JP2011205133A - 可撓性ポリマー基板と原子層蒸着され気体透過バリアとを含む物品。 - Google Patents

可撓性ポリマー基板と原子層蒸着され気体透過バリアとを含む物品。 Download PDF

Info

Publication number
JP2011205133A
JP2011205133A JP2011136790A JP2011136790A JP2011205133A JP 2011205133 A JP2011205133 A JP 2011205133A JP 2011136790 A JP2011136790 A JP 2011136790A JP 2011136790 A JP2011136790 A JP 2011136790A JP 2011205133 A JP2011205133 A JP 2011205133A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
article
substrate
barrier
atomic layer
layer deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011136790A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Francis Carcia
カーシア,ピーター・フランシス
Robert Scott Mclean
マクリーン,ロバート・スコツト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=33476779&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2011205133(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JP2011205133A publication Critical patent/JP2011205133A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/403Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/3141Deposition using atomic layer deposition techniques [ALD]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616Deposition of Al2O3
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/30Organic light-emitting transistors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Wrappers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、プラスチックまたはガラス基板と原子層蒸着によって製造された大気透過バリアとを含んでなる物品を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、a)上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
b)原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ2nm〜100nmを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。
【選択図】図1

Description

本発明は、プラスチックまたはガラス基板と原子層蒸着によって製造された大気透過バリアとを含んでなる物品に関する。該物品は、有機発光ダイオードなどの電気デバイスまたは電子デバイスの部品であってもよい。該物品はまた、気体透過が重要である用途の容器として用いられてもよい。
フェザーバイ(Featherby)およびデヘブン(Dehaven)(特許文献1)は、気密コーティングされたデバイスを開示する。このようなデバイスの形成には、集積半導体回路ダイを提供する工程と、回路ダイを囲む無機材料を含んでなる第1の層を適用する工程と、回路ダイを囲む第2の層を適用する工程とが含まれる。
アインティラ(Aintila)(特許文献2)は、原子層エピタキシーを用いて酸化物層を基板上に形成することを含む、後続の工程段階の必要とされる時点において開かれる、基板の表面の金属コンタクトパッド領域上にコンタクトバンプ(contact bump)を形成することを開示する。
アフターグット(Aftergut)およびアッカーマン(Ackerman)(特許文献3)は、防湿層を有する気密パッケージ入放射線検出装置を開示する。誘電材料層が、封止構造の一部として原子層エピタキシー技術で蒸着される。
アフターグットおよびアッカーマン(特許文献4)には、原子層エピタキシーによって蒸着された誘電材料層を含んでなる防湿層を有する気密パッケージ入放射線検出装置が開示されている。
どの文献にも、ポリマーまたはガラス基板を含んでなる透過バリアは開示されていなかった。
国際公開第2001067504号パンフレット 国際公開第9715070A2号パンフレット 米国特許第5641984号明細書 米国特許第5707880号明細書
本発明は、
a)プラスチックおよびガラスよりなる群から選択される材料から作製された基板と、
b)原子層蒸着によって前記基板上に蒸着されたフィルムとを含んでなる物品について記載する。
本発明はさらに、
a)プラスチックおよびガラスよりなる群から選択される材料から作製された基板と、
b)コーティングされた付着層と、
c)原子層蒸着によって蒸着された気体透過バリアとを含んでなる物品である。
本発明の別の実施態様は、
a)プラスチックおよびガラスよりなる群から選択される材料から作製された基板と、
b)有機半導体と、
c)原子層蒸着によって蒸着された気体透過バリアとを含んでなる物品である。
本発明のさらに別の実施態様は、
a)プラスチックおよびガラスよりなる群から選択される材料から作製された基板と、
b)液晶ポリマーと、
c)原子層蒸着によって蒸着された気体透過バリアとを含んでなる物品である。
本発明はさらに、密閉された容器である実施態様について記載する。
本発明の別の実施態様は電気デバイスまたは電子デバイスである。
本発明のさらに別の実施態様は発光ポリマーデバイスである。
本発明のさらに別の実施態様は液晶ポリマーデバイスである。
本発明はさらに、有機発光ダイオードについて記載する。
本発明の別の実施態様はトランジスタである。
本発明のさらに別の実施態様は、発光ポリマーデバイスを含んでなる回路である。
さらに別の物品は、有機光電池である。
本明細書において教示された第2の物品が複数の層を含んでなり、各層が、上に記載されたような1つの物品を含んでなり、該物品が互いに接触している。この第2の物品の1つの実施態様において、上記の物品は積層手段によって互いに接触している。
バリア基板とバリアトップコートとを有する発光ポリマーデバイスを示す。 バリア基板とバリアキャッピング層とを有する発光ポリマーデバイスを示す。 バリア基板とバリアキャッピング層とを有する有機トランジスタを示す。 バリア基板とバリアキャッピング層とを有する有機トランジスタを示す。 25nmのAlバリアフィルムでコーティングされた厚さ0.002インチのポリエチレンナフタレート(PEN)を通しての光の透過率の測定値を示す。
ポリマーフィルムを通してのOおよびHO蒸気の透過は容易である。パッケージング用途のために透過性を低減するために、ポリマーが薄い無機フィルムでコーティングされる。Alのコーティングされたポリエステルが一般的である。物理蒸着(PVD)または化学蒸着(CVD)のいずれかによって作製された光透過性のバリア、主にSiOxまたはAlOもまた、パッケージングにおいて用いられる。後者のフィルムは市販されており、「ガラスのコーティングされた」バリアフィルムとして業界において公知である。それらは、約10倍の大気気体の透過の改良、約1.0ccO/m/日および1.0mlHO/m/日までポリエステルフィルムを通しての透過度の低減をもたらす(M.イズ(M.Izu)、B.ドッター(B.Dotter)、およびS.R.オブシンスキー(S.R.Ovshinsky)、J.Photopolymer Science and Technology、第8巻、1995年、195〜204ページ)。このささやかな改良は多くの高容積パッケージング用途について性能と費用とを適度に両立させるが、この性能は、電子機器のパッケージングの必要条件にはるかに及ばない。電子パッケージングは通常、例えば、飲料容器よりも少なくとも一桁長い所望の寿命を必要とする。例として、可撓性ポリエステル基板上に製造された、有機発光ポリマー(OLED)をベースとする可撓性ディスプレイは、発光ポリマーとCaまたはBaであることが多い感水性金属カソードとの両方を気体がひどく劣化させることがあるので、大気気体の排除のために推定値で10〜10倍のバリアの改良を必要とする。
ポリマーの固有透過性は、それらの固有自由体積分率のために、一般に10〜10倍高いので、可撓性OLEDディスプレイなどの電子用途に必要とされる保護レベルを達成することができない。本質的にゼロの透過性を有する無機材料だけが、適切なバリア保護を提供することができる。理想的には、無機材料の欠陥のない、連続した薄いフィルムコーティングは、大気気体に対して不透過性であるのがよい。しかしながら、実状では、コーティングプロセスかまたはバリア性質を損なう基板の欠陥のいずれかのために、薄いフィルムがピンホールなどの欠陥を有する。フィルム中の粒界でも、容易な透過経路を与えることができる。最良のバリア性質を得るために、フィルムは、きれいな環境できれいな欠陥のない基板上に蒸着されるのがよい。このフィルム構造は、非晶質であるのがよい。蒸着方法は非方向性であるのがよく(すなわちPVDよりもCVDが好ましい)、特徴のないミクロ構造を達成するための成長機構は理想的には、粒状ミクロ構造を有する柱状成長を避けるために、逐次積層(layer by layer)である。
