JP5142528B2 - 共注入後の薄膜層のカタストロフィ的転写方法 - Google Patents

共注入後の薄膜層のカタストロフィ的転写方法 Download PDF

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Description

本発明は、共注入（ｃｏ−ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）法により、低温で超精密膜（薄膜または超薄膜という用語もまた使用される）を転写させる（ｔｒａｎｓｆｅｒ）方法に関する。本発明は、特に、マイクロエレクトロニクス、マイクロメカニクス、光学および集積エレクトロニクスの分野に適用される。
知られているように、薄膜の剥離（ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ）は、例えばシリカのソース基板（ｓｏｕｒｃｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）に化学種を注入して特定の深さに欠陥ゾーンの生成を誘発させることにより実行され得る。これらの欠陥は、材料の結晶質を局所的に乱す、マイクロバブルおよび／または板状欠陥（ｐｌａｔｅｌｅｔ）および／またはマイクロキャビティおよび／または転写ループおよび／または他の結晶欠陥であり得る；それらの性質、密度および大きさは、注入される化学種（通常は水素）ならびに、ソース基板の性質に強く依存する。次いで、弱化ゾーン（ｗｅａｋｅｎｅｄ ｚｏｎｅ）に存在する特定の欠陥が成長できるように、原理的には欠陥を圧力下に置くことによって熱処理が行われ、欠陥の成長によって後に実施されるソース基板からの薄膜の剥離を可能にする。このことは、特に、文書ＵＳ−５３７４５６４および、この特許の発展形である、例えば文書ＵＳ−６０２０２５２に記載されている。
剥離は、通常熱処理に加えて、薄膜が剥離されるまで、弱化ゾーンに破断を誘発する外力を加えることにより実施され得る。
剥離が高温で（典型的には、ほぼ５００℃に近い）行われる場合、直面する技術的問題の中でも特に、表面の粗さ、ならびに、熱剥離の間に転写される膜の劣化が挙げられるべきである。このために、以下の処理ステップが一層面倒になる（例えば、転写された膜はさらに研磨されなければならない、後の処理の間に結晶欠陥の生じる危険性がある、など）。さらに、ヘテロ構造（異なる材料の基板の重ね合せを含む）において直面する別の技術的問題は、接触している様々な材料の熱膨張係数の違いにより、熱処理の間に、接触している様々な膜において非常に大きな応力場が存在することである。これにより、熱剥離がある限界温度より高温で行われる場合、ヘテロ構造の劣化を誘発し得る。この劣化は、典型的には、接触している一方または双方の基板の破損、および／または、結合界面での基板の脱離（ｕｎｂｏｎｄｉｎｇ）であり得る。
これが低温で剥離を実施することが望まれる理由である。
低温で剥離を実施する１つのやり方は、注入条件を「いじる」ことである。例えば、注入化学種の過剰な照射量（ｄｏｓｅ）により、注入ゾーンの弱さを増すことができ、そこで低温での剥離が起こる。
こうして、Ｈｅｎｔｔｉｎｅｎ等（２０００）［１］は、ソース基板がシリコンウェハである場合、１×１０１７Ｈ＋／ｃｍ２（すなわち、５×１０１６Ｈ２／ｃｍ２）で注入される水素イオン照射量によって、以下のステップを実施した後、機械的な力によって剥離が可能であることを示した：プラズマによる化学的な活性化による、ターゲット基板（ｔａｒｇｅｔ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）についての処理、；ＲＣＡ１タイプの洗浄；ターゲット基板上へのソース基板の雰囲気温度での結合；および、２００℃で２時間のアニーリング。利用される機械的な力は、剥離を開始させるために、結合界面に挿入されるブレードによった。
この手法は、転写された表面の粗さを少なく（純粋に熱的で、プラズマ活性化を行わない従来の剥離法に比べて、半分程度に）するが、プラズマによる化学的活性化のステップとその後のＲＣＡ１洗浄を含むので、工業的な観点からは相当な欠点（高コスト）となり得る。
