JPH07122794A - 反復幾何パターンを有する磁気抵抗構成要素およびトランスデューサ - Google Patents

反復幾何パターンを有する磁気抵抗構成要素およびトランスデューサ

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JPH07122794A
JPH07122794A JP6210073A JP21007394A JPH07122794A JP H07122794 A JPH07122794 A JP H07122794A JP 6210073 A JP6210073 A JP 6210073A JP 21007394 A JP21007394 A JP 21007394A JP H07122794 A JPH07122794 A JP H07122794A
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magnetoresistive
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cross
strip
magnetic
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JP6210073A
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Mouchot Jean
ジヤン・ムシヨ
Fedeli Jean-Marc
ジヤン−マルク・フエデリ
Vieux-Rochaz Line
リーヌ・ビユ−ロシヤズ
Vaudaine Marie-Helene
マリー−エレーヌ・ボーデーヌ
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反復幾何パターンを有する磁気抵抗構成要素
およびトランスデューサを提供する。 【構成】 磁気抵抗構成要素は、減磁磁界を低減できる
ようにする少なくとも１組の実質的に平行な断面（７
ａ、７ｂ）を有するように、反復幾何パターン（７ａ、
７ｂ）に従って湾曲された多層タイプ磁気抵抗ストリッ
プを有する。磁気抵抗ストリップ（２）は、非磁気金属
材料層（１５）によって分離された磁気金属材料層（１
４）の積重ね（１３）から形成される。本発明による構
成要素は、磁気の形で記録された情報を読み取り、ある
いは弱い磁界を検出するために使用すべきトランスデュ
ーサに応用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反復幾何パターンを有
する磁気抵抗構成要素と、前記構成要素を使用する磁気
抵抗トランスデューサとに関する。さらに詳細には、こ
のトランスデューサはハード・ディスク、テープ、フロ
ッピィ・ディスク、チケット、カードなどのランダム・
サポート上に磁気の形で記録された情報を読み取り、あ
るいは該ランダム・サポート上に磁気の形で情報を書き
込むためのヘッドを生産するためのものである。
【０００２】このトランスデューサは、地球地場などの
弱い磁界と、金属システム中の亀裂の存在に関連する弱
い磁界の漏れとを検出してそれらの位置を決定するため
に使用することもできる。
【０００３】
【従来の技術】磁気抵抗構成要素は一般に、小さな磁気
抵抗棒の形をしており、棒中に電流を流すためにその端
部がリード線に接続されている。外部磁界が存在すると
き、抵抗棒の磁化Ｍは異なった配向になり、材料の抵抗
率を変更する効果を有するようになる。次いで、棒の端
子で電圧の変動が観測され、この電圧変動の測定値は外
部磁界の値を表す。該測定値は電圧変動の方向を表すこ
ともできる。
【０００４】したがって、棒の抵抗率を測定することに
よって磁界を測定することが可能であり、逆に、磁界を
測定することによって電気抵抗を測定することが可能で
ある。
