えばプラズマCVD法等によって形成される。しかし、隣接する磁気抵抗素子30の間隔が狭まり、隣接する磁気抵抗素子30間の領域のアスペクト比が上昇すると、プラズマCVD法等による層間絶縁膜50の形成は困難になる。より具体的には、隣接する磁気抵抗素子30間の領域を、層間絶縁膜50によって埋め込むことが困難になる。そこで、隣接する磁気抵抗素子30間の領域を完全に埋め込むために、より高パワーなHDP(High Density Plasma)法等を使用する必要がある。しかしこの方法であると、半導体ウェハに、よりチャージが溜まりやすい。従って、磁気抵抗素子がチャージダメージを受け易くなる。
層間絶縁膜50の形成は、通常、例えばプラズマCVD法等によって形成される。しかし、隣接する磁気抵抗素子30の間隔が狭まり、隣接する磁気抵抗素子30間の領域のアスペクト比が上昇すると、プラズマCVD法等による層間絶縁膜50の形成は困難になる。より具体的には、隣接する磁気抵抗素子30間の領域を、層間絶縁膜50によって埋め込むことが困難になる。そこで、隣接する磁気抵抗素子30間の領域を完全に埋め込むために、より高パワーなHDP(High Density Plasma)法等を使用する必要がある。しかしこの方法であると、半導体ウェハに、よりチャージが溜まりやすい。従って、磁気抵抗素子がチャージダメージを受け易くなる。
しかし本実施形態に係る構成であると、図21に示すように、隣接する磁気抵抗素子30の強磁性層49の一部がエッチングされている。より詳細には、強磁性層49において互いに相対する領域がエッチングされている。その結果、隣接する磁気抵抗素子30間の領域のアスペクト比を小さく出来る。その結果、この領域の層間絶縁膜50による埋め込みが容易となり、HDP法等のより強力なプラズマを用いた成膜方法を使用せずに済む。従って、磁気抵抗素子30をチャージダメージから保護することが出来る。
(5)MRAMのメモリセルのサイズを小型化出来る。この点につき以下説明する。
本実施形態に係る構成であると、磁気抵抗素子30の一部が、引き出し配線32形成用のマスクとして機能する。従って、引き出し配線32における困難軸方向の一端は、磁気抵抗素子30の側面と一致する。従って、上記第1の実施形態に比べて、隣接する磁気抵抗素子30間に、余計な引き出し配線32が存在しない。よって、図21に示すように、隣接する磁気抵抗素子30間距離d3を、上記第1の実施形態の場合に比べて狭くすることが出来る。従って、個々のメモリセルの占有面積を削減でき、MRAMを小型化出来る。なお、磁気抵抗素子30間距離を狭くしたとしても、上記(4)の効果で述べたように、層間絶縁膜50の埋め込みは容易である。
本実施形態に係る構成であると、磁気抵抗素子30の一部が、引き出し配線32形成用のマスクとして機能する。従って、引き出し配線32における困難軸方向の一端は、磁気抵抗素子30の側面と一致する。従って、上記第1の実施形態に比べて、隣接する磁気抵抗素子30間に、余計な引き出し配線32が存在しない。よって、図21に示すように、隣接する磁気抵抗素子30間距離d3を、上記第1の実施形態の場合に比べて狭くすることが出来る。従って、個々のメモリセルの占有面積を削減でき、MRAMを小型化出来る。なお、磁気抵抗素子30間距離を狭くしたとしても、上記(4)の効果で述べたように、層間絶縁膜50の埋め込みは容易である。
図25は、上記第2の実施形態の第1変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、上記第2の実施形態で説明した構造において、第1の実施形態の第1変形例で説明したように磁気抵抗素子30の側面上に絶縁膜55を形成したものである。
次に本変形例に係るMRAMの製造方法について図26、図27を用いて説明する。図26、図27は、本変形例に係るMRAMの製造工程の一部の断面図である。
まず第1の実施形態の第1変形例で説明した工程により、図15に示す構造を得る。次に図26に示すように、図22を用いて説明した工程によりフォトレジスト56を塗布する。そして図27に示すように、図23を用いて説明した工程により、金属配線層32をパターニングする。この際、フォトレジスト56に被覆されていない領域の絶縁膜55及び強磁性層49の一部もエッチングされる。その後はフォトレジスト56をアッシングにより除去し、第1の実施形態で説明した図9以降の工程を行う。
本変形例によれば、第2の実施形態で説明した(4)、(5)の効果に加えて、第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)の効果を併せて得ることが出来る。なお、本実施形態においても、第1の実施形態の第2変形例で説明した製造方法を適用することは可能である。
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体記憶装置及びその製造方法について図28、図29を用いて説明する。図28は本実施形態に係るMRAMの断面図であり、図2におけるX1−X1’線方向に沿った構造を示している。また図29は、図28における一部領域の拡大図であり、図28における層間絶縁膜41より上のレベルの領域について示した断面図である。本実施形態は、上記第1の実施形態において、コンタクトプラグ46と引き出し配線32との接触を、引き出し配線32の上面においても行うものである。
図示するように、第1の実施形態で説明した構造において、コンタクトプラグ46は、引き出し配線32と、その側面だけでなく、上面においても接している。より具体的には、コンタクトプラグ46の直径は、引き出し配線32より低い位置ではd4であり、引き出し配線より高い位置では、d4より大きいd5である。そして、コンタクトプラグ46は、その直径がd5である領域において、引き出し配線32の上面と接している。
次に、本実施形態に係るMRAM10の製造方法について、図30乃至図33を用いて説明する。図30乃至図33は、本実施形態に係るMRAMの製造工程を順次示す断面図である。
まず上記第1の実施形態で説明した工程により、図9に示す構造を得る。次にフォトリソグラフィ技術とRIEとにより、層間絶縁膜57中にコンタクトホール57を形成する。コンタクトホール57は、その直径がd4であり、金属配線層43の直上に位置するように形成され、その底部は、引き出し配線層32中に位置する。すなわち、コンタクトホール57は層間絶縁膜50を貫通し、且つ引き出し配線32の一部もエッチングする。従って、コンタクトホール57の底部には引き出し配線32の上面が露出している。なおコンタクトホール57は、層間絶縁膜57だけでなく引き出し配線32も貫通するように形成されても良い。この際には、コンタクトホール57の底面には、層間絶縁膜45が露出される。
次に、CDE(Chemical Dry Etching)法等の等方性のエッチングにより、コンタクトホール57の側面をエッチングする。その結果、コンタクトホールの直径はd5に拡大する。それと共に、コンタクトホール57の底面に露出されていた引き出し配線32もエッチングされ、コンタクトホールの底面には層間絶縁膜45が露出される。
次に図32に示すように、フォトリソグラフィ技術とRIE法とにより、コンタクトホール57の底面から、層間絶縁膜45を貫通して金属配線層43に達するコンタクトホール58を形成する。この際、引き出し配線32はマスクとして機能する。その結果、コンタクトホール58の直径はd4である。
次に図33に示すように、コンタクトホール58を完全に埋め込み、且つコンタクトホール57の一部を埋め込むようにして、コンタクトプラグ46を形成する。
その後は、第1の実施形態で説明した図13の工程を行って、図28及び図29に示すMRAMが完成する。
本実施形態に係るMRAM及びその製造方法によれば、上記第1の実施形態で説明した(1)の効果に加えて、下記(6)の効果が得られる。
(6)MRAMのコンタクト抵抗を低減できる。すなわち、本実施形態に係る構成であると、コンタクトプラグ46は、引き出し配線32の側面及び上面において接触している。従って、コンタクトプラグ46と引き出し配線32との間の接触面積が、上記第1の実施形態に比べて大きくなり、両者のコンタクト抵抗が低減される。その結果、MRAMの動作信頼性を向上できる。
図34は、上記第3の実施形態の第1変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、上記第3の実施形態で説明した構造において、第1の実施形態の第1変形例で説明したように磁気抵抗素子30の側面上に絶縁膜55を形成したものである。
本変形例に係るMRAMは、第1の実施形態の変形例で説明した方法により絶縁膜55を形成した後に、上記第3の実施形態で説明した方法でコンタクトプラグ46を形成することで得られる。
本変形例によれば、第3の実施形態で説明した(6)の効果に加えて、第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)の効果を併せて得ることが出来る。
図35は、上記第3の実施形態の第2変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、上記第3の実施形態で説明した構造において、第2の実施形態で説明したように強磁性層49の上面に段差を形成したものである。
本変形例に係るMRAMは、上記第2の実施形態で説明した方法で段差を形成した後に、上記第3の実施形態で説明した方法でコンタクトプラグ46を形成することで得られる。
本変形例によれば、第1の実施形態で説明した(1)の効果及び第3の実施形態で説明した(6)の効果に加えて、第2の実施形態で説明した(4)、(5)の効果を併せて得られる。
図36は、上記第3の実施形態の第3変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、上記第3の実施形態で説明した構造において、第1の実施形態の第1変形例で説明したように磁気抵抗素子30の側面上に絶縁膜55を形成し、更に第2の実施形態で説明したように強磁性層49の上面に段差を形成したものである。
本変形例に係るMRAMは、上記第2の実施形態で説明した方法で段差を形成した後に、第1の実施形態の変形例で説明した方法により絶縁膜55を形成し、その後、上記第3の実施形態で説明した方法でコンタクトプラグ46を形成することで得られる。
本変形例によれば、(1)乃至(6)の効果を得ることが出来る。
なお、本実施形態においても、第1の実施形態の第2変形例で説明した製造方法を適用することは可能である。
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置及びその製造方法について図37及び図38を用いて説明する。図37は本実施形態に係るMRAMの断面図であり、図2におけるX1−X1’線方向に沿った構造を示している。また図38は、MRAMの拡大図であり、図28における層間絶縁膜41より上のレベルの領域について示した断面図であり、図2におけるX2−X2’線に沿った構造を示している。本実施形態は、上記第1の実施形態において、コンタクトプラグ46と引き出し配線32との接触を、引き出し配線32の上面及び端部においても行うものである。
図示するように、第1の実施形態で説明した構造において、コンタクトプラグ46は、引き出し配線32の端部及び上面において接している。より具体的には、コンタクトプラグ46の直径は、引き出し配線32より低い位置ではd4であり、引き出し配線より高い位置では、d4より大きいd6である。そして、コンタクトプラグ46は、その直径がd6である領域において、引き出し配線32の上面と接している。またコンタクトプラグ46は、その直径がd4である領域において、引き出し配線32の端面と接している。
次に、本実施形態に係るMRAM10の製造方法について、図39乃至図42を用いて説明する。図39乃至図42は、本実施形態に係るMRAMの製造工程を順次示す断面図である。
まず上記第1の実施形態で説明した工程により、図7に示す構造を得る。次にフォトリソグラフィ技術とRIEとにより、金属配線層32をパターニングして引き出し配線を形成する。この際、引き出し配線32は、その端部が金属配線層43上に位置するように形成される。
次に図40に示すように、層間絶縁膜45上に層間絶縁膜50を形成する。
次に図41に示すように、リソグラフィ技術とRIEとにより、層間絶縁膜50、45を貫通するコンタクトホール59を形成する。この際、RIEは引き出し配線32と選択比を持つようにして行われ、且つ、コンタクトホール59は、その開口部が引き出し配線32の端部に重なるようにして形成される。すると、RIE工程は次のように進行する。すなわち、まず直径d6のコンタクトホールが、層間絶縁膜50内に形成される。コンタクトホールの底面が引き出し配線32の位置まで達すると、開口部の一部領域内に引き出し配線32の端部が露出される。従って、コンタクトホール底部に露出された引き出し配線32の直下の領域ではこれ以上エッチングは進まず、それ以外の領域において、層間絶縁膜45のエッチングが進行する。すなわち、直径d6の開口部から、露出された引き出し配線32の面積だけ小さい、直径d4なるコンタクトホールが、層間絶縁膜45内に金属配線層43に達するようにして形成される。
次に図42に示すように、コンタクトホール59を埋め込むコンタクトプラグ46を形成する。
その後は、第1の実施形態で説明した図13の工程を行って、図28及び図29に示すMRAMが完成する。
本実施形態に係るMRAM及びその製造方法によれば、上記第1の実施形態で説明した(1)の効果に加えて、下記(7)、(8)の効果が得られる。
(7)MRAMのコンタクト抵抗を低減出来る。すなわち、本実施形態に係る構成であると、コンタクトプラグ46は、引き出し配線32の端面及び上面において接触している。従って、コンタクトプラグ46と引き出し配線32との間の接触面積が、上記第1の実施形態に比べて大きくなり、両者のコンタクト抵抗が低減される。その結果、MRAMの動作信頼性を向上できる。
(8)MRAMのメモリセルのサイズを小型化出来る。この点につき以下説明する。
本実施形態に係る構成であると、コンタクトプラグ46は引き出し配線32の端面に接するようにして形成する。従って、上記第1の実施形態に比べて、隣接するコンタクトプラグ46間に、余計な引き出し配線32が存在しない。よって、図38に示すように、隣接するコンタクトプラグ46間距離d7を、上記第1の実施形態の場合に比べて狭くすることが出来る。従って、個々のメモリセルの占有面積を削減でき、MRAMを小型化出来る。
本実施形態に係る構成であると、コンタクトプラグ46は引き出し配線32の端面に接するようにして形成する。従って、上記第1の実施形態に比べて、隣接するコンタクトプラグ46間に、余計な引き出し配線32が存在しない。よって、図38に示すように、隣接するコンタクトプラグ46間距離d7を、上記第1の実施形態の場合に比べて狭くすることが出来る。従って、個々のメモリセルの占有面積を削減でき、MRAMを小型化出来る。
なお、図43に示すように、コンタクトホール59を形成する際に、引き出し配線32より上の領域における開口部の直径d6を、最小加工寸法Fで形成した場合には、引き出し配線32より下の領域における開口部の直径d4は最小加工寸法よりも小さくなる。従って、MRAMのメモリセルサイズをより小さく出来る。
図44は、上記第4の実施形態の第1変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、上記第4の実施形態で説明した構造において、第1の実施形態の第1変形例で説明したように磁気抵抗素子30の側面上に絶縁膜55を形成したものである。
本変形例に係るMRAMは、第1の実施形態の変形例で説明した方法により絶縁膜55を形成した後に、上記第4の実施形態で説明した方法でコンタクトプラグ46を形成することで得られる。
本変形例によれば、第4の実施形態で説明した(7)、(8)の効果に加えて、第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)の効果を併せて得ることが出来る。
図45は、上記第4の実施形態の第2変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、上記第4の実施形態で説明した構造において、第2の実施形態で説明したように強磁性層49の上面に段差を形成したものである。
本変形例に係るMRAMは、上記第2の実施形態で説明した方法で段差を形成した後に、上記第4の実施形態で説明した方法でコンタクトプラグ46を形成することで得られる。
本変形例によれば、第1の実施形態で説明した(1)の効果及び第4の実施形態で説明した(7)、(8)の効果に加えて、第2の実施形態で説明した(4)、(5)の効果を併せて得られる。
図46は、上記第4の実施形態の第3変形例に係るMRAMの断面図である。図示するように、本変形例に係るMRAM10は、上記第4の実施形態で説明した構造において、第1の実施形態の第1変形例で説明したように磁気抵抗素子30の側面上に絶縁膜55を形成し、更に第2の実施形態で説明したように強磁性層49の上面に段差を形成したものである。
本変形例に係るMRAMは、上記第2の実施形態で説明した方法で段差を形成した後に、第1の実施形態の変形例で説明した方法により絶縁膜55を形成し、その後、上記第4の実施形態で説明した方法でコンタクトプラグ46を形成することで得られる。
本変形例によれば、(1)乃至(5)、(7)、及び(8)の効果を得ることが出来る。
なお、本実施形態においても、第1の実施形態の第2変形例で説明した製造方法を適用することは可能である。
次に、この発明の第5の実施形態に係る半導体記憶装置について図47を用いて説明する図47は本実施形態に係るMRAMのブロック図である。本実施形態は、MRAMの製造工程時において、ビット線を接地電位に接続するものである。
図示するように本実施形態に係るMRAM10は、上記第1の実施形態において説明した図1の構造において、更にスイッチ群60を備えている。スイッチ群61は、複数のスイッチ61を備えており、スイッチ61は例えばディプレッション(depletion)型MOSトランジスタで形成される。ディプレッション型MOSトランジスタ61はビット線BL0〜BLn毎に設けられている。そしてドレインがビット線BL0〜BLnのそれぞれに接続され、ソースが接地電位に接続されている。なおゲートには、MRAMの通常動作時においては、ディプレッション型MOSトランジスタがオフ状態となるような電位が印加されている。そして製造時には特にゲート電圧が固定されていないため、チャネルが形成されてオン状態にある。
図48は、本実施形態に係るMRAM10のメモリセルアレイ11及びスイッチ群60の断面図である。メモリセルアレイ11の構成については、上記第1の実施形態で説明したとおりであるので説明は省略する。従って、ここではスイッチ群60における構成についてのみ説明する。なお、本実施形態におけるメモリセルアレイの構成は第1の実施形態と同様の場合を例に挙げて説明しているが、第1の実施形態の変形例並びに第2乃至第4の実施形態及びそれらの変形例に係る構成であっても良いのは言うまでもない。
図示するように、p型半導体基板33上に、ディプレッション型MOSトランジスタ61が形成されている。MOSトランジスタ61は、半導体基板33の表面領域内に形成されソース及びドレイン領域として機能する不純物拡散層62、及びソース・ドレイン間の半導体基板33上にゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極64を有している。MOSトランジスタ61のソース領域は、コンタクトプラグ65及び金属配線層67を介して接地電位に接続されている。またMOSトランジスタ61のドレイン領域は、コンタクトプラグ66、69、71、73、及び金属配線層68、70、72を介してビット線51に接続されている。
本実施形態に係るMRAMであると、上記第1乃至第4の実施形態で説明した(1)乃至(8)の効果に加えて、下記(9)の効果が得られる。
(9)磁気抵抗素子をチャージダメージから保護することが出来る。この点について、下記に説明する。
本実施形態に係るMRAM10は、当然ながらビット線より上にレベルにも層間絶縁膜や金属配線層を有する。そして、電流経路がビット線と接地電位との間に接続されたディプレッション型MOSトランジスタ61を備えている。ディプレッション型MOSトランジスタ61は、ノーマリ・オン、すなわち、通常時(ゲート電圧=0V)にオン状態にある。従って、ビット線より上のレベルを、プラズマを用いて加工する際、半導体ウェハの表面に溜まったチャージを、図49に示すように、ビット線及びディプレッション型MOSトランジスタ61を経由するパスによって接地電位に逃がすことが出来る。従って、チャージによって磁気抵抗素子のトンネルバリア膜に電流が流れることを防止出来、磁気抵抗素子をチャージダメージから保護出来る。
本実施形態に係るMRAM10は、当然ながらビット線より上にレベルにも層間絶縁膜や金属配線層を有する。そして、電流経路がビット線と接地電位との間に接続されたディプレッション型MOSトランジスタ61を備えている。ディプレッション型MOSトランジスタ61は、ノーマリ・オン、すなわち、通常時(ゲート電圧=0V)にオン状態にある。従って、ビット線より上のレベルを、プラズマを用いて加工する際、半導体ウェハの表面に溜まったチャージを、図49に示すように、ビット線及びディプレッション型MOSトランジスタ61を経由するパスによって接地電位に逃がすことが出来る。従って、チャージによって磁気抵抗素子のトンネルバリア膜に電流が流れることを防止出来、磁気抵抗素子をチャージダメージから保護出来る。
図50、図51は、上記第5の実施形態の第1、第2変形例に係るMRAMのブロック図である。図示するように、ディプレッション型MOSトランジスタ61のソース領域は、メモリセルが形成されるウェル領域に電気的に接続されても良いし、またはスイッチングトランジスタ31のソース領域に電気的に接続されても良い。
なお、本実施形態ではスイッチ素子としてディプレッション型MOSトランジスタの場合を例に挙げて説明したが、勿論、ディプレッション型MOSトランジスタに限定されるものではないが、ノーマリ・オンであるスイッチ素子を用いることが望ましい。
次に、この発明の第6の実施形態に係る半導体記憶装置について図52を用いて説明する。図52は本実施形態に係るMRAMのブロック図である。本実施形態は、上記第1乃至第4の実施形態に係る構成を、クロスポイント型のMRAMに適用したものである。
図示するように、本実施形態に係るMRAM10のメモリセルは、図1を用いて説明した構成において、スイッチングトランジスタ31を廃したものである。そして、同一行の磁気抵抗素子30の他端は、選択用ワード線SWL0〜SWLmのいずれかに共通接続されている。
メモリセルアレイ11の平面パターンは、図2と同様であるので説明は省略する。図53は、本実施形態に係るMRAM10のメモリセルアレイの、図2におけるX1−X1’線に沿った方向の断面図である。
図示するように、半導体基板33上に層間絶縁膜36、41が形成され、層間絶縁膜41上に、金属配線層75、及び金属配線層75と電気的に分離された金属配線層44が形成されている。金属配線層75は選択用ワード線SWL0〜SWLmのいずれかとして機能するものであり、金属配線層44は書き込みワード線WWL0〜WWLmのいずれかとして機能するものであり、両者は容易軸方向に沿ってストライプ状に形成されている。更に、層間絶縁膜45が層間絶縁膜41上に形成されている。層間絶縁膜45は金属配線層75、44を被覆しており、また層間絶縁膜45内にはコンタクトプラグ46が形成されている。コンタクトプラグ46は、金属配線層75と接続されている。
層間絶縁膜45より上のレベルの構成は、第1の実施形態と同様である。すなわち、層間絶縁膜45上に引き出し配線32が形成され、引き出し配線32上に磁気抵抗素子30が形成されている。そして、磁気抵抗素子30の強磁性層49に接するようにして、ビット線として機能する金属配線層51が形成されている。なお、本実施形態におけるメモリセルアレイの構成は第1の実施形態と同様の場合を例に挙げて説明しているが、第1の実施形態の変形例並びに第2乃至第4の実施形態及びそれらの変形例に係る構成であっても良いのは言うまでもない。
以上のように、上記第1乃至第4の実施形態は、クロスポイント型のメモリセルを備えたMRAMにも適用出来、上記(1)乃至(8)の効果が得られる。
図54及び図55は、上記第6の実施形態の第1、第2変形例に係るMRAMのブロック図であり、第6の実施形態に第5の実施形態を適用したものである。
図54に示すように、スイッチ群60を設け、スイッチ素子(ディプレッション型MOSトランジスタ)61の電流経路を介して、ビット線を接地電位に接続することにより、上記第5の実施形態で説明した(9)の効果が得られる。
また図55に示すように、クロスポイント型のメモリセルの場合には、ディプレッション型MOSトランジスタ61のソースを、磁気抵抗素子の一端(強磁性層47)に接続しても、同様の効果が得られる。
上記のように、この発明の第1乃至第6の実施形態によれば、磁気抵抗素子のパターニング後に、半導体基板と磁気抵抗素子とを電気的に接続するコンタクトプラグを形成している。従って、プラズマを用いた工程において半導体ウェハ表面にチャージが蓄積されたとしても、そのチャージが磁気抵抗素子のトンネルバリア膜をトンネルして流れることを抑制できる。従って、磁気抵抗素子をチャージダメージから保護出来る。
なお、絶縁膜55の形成方法には、例えば窒化や弗化を用いても良い。但し、製造歩留まりや製造コストの観点から、絶縁膜55とトンネルバリア膜48とは、同一金属元素を含む酸化物、窒化物、あるいは弗化物であることが望ましい。例えばAl2O3、AlN、MgO、HfO2、GaO、LaAlO3、MgF2、CaF2等を用いることが出来る。なおこれらの化合物において、若干の酸素(窒素、弗素)の欠損が生じていても構わない。また、上記した製造工程は、上記の順序に限られるものではなく、可能な限り入れ替えることは可能である。
また、上記第1乃至第6の実施態様及びその変形例では、磁気抵抗素子としてMTJ素子を用いたメモリセルの場合を例に挙げて説明したが、例えばGMR素子や、CMR(Colossal Magneto Resistive)素子を用いる場合であっても良い。
なお、前述したとおり、上記第1乃至第6の実施形態に係るMRAMの備える磁気抵抗素子はキャップ層を有していても良い。図56は、上記第1の実施形態において、強磁性層49上にキャップ層を形成したものである。また図57に示すように、図56に示す構成において、キャップ層900の周囲に絶縁膜55を形成しても良い。更に図58に示すように、第2の実施形態で説明した段差は、強磁性層49ではなくキャップ層900の上面に形成されていても良い。また図59に示すように、図58に示す工程において絶縁膜900を形成しても良い。
キャップ層900は、第1の実施形態で説明した図6の工程において、強磁性層49上に、例えばCVD法やスパッタリング法によって形成すれば良い。なお、一例として図58に示す構成の製造方法について図60及び図61を用いて説明する。
まず図6の工程において、強磁性層49上にキャップ層900を形成した後、強磁性層47、49及びトンネルバリア膜48のパターニング時に、同時にキャップ層900をパターニングする。
次に図60に示すように、フォトレジスト56を塗布して、引き出し配線の形成パターンにパターニングする。
そして図61に示すように、フォトレジスト56をマスクに用いて、金属配線層32をパターニングする。この際、フォトレジスト56から露出されているキャップ層900の上面の一部もエッチングされて、図示するような段差が形成される。
本発明の第1乃至6の実施の形態に係る磁気ランダムアクセスメモリ(半導体記憶装置)においては、様々な適用例が可能である。これらの適用例のいくつかを図56乃至図62に示す。
(適用例1)
一例として、図56はデジタル加入者線(DSL)用モデムのDSLデータパス部分を示す。このモデムは、プログラマブルデジタルシグナルプロセッサ(DSP)400と、アナログ−デジタルコンバータ410と、デジタル−アナログコンバータ420と、フィルタ430、440と、送信ドライバ450と、受信機増幅器460とを含む。図56では、バンドパスフィルタを省略している。その代わり、回線コードプログラムをホールドできる種々のタイプの、オプションのメモリとして、本発明の第1乃至第6の実施態様に従った磁気ランダムアクセスメモリ470とEEPROM480を示している。
一例として、図56はデジタル加入者線(DSL)用モデムのDSLデータパス部分を示す。このモデムは、プログラマブルデジタルシグナルプロセッサ(DSP)400と、アナログ−デジタルコンバータ410と、デジタル−アナログコンバータ420と、フィルタ430、440と、送信ドライバ450と、受信機増幅器460とを含む。図56では、バンドパスフィルタを省略している。その代わり、回線コードプログラムをホールドできる種々のタイプの、オプションのメモリとして、本発明の第1乃至第6の実施態様に従った磁気ランダムアクセスメモリ470とEEPROM480を示している。
なお、本適用例では、回線コードプログラムをホールドするためのメモリとして磁気ランダムアクセスメモリ、EEPROMの二種類のメモリを用いている。しかし、EEPROMを磁気ランダムアクセスメモリに置き換えてもよく、また二種類のメモリを用いず、磁気ランダムアクセスメモリのみを用いるようにしてもよい。
(適用例2)
別の例として、図57は、携帯電話端末における、通信機能を実現する部分を示す。図57に示すように、通信機能を実現する部分は、送受信アンテナ501、アンテナ共用器502、受信部503、ベースバンド処理部504、音声コーデックとし用いられるDSP(Digital Signal Processor)505、スピーカ(受話器)506、マイクロホン(送話器)507、送信部508、周波数シンセサイザ509を備えている。
別の例として、図57は、携帯電話端末における、通信機能を実現する部分を示す。図57に示すように、通信機能を実現する部分は、送受信アンテナ501、アンテナ共用器502、受信部503、ベースバンド処理部504、音声コーデックとし用いられるDSP(Digital Signal Processor)505、スピーカ(受話器)506、マイクロホン(送話器)507、送信部508、周波数シンセサイザ509を備えている。
また、図57に示すように、携帯電話端末600には、当該携帯電話端末の各部を制御する制御部500が設けられている。制御部500は、CPU521と、ROM522と、本発明の第1乃至第6の実施態様に従った磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)523と、フラッシュメモリ524とが、CPUバス525を通じて接続されて形成されたマイクロコンピュータである。
ここで、ROM522は、CPU521において実行されるプログラムや、表示用のフォント等の必要となるデータが予め記憶されたものである。また、MRAM523は、主に作業領域として用いられるものであり、CPU521がプログラム実行中において、必要に応じて計算途中のデータなどを必要に応じて記憶したり、制御部500と、各部との間でやり取りするデータを一時記憶したりするなどの場合に用いられる。また、フラッシュメモリ524は、携帯電話端末600の電源がオフされても例えば直前の設定条件などを記憶しておき、次の電源オン時に同じ設定にするような使用方法をする場合に、それらの設定パラメータを記憶しておくものである。すなわち、フラッシュメモリ524は、携帯電話端末の電源がオフにされてもこれに記憶されているデータが消滅してしまうことのない不揮発性メモリである。
なお、本適用例では、ROM522、MRAM523、フラッシュメモリ524を用いているが、フラッシュメモリ524を本発明の第1乃至第6の実施態様に従った磁気ランダムアクセスメモリに置き換えてもよいし、さらに、ROM522も本発明の第1乃至第6の実施態様に従った磁気ランダムアクセスメモリに置き換えることも可能である。
(適用例3)
図58乃至図62は、本発明の第1乃至第6の実施態様に従った磁気ランダムアクセスメモリをスマートメディア等のメディアコンテンツを収納するカード(MRAMカード)に適用した例を示す。
図58乃至図62は、本発明の第1乃至第6の実施態様に従った磁気ランダムアクセスメモリをスマートメディア等のメディアコンテンツを収納するカード(MRAMカード)に適用した例を示す。
図58において、MRAMカード700は、MRAMチップ701、開口部702、シャッター703、外部端子704を備えている。MRAMチップ701はカード本体700内部に収納されており、開口部702により、外部に露出している。MRAMカード携帯時には、MRAMチップ701はシャッター703で被覆されている。シャッター703は外部磁場を遮蔽する効果のある材料、例えばセラミックからなっている。データを転写する場合には、シャッター703を開放してMRAMチップ701を露出させて行う。外部端子704はMRAMカードに記憶されたコンテンツデータを外部に取り出すためのものである。
図59、図60は、MRAMカードにデータを転写するための転写装置を示す。この転写装置はカード挿入型の転写装置の上面図、及び断面図である。エンドユーザの使用する第2MRAMカード750を転写装置800の挿入部810より挿入し、ストッパ820で止まるまで押し込む。ストッパ820は第1MRAM850と第2MRAMカードを位置あわせするための部材としても用いられる。第2MRAMカード750が所定位置に配置されると同時に第1MRAMに記憶されたデータが第2MRAMカードに転写される。
図61は、はめ込み型の転写装置を示す。これは、図の矢印で示すように、ストッパ820を目標に、第1MRAM上に第2MRAMカードをはめ込みように載置するタイプである。転写方法についてはカード挿入型と同一であるので、説明を省略する。
図62は、スライド型の転写装置を示す。これは、CD−ROMドライブ、DVDドライブと同様、転写装置800に受け皿スライド860が設けられており、この受け皿スライド860が図の矢印で示すように動作する。受け皿スライド860が図の点線の状態に移動したときに第2MRAMカード750を受け皿スライド860に載置し、第2MRAMカードを転写装置800内部へ搬送する。ストッパ820に第2MRAMカード先端部が当接するように搬送される点、および転写方法についてはカード挿入型と同一であるので、説明を省略する。
上記のように、この発明の第1乃至第6の実施形態に係る半導体記憶装置は、
1.第1層間絶縁膜中に形成された第1配線と、
前記第1層間絶縁膜上に形成された第2配線と、
前記第2配線上に形成された第1強磁性膜と、前記1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜とを備えるメモリセルと、
前記第1配線上に形成され、前記第1配線と前記第2配線とを接続し、上面が前記第2配線よりも高い位置にあるコンタクトプラグとを具備する。
1.第1層間絶縁膜中に形成された第1配線と、
前記第1層間絶縁膜上に形成された第2配線と、
前記第2配線上に形成された第1強磁性膜と、前記1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜とを備えるメモリセルと、
前記第1配線上に形成され、前記第1配線と前記第2配線とを接続し、上面が前記第2配線よりも高い位置にあるコンタクトプラグとを具備する。
