JP2015500992A - 磁界検知装置及び方法 - Google Patents
磁界検知装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015500992A JP2015500992A JP2014545872A JP2014545872A JP2015500992A JP 2015500992 A JP2015500992 A JP 2015500992A JP 2014545872 A JP2014545872 A JP 2014545872A JP 2014545872 A JP2014545872 A JP 2014545872A JP 2015500992 A JP2015500992 A JP 2015500992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- elements
- magnetoresistor
- magnetic flux
- concentrating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0011—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables comprising means, e.g. flux concentrators, flux guides, for guiding or concentrating the magnetic flux, e.g. to the magnetic sensor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、
第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、
第2の接続要素であって、各第2の接続要素が前記2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、
磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、
を備える、磁気検知コンポーネント。 - 前記磁気検知構造が巨大磁気抵抗(GMR)構造である、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。
- 前記磁気検知構造がスピンバルブ構造である、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。
- 前記磁気検知構造が磁気トンネル接合(MJT)構造である、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。
- 各磁束集中構造の幅が前記磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択される、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。
- 各磁束集中構造の厚さが前記磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択される、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。
- 各1つの磁束集中構造と前記1つの磁束集中構造に隣接する前記2つのライン要素の各1つとの間の間隔が、前記磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択される、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。
- 各1つの磁束集中構造が、前記1つの磁束集中構造に隣接する前記2つのライン要素の各1つからずれている、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。
- 多数の磁気検知構造をライン要素として磁気検知構造のアレイに堆積することと、
隣接するライン要素の第1及び第2の端部を接続するようにコンダクタ要素をパターニングして堆積することであって、前記接続する要素が実質的に蛇行形状の構造を形成するために前記隣接するライン要素の前記第1及び第2の端部を接続する、ことと、
前記磁気検知構造間の分離を与えるように誘電層を堆積することと、
前記誘電層に堆積バイアをパターニングしエッチングすることと、
多数の磁束集中器構造をパターニングし堆積することであって、1つの磁束集中器構造が各2つの隣接するライン要素間に堆積されている、ことと、
を備える、磁気検知コンポーネントを製造するための方法。 - カプセル化層を堆積することと、
前記カプセル化層にバイアをパターニングしエッチングすることと、
前記磁界検知構造に対する外部接続を可能とするためにボンドパッドを堆積することと、
を更に備える、請求項9に記載の方法。 - 静電放電保護バイアをパターニングしエッチングすることと、
前記静電放電保護バイアに動作可能に接続された少なくとも1つの分路抵抗器をパターニングしエッチングすることと、
を更に備える、請求項9に記載の方法。 - 2つの基準抵抗器要素と、
2つの磁気抵抗器要素であって、各々の磁気抵抗器要素が、
ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、
第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、
第2の接続要素であって、各第2の接続要素が前記2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、
磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、
を有する、磁気抵抗器要素と、
磁気集中/遮蔽構造と、を備え、
前記磁気集中/遮蔽構造が、外部磁界から前記2つの基準抵抗器要素を実質的に遮蔽するために前記2つの基準抵抗器要素の上に配置され、前記2つの磁気抵抗器要素が、前記磁束集中/遮蔽構造の一部分と前記磁束集中/遮蔽構造の別の部分との間に配置され、各磁気抵抗器要素における前記磁束集中構造のアレイからの前記磁気集中構造のいくつかが前記磁気集中/遮蔽構造の前記一部分に動作可能に接続され、各磁気抵抗器要素における前記磁束集中構造のアレイからの前記磁気集中構造の他のいくつかが前記磁気集中/遮蔽構造の前記別の部分に動作可能に接続されている、
センサ。 - 前記2つの基準抵抗器要素及び前記2つの磁気抵抗器要素が接続されたホイートストンブリッジ構成を形成し、前記ホイートストンブリッジのアームの各々が1つの基準抵抗器及び1つの磁気抵抗器要素を備え、前記ホイートストンブリッジの出力が、前記ホイートストンブリッジの各アームにおける前記基準抵抗器要素及び前記磁気抵抗器要素の接続点間における電圧によって与えられる、請求項12に記載のセンサ。
- 前記2つの基準抵抗器要素が2つの他の磁気抵抗器要素である、請求項12に記載のセンサ。
- 前記磁束集中/遮蔽構造が複数の開口を有し、前記複数の開口からのいずれの開口の位置も、下に前記2つの基準抵抗器要素の一方が配置されている前記磁束集中/遮蔽構造の領域内の位置ではない、請求項12に記載のセンサ。
- 前記磁束集中/遮蔽構造が2つのセクションを備え、第1のセクションが第1の基準抵抗器の上に配置され、第2のセクションが第2の基準抵抗器の上に配置され、前記2つの磁気抵抗器要素が前記第1のセクションと前記第2のセクションとの間に配置されている、請求項12に記載のセンサ。
- 前記ライン要素に実質的に垂直なラインに実質的に平行な方向における前記集中/遮蔽構造の寸法が幅と称され、前記磁気抵抗器要素に近い前記第1のセクションの幅が前記磁気抵抗器要素から遠い前記第1のセクションの幅よりも小さく、前記磁気抵抗器要素に近い前記第2のセクションの幅が前記磁気抵抗器要素から遠い前記第2のセクションの幅よりも小さい、請求項16に記載のセンサ。
- 前記磁気集中/遮蔽構造が6個のセクションを備え、第1のセクションが第1の基準抵抗器の上に配置され、第2のセクションと第3のセクションとの間に第1の磁気抵抗器要素が配置され、第4のセクションが第2の基準抵抗器の上に配置され、第5のセクションと第6のセクションとの間に第2の磁気抵抗器要素が配置されている、請求項12に記載のセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161566895P | 2011-12-05 | 2011-12-05 | |
US61/566,895 | 2011-12-05 | ||
PCT/US2011/065533 WO2013085547A1 (en) | 2011-12-05 | 2011-12-16 | Magnetic field sensing apparatus and methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015500992A true JP2015500992A (ja) | 2015-01-08 |
JP5937227B2 JP5937227B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=45562425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014545872A Expired - Fee Related JP5937227B2 (ja) | 2011-12-05 | 2011-12-16 | 磁界検知装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9470764B2 (ja) |
EP (1) | EP2788780A1 (ja) |
JP (1) | JP5937227B2 (ja) |