【０００５】最も近代的な磁気トランスデューサは、適
当な基板上に薄膜の形で蒸着された磁気抵抗材料を使用
する。この膜は、それに棒の形状を与えるようにフォト
リソグラフィ・プロセスでエッチングされる。
【０００６】磁気飽和磁界Ｈｓは、磁気抵抗構成要素に
印加される磁界であり、それを超えると、構成要素の固
有の電気抵抗率ρが実際上もはや変動しなくなるものと
して定義されている。以下の率が定義されている。
【０００７】 △ρ／ρ＝［ρ（Ｈ＝０）−ρ（Ｈ＝Ｈｓ）］／ρ（Ｈ＝０） ここで、Ｈは印加される磁界の値を表す。ρ（Ｈ＝０）
はゼロ磁界中の磁気抵抗構成要素の抵抗率であり、ρ
（Ｈ＝Ｈｓ）は、飽和磁界に等しい磁界の存在下での該
構成要素の抵抗率である。さらに、△ρ／ρ＝△Ｒ／Ｒ
であり、ここで、Ｒは磁気抵抗構成要素の抵抗を表す。
【０００８】磁気抵抗構造の感度αと、したがって磁気
抵抗トランスデューサの感度αとは、ユニタリ磁界を印
加することによって得られる磁気抵抗△Ｒ／Ｒの変動に
よって定義され、関係
【０００９】
【数１】
【００１０】を満たす。
【００１１】磁気抵抗構成要素の形状、またはむしろそ
の寸法は、その磁化の配向に影響を及ぼす。したがっ
て、磁気フィルムの場合、磁化はフィルムの平面に整列
される傾向がある。さらに、長い棒の場合、磁化は一般
に前記長さに従って配向される。この効果は、最小限の
磁気エネルギーを求めることに相当する。
【００１２】所与の磁化方向に関しては、減磁磁界Ｈd
として知られている磁化が材料中に現れ、あるいは磁化
の方向と逆の方向に配向された異方性磁界が形成され
る。減磁磁界の強度は、当該材料の形状と、該材料内で
磁化がとる方向との関数である。
【００１３】図１は、前記減磁磁界の構成要素を示すた
めに、楕円形断面を有する磁気棒を示している。
【００１４】減磁磁界係数の値は、正規直交座標０ＸＹ
Ｚの方向Ｘ、Ｙ、およびＺでそれぞれＮX 、ＮY 、およ
びＮZ と呼ばれる。磁化Ｍが方向Ｘに平行なとき、減磁
磁界は関係Ｈd ＝ＮX.Ｍを立証する。
【００１５】楕円形断面を有し、無限に長くかつ方向Ｘ
に整列されていると仮定され、方向Ｚに厚さｅを有し方
向Ｙに高さｈを有する、磁気抵抗棒の場合、以下の関係
が立証される。ＮX ＝０、ＮY ＝ｅ／（ｈ＋ｅ）、ＮZ
＝ｈ／（ｈ＋ｅ） 厚さｅが高さｈと比べて小さく、該高さｈ自体が長さＬ
と比べて小さな、長方形断面をもつ棒の場合、第１の近
似はＮX ＝０、ＮY ＝ｅ／ｈ、ＮZ ＝１を検討すること
から成る。
【００１６】したがって、方向Ｙに印加される外部磁界
Ｈは、後者の特定の場合には（ｅ／ｈ）．Ｍに概略等し
い減磁磁界Ｈd によって磁気抵抗構成要素内で低減され
るが、方向Ｘに印加される前記同じ磁界は低減されな
い。
【００１７】構成要素の長さがその高さまたは幅に匹敵
するものになると、この方法はもはや厳密には当てはま
らなくなることに留意されたい。したがって、減磁磁界
は飽和磁界Ｈｓの値を増加させ、したがってトランスデ
ューサの感度を低減する傾向がある。
【００１８】従来、磁気トランスデューサを作成するた
めに使用される磁気抵抗材料は、主として、鉄およびニ
ッケルを塩基とする化合物（Ｆｅ19Ｎｉ81、Ｆｅ20Ｎｉ
80）と、鉄、ニッケル、およびコバルトを塩基とする化
合物（Ｆｅ15Ｎｉ65Ｃｏ20、Ｆｅ5 Ｎｉ80Ｃ
ｏ15．．．）から成る強磁性モノリシック材料であっ
た。
【００１９】現在のところ、新しい磁気抵抗材料が利用
可能である。これは、磁気層間に非強磁性結合が生じる
ような厚さを有する非磁気金属層によって分離された磁
気層の積重ねで構成された金属多層磁気構造（ＭＭＭ
Ｓ）である。
【００２０】調査した金属多層磁気構造は異なるタイプ
のものである。これらは、H.YamamotoおよびT.Shinjo著
の文献（１）（IEEE Translation Journal on Magnetic
