JPS63196817A - 磁気エンコ−ダ用磁気ヘツド - Google Patents
磁気エンコ−ダ用磁気ヘツドInfo
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- JPS63196817A JPS63196817A JP62029256A JP2925687A JPS63196817A JP S63196817 A JPS63196817 A JP S63196817A JP 62029256 A JP62029256 A JP 62029256A JP 2925687 A JP2925687 A JP 2925687A JP S63196817 A JPS63196817 A JP S63196817A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、直線又は曲線運動する物体の移動距離や回転
運動する物体の回転角度又は回転数などを計測するのに
使用される磁気エンコーダ用磁気ヘッドに関する。
運動する物体の回転角度又は回転数などを計測するのに
使用される磁気エンコーダ用磁気ヘッドに関する。
近年、光学式エンコーダに比較し、コスト、耐環境性、
応答性、小型化などのメリットのある磁気式エンコーダ
が注目されている。磁気式エンコーダつまり磁気エンコ
ーダは、第2図に示すように磁気目盛りの刻印さた磁気
スケール6と磁気ヘッド5から構成され、スケール6は
、直線運動の場合には板状、回転運動の場合には円板状
又は円筒状の磁気記録媒体に磁気目盛(N極、S掻)を
所定間隔で着磁したものであって、磁気へラド5はスケ
ール6に接触又は近接させて着磁信号を読み取るもので
ある。
応答性、小型化などのメリットのある磁気式エンコーダ
が注目されている。磁気式エンコーダつまり磁気エンコ
ーダは、第2図に示すように磁気目盛りの刻印さた磁気
スケール6と磁気ヘッド5から構成され、スケール6は
、直線運動の場合には板状、回転運動の場合には円板状
又は円筒状の磁気記録媒体に磁気目盛(N極、S掻)を
所定間隔で着磁したものであって、磁気へラド5はスケ
ール6に接触又は近接させて着磁信号を読み取るもので
ある。
磁気ヘンド5は、基本的には基板上に形成された1本又
は複数本の細い磁気抵抗効果素子(以下、MR素子とい
う)からなり、場合により前記MR素子からの信号を処
理する電気回路も同一基板上に形成される。
は複数本の細い磁気抵抗効果素子(以下、MR素子とい
う)からなり、場合により前記MR素子からの信号を処
理する電気回路も同一基板上に形成される。
一般には、磁気ヘッドは、光学研磨又はそれ以下の平滑
性を有するガラス基板上に、薄膜作製技術(例えば真空
蒸着)で例えば膜厚0.01〜1μmのNi□Fet、
(数字は原子%)のような強磁性磁気抵抗効果をもつ薄
膜を形成した後、ホトリソエツチングによりパターニン
グし、次いで同様にAβのような金属0の配線パターン
を形成することにより製造されている。なお、場合によ
り、前記金属0としてMR素子と同一の金属を用い、そ
れを幅広に形成して抵抗を落として配線パターンにする
こともある。
性を有するガラス基板上に、薄膜作製技術(例えば真空
蒸着)で例えば膜厚0.01〜1μmのNi□Fet、
(数字は原子%)のような強磁性磁気抵抗効果をもつ薄
膜を形成した後、ホトリソエツチングによりパターニン
グし、次いで同様にAβのような金属0の配線パターン
を形成することにより製造されている。なお、場合によ
り、前記金属0としてMR素子と同一の金属を用い、そ
れを幅広に形成して抵抗を落として配線パターンにする
こともある。
MR素子2は、目盛であるN極、S極が近づくと第3図
に示すように電気抵抗Rが低下するので、゛磁気ヘッド
5とスケール6に接触させた状態又は僅かに離して近接
させた状態で相対的に移動させる(第2図参照)と、M
R素子2を流れる電流Iを一定にした場合、MR素子2
の両端間の電圧■は、V=IRの公式に従いスケールの
目盛に応じて変化し、第4図に示すような正弦波又はこ
れに類似する電圧信号(以下、原信号という)が得られ
る。
に示すように電気抵抗Rが低下するので、゛磁気ヘッド
5とスケール6に接触させた状態又は僅かに離して近接
させた状態で相対的に移動させる(第2図参照)と、M
R素子2を流れる電流Iを一定にした場合、MR素子2
の両端間の電圧■は、V=IRの公式に従いスケールの
目盛に応じて変化し、第4図に示すような正弦波又はこ
れに類似する電圧信号(以下、原信号という)が得られ
る。
しかし、実際には、この定電流駆動方式はta!の応答
速度が遅いので、定電圧駆動方式が用いられる。後者の
場合には、例えば?IR素子と固定抵抗とを直列に連結
する。
速度が遅いので、定電圧駆動方式が用いられる。後者の