さらに、注入される水素の照射量が多いために、結合後の熱処理は、熱剥離が起こると思われる温度である３００℃を超えてはならず、この場合、転写した表面の粗さの低減という前記の利点は実現されないであろう：このために、プラズマによる化学的活性化のステップとその後のＲＣＡ１洗浄は、結合を強化するために、ＨＥＮＴＴＩＮＮＥＮにより記載された方法による熱強化の前に、不可欠であるということに注意するのは重要である。
実際に、後の薄膜剥離の条件に影響を与えるのは、単に処理温度だけではなく、この処理時間でもあることに注意するのは重要である（これはサーマルバジェット（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｕｄｇｅｔ）の考え方（ＦＲ−２７６７４１６−ＣＥＡを参照）から得られた）；機械的エネルギーの供給については、例えば、これは、「ギロチン（ｇｕｉｌｌｏｔｉｎｅ）」タイプの道具（ＷＯ ０２／０８３３８７−ＳＯＩＴＥＣ、を参照）により供給される。
こうして、サーマルバジェットが小さすぎると、薄膜の転写は品質の悪いものとなり、サーマルバジェットが大きすぎると、ヘテロ構造の場合に基板の１つで破断が起こり得る。このように、原理的に、作業パラメータ（当然、複数の条件、特に、注入量、材料の性質、アニーリング温度などに関係する）範囲が狭いが、この狭さは工業的な利用にとって重大な制約になる。
さらに、機械的な剥離は、弱化ゾーンに沿ってあたかも「それを切り外す」ように、１つまたは複数のブレードを構造体の端部から挿入することからなることが多い；道具（例えばブレード）の役割が構造体の一方の端部から他方へ破断波（ｆｒａｃｔｕｒｅ ｗａｖｅ）を伝播させることであるために、「アシスト（ａｓｓｉｓｔｅｄ）剥離」という用語が使用されることがある。
このタイプの破断は、薄膜の剥離により後に露になる表面での、以下の欠点に繋がる：
− 例えば、残りの部分の界面に比べて余りに低い局所的結合エネルギーと、転写を開始させる道具の挿入に関係する、王冠（ｃｒｏｗｎ）欠陥（最終製品のうちの周辺部分での、転写のないゾーン）、
− 特に機械的なアシストを受けるために間歇的で不規則な破断波による、後で研磨のような処理を必要とする（通常、これを避けようと努められる）、転写薄膜の厚さの一様性の欠如（低周波数の粗さ）、
− それぞれの構造体（またはウェハ）の個別の処理を必然的に伴う、破断の伝播を伴う道具の使用を仮定すると難しい工業的実施。
これらの欠点のほとんどは、均一な基板（単一成分材料（例えば、ＳＯＩ）による）における薄膜の剥離の場合に見出される。
薄層の剥離は、言うまでもなく、注入される化学種の選択によってもまた影響を受ける。
水素が通常注入されるが、特にヘリウムの注入による他の選択肢が提案されていることが上で示唆された。
異なる２種の化学種の組合せさえ実施され得る。
こうして、Ａｇａｒｗａｌ等（１９９８）［２］は、水素およびヘリウムの両方を注入することにより、恐らく水素とヘリウムにより果たされる異なる役割のために、イオンの全注入量を減らすことできるという事実を見出した；水素は、注入により壊されたＳｉ−Ｓｉ結合と相互作用して、Ｓｉ−Ｈ結合を生成し、その結果、３〜１０ｎｍの程度の大きさの板状タイプの欠陥（板状タイプのＨ−欠陥と呼ばれる）を高密度で発生させ、一方、ヘリウムは、化学的には作用しないが、より大きな欠陥（約３００ｎｍを超える大きさ）を比較的低密度で出現させる。この文献において想定されている熱処理は、４５０℃で２０分、または、７５０℃で２０秒であり、高温での剥離に関連して上で記載した欠点を必然的に伴う。
この水素−ヘリウムの組合せはまた、Ｃｅｒｏｆｏｌｉｎｉ等（２０００）［３］により、より理論的な仕方で研究され、彼等は、ヘリウムの注入による欠陥の加圧（ｐｒｅｓｓｕｒｉｚａｔｉｏｎ）は、水素の注入によるものより大きく、また、熱処理は選ばれた温度に応じて異なる効果を生じ得る（すなわち、１５０℃〜２５０℃のアニーリングによりＳｉ−Ｈ結合の数が少なくなり、３００℃〜４５０℃の範囲でのアニーリングにより、反対に、この数が多くなり、一方、５５０℃を超える温度でのアニーリングにより、むしろこの数が再び減少する傾向がある）ことを指摘した。しかし、この文献では、ほどほどのコストで良好な品質（特に、表面状態に関して）の薄膜を得る仕方について、以上のことから実用的な結論は導かれていない。
