JP2011233873A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 絶縁表面上のソース電極と、
   前記絶縁表面上のドレイン電極と、
   前記絶縁表面上の絶縁膜と、
   前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
   前記絶縁膜の少なくとも一部は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられており、
   前記酸化物半導体膜は、インジウム及び亜鉛を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜と重なる第１の領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と重なる第２の領域と、を有し、
   前記絶縁表面から前記第１の領域の上面までの高さは、前記絶縁表面から前記第２の領域の上面までの高さと異なることを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面上のソース電極と、
   前記絶縁表面上のドレイン電極と、
   前記絶縁表面上の絶縁膜と、
   前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
   前記絶縁膜の少なくとも一部は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられており、
   前記酸化物半導体膜は、インジウム及び亜鉛を有し、
   前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜と重なる第１の領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と重なる第２の領域と、を有し、
   前記絶縁表面から前記第１の領域の上面までの高さは、前記絶縁表面から前記第２の領域の上面までの高さと異なり、
   前記絶縁膜は、角が丸みを帯びた形状を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極の厚さは、前記絶縁膜の厚さよりも、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下小さいことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記絶縁膜の二乗平均平方根粗さは、１ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、ＩｎＧａＯ _３ （ＺｎＯ） _ｍ （ｍ＞０）で示される酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、ＩｎＭＯ _３ （ＺｎＯ） _ｍ （ｍ＞０）で示される酸化物半導体を有し、
   前記Ｍは、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏから選ばれた一の金属又は複数の金属であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記絶縁表面から前記第１の領域の上面までの高さは、前記絶縁表面から前記第２の領域の上面までの高さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。