場合には、例えば?IR素子と固定抵抗とを直列に連結
する。
いずれにせよ、原信号の波の数はN極とSliの和に相
当するので、波の数を数えれば磁気ヘッドとスケールの
相対的な移動量又はこれと相関関係にある物理量例えば
移動距離又は回転角が知れるのである。
当するので、波の数を数えれば磁気ヘッドとスケールの
相対的な移動量又はこれと相関関係にある物理量例えば
移動距離又は回転角が知れるのである。
ところで、複数のMR素子2を基板1上に配置してなる
磁気エンコーダ用磁気ヘッドがある。例えばn個(nは
正の整数)のMR素子2を1ブロツクとし、4個のブロ
ック(n=1の例)を第5図(b)に示すように所定間
隔で幾何学的に並列に基板上に配置して、これらのブロ
ックを第6図に示す如く温度補償と感度を倍に上げるた
めにホイーストン・ブリッジを組むように電気的に連結
した磁気ヘッドがある(例えば、特公昭60−4798
8号参照)、この場合、1個のブロック内に複数(n=
2以上)のMR素子がある場合には、各素子間の間隔d
0はd@=m0λとし、第1ブロックB、と第2ブロッ
クB、との間隔d1.はa1!−(m、+2)λで、第
2ブロツクB2と第3ブロツクB3との間隔ay3はd
*3= (mz +%) λで、第3ブロックB、と第
4ブロツクB4との間隔aS4はd3a= (mt +
’4) λである。但し、λは磁気目盛りのN極とS
極との間隔であり、mo、ml、m2及びm3は整数で
ある。
磁気エンコーダ用磁気ヘッドがある。例えばn個(nは
正の整数)のMR素子2を1ブロツクとし、4個のブロ
ック(n=1の例)を第5図(b)に示すように所定間
隔で幾何学的に並列に基板上に配置して、これらのブロ
ックを第6図に示す如く温度補償と感度を倍に上げるた
めにホイーストン・ブリッジを組むように電気的に連結
した磁気ヘッドがある(例えば、特公昭60−4798
8号参照)、この場合、1個のブロック内に複数(n=
2以上)のMR素子がある場合には、各素子間の間隔d
0はd@=m0λとし、第1ブロックB、と第2ブロッ
クB、との間隔d1.はa1!−(m、+2)λで、第
2ブロツクB2と第3ブロツクB3との間隔ay3はd
*3= (mz +%) λで、第3ブロックB、と第
4ブロツクB4との間隔aS4はd3a= (mt +
’4) λである。但し、λは磁気目盛りのN極とS
極との間隔であり、mo、ml、m2及びm3は整数で
ある。
そして第6図に示す端子P、−pi間に一定の基準電圧
VCCを印加しておいて、端子PY Pa間の電圧を
測定すると、第4図に示すような正弦波又はこれに類似
する電圧信号(原信号)が得られる。
VCCを印加しておいて、端子PY Pa間の電圧を
測定すると、第4図に示すような正弦波又はこれに類似
する電圧信号(原信号)が得られる。
一般には後の処理を容易にするために、この信号を通常
増幅した後、シキイ電圧■3を基準にして矩形波変換回
路で矩形波信号に変換される。第7図は矩形波変換回路
の一例であり、一点鎖線で囲んだものが矩形波変換回路
Cである。
増幅した後、シキイ電圧■3を基準にして矩形波変換回
路で矩形波信号に変換される。第7図は矩形波変換回路
の一例であり、一点鎖線で囲んだものが矩形波変換回路
Cである。
ハイテク(高度先端技術)の波は、かかる磁気エンコー
ダにも及び、最近、より細かい目盛りの高精度磁気エン
コーダが要求されつつある。
ダにも及び、最近、より細かい目盛りの高精度磁気エン
コーダが要求されつつある。
しかし、目盛りが微細になるにつれて測定精度が悪いと
いう問題点が無視し得なくなってきた。
いう問題点が無視し得なくなってきた。
この問題点の故に高精度磁気エンコーダは未だ市場に好
意的に受入れられていないという現状がある。
意的に受入れられていないという現状がある。
この問題点の原因を追求するために本発明者らは、at
研究した結果、以下のことが明らかになった・ 即ち、(1)目盛りが微細になるにつれてスケールから
の磁気が弱くなるため、磁気ヘッドで読み取られる信号
も弱くなる。(2) Vi気ヘッドのMR素子は一種の
金属薄膜抵抗体のため通電により発熱し、第10図の実
線のように中央部が高温で端部が低温という温度分布が
基板に生じる。この温度分布は、■電源電圧v0゜の変
動や着磁スケールと磁気ヘッドとのギャップの変動があ
るとき、点線のように変化し、■スケールの磁気ヘッド
との相対速度が変化するとき破線のように変化する。こ
のように温度分布が変化すると、MR素子自身の抵抗温
度係数に従って、MR素子の抵抗値が変化するので、ホ
イーストンブリソジのバランスがくずれ、オペアンプで
増幅された信号の中心電位の電源電圧VCCに対する比
がずれる。一方、最終信号である矩形被信号を作る矩形