本発明の目的は前記の欠点を軽減することである。
より具体的には、本発明は、転写された層の表面の粗さが少なくなり、膨張係数が大きく異なる材料の場合に大きな機械的応力を含まない、薄層の転写方法に関する。別の言い方をすると、本発明の目的は、ほどほどのコストで、高品質の薄膜を得ることにより、同時に、高温での熱処理の欠点と、アシスト剥離に道具を利用することに関連する欠点、および、剥離後に粗さを少なくする追加の処理に関連する欠点とを回避することである。
前記の目的に対して、本発明は、
ソース基板を供用し、
前記ソース基板に、第１照射量のイオンまたは気体の第１化学種を、また第２照射量のイオンまたは気体の第２化学種を、前記ソース基板の表面に対して所定の深さに注入し、第１化学種は欠陥を生成し、第２化学種はこれらの欠陥を占めるようなものであり、
スティフナー（ｓｔｉｆｆｅｎｅｒ）を前記ソース基板に密接に接触させて付け、
薄膜の熱剥離を開始させないで、埋もれた弱化ゾーンを実質的に前記の所定の深さに生成させるように、所定の温度で所定の時間ソース基板に熱処理を行い、
前記表面と前記の埋もれた弱化層との間の画定された薄膜の、前記ソース基板の残りに部分に対する、カタストロフィ（全体的瞬間）的剥離を引き起こすように、局限された量のエネルギーを前記ソース基板に供給し、前記薄膜は、粗さが所定の限界値より少ない表面を、前記表面の反対側にもつ、
薄膜のカタストロフィ的転写方法を提供する。
カタストロフィ的剥離は、ここでは完全で事実上瞬間的な剥離であると定義することができ、高温での単なる熱処理によって実現されるものに似ているが、可能性として道具により誘発され、道具によらない場合には、何らかの破断波の後に起こるはずである（道具がある場合、道具は、せいぜい基板と膜に接触するだけであり、剥離している界面に沿って動くことはない）。したがって、カタストロフィ的剥離は、別の言い方をすれば、破断波のカタストロフィ的伝播の結果であり、アシスト剥離とは対照的なものである。
破断波が自立（ｓｅｌｆ−ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ）伝播することによって、道具を前に進める、あるいは開始エネルギーパルスを繰り返すことによる波の伝播アシストが必要でないと理解されている。また、本発明の重要な特徴は、破断波が、３００ｍｍまでの直径に対して、１秒以内に、１ミリ秒の程度でさえ（１００ｍ／ｓを超える速度）、波の全表面に渡って伝播するということである。
自立（あるいはカタストロフィ的）破断の１つのあり得る原因は、埋もれた欠陥の性質にある。これまでの研究（ゲルマニウムについてであるが、シリコンにも適用できる）は、Ｃ−剥離条件の下では、欠陥（マイクロクラック、キャビティ、板状欠陥、マイクロバブル、マクロバブルなど）の密度が０．０３から０．０３５／平方ミクロンであり、欠陥の大きさが７から８平方ミクロンの程度であり、また、より特徴的な様子であると思われるものに、これらの欠陥により開いている面積のウェハの全面積に対するパーセンテージは、２５から３２％であると見積もられるということを示した。これらの値は、破断が熱的手段により行われた場合に得られるものに近いが、機械的アシストによる破断を必要とする、弱化処理の後で得られる値とは異なる。言うまでもなく、他の効果または原因もこの説明によって排除されるわけではない；特に、基板における結合の化学的性質もまた、自立破断波現象の発生を促進し得る。
別の言い方をすると、本発明の一態様は、弱化状態の性質を、熱破断の場合に得られる状態に、破断を起こすことなく、近づくように促すことからなるように思われる。この場合、追加のエネルギーはエネルギーの局限された付加によりより供給される。
より明確には、本発明は２種の異なる化学種の注入に基づいている。注入化学種の１つは、特殊な欠陥の生成により後に剥離が起こるゾーンを、注入エネルギーに応じて局限し、他方の化学種は、前記ゾーンに補足されるタイプの原子に該当し、この原子は、水素によるシリコン基板への注入の場合には、恐らく、Ｓｉ−Ｈの解離を防ぎ（これにより、板状タイプのＨ−欠陥を増大させる）、これらの欠陥を加圧下に置くこととによって、比較的低温で注入ゾーンの弱化を進めることにより、前記の特殊な欠陥の拡大を促進するであろう。
