JP3367230B2 - 位置検出装置 - Google Patents

位置検出装置

Info

Publication number
JP3367230B2
JP3367230B2 JP26054894A JP26054894A JP3367230B2 JP 3367230 B2 JP3367230 B2 JP 3367230B2 JP 26054894 A JP26054894 A JP 26054894A JP 26054894 A JP26054894 A JP 26054894A JP 3367230 B2 JP3367230 B2 JP 3367230B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
magnetic field
magnetoresistive effect
bias
detecting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP26054894A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08122095A (ja
Inventor
雅昭 久須美
博司 鹿野
Original Assignee
ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社 filed Critical ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社
Priority to JP26054894A priority Critical patent/JP3367230B2/ja
Publication of JPH08122095A publication Critical patent/JPH08122095A/ja
Priority to US08/843,788 priority patent/US5909115A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3367230B2 publication Critical patent/JP3367230B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/003—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring position, not involving coordinate determination
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/244—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing characteristics of pulses or pulse trains; generating pulses or pulse trains
    • G01D5/245—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing characteristics of pulses or pulse trains; generating pulses or pulse trains using a variable number of pulses in a train
    • G01D5/2451—Incremental encoders
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば工作機械や産業機
械、精密測長・測角装置等に適用される磁気式のスケー
ル、ロータリーエンコーダ等に使用して好適な位置検出
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、工作機械や産業機械、精密測長・
測角装置等に適用される磁気式のスケール、ロータリー
エンコーダ等の位置検出装置の検出ヘッドとしてＦｅ−
Ｎｉ（パーマロイ）、Ｎｉ−Ｃｏ等の薄膜による磁気抵
抗効果を利用した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）が用い
られている。
【０００３】このＭＲ素子による検出ヘッド（以下ＭＲ
センサーという）を使用したスケール、エンコーダにお
いても、その目的、用途等により様々な形状、構造の物
が有るが、その性能として高精度、高分解能を必要とす
る種類の物については、基本的に磁気記録のピッチ（記
録波長）を短くし、又はＭＲセンサーの出力波形におい
て、その波形の高調波歪の低減やＳ／Ｎ比の向上を行っ
て一波長内における内挿時の誤差を減らすようにして高
精度、高分解能を実現している。
【０００４】一般に、ＭＲセンサーはガラス基板やシリ
コン基板上に薄膜として素子が形成されており、このよ
うなＭＲセンサーを用いて高精度、高分解能を指向した
スケール、エンコーダ等では、記録波長を短くすること
から、磁気記録されたスケール面と検出面となるＭＲ素
子の面とが互いに一定間隔の平行平面を保持して相対移
動する構造を採っている。
【０００５】また、主にＭＲ素子における磁気抵抗効果
の飽和特性によってＭＲセンサーからの出力波形は高調
波歪を含んだものとなっている。この高調波歪に対して
はＭＲ素子のパターン配置を工夫して歪を低減する構造
が採られており、一般的には所謂空間フィルター型のパ
ターン配置を持たせることによって、特定の高調波歪成
分を低減させるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のスケール、エン
コーダ等の位置検出装置は、通常９０度の位相差を有す
る２つの正弦波信号を検出ヘッドから出力し、これらの
正弦波信号から移動量や移動方向を検知しているが、磁
気記録されたスケール面と検出ヘッドの検出面とが平行
に一定の間隔に保持されて相対移動する構造では、この
スケール面と検出ヘッドの検出面との間、又は検出ヘッ
ドの保持機構との間に、塵埃、切り粉等の異物が混入し
たり、元々のスケール面の曲がり、うねり等がある場合
があり、その為にその間隔が広がるか、又はその相対的
な角度（ピッチ、ヨー、アジマス）が変動することがあ
るので、各出力信号のレベルやＤＣ成分等が変動し精度
が悪化することが屡々あった。
【０００７】またスケールを構成する磁気記録媒体とな
る磁性材料の磁気特性のばらつきや材質の偏りが１本の
スケール内にある場合も同様に各出力信号が変動し精度
