JPH03296616A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH03296616A JPH03296616A JP2097814A JP9781490A JPH03296616A JP H03296616 A JPH03296616 A JP H03296616A JP 2097814 A JP2097814 A JP 2097814A JP 9781490 A JP9781490 A JP 9781490A JP H03296616 A JPH03296616 A JP H03296616A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- magnetic sensor
- elements
- adjacent
- magnetoresistive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はモータに搭載される磁気エンコーダに適用され
る磁気センサの改良に関する。
る磁気センサの改良に関する。
［従来の技術］
従来、１回転に１パルスのインデックス信号を発生する
Ｚ相付きの磁気センサにおいては、２相およびＺ相（反
転相）を同一面で構成し、各素子の温度係数を揃え、フ
ルブリッジとして差動出力を得る方式が通常用いられて
いる。
Ｚ相付きの磁気センサにおいては、２相およびＺ相（反
転相）を同一面で構成し、各素子の温度係数を揃え、フ
ルブリッジとして差動出力を得る方式が通常用いられて
いる。
第３図（イ）は従来の第１例である磁気センサのパター
ンを示す平面図で、Ｚ相着磁のみで出力を得るようにし
た構成である。
ンを示す平面図で、Ｚ相着磁のみで出力を得るようにし
た構成である。
４つの磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４を図示のようにブリッジ
に構成し、その内２相より非常に狭いパルス幅のインデ
ックス信号を得るためにＺ相およびＺ相（Ｚ相の反転相
）となる磁気抵抗素子ＲＲ２をたとえば５μ位の狭いパ
ターンピッチで隣接するように配置し、他方の磁気抵抗
素子Ｒ３゜Ｒ１は磁界の影響を受けないように、たとえ
ば６２８μという広いパターンピッチとなるように配置
している。
に構成し、その内２相より非常に狭いパルス幅のインデ
ックス信号を得るためにＺ相およびＺ相（Ｚ相の反転相
）となる磁気抵抗素子ＲＲ２をたとえば５μ位の狭いパ
ターンピッチで隣接するように配置し、他方の磁気抵抗
素子Ｒ３゜Ｒ１は磁界の影響を受けないように、たとえ
ば６２８μという広いパターンピッチとなるように配置
している。
なお、各端子■〜［相］に記載したのは、たとえば■が
電源Ｖの入力端子というように、夫々の端子に入力また
は出力される電気信号を示すものである。
電源Ｖの入力端子というように、夫々の端子に入力また
は出力される電気信号を示すものである。
第３図（ロ）は同図（イ〉の磁気センサをＺ相について
表示した等価回路である。
表示した等価回路である。
第４図（イ）はＺ相着磁部とＡ、Ｂ相着磁部を使って非
常に狭いパルス幅のＺ相出力を得るようにした第２の従
来例である磁気センサのパターンを示す平面図である。
常に狭いパルス幅のＺ相出力を得るようにした第２の従
来例である磁気センサのパターンを示す平面図である。
なお、同図（ロ）は同図（イ）の磁気センサをＺ相につ
いて表示した等価回路である。
いて表示した等価回路である。
［発明が解決しようとする課題］
従来のものは、その第１例および第２例とも。
第３図（イ）および第４図（イ）に示す磁気センサパタ
ーンでは、Ｚ相およびＺ相（反転相）の各温度係数は揃
うが、Ｒ，、Ｒ２で示す各１素子が隣接しているため互
いの素子同志による発熱により。
ーンでは、Ｚ相およびＺ相（反転相）の各温度係数は揃
うが、Ｒ，、Ｒ２で示す各１素子が隣接しているため互
いの素子同志による発熱により。
Ｚ相およびＺ相（反転相）の中点がずれてしまうという
欠点があった。
欠点があった。
本発明は従来のものの上記課題を解決するようにした磁
気センサを提供することを目的とする。
気センサを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は絶縁基板上に複数個の磁気抵抗素子を配置して
構成される複数組の磁気センサ素子より成る磁気センサ
において、相互に関連する一対の磁気抵抗素子をパター
ンピッチを狭小として隣接配置した場合、他方の関連す
る一対の磁気抵抗素子に対しては夫々のダミー抵抗を隣
接配置するようにして熱平衡をとるように構成した磁気
センサに関する。
構成される複数組の磁気センサ素子より成る磁気センサ
において、相互に関連する一対の磁気抵抗素子をパター
ンピッチを狭小として隣接配置した場合、他方の関連す
る一対の磁気抵抗素子に対しては夫々のダミー抵抗を隣