熱処理温度は、有利には、板状タイプの欠陥を増やすように（但し熱による剥離を引き起こさないように）選択される。この温度は、たとえソース基板および／または可能なターゲット基板が非常に異なる膨張係数をもつ材料を含んでいたとしとも、基板に大きな機械的応力を生じないように十分低い。本発明の方法が、比較的低い温度で（水素−ヘリウムの共注入の場合には、ヘリウムが逃げるのを防ぐために４００℃を超えない）行われる転写の方法であるのはこのためである。
本発明により、水素およびヘリウムのような２種の気体状化学種の共注入により、また、低温（前記の４００℃の限界値未満、または３００℃未満でさえある）で構造を熱的に弱化させることにより、全く驚くべき仕方で、剥離の本質が変わる；すなわち、注入ゾーンの弱化は、アニーリング時間に関わらず、本質的に熱的な剥離を生じることなく（上で定められた低温での２４時間のアニーリングの後、剥離は全く認められなかった）非常に高度に達成されるが、対照的に、時間および空間的に局限されたエネルギーを単に供給することによって、剥離はカタストロフィ的に起こるということが認められたことは強調するに値する。このように、前記文献ＦＲ−２７６７４１６に記載されているサーマルバジェットの考え方は、共注入とすでに記載された条件の下での低温での熱処理の場合には適切でないと思われる。
この結果は重要である：
・予備弱化アニーリングステップの作業ウィンドウが拡大される：予備弱化アニーリング継続時間の最大値の制限はもはや存在しない（あるいは、それはかなり付随的になる）；これは本発明の方法の工業化にとって好ましい。
・カタストロフィ的破断により、破断波が瞬間的に、また間歇的でなくウェハの全部分に渡って伝播し得るので、もはやアシスト剥離はない；すなわち、基板と薄膜となるはずの部分との間に、それが何であれ如何なるブレードも入り込む必要がないので、こうして露になる表面の状態がかなり改善され（こうして粗さは少なくなる）、また、王冠欠陥が防止され、こうして、周辺部分を含めて全薄膜が利用可能になる；道具をもはや導入する必要がないという事実は本発明の方法の工業化にとってやはり好ましい。
本発明者等はまだこの新しい機構についての明確な説明をもっていない。
少なくとも熱処理の時点で、ソース基板は当該表面でスティフナーまたはターゲット基板と密接に接触しているとすると、熱処理はこれらの基板の間の結合エネルギーを増大させるのに寄与する。
局限されたエネルギーの供給は、好ましくは、衝撃またはパルスの形で行われる。エネルギー供給は、有利には、短時間で僅かな振幅の動きを与えられる道具により行われる。
エネルギー供給は、有利には、埋もれた層の直近に、この層の一部のみに限定して、好ましくはこの層のうちの周辺部分に加えられる。
この供給は、特に、局限された熱の供給（例えば、レーザーパルスによる行われる）；あるいは、外力（例えば、弱化層の端部で、弱化層の直近に）；からなる。
実際に、本発明の条件でのソース基板への水素とヘリウムの共注入による試験では、局限された非常に小さいエネルギーの供給（特に、表面のうねりを避ける、すなわち、漸進性の剥離に比べて破断後の表面粗さの大きな変動を避けるという利点があった）により開始された破断波の連続的で２次元的な伝播により、カタストロフィ的剥離、すなわち、実質的に瞬間的で完全な剥離が起こった。このために、カタストロフィ的剥離では、後の研磨がより少なくなる。
低温では、結合相互作用が弱いために、ソース基板とターゲット基板との間を十分に強固に結合できないであろうから、プラズマによる活性化なしでの低温での剥離に加えて、少ない粗さを保証する方法を確立することは恐らく困難に思われたであろうということは強調するに値する。当然、本発明による方法は、接触させられる表面の少なくとも一方のプラズマによる活性化を、不利益を被ることなく用い得るが、ＨＥＮＴＴＩＮＥＮにより記載された方法とは対照的に、前記の活性化は必須ではない。
好ましくは、剥離を促進する欠陥を生成する化学種の注入は、第２化学種の注入の後に行われ、第２化学種の注入は、第１化学種により生成された欠陥ゾーンにこの第２化学種を局限するように行われる。