WO (1) | WO2013085547A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130287508A1 (en) | 2012-04-25 | 2013-10-31 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Magnetic drill press |
CN104303066B (zh) | 2013-03-26 | 2016-12-21 | 旭化成微电子株式会社 | 磁传感器及其磁检测方法 |
CN103323794B (zh) * | 2013-06-21 | 2015-07-15 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种采用平面微线圈的gmr-mems集成弱磁传感器 |
DE102013107821A1 (de) * | 2013-07-22 | 2015-01-22 | Sensitec Gmbh | Mehrkomponenten-Magnetfeldsensor |
CN103412269B (zh) * | 2013-07-30 | 2016-01-20 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片推挽桥式磁场传感器 |
US20160250481A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Biotronik Se & Co. Kg | Magnetic field sensor arrangement |
CN104880682B (zh) * | 2015-06-09 | 2018-01-26 | 江苏多维科技有限公司 | 一种交叉指状y轴磁电阻传感器 |
CN105093139B (zh) * | 2015-06-09 | 2017-11-24 | 江苏多维科技有限公司 | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 |
CN105259518A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-01-20 | 江苏多维科技有限公司 | 一种高灵敏度单芯片推挽式tmr磁场传感器 |
TWI613458B (zh) * | 2015-11-27 | 2018-02-01 | 愛盛科技股份有限公司 | 磁場感測裝置及其感測方法 |
CN106872914B (zh) | 2015-11-27 | 2019-09-10 | 爱盛科技股份有限公司 | 磁场感测装置及感测方法 |
EP3411173B1 (en) | 2016-02-01 | 2022-11-16 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Holding force detection for magnetic drill press |
CH712525A1 (de) * | 2016-06-06 | 2017-12-15 | Melexis Tech Sa | Magnetfeldsensor mit integrierten Magnetfeldkonzentratoren. |
JP6764957B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-10-07 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | エレクトロニクス装置及び端末 |
US10782154B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Tilted segmented anisotropic magneto-resistive angular sensor |
US10921373B2 (en) * | 2017-11-29 | 2021-02-16 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor able to identify an error condition |
US11307055B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-04-19 | Analog Devices International Unlimited Company | Sensor with magnetic shield |
JP2023119633A (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-29 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122794A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-05-12 | Commiss Energ Atom | 反復幾何パターンを有する磁気抵抗構成要素およびトランスデューサ |
US20040137275A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-07-15 | Nve Corporation | Two-axis magnetic field sensor |
WO2008146809A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Mitsubishi Electric Corporation | 磁界検出装置 |
US20080309331A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Zhenghong Qian | Giant magnetoresistive resistor and sensor apparatus and method |
JP2009162540A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2010135391A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2010091846A2 (de) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | Sensitec Gmbh | Anordnung zur messung mindestens einer komponente eines magnetfeldes |
WO2010122919A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサ |
JP2011501153A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | ブリッジにおけるgmrセンサの整合 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5583725A (en) | 1994-06-15 | 1996-12-10 | International Business Machines Corporation | Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor |
FR2729790A1 (fr) | 1995-01-24 | 1996-07-26 | Commissariat Energie Atomique | Magnetoresistance geante, procede de fabrication et application a un capteur magnetique |
US5650958A (en) | 1996-03-18 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response |
FR2752302B1 (fr) | 1996-08-08 | 1998-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique a pont de magnetoresistances |
US5729410A (en) | 1996-11-27 | 1998-03-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing |
US5920446A (en) | 1998-01-06 | 1999-07-06 | International Business Machines Corporation | Ultra high density GMR sensor |
DE19836567C2 (de) | 1998-08-12 | 2000-12-07 | Siemens Ag | Speicherzellenanordnung mit Speicherelementen mit magnetoresistivem Effekt und Verfahren zu deren Herstellung |
US6252796B1 (en) | 1998-08-14 | 2001-06-26 | U.S. Philips Corporation | Device comprising a first and a second ferromagnetic layer separated by a non-magnetic spacer layer |
EP1046048A1 (en) | 1998-08-14 | 2000-10-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic field sensor comprising a spin tunneling junction element |