s inJapan、第７巻、第９号、１９９２年９月、「Magne
toresistance of multi-layers 」６７４〜６８４ペー
ジ）に記載されたように、コバルト、鉄、ニッケル、鉄
とニッケルの合金、銅、クロム、銀、金、モリブデン、
ルテニウム、およびマグネシウムから選択された金属で
構成されている。
【００２１】現在のところ、必要な特性（大きな磁気抵
抗効果、低い飽和磁界、低い保磁度、良好なアニール抵
抗）を最も多く有するＭＭＭＳは、S.S.P. Parkin 著の
文献（２）（「Oscillations in giant magnetoresista
nce and antiferromagneticcoupling in [Ni 81Fe19/C
u]N N multilayers 」Appl. Phys. Lett. 60、第４号、
１９９２年１月、５１２〜５１４ページ）およびR. Nak
atani ら著の文献（３）（IEEE Transactions on Magne
tics、第２８巻、第５号、１９９２年９月、「Giant ma
gnetoresistance in Ni-Fe/Cu multilayers formed by
ion beam sputtering 」２６６８〜２６７０ページ）に
記載されたように、銅層によって分離されたＦｅＮｉ層
で構成されており、あるいはB. Rodmacqら著の文献
（４）（Journal of Magnetism and Magnetic material
s 118 、１９９３年、Ｌ１１〜Ｌ１６ページ、「Magnet
oresistive properties and thermal stability of Ni-
Fe/Agmultilayers 」）に記載されたように、銀層で分
離された薄いＦｅＮｉ層で構成されている。
【００２２】これらの新しい材料は、磁気抵抗が高い特
性を有し、すなわち率△ρ／ρが１０ないし２０である
が、弱い磁気飽和磁界、すなわち４０ｋＡ／ｍより低い
磁気飽和磁界を有する。
【００２３】ＭＭＭＳでは、磁気抵抗効果は、外部磁界
が印加される間に電気抵抗が低減することを伴う各磁気
層の磁化の回転に対応する。この場合、飽和磁界Ｈｓ
は、異なる磁気層それぞれの磁化を同じ方向および感度
で配向するために印加する必要がある磁界に対応する。
【００２４】モノリシック磁気抵抗で使用される強磁性
材料の場合、抵抗は、構成要素を通過する電流密度の方
向と、前記材料での磁化方向とによって形成される角度
によって変動する。抵抗は、前記角度がπ／２に等しい
ときに最も弱い。したがってこの場合、任意の方向だが
磁気抵抗構成要素の長さに垂直に磁界を印加すると有利
である。しかし、モノリシック強磁性材料内では、棒の
長さに平行には磁気抵抗効果は存在しない。
【００２５】新しいＭＭＭＳでは、抵抗率と、したがっ
て抵抗の変動とは、磁気抵抗構成要素内に存在する磁界
の方向と、該構成要素を通過する電流の方向の間に形成
される角度から独立している。
【００２６】しかし、前記磁界は、減磁磁界Ｈd と、印
加される外部磁界Ｈの間の差に等しい。ＭＭＭＳの形状
および寸法が、磁気的な観点からは、前記構造が一般的
に異方性になるようなものであり、減磁磁界が空間のす
べての方向で同じであるわけではないことに留意された
い。したがって、構成要素の感度は、該構成要素が異方
性の形を有すると、測定すべき磁界の方向によって変動
する。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗構成
要素と、モノリシック強磁性材料に任意選択で適用可能
な前記構成要素を使用するトランスデューサとに関し、
さらに詳細には、従来技術の構成要素およびトランスデ
ューサと比べて、減磁磁界の効果が低減され、したがっ
て感度が増大された金属多層磁気構造に関する。
【００２８】本発明によれば、磁気抵抗構成要素は、減
磁磁界を低減できるようにする少なくとも１組の実質的
に平行な断面を有するように、反復幾何パターンに従っ
て湾曲された多層タイプ磁気抵抗ストリップを有する。
この磁気抵抗ストリップは、非磁気金属材料層によって
分離された磁気金属材料層の積重ねから形成される。
【００２９】本発明によって構成されたストリップはし
たがって、測定すべき磁界が該断面の方向に構成要素に
印加されるときの高感度と、したがって高指向性を共に
構成要素に与える。したがって、各断面は「無限に長
い」磁気抵抗棒とみなすことができる。
【００３０】実際上、測定すべき磁界が実質的に磁気抵
抗ストリップ断面の方向に構成要素に印加されると、材
料中に現れる減磁磁界は特に弱くなる。したがって、飽
和磁界は「塊状」材料の飽和磁界に等しく、すなわち磁
気材料の形または形状に関連する異方性をもたない。
【００３１】したがって、構成要素は該断面に平行な磁
界に対する感度が非常に高い。逆に、該断面の方向に垂
直に磁界が印加されると、減磁磁界の効果が強調され、
飽和磁界が増大され、したがって構成要素の感度が低減
される。
【００３２】好都合なことに、パターンは蛇行形でも、
鋸歯形でも、ギリシャ国境形でも、銃眼模様形でもよ
い。銃眼模様またはでこぼこパターンは、特に興味深い
解決策であると思われる。したがって、磁気抵抗ストリ
ップはこの場合、第１の方向に整列された第１の１組の
断面と、第１の１組の断面に垂直な第２の１組の断面と
を有する。各組の断面の長さと幅とは、構成要素自体の
応用に必要な特性を構成要素に与えるように調整され
る。
【００３３】具体的には磁気サポート上の情報を読み取
るためのトランスデューサ、またはコンパス・タイプの
指向性トランスデューサでの構成要素の構想された応用
の関数として、構成要素の感度または指向性、あるいは
その両方が優先される。構成要素の指向性と感度は共
に、断面のパターンの関数である。
【００３４】ぎざぎざパターンでは、「平行」断面と
「垂直」断面の間に大きな不均衡を導入し、１組の断面
だけの場合を検討することができる。この１組の断面は
最も長いものであり、図２、３、および４の場合、構成
要素の長さに垂直に配向され、最も感度が高い。さら
に、断面の長さは幅を大幅に超えるように選択される。
この配置構成は、指向性トランスデューサを生産するの
に特に適切である。
【００３５】鋸歯パターンでは、それぞれ、各歯の両側
の傾斜部に対応する２組の断面がある。
【００３６】磁気抵抗ストリップのパターンは、異なる
幾何パラメータに対して正確に作用し、断面の寸法およ
び形状を最適化できるようにするフォトリソグラフィ・
プロセスによって形成することが好ましい。
【００３７】磁気抵抗ストリップは、磁気金属材料層お
よび非磁気金属材料層の積重ねによって構成された多層
タイプの材料で作製される。
【００３８】磁気材料は、鉄とニッケルとコバルトの合
金（ＦｅＮｉＣｏ）、または鉄とニッケルの合金（Ｆｅ
Ｎｉ）で構成することが好ましい。また、多層構造の非
磁気材料は銅または銀であると好都合である。
【００３９】本発明は、非導電基板によって支持された
前述の磁気抵抗構成要素を使用し、磁気抵抗構成要素の
２つの端部に接続されたリード線を有する、磁気抵抗ト
ランスデューサにも関する。
【００４０】非導電基板の用語は、半導体または絶縁基
板を意味すると理解される。この基板は、単結晶シリコ
ンまたは多結晶シリコンでも、ひ化ガリウムでも、ガラ
スでも、ポリイミド（登録商標Ｋａｐｔｏｎ）などの有
機材料でも、場合によっては、電気絶縁体で覆われた金
属でもよい。
【００４１】基板が半導体であるとき、磁気抵抗構成要
素と基板の間に任意選択で電気絶縁体を設けることがで
きる。
【００４２】トランスデューサは、リード線を通過させ
られるように、ストリップの端部に面する開口部を有す
る電気絶縁材料保護膜で覆うと好都合である。
【００４３】場合によっては、磁束案内を磁気抵抗構成
要素と協働させることが好ましいことがある。この案内
の機能は、磁界線を検出して磁気抵抗ストリップの最も
感度の高い断面に従って該磁界線を集中して配向するこ
とである。前記案内を使用するかどうかは、読み取るべ
き磁界の強度と、磁気抵抗構成要素を構成する材料の感
度に依存する。
【００４４】さらに、磁束案内の形状は磁気抵抗ストリ
ップの形状の関数である。すべての場合に、案内の形状
は、最も感度の高い断面内に磁界線を集中するようなも
のでなければならない。
【００４５】具体的には、案内は磁界線を案内するのに
適したタングを有することができる。タングの形状、間
隔、および特定のケースに応じて、周期性は、磁気抵抗
ストリップの形状と、前記ストリップの最も感度の高い
断面の配置構成とに適したものになるようになされる。
【００４６】モノリシック磁気抵抗構成要素に関連する
磁束案内の使用は、文献（５）欧州特許出願第４４５８
８３号および（６）欧州特許出願第４２３８７８号にさ
らに詳細に記載されている。
【００４７】本発明によるトランスデューサは、さらに
具体的には、磁気テープ、ハード・ディスクなどの磁気
トラック上の磁気情報を読み取り、該磁気トラック上に
磁気情報を書き込むための磁気ヘッドを装備するための
ものである。この場合、磁気抵抗構成要素は磁気トラッ
クの幅以下の全長をもたなければならない。情報の記録
は、トラック走行方向に平行にも垂直にも行うことがで
きる。
【００４８】非制限的な実施例および添付の図面に関し
て、本発明を以下で詳細に説明する。
【００４９】
【実施例】図２に示したように、トランスデューサは、
ある種のギリシャ・フレットに類似の構成をもつぎざぎ
ざパターンに従って湾曲された磁気抵抗ストリップ２を
有する多層磁気抵抗構成要素１を有する。ストリップ２
の端部は、電流リード線３、４によって電源ポイント
５、６に接続されている。
【００５０】図３は、図２の詳細な図であり、ストリッ
プ２の断面は構成要素の長さＬに従って方向ｙに平行
で、参照符号７ａを備えており、ｙに垂直な方向ｘに平
行な主断面７は参照符号７ｂを備えている。
【００５１】また、ｕ、ｖ、ｗ、ｔ、Ｔはそれぞれ、断
面７ａの幅、主断面７ｂの長さ、２つの連続断面７ｂの
間隔、断面７ｂの幅、および最後に構成要素の幅を示
す。これらのパラメータを調整することによって、構成
要素の特性を修正することが可能である。
【００５２】トランスデューサを磁気読取りヘッドに応
用する場合、パラメータｕ＝２μｍ、ｖ＝１０μｍ、ｔ
＝２μｍ、ｗ＝５μｍ、Ｔ＝１４μｍ、Ｌ＝２５０μｍ
のぎざぎざに従って湾曲されたストリップ２を有する本
発明による磁気抵抗構成要素は、長さ２５０μｍ、幅１
４μｍの従来の磁気抵抗棒と交換するのに適している。
【００５３】しかし、飽和磁界はストリップの特定の形
状によって極めて減衰され、それによって、磁気抵抗材
料中で誘発される減磁磁界が低減する傾向がある。した
がって、このトランスデューサの感度αは、従来のトラ
ンスデューサの構成要素の感度を超えることができる。
【００５４】また、ストリップ２の形状によって、真っ
すぐな棒と比べて構成要素１の電気抵抗が増大する。こ
の抵抗の増加によって、同じ電流に関しては、ずっと高
い読取り電圧をもつことができる。
【００５５】たとえば、コンパスへの応用で、トランス
デューサのかなり高い指向性が必要とされる場合、磁気
抵抗ストリップ２の断面７ｂの長さｖは、幅ｔを大幅に
上回るように選択される。
【００５６】ぎざぎざまたはギリシャ国境状のストリッ
プの場合、主断面７ｂは縦長でかつ幅が狭く、実際に
は、パラメータは０．２μｍ≦ｔ≦５μｍおよびｖ≧１
０μｍになる。
【００５７】減磁磁界の効果は、検出すべき磁界の線が
ストリップ２の主断面７ｂに垂直であるときに非常に大
きく、この線が断面に従った方向であるときには無視で
きるものである。飽和磁界は、固体物または塊状材料の
ものである。
【００５８】さらにトランスデューサの感度および指向
性を増すために、トランスデューサは、２つの部分９お
よび１０がヘッド・ギャップ１１によって分離され、磁
気抵抗構成要素１の両側に位置する、磁束案内８を有す
ることができる（図２）。磁束案内８によって、検出す
べき磁界線Ｆ（図４）を好ましい方法で磁気抵抗ストリ
ップの主断面７ｂの方に向けることができる。
【００５９】図４に示した好ましい実施例では、案内８
は、ヘッド・ギャップに面する各部分９、１０の端部に
タング１２を有する。タング１２は、磁界線Ｆを前記断
面７ｂに直接集中するように、磁気抵抗ストリップ２の
主断面７ｂに面してかつ該断面と整列して位置決めされ
ている。
【００６０】このように装備されたトランスデューサは
指向性が高く、高い電気抵抗率を有し、それによって、
１ｍＡより低いものでも、１ｍＡに近いものでもよい小
さな電流密度による測定が可能になる。
【００６１】図５に示したように、磁気抵抗ストリップ
２は、薄い金属非磁気層１５によって分離された薄い磁
気層１４の積重ね１３で形成することが好ましい。たと
えば、前記磁気層１４は鉄ニッケル合金製であり、金属
層は銅または銀製である。ストリップはたとえば、厚さ
１．２ｎｍの鉄ニッケル合金層４０層と厚さ１．１ｎｍ
の銀層４０層とから構成する。
【００６２】ストリップ２は、ガラスでも、シリコンで
も、Ｋａｐｔｏｎでもよい半導体または絶縁基板１６上
に蒸着される。鉄または銅の薄い金属層１７の前記基板
１６上での事前蒸着によって、ある種のＭＭＭＳでは、
多層構造の結晶品質が向上し、したがって、磁気抵抗特
性が向上する。
【００６３】図６Ａに示したように、磁気抵抗構成要素
の生産はまず、磁気抵抗ストリップ２を基板１６上に蒸
着することから成る。この工程は、多層磁気抵抗膜の蒸
着と、任意選択で、薄い金属層１７の事前蒸着とを含
む。これらの膜および層は次いで、イオン加工でエッチ
ングされる。このために、マスク・プロセスおよびフォ
トリソグラフィ・プロセスが使用される。
【００６４】薄い層または膜の蒸着は、多層磁気抵抗ス
トリップに対する陰極スパッタリングまたは真空蒸着ま
たは分子線エピタキシによって行うことができる。
【００６５】第２段階（図６Ｂ）では、シリカなどの電
気磁気絶縁体１８を蒸着する。次いで、磁気抵抗ストリ
ップ２上に接点を設けるように、絶縁体１８に開口部１
９、２０（図６Ｃに示した）を設ける。最後に、導電材
料２１、たとえばタングステンを蒸着し（図６Ｄ）、次
いでエッチングして（図６Ｅ）、リード線３、４を形成
する。エッチングは薬品またはイオン加工によって行
う。
【００６６】磁気抵抗トランスデューサを直接生産する
には、リード線３、４を絶縁するために補助シリカ層２
２（図６Ｆ）を蒸着し、次いで、選択的に薄い膜の形の
柔らかい磁気材料を蒸着する。磁束案内８を形成するた
めに後者をエッチングする。図６Ｆでは、磁束案内８の
一部だけを示してある。前記案内には、鉄とニッケル、
または鉄とアルミニウムとシリコンの合金を使用する。
【００６７】また、トランスデューサを電子回路に接続
できるように、図示しない接点をリード線３、４上に作
製する。
【００６８】図６Ａ〜Ｆでは、案内は磁気抵抗ストリッ
プの後に作製されているが、前記ストリップの前に作製
することもできる（図２と比較されたい）。
【００６９】最後に、磁気抵抗ストリップおよび関連す
る磁束案内を生産するための代替形状を図７および８に
示す。
【００７０】図７は、一連の湾曲部２０と、構成要素の
長さに垂直な断面２２とを有する蛇行形の磁気抵抗スト
リップ２を示す。関連する磁束案内も蛇行の形状を有す
る。該案内はたとえば、幅が基本的に、ストリップの対
応する各湾曲部２０の幅に対応する、太い線の形で示し
たタング１２をもつことができる。したがって、２つの
連続断面２２に対して１つのタング１２がある。タング
１２は、破線の形で示したように、ストリップ２の各断
面２２の前に位置決めすることによってより薄くかつよ
り密にすることができる。
【００７１】どちらの場合にも、タング１２は、構成要
素の長さに垂直な最も感度の高い断面２２に、図示しな
い磁束線を沿わせる。
【００７２】図８に示した磁束案内は、やはり鋸歯の形
に湾曲された磁気抵抗ストリップ２の断面２４および２
６に、測定すべき磁界の図示しない線を沿わせるための
鋸歯形のタングを有する。さらに、図示したように、タ
ング１２の端部は、磁気抵抗ストリップの２つの断面２
４、２６の各交差部に形成された先端３０に面するよう
に位置決めされる。
【００７３】磁束案内８のタング１２、１２ａ、１２ｂ
は、図７および８に見られるように、面するように位置
決めし、ストリップ２の断面から離れた位置に設けるこ
とができる。トランスデューサの構造変形例によれば、
タング１２、１２ａは磁気抵抗ストリップと部分的に重
なり合うこともできる。
【００７４】ストリップに対する磁束案内の部分９、１
０の位置決めを除き、図７および８と同じである図９お
よび１０に示したように、タング１２、１２ａの端部は
それぞれ、ストリップ２の先端３０および湾曲部２０と
重なり合う。
【図面の簡単な説明】
【図１】減磁磁界の図示を可能にする楕円断面を含む磁
気抵抗棒を示す図である。
【図２】磁束案内を備えた本発明による磁気抵抗トラン
スデューサの平面図である。
【図３】磁気抵抗ストリップの細部を拡大した図であ
る。
【図４】磁気抵抗ストリップの垂直断面に向かって磁束
線を集中することを示す、磁束案内および磁気抵抗スト
リップの細部を拡大した図である。
【図５】基板上に蒸着された多層磁気抵抗ストリップの
細部の断面図である。
【図６Ａ】本発明による磁気抵抗構成要素を生産する異
なる段階を示す縦断面図である。
【図６Ｂ】本発明による磁気抵抗構成要素を生産する異
なる段階を示す縦断面図である。
【図６Ｃ】本発明による磁気抵抗構成要素を生産する異
なる段階を示す縦断面図である。
【図６Ｄ】本発明による磁気抵抗構成要素を生産する異
なる段階を示す縦断面図である。
【図６Ｅ】本発明による磁気抵抗構成要素を生産する異
なる段階を示す縦断面図である。
【図６Ｆ】本発明による磁気抵抗構成要素を生産する異
なる段階を示す縦断面図である。
【図７】磁気抵抗ストリップおよび磁束案内の可能な形
状変形例を示す図である。
【図８】磁気抵抗ストリップおよび磁束案内の可能な形
状変形例を示す図である。
【図９】図７に対応し、磁束案内配置構成変形例を示す
図である。
【図１０】図８に対応し、磁束案内配置構成変形例を示
す図である。
【符号の説明】
１ 多層磁気抵抗構成要素 ２ 磁気抵抗ストリップ ３ リード ５ 電源ポイント ７ 主断面 ８ 磁束案内 １１ ヘッド・ギャップ １２ 舌部 １３ 積重ね １４ 薄い磁気層 １５ 薄い非金属磁気層 １６ 基板 １８ 絶縁体 １９ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リーヌ・ビユ−ロシヤズ フランス国、38360・サツスナージユ、シ ユマン・ドユ・パジエ（番地なし) (72)発明者 マリー−エレーヌ・ボーデーヌ フランス国、38180・セツサン、リユ・ピ エ・ドユ・コトー、１

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 減磁磁界を低減できるようにする少なく
    とも１組の実質的に平行な断面（７ａ、７ｂ）を有する
    ように、反復幾何パターン（７ａ、７ｂ）に従って湾曲
    された多層タイプ磁気抵抗ストリップ（２）を有し、該
    磁気抵抗ストリップ（２）が、非磁気金属材料層（１