接配置するようにして熱平衡をとるように構成した磁気
センサに関する。
この場合、各磁気抵抗素子をブリッジに構成し。
Ａ相、Ｂ相およびＺ相を有し、検出対象の回転部の１回
転で１個のパルスを発生するようにした２相を構成する
ようにした磁気センサとすることが望ましい。
転で１個のパルスを発生するようにした２相を構成する
ようにした磁気センサとすることが望ましい。
また、各ダミー抵抗は、それが隣接配置される磁気抵抗
素子と同質材料にて一体的に形成するようにした磁気セ
ンサとすることが望ましい。
素子と同質材料にて一体的に形成するようにした磁気セ
ンサとすることが望ましい。
［実施例］
以下第１図〜第２図に示す第１および第２の各実施例に
より本発明を具体的に説明する。
より本発明を具体的に説明する。
同図において、従来のものと対応する構成については、
第３図、第４図のものと同一の符号を付して示した。
第３図、第４図のものと同一の符号を付して示した。
ａ、第１の実施例
本実施例は従来の第１例のものを改良した磁気センサに
関するもので、第１図（イ）に示すように、各磁気抵抗
素子Ｒ１及びＲ１に隣接して、これらの各磁気抵抗素子
と同等のインピーダンスを有するダミー抵抗Ｒ３４およ
びＲａ ａを配置するようにしたものである。ｒｌ〜ｒ
、は電路抵抗で、そのパターンピッチは、Ｒ１，Ｒ２間
のピッチよりも十分間隔の広い、たとえば（３／４）λ
に設定される。
関するもので、第１図（イ）に示すように、各磁気抵抗
素子Ｒ１及びＲ１に隣接して、これらの各磁気抵抗素子
と同等のインピーダンスを有するダミー抵抗Ｒ３４およ
びＲａ ａを配置するようにしたものである。ｒｌ〜ｒ
、は電路抵抗で、そのパターンピッチは、Ｒ１，Ｒ２間
のピッチよりも十分間隔の広い、たとえば（３／４）λ
に設定される。
なお、同図（ロ）は同図（イ）の磁気センサをＺ相につ
いて表示した等価回路である。
いて表示した等価回路である。
ｂ、第２の実施例
本実施例は従来の第２例のものを改良した磁気センサに
関するもので、第２図に示すように、各磁気抵抗素子Ｒ
１およびＲ２に対してこれらと同等のインピーダンスを
有するダミー抵抗Ｒ１６およびＲ，を隣接して配置する
ようにしたものである。
関するもので、第２図に示すように、各磁気抵抗素子Ｒ
１およびＲ２に対してこれらと同等のインピーダンスを
有するダミー抵抗Ｒ１６およびＲ，を隣接して配置する
ようにしたものである。
なお、この場合、同図に示すように、各磁気抵抗素子の
パターンピッチはＲ１，Ｒ２間およびＲｓ。
パターンピッチはＲ１，Ｒ２間およびＲｓ。
Ｒ３ａ間並びにＲ４，Ｒ４ｄ間を（１／４）λとし、各
電路抵抗ｒ１〜ｒ７の各隣接抵抗のピッチは抵抗ｒ。
電路抵抗ｒ１〜ｒ７の各隣接抵抗のピッチは抵抗ｒ。
ｒ５間で例示するように（３／４）λとなるように配置
して着磁するものとする。この場合の等価回路は、第１
図（ロ）と同一となるので１図示は省略する。なお、第
１および第２の各実施例とも、各ダミー抵抗Ｒ１，Ｒ４
ｄは夫々の磁気抵抗素子Ｒ３゜Ｒ１を形成するときにこ
れらと同一素材であるバマロイ膜で同時に形成し、同一
の磁気抵抗（インピーダンス）として変化し、その接続
位置の関係でダミー抵抗として機能するように構成する
ことが望ましい。
して着磁するものとする。この場合の等価回路は、第１
図（ロ）と同一となるので１図示は省略する。なお、第
１および第２の各実施例とも、各ダミー抵抗Ｒ１，Ｒ４
ｄは夫々の磁気抵抗素子Ｒ３゜Ｒ１を形成するときにこ
れらと同一素材であるバマロイ膜で同時に形成し、同一
の磁気抵抗（インピーダンス）として変化し、その接続
位置の関係でダミー抵抗として機能するように構成する
ことが望ましい。
［作用］
本発明の第１．第２の各実施例は上記のように各磁気抵
抗素子Ｒ：ｌ 、 Ｒ４に対して隣接してそれらのダミ
ー抵抗Ｒ，，Ｒ，を配置するものである。
抗素子Ｒ：ｌ 、 Ｒ４に対して隣接してそれらのダミ
ー抵抗Ｒ，，Ｒ，を配置するものである。
この場合、夫々のダミー抵抗Ｒ３ａ 、 Ｒ４ａをＺ相
および２相（反転相）の隣接する磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２と同じ発熱量となるように、パターン幅および抵抗値
を決めて配置されるので、温度の不平衡は補償され中点
電圧の変動を防止できるものである。
および２相（反転相）の隣接する磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２と同じ発熱量となるように、パターン幅および抵抗値
を決めて配置されるので、温度の不平衡は補償され中点
電圧の変動を防止できるものである。
［発明の効果］
本発明は上記のように相互に関連する一対の磁気抵抗素
子（たとえばブリッジを構成する一方の磁気抵抗素子Ｒ
１，Ｒ２）のパターンピッチを狭小とした場合、他方の
関連する磁気抵抗素子（他方のブリッジを構成する磁気