が悪化することがあった。
【０００８】これら変動要因の中でも、相対的な角度変
動や、磁性材料の磁気特性のばらつきや、材質の偏りに
よって、９０度位相差を有する２つの正弦波状信号の振
幅が従来のＭＲセンサーを用いたスケールではそれぞれ
別々に変化し、それが精度悪化の主な原因となってい
る。
【０００９】またスケール面と検出ヘッドの検出面との
相対的な角度（ピッチ、ヨー、アジマス）が変動する場
合には前述の高調波歪を低減させるパターン配置による
効果が損なわれ、このことも精度を悪化させる一因とな
っている。
【００１０】更に加えるに磁気抵抗効果素子は抵抗体で
あるので当然電流を流すことによって発熱し、それ自身
の温度が上昇することになるが、パターンの配置関係に
よってはそれぞれの素子の上昇する温度が異なり、その
為の温度特性によって、素子間で抵抗値及び変化率が変
動し、出力電圧のドリフトや振幅の変動が起きる為、精
度の悪化をもたらしている。
【００１１】本発明は斯る点に鑑み磁気スケールと検出
ヘッドとの相対的な角度変化、磁気スケールの部分的な
記録状態の変動、更には周囲及び検出ヘッドの温度変動
があっても高精度な位置検出ができるようにすることを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明位置検出装置は例
えば図１、図２、図３に示す如く磁気情報が記録された
磁気記録媒体１と、この磁気記録媒体１に対し、相対的
に移動し、この磁気情報を検出する磁気検出手段２とを
有する位置検出装置において、この磁気検出手段１に導
体層３ａと磁性層３ｂとが交互に積層されて成る人工格
子膜構造の磁気抵抗効果素子３を複数個例えばｍ個用
い、この複数個の磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m
をこの相対的移動方向に所定間隔例えばλ／２（λは記
録波長）を離して配設すると共にこの複数個の磁気抵抗
効果素子３1 ，３2 ‥‥３m を直列に接続して１つの磁
気可変抵抗体４として機能する如くし、この複数個の磁
気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m に流れる電流の方向
と、この磁気記録媒体１に記録された磁気情報の記録長
手方向とが直角以外の角度例えば同方向を有するもので
ある。
【００１３】また本発明位置検出装置は例えば図１、図
２に示す如く上述において、この磁気検出手段２に複数
のこの磁気可変抵抗体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをこの複
数の磁気可変抵抗体４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄの夫々の
人工格子膜構造の磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m
が相対的移動方向に対して所定の位相差に対応して互い
にずらして平行に配設したものである。
【００１４】本発明位置検出装置は例えば図１、図２、
図３、図７、図８に示す如く、上述において、この磁気
抵抗効果素子３の上又は下に絶縁層５ｂを介してバイア
スパターン６を設け、このバイアスパターン６に所定の
電流を流して、この磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界
を供給するようにしたものである。
【００１５】また本発明位置検出装置は例えば図１、図
２、図９、図１０に示す如く上述において、それぞれ絶
縁層を介して順番に第１の磁気抵抗効果素子、バイアス
パターン６及び第２の磁気抵抗効果素子を設け、このバ
イアスパターン６に所定の電流を流し、この第１及び第
２の磁気抵抗効果素子に互いに逆方向のバイアス磁界を
供給するようにしたものである。
【００１６】
【作用】本発明によれば導体層３ａと磁性層３ｂとが交
互に積層されて成る人工格子膜構造の磁気抵抗効果素子
を磁気記録媒体１との相対的移動方向に所定間隔例えば
λ／２毎に複数個例えばｍ個を配設すると共にこの複数
個の磁気抵抗効果素子３ 1 ，３2 ‥‥３m を直列に接続
して１つの磁気可変抵抗体４としているので、磁気記録
媒体１と磁気検出手段２との相対的な角度変動が起きた
り、磁気記録媒体１の部分的な記録状態の変動、更には
周囲及び磁気検出手段２の温度変動があっても、この複
数の磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m の検出信号が
加算されるので精度的に悪化することがない。
【００１７】また本発明によれば磁気検出手段２に複数
例えば４個の磁気可変抵抗体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの
夫々の磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m を所定位相
差に対応して互いにずらして平行に配設するようにした
ので磁気記録媒体の磁気情報１ａが記録された長手方向
に対して、ほとんど同じ場所に配設されることになるの
で、その長手方向の機械的な変動とこの磁気記録媒体１
の曲がりや特性の不均一性、更には発熱に依る温度分布
の変動に対して、複数個例えば４個とも同じ変化をする
こととなると共にこの複数個例えば４個の磁気可変抵抗
体４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄの磁気記録媒体１の幅方向
の寸法も、全部合わせても例えば９５μｍと小さいの
で、この幅方向に対しても機械的な変動に対して、之等
複数個例えば４個が同じ変化をすることになる。
【００１８】このように複数個例えば４個の磁気可変抵
抗体４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄの全ての方向の機械的な
変動及び磁気記録媒体の曲がりや特性の不均一性及び温
度変動に対して同じ変化をもたせることができるので、
例えば９０度位相差を有する出力信号の変化も同じにす
ることができるため、高精度、高分解能の位置検出がで
きる。
【００１９】
【実施例】以下図面を参照して本発明位置検出装置の実
施例につき説明する。図２において、１は磁気スケール
を示し、この磁気スケール１は磁気記録媒体として平角
断面形状のガラス基材の表面に磁性体を無電解メッキで
２〜３μｍ被着したものを用い、この磁気記録媒体に通
常の磁気ヘッドで長手方向に一定の波長λ例えば４０μ