波変換回路の参照電位V2は電源電圧VCCに対し、 Vz =VccRz / (R+ +Rt )となり電
源電圧VCCに対する比は変化しない(第7図参照)、
そのため温度分布が変化すると、それによって第8図に
示すように矩形波変換回路からの矩形波のデユーティ−
比がずれていく。そして、このデュJティー比の変動が
、最終的にエンコーダとしての測定精度の低下をもたら
す。
研究した結果、以下のことが明らかになった・ 即ち、(1)目盛りが微細になるにつれてスケールから
の磁気が弱くなるため、磁気ヘッドで読み取られる信号
も弱くなる。(2) Vi気ヘッドのMR素子は一種の
金属薄膜抵抗体のため通電により発熱し、第10図の実
線のように中央部が高温で端部が低温という温度分布が
基板に生じる。この温度分布は、■電源電圧v0゜の変
動や着磁スケールと磁気ヘッドとのギャップの変動があ
るとき、点線のように変化し、■スケールの磁気ヘッド
との相対速度が変化するとき破線のように変化する。こ
のように温度分布が変化すると、MR素子自身の抵抗温
度係数に従って、MR素子の抵抗値が変化するので、ホ
イーストンブリソジのバランスがくずれ、オペアンプで
増幅された信号の中心電位の電源電圧VCCに対する比
がずれる。一方、最終信号である矩形被信号を作る矩形
波変換回路の参照電位V2は電源電圧VCCに対し、 Vz =VccRz / (R+ +Rt )となり電
源電圧VCCに対する比は変化しない(第7図参照)、
そのため温度分布が変化すると、それによって第8図に
示すように矩形波変換回路からの矩形波のデユーティ−
比がずれていく。そして、このデュJティー比の変動が
、最終的にエンコーダとしての測定精度の低下をもたら
す。
この原因は、複数のMR素子からなる磁気ヘッドに大な
り小なり共通のものである。
り小なり共通のものである。
そこで、更に研究を進めた結果、本発明者らは、温度分
布をできるだけ均一化させれば、測定精度が悪いという
問題点が解決されることを着想し、そのためには、基板
として熱伝導率がガラスより高い非磁性′iIA縁体を
使用すればよいことを見い出し、本発明を成すに至った
。
布をできるだけ均一化させれば、測定精度が悪いという
問題点が解決されることを着想し、そのためには、基板
として熱伝導率がガラスより高い非磁性′iIA縁体を
使用すればよいことを見い出し、本発明を成すに至った
。
従って、本発明は、「複数の磁気抵抗効果素子が基板上
に配置されてなる磁気エンコーダ用磁気ヘッドに於いて
、 前記基板として、熱伝導率の高い非磁性絶縁体を使用し
たことを特徴とする磁気ヘッド」を提供する。
に配置されてなる磁気エンコーダ用磁気ヘッドに於いて
、 前記基板として、熱伝導率の高い非磁性絶縁体を使用し
たことを特徴とする磁気ヘッド」を提供する。
本発明では、従来の基板材料として用いられていたガラ
スの代りにそれより熱伝導率の高い材料を用いることに
より、淋素子からの発熱を良好に放熱するため、温度上
昇を極力抑えることができる。そのため仮に温度分布が
あったとしても、その変動が小さいため前述したデユー
ティ−比のずれも小さく、そのため磁気エンコーダにお
ける致命的欠点であった低い測定精度が向上する。
スの代りにそれより熱伝導率の高い材料を用いることに
より、淋素子からの発熱を良好に放熱するため、温度上
昇を極力抑えることができる。そのため仮に温度分布が
あったとしても、その変動が小さいため前述したデユー
ティ−比のずれも小さく、そのため磁気エンコーダにお
ける致命的欠点であった低い測定精度が向上する。
なお、当然のことであるがMR素子はスケールの磁気を
検知するものであり、そこには電流が流されるので、基
板は非磁性で電気絶縁性のものであければならない。
検知するものであり、そこには電流が流されるので、基
板は非磁性で電気絶縁性のものであければならない。
このような高い熱伝導率好ましくは金属にほぼ匹敵する
熱伝導率を有する非磁性絶縁性材料としでは、例えば立
方晶系窒化はう素(C−BN) 、窒化アルミニウム(
AIN ) 、炭化ケイ素(SiC) 、りん化はう素
(BP) 、酸化ベリリウム(Bed)などのセラミッ
ク及びダイヤモンドが挙げられる。
熱伝導率を有する非磁性絶縁性材料としでは、例えば立
方晶系窒化はう素(C−BN) 、窒化アルミニウム(
AIN ) 、炭化ケイ素(SiC) 、りん化はう素
(BP) 、酸化ベリリウム(Bed)などのセラミッ
ク及びダイヤモンドが挙げられる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
(実施例)
第1図(、?)は、本発明に係る磁気エンコーダ用磁気
ヘッドの一実施例を示す要部断面図で、同(キ)は要部
平面図である。
ヘッドの一実施例を示す要部断面図で、同(キ)は要部
平面図である。
磁気ヘッドは、基板1としての鏡面研磨されたC−BN