DE60037790T2 (de) * | 1999-06-18 | 2009-01-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetisches messsystem mit irreversibler charakteristik, sowie methode zur erzeugung, reparatur und verwendung eines solchen systems |
US6633462B2 (en) * | 2000-07-13 | 2003-10-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetoresistive angle sensor having several sensing elements |
US6961225B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-11-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistance sensor having an antiferromagnetic pinning layer with both surfaces pinning ferromagnetic bias layers |
GB0617989D0 (en) * | 2006-09-13 | 2006-10-18 | Denne Phillip R M | Improvements in electrical machines |
US8289662B2 (en) * | 2008-05-20 | 2012-10-16 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction resistor for high resistance devices and systems using the same |
US7956604B2 (en) * | 2008-07-09 | 2011-06-07 | Infineon Technologies, Ag | Integrated sensor and magnetic field concentrator devices |
US8283920B2 (en) * | 2008-07-10 | 2012-10-09 | Honeywell International Inc. | Thin film magnetic field sensor |
DE102008041859A1 (de) | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensoranordnung zur Messung von räumlichen Komponenten eines magnetischen Feldes |
-
2011
- 2011-12-16 EP EP11815741.1A patent/EP2788780A1/en not_active Withdrawn
- 2011-12-16 JP JP2014545872A patent/JP5937227B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-16 WO PCT/US2011/065533 patent/WO2013085547A1/en active Application Filing
- 2011-12-16 US US13/328,635 patent/US9470764B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122794A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-05-12 | Commiss Energ Atom | 反復幾何パターンを有する磁気抵抗構成要素およびトランスデューサ |
US20040137275A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-07-15 | Nve Corporation | Two-axis magnetic field sensor |
WO2008146809A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Mitsubishi Electric Corporation | 磁界検出装置 |
US20080309331A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Zhenghong Qian | Giant magnetoresistive resistor and sensor apparatus and method |
JP2011501153A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | ブリッジにおけるgmrセンサの整合 |
JP2009162540A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2010135391A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2010091846A2 (de) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | Sensitec Gmbh | Anordnung zur messung mindestens einer komponente eines magnetfeldes |
WO2010122919A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5937227B2 (ja) | 2016-06-22 |
US20130141090A1 (en) | 2013-06-06 |
US9470764B2 (en) | 2016-10-18 |
WO2013085547A1 (en) | 2013-06-13 |
EP2788780A1 (en) | 2014-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5937227B2 (ja) | 磁界検知装置及び方法 | |
US9341684B2 (en) | Magnetic field sensing apparatus and methods | |
JP6474833B2 (ja) | モノリシック三軸リニア磁気センサ及びその製造方法 | |
EP3092505B1 (en) | Magnetoresistance element with an improved seed layer to promote an improved response to magnetic fields | |
EP2752675B1 (en) | Mtj three-axis magnetic field sensor and encapsulation method thereof | |
US8373536B2 (en) | Integrated lateral short circuit for a beneficial modification of current distribution structure for xMR magnetoresistive sensors | |
CN102590768B (zh) | 一种磁电阻磁场梯度传感器 | |
US9733316B2 (en) | Triaxial magnetic field sensor | |
WO2015144073A1 (zh) | 一种单芯片三轴磁场传感器及其制备方法 | |
CN103543417B (zh) | 集成多层磁阻传感器及其制造方法 | |
CN103645449B (zh) | 一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器 | |
EP2682773A1 (en) | Separately packaged bridge magnetic-field angle sensor | |
JP2014512003A (ja) | シングルチッププッシュプルブリッジ型磁界センサ | |
JP2004533120A (ja) | 第2の磁気素子に対して第1の磁気素子の磁化軸を配向する方法、センサを実現するための半製品、および、磁界を測定するためのセンサ | |
JP2014515470A (ja) | シングルチップ2軸ブリッジ型磁界センサ | |
CN109844552B (zh) | 三轴磁传感器 | |
CN203811786U (zh) | 一种单芯片三轴磁场传感器 | |
JP2009216390A (ja) | 3軸磁気センシング装置およびその製造方法 | |
CN104900801A (zh) | 一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻(amr)传感器 | |
JP6484940B2 (ja) | 磁気抵抗素子、磁気センサ及び電流センサ | |
CN202794487U (zh) | 一种磁电阻磁场梯度传感器 | |
JP2019086290A (ja) | 磁気センサ | |
WO2004013646A1 (en) | Integrated magnetic signal isolator with feedback | |
JPH11112054A (ja) | 磁気センサー及びこの磁気センサーを使用した装置 | |
JP6594806B2 (ja) | 磁気センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141022 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5937227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |