JP5214160B2 - 薄膜を製造する方法 - Google Patents
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Description
a)(例えば、シリコンから形成された)基板の一方の面に水素または希ガスタイプの軽いイオン(例えば、ヘリウム)を打ち込んで、その基板中に十分な濃度で前記イオンを注入し、ぜい弱化するマイクロキャビティ(microcavity)の層を生成するステップと、
b)その基板の前記面を補強材または受取り側基板と密接に接触させるステップと、
c)マイクロキャビティの層のレベルでブレード(blade)を挿入し、引張り応力よび/または曲げ応力および/またはせん断応力を加えること、かつ/または、適切なパワーおよび周波数の超音波もしくはマイクロ波を加えることのような、熱処理および/または機械的はく離応力を加えることによりマイクロキャビティの層で破壊/層間はく離を行うステップを使用する。
a)水素型またはヘリウム型の軽いイオンを単独で、あるいは(例えば、ホウ素−水素の混合注入による)他の化学種と組み合わせて、半導体材料から形成された基板の一方の面に打ち込んで、基板中の所定の深さに、前記注入されたイオンが濃縮された層を形成し、前記濃縮された層が基板の上部部分に薄膜を定義する、注入の少なくとも1つのステップと、
b)基板のその面を補強材と密接に接触させるステップと、
c)濃縮されたイオン層で層間はく離させることによりその補強材と接触している薄膜をはく離するステップと
を含む薄膜を製造する方法を用いて実現され、
この方法においては、注入ステップa)の後で、はく離ステップc)の前に、熱処理ステップを実行して、注入されたイオンの濃縮された層中の汚染物質をトラップし、前記処理は、注入されたイオンの濃縮された層においてその基板の層間はく離を引き起さない。ステップc)の後に、汚染物質をトラップすることにより、およびはく離ステップによりかき乱されたゾーンは、取り除かれる。
・熱処理のない、水素イオンを注入されたSi基板の厚み中で観察される酸素不純物の濃度と、
・1hの期間にわたって400℃の温度で実行される熱処理を受けた、水素イオンを用いて注入されたSi基板の厚み中で観察される酸素不純物の濃度と、
・熱処理のない、水素イオンを注入されたSi基板の厚み中で観察される炭素不純物の濃度と、
・1hの期間にわたって400℃の温度で実行される熱処理を受けた、水素イオンを用いて注入されたSi基板の厚み中で観察される炭素不純物の濃度
に対応する。
2 層
3 イオン層
4 薄膜
5 部分
6 補強材
7 平坦面
8 表面
10 基板
11 層
12 イオン層
13 平坦面
14 イオン層
15 薄膜
16 部分
17 補強材
Claims (16)
- 半導体薄膜を製造する際に不純物を除去する方法であり、
a)半導体材料を含む基板の一方の面にイオンを打ち込んで、前記基板中の所定の平均深さに、前記注入されたイオンが濃縮された層を形成し、前記濃縮された層および前記基板の面が、その間で薄膜を画定する、注入のステップと、
b)前記基板を熱処理することによって前記濃縮された層に薄膜の不純物質をトラップするステップであり、前記熱処理は前記濃縮された層で基板を層間はく離しないものであるステップと、
c)前記基板の前記面を補強材と密接に接触させるステップと、
d)前記薄膜の不純物質をトラップした後に、前記濃縮された層において基板を層間はく離によって基板から薄膜をはく離するステップと、
e)前記濃縮された層において基板をはく離した直後、および、引き続きのいずれかの加熱処理の前に、前記濃縮された層からの不純物質を含む薄膜の破壊された表面の、かき乱され汚染されたゾーンを取り除くステップであって、前記ゾーンを取り除くことが加熱を含まない処理によって行われるステップと、
f)前記かき乱され汚染されたゾーンを取り除いた後に、前記補強材に前記薄膜をアニールするステップと
を含み、上記a)〜f)の工程がこの順序で行われることを特徴とする方法。 - 前記注入されたイオンが、水素ガスのイオンであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム、窒化ガリウム、ヒ化ガリウムまたは炭化ケイ素の基板であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、単結晶シリコンの基板であり、前記トラップするための熱処理は、350℃から450℃の範囲の温度で実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記トラップするための熱処理は、18hから30hの範囲の期間にわたって350℃の温度で実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記注入のステップは第1の注入ステップを含み、前記濃縮された層は第1の濃縮された層を含み、前記方法は、前記基板の前記面にイオンを打ち込んで、前記基板中に、イオンの第2の濃縮された層を形成する第2の注入ステップをさらに含み、前記第2の注入ステップは、前記第1の注入ステップの注入エネルギーよりも大きな注入エネルギーを使用し、前記第2の濃縮された層は、前記第1の濃縮された層よりも前記面からさらに遠くに配置されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の注入ステップにおいて使用されるイオンは、ヘリウムガスのイオンであることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記基板は、単結晶シリコンの基板であり、前記トラップするための熱処理ステップは、1hの期間にわたって400℃の温度で実行されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記不純物質をトラップするステップは、第2の濃縮された層において実施され、はく離するステップは、第1の濃縮された層に沿って実施されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記はく離するステップは、前記濃縮された層にはく離応力を加えるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記はく離応力は、熱処理、機械的はく離応力、引張り応力、曲げ応力、せん断応力、超音波、マイクロ波またはこれらの組み合わせを加えることを含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記はく離するステップは、トラップするための熱処理の温度よりも高い温度で基板をアニールし、前記濃縮された層において基板を層間剥離することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記取り除くステップは、化学的−機械的研磨、選択的化学的攻撃またはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記不純物質は、基板に導入した原子種を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 除去される汚染されたゾーンの厚みは、1500Åのオーダーであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記薄膜は、はく離の後にアニールされることを特徴とする請求項1に記載の方法。
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CN109678106B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-10-30 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法 |
US11232974B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fabrication method of metal-free SOI wafer |
TWI727515B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-05-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 形成soi結構的方法 |
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US6150239A (en) * | 1997-05-31 | 2000-11-21 | Max Planck Society | Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate |
JPH11145438A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
FR2773261B1 (fr) * | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
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