ｍでスケール１ａを記録したものである。
【００２０】この磁気スケール１に対して、その長手方
向に相対的に移動する如く、検出ヘッド２を設ける。こ
の検出ヘッド２はその検出面がこの磁気スケール１と一
定の間隔を保って、この磁気スケール１の長手方向に相
対変化する如く、図示しない保持機構に保持する如くす
る。
【００２１】本例においてはこの検出ヘッド２として図
１、図３に示す如きものを使用する。この図１は本例に
よる検出ヘッド２を示す平面図で、本例においてはこの
検出ヘッド２として、ガラス基板又はアルミ基板に絶縁
層を設けた絶縁基板上に図１に示す如く磁気スケール１
の長手方向に沿って、互いに平行に４本の磁気可変抵抗
体として機能する磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ及
び４ｄを形成する。
【００２２】この磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ及
び４ｄは夫々図３に示す如く、導体層３ａと磁性層３ｂ
とが交互に積層されて成る人工格子膜構造の磁気抵抗効
果素子３を複数個例えばｍ個用い、このｍ個の磁気抵抗
効果素子３1 ，３2 ‥‥３mをピッチＰとしたとき、 Ｐ＝（λ／２）ｎ（ｎは０以外の整数） で磁気スケール１の長手方向に沿って配設する如くす
る。図３はｎ＝１としたもので、この磁気抵抗効果素子
３1 ，３2 ‥‥３m の各間は、接続用導体１０を配設す
る如くし、この磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ及び
４ｄは夫々１本の磁気可変抵抗体として機能する如くす
る。
【００２３】この磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m
は夫々磁性層３ｂとして例えばＣｏＦｅＮｉ磁性合金の
厚さ１ｎｍと導体層３ａとして例えばＣｕの厚さ２．２
ｎｍとを交互に２０層ずつ成膜したもので、その上にレ
ジスト等で保護膜を付ける如くする。ここで、この人工
格子膜層はフォトリソグラフィ技術を利用してそのパタ
ーンを形成する。
【００２４】この場合、この磁界検出センサー４ａ，４
ｂ，４ｃ及び４ｄの夫々の磁気スケール１の幅方向の寸
法は例えば２０μｍとし、それらの間隔を５μｍとす
る。このときは４個の磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４
ｃ及び４ｄを全部合わせて例えば９５μｍとなり非常に
小さいものである。
【００２５】また、この導体層３ａと磁性層３ｂとが交
互に積層されて成る人工格子膜構造の磁気抵抗効果素子
３1 ，３2 ‥‥３m の外部印加磁界−磁気抵抗変化率は
図４の曲線に示す如く変化率の極めて大きなものであ
る。
【００２６】またこの磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥
３m の抵抗値は膜面内に印加される磁場の大きさのみに
よって決定されるので、電流方向、磁化容易軸方向を原
則として自由な方向に設定することができる。
【００２７】従って磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３
m は、これに流れる電流方向を磁気スケール１の長手方
向にし、容易軸方向をこれと直角の方向に設定しても抵
抗変化を起こすことができる。
【００２８】ただし、磁化容易軸方向は電流方向と平行
な方向にしても良く、また一軸異方性を持たない等方性
の膜を用いることができるが、容易軸と直角の方向に磁
場が印加されるように配置する方がより直線性の良い領
域が確保でき、更に等方性と異方性とでは後者の方がよ
り感度の優れるものが得られる。
【００２９】また本例においては磁界検出センサー４ａ
の磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m に対し、磁界検
出センサー４ｂの磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m
を（ｎ±１／４）λ（ｎは整数）磁気スケール１の長手
方向にずれる如く配設すると共に磁界検出センサー４ａ
の磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m に対し、磁界検
出センサー４ｃの磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m
を（ｎ±１／８）λ（ｎは整数）磁気スケール１の長手
方向にずれる如く配設する。
【００３０】またこの磁界検出センサー４ｃの磁気抵抗
効果素子３1 ，３2 ‥‥３m に対し、磁界検出センサー
４ｄの磁気抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m を（ｎ±１
／４）λ（ｎは整数）磁気スケール１の長手方向にずれ
る如く配設する。
【００３１】またこの磁界検出センサー４ａ及び４ｃの
夫々の一端に所定の正電圧Ｖ+ を供給すると共に磁界検
出センサー４ｂ及び４ｄの夫々の一端に所定の負電圧Ｖ
- を供給する。この場合本例においては磁界検出センサ
ー４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄには磁気スケール１の長手
方向と同方向の電流が流れる。
【００３２】また磁界検出センサー４ａ及び４ｂの夫々
の他端を互いに接続し、この接続点より一方の検出端子
Ｖout1を導出すると共に磁界検出センサー４ｃ及び４ｄ
の夫々の他端を互いに接続し、この接続点より他方の検
出端子Ｖout2を導出する。
【００３３】この場合この検出ヘッド２の等価回路は図
５に示す如くで、磁界検出センサー４ａ及び４ｂの直列
回路と磁界検出センサー４ｃ及び４ｄの直列回路とが並
列に接続され、検出端子Ｖout1及びＶout2は夫々磁界検
出センサー４ａと４ｂとの接続点及び４ｃと４ｄとの接
続点より導出したブリッジ構成である。また図２におい
て、７は検出ヘッド２に所定の動作電圧を供給すると共
に検出電圧信号を得るためのフレキシブルプリント配線
板である。
【００３４】本例によれば導体層３ａと磁性層３ｂとが
交互に積層されて成る人工格子膜構造の高感度の磁気抵
抗効果素子を磁気スケール１との相対的移動方向にλ／
２毎に複数個例えばｍ個を配設すると共にこの複数個の
磁気抵抗効果素子３1 ，３2‥‥３m を直列に接続して
１つの磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄとして
いるので、この磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄは磁気スケール１との相対的な角度変動が起きたり、
磁気スケール１の部分的な記録状態の変動、更には周囲
及び磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄの温度変
動があっても、この複数の磁気抵抗効果素子３1 ，３2
‥‥３m の検出信号が加算されるので精度的に悪化する
ことがない。
【００３５】また本例において、磁気スケール１に対
し、この検出ヘッド２を相対的に移動したときにはこの
磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄの夫々の抵
抗値の変化は図６Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに示す如くで、磁界
検出センサー４ａ及び４ｂと４ｃ及び４ｄとの夫々の抵
抗変化の位相差は夫々１８０度であり、検出端子Ｖout1
及びＶout2には図６Ｅ及びＦに示す如く、９０度位相差
の検出電圧信号が得られ、この検出電圧信号により磁気
スケール１と検出ヘッド２との相対的移動距離を測定す
ることができる。
【００３６】また本例によれば、検出ヘッド２を構成す
る之等４個の磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ及び４
ｄは磁気スケール１のスケール１ａが記録された長手方
向に対して、ほとんど同じ場所に配設されることになる
ので、その長手方向の機械的な変動とこの磁気スケール
１の曲がりや特性の不均一性、更には発熱に依る温度分
布の変動に対して、４個とも同じ変化とすることとなる
と共にこの４個の磁界検出センサー４ａ，４ｂ，４ｃ及
び４ｄの磁気スケール１の幅方向の寸法も、全部合わせ
ても例えば９５μｍと小さいので、この幅方向に対して
も機械的な変動に対して、之等４個が同じ変化をするこ
とになる。
【００３７】このように４個の磁界検出センサー４ａ，
４ｂ，４ｃ及び４ｄの全ての方向の機械的な変動及び磁
気スケールの曲がりや特性の不均一性及び温度変動に対
して同じ変化をもたせることができるので、９０度位相
差を有する出力信号の変化も同じにすることができるた
め、高精度、高分解能の位置検出ができる利益がある。
【００３８】上述実施例においては導体層３ａと磁性層
３ｂとが互いに積層されて成る人工格子膜構造の磁気抵
抗効果素子（以下ＧＭＲ素子という）３1 ，３2 ‥‥３
m にバイアス磁界を与えないで使用したが、このＧＭＲ
素子３1 ，３2 ‥‥３m に図４にバイアス点ｂ又はｃに
示す如くバイアス磁界Ｈｂ又は−Ｈｂを印加して動作さ
せるようにしても良い。このときは直線性の良い部分を
選定することができる。このＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥
３m にバイアス磁界を印加するのに図７に示す如く構成
する。
【００３９】この図７につき説明するに、この図７にお
いてはアルミ基板５上に例えばＳｉＯ2 の絶縁層５ａを
設け、この絶縁層５ａ上に磁性層例えばＣｏＦｅＮｉ磁
性合金例えばＦｅ18Ｃｏ10Ｎｉ72，Ｆｅ16Ｃｏ20Ｎｉ64
の層３ｂと導体層例えばＣｕ層３ａとから成る所定パタ
ーンの人工格子多層膜を例えばスパッタリング装置を使
用して作成する。
【００４０】この場合このＣｏＦｅＮｉ磁性合金の層３
ｂは１ｎｍ、Ｃｕ層３ａは２．２ｎｍの厚さで、それぞ
れ交互に２０層ずつの成膜とし、人工格子膜構成のＧＭ
Ｒ素子３を形成する。このＧＭＲ素子３上に例えばＳｉ
Ｏ2 の絶縁層５ｂを設け、このＧＭＲ素子３上にこの絶
縁層５ｂを介してＡｕ等の導体膜より成るバイアスパタ
ーン６を形成する。
【００４１】このバイアスパターン６上に例えばＳｉＯ
2 の絶縁層５ｃを介してレジスト等で保護膜１２を形成
する。この場合人工格子膜３ａ，３ｂ及びバイアスパタ
ーン６は夫々フォトリソグラフィ技術を利用し、そのパ
ターンを形成する。
【００４２】また、図７において、１３はＧＭＲ素子に
電圧を供給する引出導体であり、１４はバイアスパター
ン６に電流を供給する引出導体を示し、１５及び１６は
夫々電極である。この図７においてはバイアスパターン
６に所定のバイアス電流を流して、このバイアスパター
ン６の周囲に磁界を発生させ、この磁界をＧＭＲ素子３
にバイアス磁界として印加するものである。
【００４３】このバイアスパターン６により、磁界検出
センサーのＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m にバイアス磁
界を印加する方法として例えば図８Ｂ及びＣに示す如き
ものがある。この図８Ｂ及びＣは上述の作成工程により
信号を出力するようにパターニングした検出ヘッド２の
パターンを模式的に示したものであり、基板５、絶縁層
５ａ，５ｂ，５ｃ、保護膜１２及び電極１５，１６は省
略若しくは簡略化してある。また図には１つの出力分の
みを示している。
【００４４】図８Ｂは、上述と同様に形成した磁界検出
センサー４ｅ及び４ｆの夫々の複数のＧＭＲ素子３1 ，
３2 ‥‥３m のピッチＰを、Ｐ＝λｎ（ｎは０以外の整
数）とすると共に磁界検出センサー４ｆのＧＭＲ素子３
1 ，３2 ‥‥３m を磁界検出センサー４ｅのＧＭＲ素子
３1 ，３2 ‥‥３m に対して磁気スケール１（図８Ａ参
照）の長手方向にλ／２ずらして配設し、磁界検出セン
サー４ｅ及び４ｆの夫々のＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３
m に全て同じ方向に流れ所定のバイアス電流を供給し、
同じ方向のバイアス磁界を印加する。
【００４５】また磁界検出センサー４ｅの一端に正電圧
Ｖ+ を供給すると共に磁界検出センサー４ｆの一端に負
電圧Ｖ- を供給し、この磁界検出センサー４ｅ及び４ｆ
の夫々の他端を接続し、この接続点より出力端子Ｖout
を導出する。
【００４６】この磁界検出センサー４ｅ及び４ｆを磁気
スケール１に沿って相対的に移動したときには、この磁
界検出センサー４ｅ及び４ｆの抵抗値は図６Ａ及びＢに
示す如く変化し、出力端子Ｖout には図６Ｅに示す如き
出力信号が得られる。
【００４７】また図８Ｃは上述同様に形成した磁界検出
センサー４ｇ及び４ｈの夫々の複数のＧＭＲ素子３1 ，
３2 ‥‥３m のピッチＰをＰ＝（λ／２）ｎ（ｎは０以
外の整数）とすると共に磁界検出センサー４ｇ及び４ｈ