有利には、シリコンの場合には、この第１化学種は水素（好ましくは、Ｈ＋イオンの形の）であり、水素は標準的な濃度で（通常、数１０１６Ｈ／ｃｍ２の程度で）注入され、水素は弱化ゾーンを生成する効率がよいことが想起される。前記の層に、補足された原子が弱化欠陥の生成を促進するという役割を果たす第２化学種（好ましくはヘリウム）が、比較的少ない照射量で（典型的には、１０１６Ｈｅ／ｃｍ２の程度、あるいは、数１０１６Ｈｅ／ｃｍ２で）注入される。
ソース基板がターゲット基板に結合された時に、低温での熱処理（低温であるにもかかわらず、結合界面の強固さが良好であるのに十分である）の効果は、第２化学種のヘリウム原子が、水素により生成された欠陥に拡散することである。前記の比較的低温で得られる最大の弱化により、粗さが非常に少ない（数ｎｍの程度）超精密膜の剥離を外力により開始させることが可能になる。
Ｈｅｎｔｔｉｎｅｎにより記載された方法に対する、この方法の根本的な相違は、注入ゾーンをひどく損傷させ得る過剰な水素の照射を実施することが必要でないということである。共注入の効果により、さらなるプロセス（プラズマによる化学活性化およびＲＣＡ１）を行わないで、結合界面の強固さにとって十分な温度で、前記ゾーンの最大の弱化を達成することができる。さらに、本発明により、熱剥離により得られるものに比べて、転写膜の粗さが少なくなる。
有利には、第２化学種（例えばヘリウム）は、第１化学種（水素）と同じレベルに注入されるが、変形形態として、第２化学種は、注入により劣化するゾーンを減らすために、ソース基板において、（例えば）ずらしてより深く注入されてもよい。このずれたレベルは、第１のレベルとはっきりと異なり、例えば、ソース基板において、より深くてもよい。この場合、第２注入化学種の僅かな部分は、注入経路にある欠陥により補足されると思われる。
実際に、共注入により、２００℃から４００℃の温度を選択することが可能になる。
好ましくは、ソース基板は、単結晶、多結晶またはアモルファスの半導体および絶縁体から選択される材料の基板である。こうして、前記基板はＩＶ族半導体（特に興味深い例はシリコンであるが、特に、ゲルマニウムもしくはＳｉ−Ｇｅ合金でもあり得る）から選択され得る。
少なくともこの場合には、熱処理温度は、例えば数時間の（典型的には２から５時間程度の）継続時間で、有利には、２００℃から４００℃の範囲、好ましくは３００℃〜３５０℃の範囲に選択される。ソース基板はまた、ＩＩＩ−Ｖ族タイプ（例えば、ＡｓＧａまたはＩｎＰ）の半導体材料、あるいは、ＬｉＮｂＯ３およびＬｉＴａＯ３からなる群から好ましくは選択される絶縁材料基板でもあり得る。
熱処理はまた、例えば、２００２年１２月１０日に出願された欧州特許出願第０２−２９３０４９号に開示されているように、この処理の時間を減らせるようにしたプロフィールをもち得る。
実際に、温度範囲は、主に、注入化学種の性質と、ソース基板をなす材料の性質に応じて決まる。
ターゲット基板またはスティフナーには、有利には、アモルファス材料の形、好ましくは溶融シリカの形のものが選択される。しかし、それはまた、特に、シリコンまたはサファイアの単結晶もしくは多結晶の材料でもあり得る。
一般的説明
本発明の目的、特徴および利点は、添付図を参照しながら非限定的例示として記載される以下の説明から明らかになるであろう。
図１は、例えばイオンまたは気体の化学種の照射により注入処理（矢印２により示される）を受けている間の、表面４が有利には酸化された例えばシリコンの基板１を示している。
この注入は、欠陥を生成するのに適する第１化学種、例えば、水素（Ｈ＋イオンの形であることが好ましい）を所定の深さに注入することと、これらの欠陥を占めるのに適する第２化学種、例えばヘリウムを含む。示されている場合には、両方の化学種が同じ深さに注入されているが、変形形態においては、第２化学種は第１のものとは異なる深さに、例えばより深く注入される。
有利には、最初に第１化学種（すなわち水素）の注入が行われ、さらに、水素の注入により生成した欠陥をヘリウムが占め得る。しかし、逆の順序の注入が可能であり、２回の注入が同じ深さに行われない場合でさえそうである。
埋もれたゾーン３は以上の結果生じ、主に第１化学種により生成し、第２化学種が成長に寄与する欠陥の存在により弱化されている。
弱化ゾーン３は、ソース基板内で、将来の薄膜５と基板の残りの部分６（すなわち、薄膜の剥離後にソース基板として残る部分）との境界を画する；この残りの部分は、この手順の新たな注入サイクルでソース基板として利用可能である。
図２は、埋もれた弱化ゾーン３を含むソース基板が、表面４でターゲット基板７（これはスティフナーとして機能する）の対応する表面と、通常直接的な分子的結合によって、密接に接触させられるステップを示している。
次いで、熱処理が行われ、熱処理は、一方では、埋もれた層３の弱化を進展させることができ、他方では、結合ステップが起こって、ソース基板とターゲット基板との間の結合を強化することができる。
より具体的には、この熱処理の温度は、弱化ゾーン（すなわち、今の場合にはＳｉ−Ｈ結合）を成長させるのに適する温度範囲から選択される。
この処理は、有利には、２００℃〜４００℃の範囲から、好ましくは３００℃〜３５０℃の範囲から選択される温度で、通常、数時間の内から選択される継続時間（例えば２時間）実施される。こうして、サーマルバジェット（温度−時間の組合せ）は、工業的に現実的である。
図３には、例えば衝撃またはパルスの形で、好ましくは短時間で限られた振幅の、エネルギーの局限された供給を行うことにより、薄膜３をソース基板の残りの部分から剥離するステップが示されている。
エネンルギーの供給は、例えば、矢印１０により示される機械的応力からなる。
実現される剥離は、特に弱化層に沿っての道具の動きがないという意味においてカタストロフィ的である。
この局限されたエネルギーの供給は、ここでは、埋もれた層の一部分に限定され、隅効果（ｃｏｒｎｅｒ ｅｆｆｅｃｔ、ブレードのような道具により埋もれた弱化層の一部分に加えられる衝撃に相当する）の形に表される、；しかし、前記の供給は他の性質のものでもよく、例えば、小さな振幅角のパルスの形で有利には加えられる、埋もれた弱化層の平面に平行な偶力でもよい。本発明の方法のおかげで、埋もれた弱化ゾーン（実際には、実質的に平面である）でのカタストロフィ的剥離により露になる薄膜の表面は、従来の方法によるものよりかなり小さい粗さＲａをもち、転写された表面の特別な処理も、剥離後の相当な（「粗」）研磨も行うことを必要としない。剥離はカタストロフィ的であるので、表面波を生じがちな破断波の間歇的な伝播は実際にはないということ、また、新たに生成した表面に沿う道具の動き（あるいは、埋もれた層の両側の２つの部分の間の相対的な運動）がないので、こうして露になった表面には劣化がなく、その結果、この表面はカタストロフィ的剥離により誘導された非常に滑らかな表面状態をもつということは注目に値する。
ソース基板１は、シリコン基板であってもよいが、より一般的には、知られている如何なる適切な材料であってもよく、例えば、単結晶または多結晶またはアモルファスでさえあるＩＶ族もしくはＩＩＩ−Ｖ族の半導体であってもよい。こうして、ソース基板は以下であり得る：
・元素周期表のＩＶ族の別の半導体、例えばゲルマニウム、
・ＩＩＩ−Ｖ族のタイプの半導体、例えば、特に、ＡｓＧａまたはＩｎＰ、
・絶縁体、例えば、ニオブ酸塩またはタンタル酸塩タイプ、例えば、特に、ＬｉＮｂＯ３もしくはＬｉＴａＯ３。
ターゲット基板は、必要に応じて選択される、単結晶もしくは多結晶（例えば、半導体、例えば、ソース基板と同じ材料の中からの）の多様な材料の基板、あるいはアモルファス（例えば、多種のガラス、またはポリマー）でさえあり得る；こうしてターゲット基板は以下であり得る：
・結晶性材料、例えばサファイア、
・溶融シリカまたは別のガラスの基板、
・単なるスティッフニング層、例えば、知られている適切な方法により堆積された数十ナノメートルの厚さの酸化物層（これは、もはや、図に示されているタイプの嵩のあるターゲット基板には明らかに相当しない）。
ターゲット基板は、後に薄膜がそこから最終基板上に転写される単なる中間基板であり得ることは言及するに値する。