板とその上に幾何学的に並列に配置された4つのブロッ
ク81〜B4の淋素子2と、ブリッジを組むための配線
パターン3からなる。各ブロックは、いずれも1本のM
R素子2からなり、1本のMR素子2は、厚さ0.05
.c+m (一般には0.01〜1μm)、輻20μm
(一般には着磁目盛りN極S極との間隔をλとするとき
0.1〜0.6 λ)、長さ1.2+l+11(一般に
は幅の2〜5倍)を有する。
板とその上に幾何学的に並列に配置された4つのブロッ
ク81〜B4の淋素子2と、ブリッジを組むための配線
パターン3からなる。各ブロックは、いずれも1本のM
R素子2からなり、1本のMR素子2は、厚さ0.05
.c+m (一般には0.01〜1μm)、輻20μm
(一般には着磁目盛りN極S極との間隔をλとするとき
0.1〜0.6 λ)、長さ1.2+l+11(一般に
は幅の2〜5倍)を有する。
ブロックB、とB2との間隔adzはa+z−(9+A
)λで、B2とB、との間隔d0はdt:l”(17+
%) λで、B、とB、との間隔d34はd34”(9
4%) λである。但し、λは磁気目盛りのN極とS
極との間隔である。
)λで、B2とB、との間隔d0はdt:l”(17+
%) λで、B、とB、との間隔d34はd34”(9
4%) λである。但し、λは磁気目盛りのN極とS
極との間隔である。
MR素子2の形成は、例えば■NiFe、 NiCo、
NiFeCo、 NiFeMnなどの強磁性磁気抵抗効
果を有する金属材料を例えば蒸着、スパンタなどの薄膜
形成技術により薄膜に形成し、次いで■ホトトリソエッ
チングによりパターニングすることにより実施される。
NiFeCo、 NiFeMnなどの強磁性磁気抵抗効
果を有する金属材料を例えば蒸着、スパンタなどの薄膜
形成技術により薄膜に形成し、次いで■ホトトリソエッ
チングによりパターニングすることにより実施される。
その後又は場合によりMR素子2の形成前にブリッジを
組むための金属配線パターン3が形成される。配線パタ
ーン3は、例えば■A1、Auなどの金属薄膜を例えば
蒸着、スパンターなどの薄膜形成技術により形成し、次
いで■ホトトリソエッチングによりパターニングするこ
とにより形成される。
組むための金属配線パターン3が形成される。配線パタ
ーン3は、例えば■A1、Auなどの金属薄膜を例えば
蒸着、スパンターなどの薄膜形成技術により形成し、次
いで■ホトトリソエッチングによりパターニングするこ
とにより形成される。
場合により、マスク蒸着で一度に配線パターン3を形成
してもよい。
してもよい。
尚、−aには、保護のため上に絶縁膜4例えば5iOz
、A+、O,などを同様に1lPJ形成技術により形成
される。
、A+、O,などを同様に1lPJ形成技術により形成
される。
ここでは、ブリッジ配線パターン3の原信号の得られる
端子に、第7図に示すものと同じ増幅回路及び矩形波変
換回路を磁気ヘッドに設けた。
端子に、第7図に示すものと同じ増幅回路及び矩形波変
換回路を磁気ヘッドに設けた。
この磁気ヘッドに通電して、N極とS極が等間隔λ (
例えばλ−10〜200μm)で着磁された磁気スケー
ルの上を相対的に移動させると、ブリッジから先ず正弦
波又はこれに類する信号が得られる。
例えばλ−10〜200μm)で着磁された磁気スケー
ルの上を相対的に移動させると、ブリッジから先ず正弦
波又はこれに類する信号が得られる。
このとき、基板1として従来の熱伝導率の低い非磁性絶
縁体−例えばガラス−を用いた場合には、基板の表面温
度分布は第9図の点線のように高低の差が大きく、従っ
て、■電源電圧に変動がある、■スケールとの相対速度
が変化する、■ギャップが変動するなどの外因により、
第10図一点鎖線や点線のように大きく変動し、そのた
めデエーティー比が大きく変化する。
縁体−例えばガラス−を用いた場合には、基板の表面温
度分布は第9図の点線のように高低の差が大きく、従っ
て、■電源電圧に変動がある、■スケールとの相対速度
が変化する、■ギャップが変動するなどの外因により、
第10図一点鎖線や点線のように大きく変動し、そのた
めデエーティー比が大きく変化する。
それに対して、本発明では、基板の放熱性が優れている
ことから温度分布は第9図実線のように高低の差が著し
く小さくなり、前述の外因があったとしてもブリッジを
組んでいるブロック毎の温度変化が小さく抑えられるた
め、デユーティ−比の変化が小さく、そのため高精度の
エンコーダが得られる。
ことから温度分布は第9図実線のように高低の差が著し
く小さくなり、前述の外因があったとしてもブリッジを
組んでいるブロック毎の温度変化が小さく抑えられるた
め、デユーティ−比の変化が小さく、そのため高精度の
エンコーダが得られる。
基)反1としては他にAIN 、 SiC、BP、 B