の夫々の複数のＧＭＲ素子３ 1 ，３2 ‥‥３m の位相を
等しくし、磁界検出センサー４ｇ及び４ｈの夫々の複数
のＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m にバイアス電流ｉを１
つおきに反対方向に流れるようにすると共に磁界検出セ
ンサー４ｇと４ｈとのＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m に
は互いに逆方向のバイアス磁界を印加する如くする。
【００４８】また磁界検出センサー４ｇの一端に正電圧
Ｖ+ を供給すると共に磁界検出センサー４ｈの一端に負
電圧Ｖ- を供給し、この磁界検出センサー４ｇ及び４ｈ
の夫々の他端を接続し、この接続点より出力端子Ｖout
を導出する。
【００４９】この磁界検出センサー４ｇ及び４ｈを磁気
スケール１に沿って相対的に移動したときは、この磁界
検出センサー４ｇ及び４ｈの抵抗値は図６Ａ及びＢに示
す如く変化し、出力端子Ｖout には図６Ｅに示す如き出
力信号が得られる。
【００５０】また、図８Ｃの磁界検出センサー４ｇ，４
ｈについては、ＧＭＲ素子をｎλ（ｎは０以外の整数）
毎に位相を等しく配置し、磁界検出センサー４ｇを構成
するＧＭＲ素子に対しバイアス磁界を例えば下から上に
印加し、磁界検出センサー４ｈを構成するＧＭＲ素子に
は、この磁界検出センサー４ｇとは逆方向（この例では
図の上から下に）のバイアス磁界を印加するよう構成し
てもよい。
【００５１】またこの磁界検出センサー４ｇ及び４ｈの
ＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m に互いに逆方向のバイア
ス磁界Ｈｂ及び−Ｈｂを印加するときに図９に示す如く
しても良い。この図９につき説明するにアルミ基板５上
に例えばＳｉＯ2 の絶縁層１１ａを設ける。
【００５２】この絶縁層１１ａ上に磁性層例えばＣｏＦ
ｅＮｉ磁性合金例えばＦｅ18Ｃｏ10Ｎｉ72，Ｆｅ16Ｃｏ
20Ｎｉ64の層３ｂと導体層例えばＣｕ層３ａとから成る
所定パターンの人工格子多層膜を例えばスパッタリング
装置を使用して作成する。
【００５３】この場合このＣｏＦｅＮｉ磁性合金の層３
ｂは１ｎｍ、Ｃｕ層３ａは２．２ｎｍの厚さで、それぞ
れ交互に２０層ずつの成膜とし、人工格子膜構成の磁気
抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）３を形成する。
【００５４】このＧＭＲ素子３上に例えばＳｉＯ2 の絶
縁層１１ｂを設け、この絶縁層１１ｂ上にこのＧＭＲ素
子３と重なって積層する如く例えばＡｕによりバイアス
パターン６を形成する。
【００５５】このバイアスパターン６上に図９に示す如
く、例えばＳｉＯ2 の絶縁層１１ｃを設け、この絶縁層
１１ｃ上にこのバイアスパターン６と重なって積層する
如く、磁性層例えばＣｏＦｅＮｉ磁性合金層３ｂと導体
層例えばＣｕ層３ａとから成る人工格子多層膜をスパッ
タリング装置を使用して作成する。
【００５６】この場合このＣｏＦｅＮｉ磁性合金の層３
ｂは１ｎｍ、Ｃｕ層３ａは２．２ｎｍの厚さで、それぞ
れ交互に２０層ずつの成膜とし、人工格子膜構成のＧＭ
Ｒ素子３を形成する。このＧＭＲ素子３上に図１に示す
如くレジスト等で保護膜１２を被着する。
【００５７】この人工格子膜３ａ，３ｂ及びバイアスパ
ターン６はフォトリソグラフィ技術を利用し、所定大き
さのパターンを形成する。また、図９において、１７及
び１９は夫々ＧＭＲ素子３及び３に電圧を供給する引出
導体、１８はバイアスパターン６に電流を供給する引出
導体を示す。
【００５８】斯る図９においてバイアスパターン６に図
示の如く電流を流したときはこのバイアスパターン６の
周囲に矢印で示す方向の磁界が生じ、このバイアスパタ
ーン６の下及び上にあるＧＭＲ素子３及び３には夫々同
じ大きさの逆方向のバイアス磁界Ｈｂ及び−Ｈｂを印加
することとなる。
【００５９】従ってこのＧＭＲ素子３及び３は夫々例え
ば図４の点ｂ及びこれに対称な点ｃを夫々バイアス点と
して動作することとなり、この図４に示す如く外部磁界
の変化に対して１８０度位相の逆転した抵抗変化をす
る。
【００６０】またこの場合ＧＭＲ素子３及び３の上下方
向の間隔は１μｍ以下であり、磁気スケール１の記録波
長に比し無視できる程度のものである。
【００６１】本例においては検出ヘッド２として図１０
に示す如く磁界検出センサー４ｇの夫々のＧＭＲ素子３
1 ，３2 ‥‥３m と磁界検出センサー４ｈの夫々のＧＭ
Ｒ素子３1 ，３2 ‥‥３m との間に図９に示す如く夫々
絶縁層を介して互いに重なって積層する如くバイアスパ
ターン６を設け、これに平行に上述同様に形成した磁界
検出センサー４ｉの夫々のＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３
m と上述同様に形成した磁界検出センサー４ｊの夫々の
ＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m との間に図９に示す如く
夫々絶縁層を介して互いに重なって積層する如くバイア
スパターン６を設ける。
【００６２】この場合、磁界検出センサー４ｇ，４ｈ，
４ｉ及び４ｊの夫々のＧＭＲ素子３ 1 ，３2 ‥‥３m は
磁気スケール１の長手方向に沿って配設されると共にそ
のＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m のピッチＰをＰ＝（λ
／２）ｎ（ｎは０以外の整数）とする。
【００６３】この磁界検出センサー４ｇ及び４ｈのＧＭ
Ｒ素子３1 ，３2 ‥‥３m を同相とすると共に磁界検出
センサー４ｉ及び４ｊのＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m
を同相とし、磁界検出センサー４ｇ及び４ｈのＧＭＲ素
子３1 ，３2 ‥‥３m と磁界検出センサー４ｉ及び４ｊ
のＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m とを磁気スケール１の
長手方向に（ｎ±１／４）λ（ｎは整数）ずらす如くす
る。
【００６４】またこの磁界検出センサー４ｇ及び４ｉの
夫々の一端に所定の正電圧Ｖ+ を供給すると共に磁界検
出センサー４ｈ及び４ｊの夫々の一端に所定の負電圧Ｖ
- を供給し、この磁界検出センサー４ｇ及び４ｈの夫々
の他端を互いに接続し、この接続点より一方の検出端子
Ｖout1を導出すると共に磁界検出センサー４ｉ及び４ｊ
の夫々の他端を互いに接続し、この接続点より他方の検
出端子Ｖout2を導出する。
【００６５】本例においてはこのバイアスパターン６に
所定の電流を流し、磁界検出センサー４ｇ及び４ｉの夫
々のＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m に図４に示す如きバ
イアス磁界Ｈｂを印加し、バイアス点ｂを中心に動作す
るようにすると共に磁界検出センサー４ｈ及び４ｊの夫
々のＧＭＲ素子３1 ，３2 ‥‥３m に図４に示す如くバ
イアス磁界Ｈｂとは同じ大きさで逆方向のバイアス磁界
−Ｈｂを印加し、バイアス点ｂとは対称なバイアス点ｃ
を中心に動作する如くする。
【００６６】この検出ヘッド２の等価回路は図５と同様
に磁界検出センサー４ｇ及び４ｈの直列回路と磁界検出
センサー４ｉ及び４ｊの直列回路とが並列に接続され、
検出端子Ｖout1及びＶout2が夫々磁界検出センサー４ｇ
と４ｈとの接続点及び４ｉと４ｊとの接続点より導出さ
れたブリッジ構成である。
【００６７】本例において、磁気スケール１に対し、検
出ヘッド２を相対的に移動したときには、磁界検出セン
サー４ｇ，４ｈ，４ｉ及び４ｊの夫々の抵抗値の変化は
図６Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤに示す如くで、磁界検出センサー
４ｇ及び４ｈと４ｉ及び４ｊとの夫々の抵抗変化の位相
差は夫々１８０度であり、検出端子Ｖout1及びＶout2に
は図６Ｅ及びＦに示す如く、９０度位相差の検出電圧信
号が得られ、この検出電圧信号により磁気スケール１と
検出ヘッド２との相対的移動距離を測定することができ
る。
【００６８】本例によれば上述実施例と同様の作用効果
が得られることは容易に理解できよう。また本例におい
ては磁界検出センサー４ｇと４ｈ及び４ｉと４ｊとを夫
々重ねる如く配設するので検出ヘッド２の必要とする面
積を図１例に比し約半分にすることができ、検出ヘッド
２及び磁気スケール１のトラック幅を小型にすることが
できる。
【００６９】また、図１１は本発明をロータリーエンコ
ーダに適用した例を示す。この図１１において、２１は
ローターを示し、このローター２１の外周に磁気記録媒
体２２を設け、この磁気記録媒体２２に所定波長λでス
ケールを磁気記録する如くする。このローター２１の外
周の磁気記録媒体２２に対向して検出ヘッド２を配する
如くする。
【００７０】この検出ヘッド２としては図１又は図１０
に示す如く構成する。この場合図１又は図１０で述べた
と同様の作用効果が得られると共にローター２１に対し
磁界検出センサー４ａ〜４ｃ又は４ｇ〜４ｊを略々同一
の位置に配設することができるので、高精度な検出信号
を得ることができるロータリーエンコーダを構成でき
る。
【００７１】尚上述実施例においては磁気スケール１の
長手方向に沿って同一方向に磁界検出センサー４ａ，４
ｂ‥‥４ｊを検出ヘッド２に配設する如く述べたが、こ
の磁界検出センサー４ａ，４ｂ‥‥４ｊを磁気スケール
１のトラックの幅内において長手方向に所定角θ傾け
て、配設するようにしても良い。
【００７２】このときは磁界検出センサー４ａ，４ｂ‥
‥４ｊは磁気スケール１のトラック方向の変動に対し
て、等しく影響を受けることになるので、上述同様に高
精度な検出信号を得ることができる。また、本発明は上
述実施例に限ることなく本発明の要旨を逸脱することな
く、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。
【００７３】
【発明の効果】本発明によれば導体層と磁性層とが交互
に積層されて成る人工格子膜構造の高感度の磁気抵抗効
果素子を磁気記録媒体との相対的移動方向に所定間隔毎
に複数個例えばｍ個を配設すると共にこの複数個の磁気
抵抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３ m を直列に接続して１つ
の磁気可変抵抗体としているので、この磁気可変抵抗体
は磁気記録媒体との相対的な角度変動が起きたり、磁気
記録媒体の部分的な記録状態の変動、更には周囲及びこ
の磁気可変抵抗体の温度変動があっても、複数の磁気抵
抗効果素子３1 ，３2 ‥‥３m の検出信号が加算される
ので、精度的に悪化することがない利益がある。
【００７４】また磁気可変抵抗体４ａ，４ｂ，４ｃ及び
４ｄは磁気記録媒体の磁気情報１ａが記録された長手方
向に対して、ほとんど同じ場所に配設されることになる
ので、その長手方向の機械的な変動とこの磁気記録媒体
１の曲がりや特性の不均一性、更には発熱に依る温度分
布の変動に対して例えば４個とも同じ変化とすることと
なると共にこの例えば４個の磁気可変抵抗体４ａ，４
ｂ，４ｃ及び４ｄの磁気記録媒体１の幅方向の寸法も、
全部合わせても例えば９５μｍと小さいので、この幅方
向に対しても機械的な変動に対して、之等４個が同じ変
化をすることになる。
【００７５】このように例えば４個の磁気可変抵抗体４
ａ，４ｂ，４ｃ及び４ｄの全ての方向の機械的な変動及
び磁気記録媒体の曲がりや特性の不均一性及び温度変動
に対して同じ変化をもたせることができるので、９０度
位相差を有する出力信号の変化も同じにすることができ
るため、高精度、高分解能の位置検出ができる利益があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明位置検出装置の一実施例を示す構成図で
ある。
【図２】位置検出装置の例を示す一部切欠斜視図であ
る。
【図３】磁界検出センサーの例を示す一部切欠斜視図で
ある。
【図４】本発明の説明に供する線図である。
【図５】検出ヘッドの例の等価回路を示す結線図であ
る。
【図６】本発明の説明に供する線図である。
【図７】本発明の他の例の検出ヘッドの要部の例を示す
断面図である。
【図８】本発明の検出ヘッドの他の例の説明に供する構
成図である。
【図９】本発明の他の例の検出ヘッドの要部の例を示す
断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図１１】位置検出装置の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 磁気スケール ２ 検出ヘッド ３，３1 ，３2 ‥‥３m 磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素
子） ４，４ａ，４ｂ‥‥４ｊ 磁界検出センサー（磁気可変
抵抗体） ６ バイアスパターン １０ 接続用導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−206540（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−3515（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−269014（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01D 5/00 - 5/62 G01B 7/00 - 7/34 G01P 1/00 - 3/80 G01R 33/00 - 33/26

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気情報が記録された磁気記録媒体と、
    該磁気記録媒体に対し、相対的に移動し、前記磁気情報
    を検出する磁気検出手段とを有する位置検出装置におい
    て、 前記磁気検出手段に導体層と磁性層とが交互に積層され
    て成る人工格子膜構造の磁気抵抗効果素子を複数個用
    い、前記複数個の磁気抵抗効果素子を前記相対的移動方
    向に所定の間隔を離して配設すると共に前記複数個の磁
    気抵抗効果素子を直列に接続して１つの磁気可変抵抗体
    として機能する如くし、前記複数個の磁気抵抗効果素子
    に流れる電流の方向と前記磁気記録媒体に記録された磁
    気情報の記録長手方向とが直角以外の角度を有すること
    を特徴とする位置検出装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の位置検出装置において、
    前記磁気検出手段に複数の前記磁気可変抵抗体を前記複
    数の磁気可変抵抗体の夫々の前記人工格子膜構造の磁気
    抵抗効果素子が相対的移動方向に対して所定の位相差に
    対応して互いにずらして平行に配設したことを特徴とす
    る位置検出装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の位置検出装置にお
    いて、前記磁気抵抗効果素子の上又は下に絶縁層を介し
    てバイアスパターンを設け、前記バイアスパターンに所
    定の電流を流して前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
    を供給するようにしたことを特徴とする位置検出装置。
  4. 【請求項４】 請求項１又は２記載の位置検出装置にお
    いて、それぞれ絶縁層を介して順番に第１の磁気抵抗効
    果素子、バイアスパターン及び第２の磁気抵抗効果素子
    を設け、前記バイアスパターンに所定の電流を流し、前
    記第１及び第２の磁気抵抗効果素子に互いに逆方向のバ
    イアス磁界を供給するようにしたことを特徴とする位置
    検出装置。
JP26054894A 1994-10-25 1994-10-25 位置検出装置 Expired - Fee Related JP3367230B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26054894A JP3367230B2 (ja) 1994-10-25 1994-10-25 位置検出装置
US08/843,788 US5909115A (en) 1994-10-25 1997-04-21 Position detecting apparatus employing magnetoresistance effect elements connected in series

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26054894A JP3367230B2 (ja) 1994-10-25 1994-10-25 位置検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08122095A JPH08122095A (ja) 1996-05-17
JP3367230B2 true JP3367230B2 (ja) 2003-01-14

Family

ID=17349493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26054894A Expired - Fee Related JP3367230B2 (ja) 1994-10-25 1994-10-25 位置検出装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5909115A (ja)
JP (1) JP3367230B2 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6201466B1 (en) * 2000-03-29 2001-03-13 Delphi Technologies, Inc. Magnetoresistor array
US6384579B2 (en) 2000-06-27 2002-05-07 Origin Electric Company, Limited Capacitor charging method and charging apparatus
US6600308B2 (en) * 2001-02-05 2003-07-29 Pentax Corporation Magnetic encoder and method for reducing harmonic distortion thereof
JP4105147B2 (ja) * 2004-12-06 2008-06-25 Ｔｄｋ株式会社 電流センサ
JP2006226764A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Shicoh Eng Co Ltd 位置検出装置
JP4820182B2 (ja) * 2006-02-14 2011-11-24 アルプス電気株式会社 磁気エンコーダ
JP4874781B2 (ja) * 2006-12-20 2012-02-15 アルプス電気株式会社 磁気センサ及びそれを用いた磁気エンコーダ
WO2008143347A1 (ja) * 2007-05-24 2008-11-27 Alps Electric Co., Ltd. Ｇｍｒセンサ
US7812596B2 (en) * 2007-08-16 2010-10-12 Honeywell International Inc. Two-dimensional position sensing system