    ５）によって分離された磁気金属材料層（１４）の積重
    ねから形成されることを特徴とする磁気抵抗構成要素。
  2. 【請求項２】 前記パターンが、蛇行状（図７）、鋸歯
    状（図８）、および銃眼模様状（図３）のパターンから
    選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗
    構成要素。
  3. 【請求項３】 前記磁気抵抗ストリップ（２）が、それ
    ぞれ、相互に実質的に垂直な２つの方向（ｘ、ｙ）に従
    って整列された２組（７ａ、７ｂ）の断面を有するぎざ
    ぎざパターンに従って湾曲されていることを特徴とする
    請求項１に記載の磁気抵抗構成要素。
  4. 【請求項４】 前記磁気金属が鉄とニッケルの合金であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗構成要
    素。
  5. 【請求項５】 前記非磁気金属が銅および銀から選択さ
    れることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗構成要
    素。
  6. 【請求項６】 前記磁気抵抗ストリップ（２）の前記パ
    ターンがフォトリソグラフィ・プロセスで得られること
    を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗構成要素。
  7. 【請求項７】 非導電基板（１２）によって支持された
    磁気抵抗構成要素（１）と、リード線（３、４）によっ
    て構成要素（１）に接続された電源ポイント（５、６）
    とを有する、磁界を測定するための磁気抵抗トランスデ
    ューサであって、前記磁気抵抗構成要素（１）が請求項
    １に従うことを特徴とする磁気抵抗トランスデューサ。
  8. 【請求項８】 １組の断面（７ｂ）の幅（ｔ）が前記断
    面の長さ（ｖ）よりも小さいことを特徴とする請求項７
    に記載の磁気抵抗トランスデューサ。
  9. 【請求項９】 断面（７ｂ）の長さ（ｖ）が１０μｍ以
    上であり、前記断面の幅（ｔ）が０．２μｍ≦ｔ≦５μ
    ｍであることを特徴とする請求項８に記載の磁気抵抗ト
    ランスデューサ。
  10. 【請求項１０】 磁気抵抗ストリップの断面に沿って磁
    界の線（Ｆ）を配向するための磁束案内（８）も有する
    ことを特徴とする請求項７に記載の磁気抵抗トランスデ
    ューサ。
  11. 【請求項１１】 前記磁気抵抗ストリップが、ぎざぎざ
    パターンに従って湾曲されており、磁束案内（８）が、
    断面自体が構成要素の長さ（Ｌ）に垂直な断面（７ｂ）
    に磁界線（Ｆ）を沿わせるためのタング（１２）を有す
    ることを特徴とする請求項１０に記載の磁気抵抗トラン
    スデューサ。
  12. 【請求項１２】 前記磁気抵抗ストリップが、一連の湾
    曲部（２０）と構成要素の長さに垂直な断面（２２）と
    を有する蛇行パターンに従って湾曲されており、磁束案
    内（８）が、前記垂直な断面（２２）に磁界線（Ｆ）を
    沿わせるためのタング（１２）を有することを特徴とす
    る請求項１０に記載の磁気抵抗トランスデューサ。
  13. 【請求項１３】 前記磁気抵抗ストリップが、一連の断
    面（２４、２６）を有する鋸歯パターンに従って湾曲さ
    れており、磁束案内（８）が、前記断面（２４、２６）
    に磁界線（Ｆ）を沿わせるためのタング（１２）を有す
    ることを特徴とする請求項１０に記載の磁気抵抗トラン
    スデューサ。
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