本発明の第１の実施形態によれば、表面に熱酸化ＳｉＯ２層（例えば１４５ｎｍ）を備えるＳｉ基板（約７００μｍ）に、最初に、７０ｋｅＶ−１×１０１６Ｈｅ／ｃｍ２の注入条件の下に、ヘリウム原子を注入し、次に、水素原子を、３０ｋｅＶ−４．２５×１０１６Ｈ／ｃｍ２の注入条件の下に注入することができる。次に、このソース基板を、Ｓｉ（約７００μｍ）のターゲット基板に直接結合により接合することができる。ほぼ３５０℃での熱処理は、水素濃度最大の部分に局限された板状タイプのキャビティの成長を誘発する。ヘリウム原子は、キャビティに補足された原子の役割を果たし、用いられた温度で最大限の板状タイプの欠陥を生成させる。一定の時間（例えば２時間）の後、衝撃の形で結合界面の間にブレードを挿入し始めるとすぐに、水素濃度最大の位置でのカタストロフィ的剥離により、Ｓｉの薄膜がターゲット基板上に転写される。高周波数で測定して（原子間力顕微鏡により）４５から５０オングストローム程度、また低周波数（表面形状測定法（ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｒｉｃ ｍｅｔｈｏｄ））で１０オングストローム程度の転写表面の粗さおよび転写表面のアモルファス性は、Ｈ−注入（３２ｋｅＶ−５．５×１０１６Ｈ／ｃｍ２）だけで、その後に５００℃での熱処理を行った場合に得られるもの（低周波数で２６オングストローム程度、高周波数で７５オングストローム程度の粗さ）より、実質的に少ない。
本発明の別の実施形態によれば、表面に熱酸化ＳｉＯ２層（例えば２００ｎｍ）を備えるＳｉ基板（約３００μｍ）に、最初に、７０ｋｅＶ−２×１０１６Ｈｅ／ｃｍ２の注入条件の下に、ヘリウム原子を注入し、次いで、水素原子を、３０ｋｅＶ−３×１０１６Ｈ／ｃｍ２の注入条件の下に注入する。次いで、このソース基板を、溶融シリカ（約１０００μｍ）のターゲット基板と直接結合により接合する。ほぼ３００℃での熱処理は、水素濃度最大の部分に局限された板状タイプのキャビティの成長を誘発し、水素欠陥により補足された注入ヘリウム原子は用いられた温度で最大限の板状タイプ欠陥の生成を促進する。一定時間（例えば３時間）の後、ブレードを結合界面の間にほんの僅かに挿入し、ブレードにパルス的な動き（すなわち衝撃）を与えることによる、水素分布の最大の位置でのカタストロフィ的な剥離の結果、Ｓｉの薄膜が溶融シリカ基板上に転写され、剥離後のヘテロ構造から派生するどちらの基板（１つは、Ｓｉ薄膜をもつ溶融シリカ基板、他方は、表面の薄膜が引き剥がされた元々のＳｉ基板）にも破損または劣化はない。表面形状測定法により低周波数で測定された転写表面の粗さ（低周波数で１４オングストローム程度、高周波数で７５オングストローム程度）と転写表面のアモルファス性とは、Ｈ−注入（３２ｋｅＶ−５．５×１０１６Ｈ／ｃｍ２）だけで、高温での機械的漸進剥離法を用いる場合に得られるもの（高周波数での９０オングストローム程度の粗さ、低周波数での４０オングストローム程度の粗さ）より、実質的に少ない。
注入中のソース基板の図である。 ターゲット基板と密接に接触（結合）させた後のソース基板の図である。 ソース基板に由来する薄膜の剥離中の図である。

Claims (22)

  1. ソース基板を供用し、
    前記ソース基板に、第１照射量のイオンまたは気体の第１化学種を、また第２照射量のイオンまたは気体の第２化学種を、前記ソース基板の表面に対して或る深さに注入し、第１化学種は欠陥を生成し、第２化学種はこれらの欠陥を占めるようなものであり、前記第１化学種は、前記第２化学種よりも後に注入されるものであってかつ前記第２化学種よりも浅い深さに注入されるものであり、
    スティフナーを前記ソース基板に密接に接触させて付け、
    薄膜の熱剥離を開始させないで、埋もれた弱化ゾーンを前記第１化学種が注入された深さに生成させるように、前記第２化学種を前記第１化学種が生成した前記欠陥へと拡散させるようにして４００℃未満の温度で或る時間ソース基板に熱処理を行い、
    前記表面と前記埋もれた弱化ゾーンとの間の画定された薄膜の、前記ソース基板の残りの部分に対する、カタストロフィ的剥離を引き起こすように、局限された量のエネルギーを前記ソース基板の埋もれた弱化層のうちの周辺部分にだけに供給し、前記薄膜は、粗さが限界値より少ない表面を、前記表面の反対側にもつ、
    薄膜のカタストロフィ的転写方法。