JP5046850B2 (ja) * 2007-10-22 2012-10-10 株式会社森精機製作所 位置検出装置、及び、バイアス磁界発生装置
WO2009054391A1 (ja) * 2007-10-26 2009-04-30 Alps Electric Co., Ltd. 磁気エンコーダ
DE202009003253U1 (de) * 2009-02-27 2010-07-22 Balluff Gmbh Kodierter Maßkörper und Positions-/Wegmesssystem
DE102009028093A1 (de) 2009-07-29 2011-02-10 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Sensorelements
JP5780744B2 (ja) * 2010-12-03 2015-09-16 日本電産サンキョー株式会社 ロータリエンコーダ
JP5532166B1 (ja) 2013-03-29 2014-06-25 Ｔｄｋ株式会社 磁気センサおよび磁気センサシステム
JP5843079B2 (ja) 2013-03-29 2016-01-13 Tdk株式会社 磁気センサおよび磁気センサシステム
US9733317B2 (en) * 2014-03-10 2017-08-15 Dmg Mori Seiki Co., Ltd. Position detecting device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58158017A (ja) * 1982-03-15 1983-09-20 Hitachi Ltd 磁気ヘツド
JPS5979806A (ja) * 1982-10-29 1984-05-09 Hitachi Ltd 多相磁気回転センサおよび多相−２相出力変換方法
JPH04290979A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Hitachi Ltd 磁気センサ、磁気センサを持つ位置検出装置および磁気センサを利用したトルク検出装置、モータ制御装置、あるいはこのトルク検出装置を有する電動パワーステアリング装置
JP2924236B2 (ja) * 1991-03-20 1999-07-26 ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社 磁気センサおよび位置検出装置
JP3173531B2 (ja) * 1992-09-18 2001-06-04 ソニー株式会社 位置検出方法
US5301079A (en) * 1992-11-17 1994-04-05 International Business Machines Corporation Current biased magnetoresistive spin valve sensor
US5422571A (en) * 1993-02-08 1995-06-06 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer
EP0620416B1 (de) * 1993-04-10 1997-01-02 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Magnetisches Messsystem
JP2860233B2 (ja) * 1993-09-09 1999-02-24 株式会社日立製作所 巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生装置
US5500590A (en) * 1994-07-20 1996-03-19 Honeywell Inc. Apparatus for sensing magnetic fields using a coupled film magnetoresistive transducer

Also Published As

Publication number Publication date
US5909115A (en) 1999-06-01
JPH08122095A (ja) 1996-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3367230B2 (ja) 位置検出装置
US6175296B1 (en) Potentiometer provided with giant magnetoresistive effect elements
JP4105142B2 (ja) 電流センサ
US4603365A (en) Magnetic detection apparatus
US6107793A (en) Magnetic sensing device unaffected by positioning error of magnetic field sensing elements
JP4944292B2 (ja) 位置依存振幅符号化を有する位置検出器
JP4259937B2 (ja) 角度検出センサ
JPS601514A (ja) 変位量検出器
JPH04291101A (ja) 磁気センサおよび位置検出装置
JP2819507B2 (ja) 磁気的測定システム
Dibbern Magnetic field sensors using the magnetoresistive effect
JPH06130088A (ja) 電流センサ
KR100658859B1 (ko) 자기 검출 장치
JPH08212522A (ja) 関連する磁気トラック上のマークを読みとるための磁気エンコーダ
KR20140061289A (ko) 인코더
JPH0151127B2 (ja)
US11408756B2 (en) Magnetic position measuring device
JP2005069744A (ja) 磁気検出素子
JP3004926B2 (ja) 磁気エンコーダ
JPH0882532A (ja) 磁界検出ヘッド及び位置検出装置
JP5959686B1 (ja) 磁気検出装置
JPH0868661A (ja) 位置検出装置
JPH08184463A (ja) 磁気情報検出装置
JPH09113590A (ja) 磁気センサー
JP3033111B2 (ja) 磁気センサ

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350