eOなどを使っても、同様の良好な効果が得られた。
eOなどを使っても、同様の良好な効果が得られた。
以上のとおり、本発明によれば、基板として熱伝導率の
高い非磁性絶縁体を使用したので、温度分布が均一化し
、そのため測定精度が向上する。
高い非磁性絶縁体を使用したので、温度分布が均一化し
、そのため測定精度が向上する。
特にブリッジを組んだ場合、■電[電圧変動が生したり
、■スケールとの相対速度が変化したり、■ギャップが
変動したりすることによって基板の温度分布が変動した
りすると、測定精度が低下するが、本発明では温度分布
そのものを均一化して温度差を低(抑えているために、
測定精度が低下することがなく、そのため高い精度が得
られる。
、■スケールとの相対速度が変化したり、■ギャップが
変動したりすることによって基板の温度分布が変動した
りすると、測定精度が低下するが、本発明では温度分布
そのものを均一化して温度差を低(抑えているために、
測定精度が低下することがなく、そのため高い精度が得
られる。
第1図は、本発明の実施例(n=1)に於ける磁気ヘッ
ドを説明するもので、(1)はその概略要部断面図、(
2)は概略要部平面図である。 第2図は、リニア磁気エンコーダのスケールと(R気ヘ
ッドとの関係を説明する概略斜視図である。 第3図は、磁気目盛の磁場の強さとMR素子の電気抵抗
との関係を示すグラフである。 第4図は、正弦波又はこれに類似する電圧信号の波形図
である。 第5図は、従来の磁気ヘッドの概略図であり、(1)は
その断面図、(2)は平面図である。 第6図は、ブリフジを組んだ様子を示す回路図である。 第7図は、ブリッジを組んだ磁気へノドの回路図である
。 第8図は、(1)が電源電圧がV=■。+Δ■のときの
本実施例の磁気ヘッドの出力波形と最終信号を示す波形
図であり、(2)は電源電圧が■=■。+Δ■のときの
従来の磁気ヘッドの出力波形と最終信号を示す波形図で
ある。 第9図及び第1O図は、基板上の温度分布を表すグラフ
である。 〔主要部分の符号の説明〕 1−m−一基板 2 磁気抵抗効果素子 3− 配線パターン 4−絶縁膜 5− 石荘気ヘット′ 6 スケール 31〜B4 二磁気抵抗素子のブロックP1〜P8 :
配線端子 C1矩形波変換回路 Cf) 第3図 第1θ図
ドを説明するもので、(1)はその概略要部断面図、(
2)は概略要部平面図である。 第2図は、リニア磁気エンコーダのスケールと(R気ヘ
ッドとの関係を説明する概略斜視図である。 第3図は、磁気目盛の磁場の強さとMR素子の電気抵抗
との関係を示すグラフである。 第4図は、正弦波又はこれに類似する電圧信号の波形図
である。 第5図は、従来の磁気ヘッドの概略図であり、(1)は
その断面図、(2)は平面図である。 第6図は、ブリフジを組んだ様子を示す回路図である。 第7図は、ブリッジを組んだ磁気へノドの回路図である
。 第8図は、(1)が電源電圧がV=■。+Δ■のときの
本実施例の磁気ヘッドの出力波形と最終信号を示す波形
図であり、(2)は電源電圧が■=■。+Δ■のときの
従来の磁気ヘッドの出力波形と最終信号を示す波形図で
ある。 第9図及び第1O図は、基板上の温度分布を表すグラフ
である。 〔主要部分の符号の説明〕 1−m−一基板 2 磁気抵抗効果素子 3− 配線パターン 4−絶縁膜 5− 石荘気ヘット′ 6 スケール 31〜B4 二磁気抵抗素子のブロックP1〜P8 :
配線端子 C1矩形波変換回路 Cf) 第3図 第1θ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 複数の磁気抵抗効果素子が基板上に配置されてなる
磁気エンコーダ用磁気ヘッドに於いて、前記基板として
、熱伝導率の高い非磁性絶縁体を使用したことを特徴と
する磁気ヘッド。 2 前記基板が金属にほぼ匹敵する熱伝導率を有する材
料からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の磁気ヘッド。 3 前記材料がC−BN、AlN、SiC、BP、Be
O又はダイヤモンドであることを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029256A JPS63196817A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 磁気エンコ−ダ用磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029256A JPS63196817A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 磁気エンコ−ダ用磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63196817A true JPS63196817A (ja) | 1988-08-15 |