  2. 局限されたエネルギーの供給が、局限された熱の供給の形で行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 局限されたエネルギーの供給が、道具により加えられる短時間で僅かな振幅の動きの形で行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 局限されたエネルギーの供給が、埋もれた弱化ゾーンのうちの周辺部分において衝撃の形で行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  5. 少なくとも熱処理の時に、ソース基板に密接に接触させて置かれるスティフナーがターゲット基板であり、熱処理がこれらの基板の間の結合エネルギーを増大させるのに寄与することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
  6. ターゲット基板がアモルファス材料基板であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  7. ソース基板がシリコン基板であり、ターゲット基板が溶融シリカ基板であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  8. ターゲット基板が単結晶または多結晶材料の基板であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  9. ターゲット基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
  10. ソース基板が、単結晶、多結晶またはアモルファスの半導体および絶縁体から選択される材料から供用されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
  11. ソース基板がＩＶ族半導体から選択される材料から供用されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  12. ソース基板がシリコンからなることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  13. 熱処理が２００℃〜４００℃の範囲において選択される温度で実施されることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
  14. 熱処理が３００℃〜３５０℃の範囲において選択される温度で実施されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  15. 熱処理が２時間から５時間実施されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
  16. ソース基板がＩＩＩ−Ｖ族タイプの半導体材料から供用されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  17. ソース基板が、ＬｉＮｂＯ３およびＬｉＴａＯ３からなる群から選択される絶縁体から供用されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  18. 第１化学種が水素であることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
  19. 第１化学種がＨ＋タイプの水素であることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
  20. 第１化学種が数１０１６Ｈ／ｃｍ２の照射量で注入されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
  21. 第２化学種がヘリウムであることを特徴とする請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
  22. 第２化学種が、数１０１６Ｈｅ／ｃｍ２で、第１化学種の照射量より少ない照射量で注入されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
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