JP2011223011A - 同時注入により基板内に脆性領域を生成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板内に化学種の注入により埋め込まれた脆性領域を生成することにより、後に、上記脆性領域に沿って基板の破壊を誘発して、上記薄膜を基板から分離できるようにする製造方法が以下の工程を備えることを特徴とする。a)主要化学種4を基板内の主要深さ5に注入する主要注入工程と、b)基板を脆化させるために、主要化学種4より低効率の少なくとも1つの副次化学種を、基板内の上記主要深さ5と異なる副次深さ3に、主要化学種4濃度より高濃度で注入する少なくとも1つの副次注入工程と、c)上記副次化学種の少なくとも一部分を主要深さ5の近傍に移動させる工程と、d)主要深さ5に沿って破壊を誘発する工程とを含む。
【選択図】図3b
Description
・ ソース基板内に主要の深さで原子を注入し、この主要深さにおいて原子の主要濃度を得る工程と、
・ 主要深さとは異なる副次深さで同一基板に原子を注入し、副次深さにおいて原子の主要濃度よりも低い原子の副次濃度を得る工程と、
・ 基板を処理して、副次深さで注入される原子のうちの少なくともいくつかを主要深さ方向に移動させることにより、好ましくは、主要深さにおいて微小空洞を生成するようにする工程から構成される。
a)基板内に「主要」化学種を「主要」深さで「主要」注入する工程と、
b)基板を脆性化する際に、主要化学種よりも低効率の少なくとも1つの「副次」化学種を、基板内の上記主要深さと異なる「副次」深さで、主要化学種よりも高濃度の濃度で少なくとも「副次」注入する工程とを備え、
この場合、上記工程a)とb)はいずれの順番で実行してもよく、さらに、
c)上記副次化学種の少なくとも一部分を主要深さの近傍に移動させる工程と、
d)上記主要深さに沿って上記破壊を開始する工程と、を含む。
Claims (18)
- 薄層の製造方法であって、基板(1)に化学種を注入することにより脆性の埋込み領域を生成後、前記脆性領域に沿って前記基板(1)の破壊を開始して、基板から前記薄層(6)を分離できるものであって、前記方法は、
a)「主要」化学種(4)を基板(1)内の「主要」深さ(5)に注入する「主要」注入工程と、
b)基板(1)の脆化において、主要化学種(4)より低効率の少なくとも1つの「副次」化学種(2)を、基板(1)内の前記主要深さ(5)と異なる「副次」深さ(3)に主要化学種(4)濃度より高濃度で注入する少なくとも1つの「副次」注入工程と、を含み、
前記工程a)とb)はいずれの順番で実行してもよく、さらに、
c)前記副次化学種(2)の少なくとも一部分を主要深さ(5)の近傍まで移動させる工程と、
d)主要深さ(5)に沿って前記破壊を開始する工程と、をさらに含むことを特徴とする、薄層製造方法。 - 前記副次深さ(3)が前記主要深さ(5)よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。
- 前記副次深さ(3)が前記主要深さ(5)よりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。
- 前記少なくとも1つの副次注入が前記主要注入の前に行われることを特徴とする、請求項2または3に記載の製造方法。
- 前記工程c)が適切な熱処理によって促進されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記工程d)が適切な熱処理を用いて行われることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 工程c)およびd)が同じ熱処理中に行われることを特徴とする、請求項5および6に記載の製造方法。
- 前記熱処理が、工程b)およびc)がない場合に前記破壊を開始するのに必要とされるよりも少ない熱量以内で実行されることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 所定の熱量が、必要に応じて、前記所定の熱量よりも多い熱量で前記破壊を開始できるようにするために必要とされるよりも多量の副次化学種(2)を注入することによって、適合されることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記熱処理は加熱炉での加熱および/または局所加熱および/またはレーザ加熱からなることを特徴とする、請求項5から9のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記工程d)は機械応力を加えることを含むことを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記機械応力は、流体ジェットの使用、および/またはブレードの注入領域への挿入、および/または引張り、剪断または曲げ応力の基板(1)への印加、および/または音波の利用からなることを特徴とする、請求項11に記載の製造方法。
- 工程d)の前または最中に、厚みをつける物を基板(1)に加えることにより、基板(1)から薄層(6)を分離した後に前記薄層(6)に対する支持体として利用することを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の製造方法。
- 工程d)の前または最中に、「ハンドル」支持体が基板(1)に加えられ、その後薄層(6)が最終支持体上に移設されることを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の製造方法。
- 主要化学種(4)は水素イオンまたは原子であることを特徴とする、請求項1から14のいずれか一項に記載の製造方法。
- 副次化学種(2)が少なくとも1種の希ガスのイオンまたは原子であることを特徴とする、請求項1から15のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項1から16のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されていることを特徴とする、薄層(6)。
- 軟質または硬質支持体上に移設されていることを特徴とする、請求項17に記載の薄層(6)。
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