2.層間絶縁膜上に形成された第1配線と、前記第1配線上に形成された第1強磁性膜と、前記1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜を含み且つ上面に段差を有する導電膜とを備えた磁気抵抗素子を有するメモリセルとを具備する。
3.第1強磁性膜と、前記第1強磁性膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第2強磁性膜とを備える磁気抵抗素子を含む複数のメモリセルと、
前記メモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに含まれる前記磁気抵抗素子と近接しつつ離隔して設けられた第1配線と、
同一行の前記メモリセルの前記磁気抵抗素子に近接して設けられた前記第1配線を共通接続する書き込みワード線と、
同一列の前記メモリセルの前記第1、第2強磁性膜のいずれか一方を共通接続するビット線と、
前記ビット線と接地電位との間の接続をスイッチングし、前記メモリセルからデータを読み出す際、及び前記メモリセルにデータを書き込む際には、前記ビット線と前記接地電位との間を非接続とするスイッチ素子とを具備する。
前記メモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに含まれる前記磁気抵抗素子と近接しつつ離隔して設けられた第1配線と、
同一行の前記メモリセルの前記磁気抵抗素子に近接して設けられた前記第1配線を共通接続する書き込みワード線と、
同一列の前記メモリセルの前記第1、第2強磁性膜のいずれか一方を共通接続するビット線と、
前記ビット線と接地電位との間の接続をスイッチングし、前記メモリセルからデータを読み出す際、及び前記メモリセルにデータを書き込む際には、前記ビット線と前記接地電位との間を非接続とするスイッチ素子とを具備する。
4.上記1.において、前記コンタクトプラグは、前記第2配線の側面及び上面と接する。
5.上記2.において、少なくとも前記磁気抵抗素子の側面上に形成され、前記磁気抵抗素子の側面全面を被覆する側壁絶縁膜を更に備える。
6.上記1.において、前記コンタクトプラグは、前記第2配線を貫通しつつ、前記第1配線に達する。
7.上記1.において、前記コンタクトプラグは、前記第2配線の端部に接する。
8.上記1.において、前記コンタクトプラグにおいて、前記第1配線より上部の領域の直径は、前記第1配線より下部の領域の直径よりも大きい。
9.上記2.において、前記磁気抵抗素子直下に位置する領域の前記第1配線は、平面内おける外形の一部が前記磁気抵抗素子の外形に一致する。
10.上記5.において、前記磁気抵抗素子及び前記側壁絶縁膜直下に位置する領域の前記第1配線は、平面内における外形の一部が、前記側壁絶縁膜の外形に一致する。
11.上記3.において、前記スイッチ素子は、ソース及びドレインの一方が前記ビット線に接続されたディプレッション型トランジスタである。
12.上記11において、前記メモリセルは、半導体基板中に形成されたウェル領域上に形成された選択トランジスタを更に備え、
前記選択トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第1、第2強磁性膜のいずれか他方に電気的に接続され、
前記ディプレッション型トランジスタの前記ソース及びドレインの他方が、前記ウェル領域に電気的に接続されている。
前記選択トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第1、第2強磁性膜のいずれか他方に電気的に接続され、
前記ディプレッション型トランジスタの前記ソース及びドレインの他方が、前記ウェル領域に電気的に接続されている。
13.上記11.において、前記前記第1、第2強磁性膜のいずれか他方に接続された第3配線を更に備え、
前記ディプレッション型トランジスタの前記ソース及びドレインの他方が、前記第3配線に電気的に接続されている。
前記ディプレッション型トランジスタの前記ソース及びドレインの他方が、前記第3配線に電気的に接続されている。
また、この発明の第1乃至第6の実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法は、
14.半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に第1配線を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に前記第1配線を被覆する第2配線を形成する工程と、
前記第2配線上に第1強磁性層を形成する工程と、
前記第1強磁性層上のトンネルバリア膜を形成する工程と、
前記トンネルバリア膜上に第2強磁性層を形成する工程と、
前記第1、第2強磁性層及び前記トンネルバリア膜をパターニングして磁気抵抗素子を形成する工程と、
前記第2配線をパターニングする工程と、
前記第1層間絶縁膜上に、少なくとも前記第1、第2強磁性層及び前記トンネルバリア膜の側面を被覆する第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1、第2層間絶縁膜内に、前記第1配線と第2配線とを接続するコンタクトプラグを形成する工程とを具備する。
14.半導体基板上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に第1配線を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に前記第1配線を被覆する第2配線を形成する工程と、
前記第2配線上に第1強磁性層を形成する工程と、
前記第1強磁性層上のトンネルバリア膜を形成する工程と、
前記トンネルバリア膜上に第2強磁性層を形成する工程と、
前記第1、第2強磁性層及び前記トンネルバリア膜をパターニングして磁気抵抗素子を形成する工程と、
前記第2配線をパターニングする工程と、