Family
ID=12271195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62029256A Pending JPS63196817A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | 磁気エンコ−ダ用磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63196817A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0438485A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサ |
WO1992004639A1 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-19 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Ferromagnetic thin film magnetic sensor |
JPH0494514U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-17 | ||
US5737156A (en) * | 1993-11-08 | 1998-04-07 | Seagate Technology, Inc. | Barberpole MR sensor having interleaved permanent magnet and magnetoresistive segments |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5138885A (en) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | Fujitsu Ltd | Jikiteikososhi |
JPS58212940A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-12-10 | トムソン−セ−エスエフ | マイクロ波回路用基板およびその製造方法 |
JPS6061615A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Hitachi Ltd | 磁気位置センサ |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP62029256A patent/JPS63196817A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5138885A (en) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | Fujitsu Ltd | Jikiteikososhi |
JPS58212940A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-12-10 | トムソン−セ−エスエフ | マイクロ波回路用基板およびその製造方法 |
JPS6061615A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Hitachi Ltd | 磁気位置センサ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO1992004639A1 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-19 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Ferromagnetic thin film magnetic sensor |
JPH0494514U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-17 | ||
US5737156A (en) * | 1993-11-08 | 1998-04-07 | Seagate Technology, Inc. | Barberpole MR sensor having interleaved permanent magnet and magnetoresistive segments |
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