原子層蒸着(ALD)は、低透過のためのこれらの基準の多くを満たすフィルム成長方法である。原子層蒸着方法の説明は、トゥオモ・スントラ(Tuomo Suntola)著、Thin Solid Films、第216巻(1992年)84〜89ページの「原子層エピタキシー(“Atomic Layer Epitaxy”)」に見出すことができる。その名前が示唆するように、ALDによって成長させられたフィルムは、逐次積層法によって形成される。一般に、フィルム前駆物質の蒸気は、真空チャンバー内の基板上に吸着される。次に、蒸気をチャンバーから吸入排出し、吸着された前駆物質の薄い層、通常、本質的に単層を基板上に残す。次いで、反応体を熱条件下でチャンバーに導入し、吸着された前駆物質との反応を促進して所望の材料の層を形成する。反応生成物をチャンバーから吸入排出する。再び基板を前駆物質の蒸気に暴露し、蒸着方法を繰り返すことによって材料の後続の層を形成することができる。ALDは、基板表面の限られた数の核形成部位において成長が開始されて進行する一般的なCVDおよびPVD方法による成長とは対照的である。後者の技術は、気体透過がそれらに沿って容易となり得る柱間の境界を有する柱状ミクロ構造をもたらす場合がある。ALDは、極度に低い気体透過性を有する非常に薄いフィルムを製造することができ、プラスチック基板上に形成された感受性電子デバイスおよび部品をパッケージングするためのバリア層としてこのようなフィルムを魅力あるものにする。
本発明は、大気気体の通過を阻止するために有用な、プラスチック基板上にALDによって形成されたバリア層について記載する。本発明の基板としては、Polymer Materials、クリストファー・ホール(Christopher Hall)著(ニューヨーク州、ワイリー(Wiley,New York)、1989年)またはPolymer Permeability、J.コミン(J.Comyn)著(ロンドン、エルセビア(Elsevier,London)、1985年)に記載されているがそれらに限定されないポリマー材料など、ポリマー材料の一般的なクラスが挙げられる。一般的な例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)およびポリエチレンナフタレート(PEN)などがあり、ロールでフィルムベースとして市販されている。バリアに適した、ALDによって形成された材料には、周期表のIVB、VB、VIB、IIIA、およびIVA族の酸化物および窒化物およびそれらの組合せがある。SiO、Al、およびSiがこの群において特に重要である。この群の酸化物の利点の1つは、可視光線がデバイスから出入りしなければならない電子ディスプレイおよび光電池にとって魅力的である光透過性である。SiおよびAlの窒化物もまた、可視スペクトルに透過性である。
これらのバリア材料を形成するためにALD方法において用いられる前駆物質は、当業者に公知の前駆物質より選択することができ、M.レスケラ(M.Leskela)およびM.リタラ(M.Ritala)著、「ALD前駆物質の化学:発展と将来の課題(“ALD precursor chemistry: Evolution and future challenges”)」、Journal de Physique IV、第9巻、837〜852ページ(1999年)およびそこに記載された文献などの公開文献に要約されている。
ALDによってこれらのバリアコーティングを合成するための基板温度の好ましい範囲は、50℃〜250℃である。過度の高温(>250℃)は、プラスチック基板の化学分解または基板の寸法の変化が大きいことによるALDコーティングの破裂のために、温度感受性プラスチック基板の加工に向かない。
バリアフィルムの好ましい厚さの範囲は2nm〜100nmである。より好ましい範囲は2〜50nmである。より薄い層は、フィルムに亀裂を生じさせずに、より耐屈曲性になる。これは、可撓性が所望の性質であるポリマー基板には非常に重要である。フィルムの亀裂は、バリア性質を損なう。薄いバリアフィルムはまた、光の入射または出射が重要である電子デバイスの場合、透過性を増加させる。連続したフィルム被覆面積に相応する最小厚さがある場合があり、そのための基板の欠陥部のすべてがバリアフィルムによって覆われる。ほとんど欠陥のない基板については、良好なバリア性質のための限界厚さは少なくとも2nmであると推定されたが、10nmもある場合がある。