抵抗素子Ｒ，，Ｒ，）に対してダミー抵抗を隣接配置す
るように構成した磁気センサに関するもので１次のよう
な優れた効果を有する。
子（たとえばブリッジを構成する一方の磁気抵抗素子Ｒ
１，Ｒ２）のパターンピッチを狭小とした場合、他方の
関連する磁気抵抗素子（他方のブリッジを構成する磁気
抵抗素子Ｒ，，Ｒ，）に対してダミー抵抗を隣接配置す
るように構成した磁気センサに関するもので１次のよう
な優れた効果を有する。
■一方の磁気抵抗素子のパターンピッチを狭小にして隣
接配置することにより生ずる発熱も、他方の磁気抵抗素
子に隣接して設けられるダミ抵抗により補償されるため
、各磁気抵抗素子同士の温度バランスは一様にできる。
接配置することにより生ずる発熱も、他方の磁気抵抗素
子に隣接して設けられるダミ抵抗により補償されるため
、各磁気抵抗素子同士の温度バランスは一様にできる。
■この場合、実施例に示すように１ダミー抵抗なこれを
配置する磁気抵抗素子と同質の材質で同時にパターン形
成するようにすればね各ダミー抵抗は磁気抵抗素子と同
一の温度係数となって温度上の追従をするため温度補償
を的確に行うことができる。
配置する磁気抵抗素子と同質の材質で同時にパターン形
成するようにすればね各ダミー抵抗は磁気抵抗素子と同
一の温度係数となって温度上の追従をするため温度補償
を的確に行うことができる。
第１図（イ）は本発明の第１の実施例を示す接続図、同
図（ロ）はこの等価回路を示す接続図である。 第２図は本発明の第２の実施例を示す接続図である。 また、第３図（イ）および第４図（イ）は夫々従来の第
１例および第２例を示す接続図、第３図（ロ）および第
４図（ロ）は夫々各従来例の等価回路を示す接続図であ
る。 Ｒ１−Ｒ４：磁気抵抗素子 Ｒｏ。、Ｒ，ｄ：ダミー抵抗 第１図 （イ）
図（ロ）はこの等価回路を示す接続図である。 第２図は本発明の第２の実施例を示す接続図である。 また、第３図（イ）および第４図（イ）は夫々従来の第
１例および第２例を示す接続図、第３図（ロ）および第
４図（ロ）は夫々各従来例の等価回路を示す接続図であ
る。 Ｒ１−Ｒ４：磁気抵抗素子 Ｒｏ。、Ｒ，ｄ：ダミー抵抗 第１図 （イ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に複数個の磁気抵抗素子を配置して構成
される複数組の磁気センサ素子より成る磁気センサにお
いて、相互に関連する一対の磁気抵抗素子をパターンピ
ッチを狭小として隣接配置した場合、他方の関連する一
対の磁気抵抗素子に対しては夫々のダミー抵抗を隣接配
置するようにして熱平衡をとるように構成したことを特
徴とする磁気センサ。 ２、各磁気抵抗素子をブリッジに構成し、Ａ相、Ｂ相お
よびＺ相を有し、検出対象の回転部の１回転で１個のパ
ルスを発生するようにしたＺ相を構成するようにした請
求項１記載の磁気センサ。 ３、各ダミー抵抗は、それが隣接配置される磁気抵抗素
子と同質材料にて一体的に形成するようにした請求項１
記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097814A JPH03296616A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097814A JPH03296616A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03296616A true JPH03296616A (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=14202221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2097814A Pending JPH03296616A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03296616A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501153A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | ブリッジにおけるｇｍｒセンサの整合 |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP2097814A patent/JPH03296616A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501153A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | ブリッジにおけるｇｍｒセンサの整合 |
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