前記第1層間絶縁膜上に、少なくとも前記第1、第2強磁性層及び前記トンネルバリア膜の側面を被覆する第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1、第2層間絶縁膜内に、前記第1配線と第2配線とを接続するコンタクトプラグを形成する工程とを具備する。
15.上記15.において、前記コンタクトプラグを形成する工程は、
前記第1、第2層間絶縁膜内に、前記第2配線を貫通して前記第1配線に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内を導電層で埋め込む工程とを備える。
前記第1、第2層間絶縁膜内に、前記第2配線を貫通して前記第1配線に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内を導電層で埋め込む工程とを備える。
16.上記14.において、前記コンタクトプラグを形成する工程は、
前記第2層間絶縁膜内に、前記第2配線に達する第1コンタクトホールを形成する工程と、
等方性のエッチングにより、前記第1コンタクトホールの側面をエッチングする工程と、
前記第1層間絶縁膜内に、前記第1コンタクトホールの底面から前記第1配線達し、前記第1コンタクトホールよりも直径の小さい第2コンタクトホールを形成する工程と、
前記第1、第2コンタクトホール内を導電層で埋め込む工程とを備える。
前記第2層間絶縁膜内に、前記第2配線に達する第1コンタクトホールを形成する工程と、
等方性のエッチングにより、前記第1コンタクトホールの側面をエッチングする工程と、
前記第1層間絶縁膜内に、前記第1コンタクトホールの底面から前記第1配線達し、前記第1コンタクトホールよりも直径の小さい第2コンタクトホールを形成する工程と、
前記第1、第2コンタクトホール内を導電層で埋め込む工程とを備える。
17.上記14.において、前記コンタクトプラグを形成する工程は、
前記第2配線がエッチングされない条件下における異方性のエッチングにより、前記第1、第2層間絶縁膜内に前記第1配線に達するコンタクトホールを、該コンタクトホール内に前記第2配線の端部上面を露出させるようにして形成する工程と、
前記コンタクトホール内を導電層で埋め込む工程とを備える。
前記第2配線がエッチングされない条件下における異方性のエッチングにより、前記第1、第2層間絶縁膜内に前記第1配線に達するコンタクトホールを、該コンタクトホール内に前記第2配線の端部上面を露出させるようにして形成する工程と、
前記コンタクトホール内を導電層で埋め込む工程とを備える。
18.上記14.において、前記磁気抵抗素子を形成した後、前記磁気抵抗素子の少なくとも側面を被覆する側壁絶縁膜を形成する工程を更に備える。
19.上記14.において、前記第2配線をパターニングする工程は、前記磁気抵抗素子をマスクに用いたエッチングにより行う。
20.上記18.において、前記第2配線をパターニングする工程は、前記磁気抵抗素子及び前記側壁絶縁膜をマスクに用いたエッチングにより行う。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
30…磁気抵抗素子、31…スイッチングトランジスタ、32…引き出し配線、33…半導体基板、34…不純物拡散層、35…ゲート電極、36、41、45、50…層間絶縁膜、37、38、42、46…コンタクトプラグ、39、40、43、44、51…金属配線層、47、49…強磁性層、48…トンネルバリア膜、55…絶縁膜、56…フォトレジスト、57、58、59、80…コンタクトホール、
Claims (5)
- 層間絶縁膜中に形成された第1配線と、
前記層間絶縁膜上に形成された第2配線と、
前記第2配線上に形成された第1強磁性膜と、前記1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜とを備えるメモリセルと、
前記第1配線上に形成され、前記第1配線と前記第2配線とを接続し、上面が前記第2配線よりも高い位置にあるコンタクトプラグと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 層間絶縁膜上に形成された第1配線と、
前記第1配線上に形成された第1強磁性膜と、前記1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜を含み且つ上面に段差を有する導電膜とを備えた磁気抵抗素子を有するメモリセルと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 第1強磁性膜と、前記第1強磁性膜上に形成されたトンネルバリア膜と、前記トンネルバリア膜上に形成された第2強磁性膜とを備える磁気抵抗素子を含む複数のメモリセルと、
前記メモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに含まれる前記磁気抵抗素子と近接しつつ離隔して設けられた第1配線と、
同一行の前記メモリセルの前記磁気抵抗素子に近接して設けられた前記第1配線を共通接続する書き込みワード線と、
同一列の前記メモリセルの前記第1、第2強磁性膜のいずれか一方を共通接続するビット線と、
前記ビット線と接地電位との間の接続をスイッチングし、前記メモリセルからデータを読み出す際、及び前記メモリセルにデータを書き込む際には、前記ビット線と前記接地電位との間を非接続とするスイッチ素子と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記コンタクトプラグは、前記第2配線の側面及び上面と接する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 少なくとも前記磁気抵抗素子の側面上に形成され、前記磁気抵抗素子の側面全面を被覆する側壁絶縁膜を更に備える
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
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