ALDによってコーティングされた酸化物および窒化物バリア層には、プラスチック基板または保護を必要とする物品への付着を促進するために「出発層」または「付着層」を必要とする場合があるものがある。付着層の好ましい厚さは、1nm〜100nmの範囲である。付着層のための材料は、バリア材料の同じ群より選択される。酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素が付着層のために好ましく、同じくALDによって蒸着されてもよいが他の方法、例えば化学蒸着および物理蒸着または本技術分野に公知の他の蒸着方法などもまた、適している場合がある。
バリア構造の基礎構成単位は、(A)プラスチックまたはガラス基板上にALDによってコーティングされた、付着層を有するかまたは有さない単一バリア層、または(B)プラスチック基板の各面にALDによってコーティングされた、付着層を有するかまたは有さないバリア層のいずれかである。次に、この基礎構造は、この構成単位を自単位に積層して多数の、単独バリア層を形成することによって任意の数の組合せで結合することができる。物理的に分離した多数の層により、層の数に相応して、単純な乗数倍よりもずっと全バリア性質を改良することができることは、バリアコーティングの技術分野において公知である。これは、例えば、J. Phys. Chem. B 1997年、第101巻、2259〜2266ページ、Y.G.トロプシャ(Y.G.Tropsha)およびN.G.ハーベイ(N.G.Harvey)著、「酸化ケイ素/ポリ(エチレンテレフタレート)複合バリア構造を通しての酸素および水の移動の活性化速度の理論処理(“Activated rate theory treatment of oxygen and water transport through silicon oxide/poly(ethylene terephthalate) composite barrier structures”)」に示されている。拡散気体分子の通路がこの分離されている多数のバリア層にわたってくねっているので、これが起こる。有効な拡散通路は、単一層の厚さの合計よりもずっと大きい。
別のバリア構造は、保護を必要とする電子または電気−光デバイスを直接にコーティングすることを必要とする。この点に関して、ALDは、高度に相似コーティングを形成するので、特に関心を引く。従って複雑なトポグラフィーを有するデバイスを完全にコーティングおよび保護することができる。
(実施例1)
図1は、発光ポリマーデバイスの略図を示す。簡略化のために、発光ポリマーデバイスが、2つの電極間に挟まれた発光ポリマー(LEP)として示される。実施において、正孔伝導層および/または電子伝導層を適切な電極とLEP層との間に挿入してデバイス効率を増加させることができる。アノードは、インジウム−スズ酸化物の層であり、カソードは、Ca/Al複合層である。電極間に印加された電圧によって、アノード側で注入された正孔と、カソード側で注入された電子とが結合して放射性減衰する励起子を形成し、LEPから光を放射する。LEPは典型的に、ポリ−フェニレンビニレン(PPV)またはその誘導体などの感光性ポリマーである。カソードは、しばしばBaまたはCaであり、大気気体、特に水蒸気と非常に反応性である。これらの感受性材料の使用のために、デバイスのパッケージングは、適正なデバイス寿命を達成するために大気気体を取り除く必要がある。図1において、パッケージは、LEPデバイスが上に蒸着されるプラスチックまたはガラスであってもよいバリア−基板と、さらに、トップコートされたバリアフィルムとからなる。基板は、厚さ0.004インチであるポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレート(PEN)からなる。PENフィルムの各面は、アルミニウムの前駆物質としてトリメチルアルミニウムおよび酸化体としてオゾン(O)を用いて、原子層蒸着によって蒸着されるAlの厚さ50nmのフィルムでコーティングされる。蒸着する間の基板温度は150℃である。ALD方法において、機械ポンプを備えた真空チャンバー内にPEN基板を配置する。チャンバーを脱気する。トリメチルアルミニウム前駆物質を約2秒間、500ミリトールの圧力のチャンバーに入れる。次いで、チャンバーを約2秒間、アルゴンでパージする。次に、酸化体のオゾンを約2秒間、約500ミリトールのチャンバーに入れる。最後に、酸化体を約2秒間、アルゴンでパージする。この蒸着方法を約50回繰り返して厚さ約100ナノメートルのコーティングを得る。Al層は可視領域において光透過性である。コーティングされた基板を、コーティングを損なわずに屈曲することができる。Alバリアの1つが、10%(重量%)のSnドープトインジウム酸化物ターゲットからrfマグネトロン・スパッタリングによってインジウム−スズ酸化物透明導体でコーティングされる。ITOフィルムの厚さは150nmである。LEPがITO電極上にスピンコーティングされ、その後、5nmのCaおよび約1μmのAlのカソードが、CaおよびAl金属源からそれぞれ、熱蒸発される。次いで、このLEPデバイスが、再びアルミニウムの前駆物質としてトリメチルアルミニウムおよび酸化体としてオゾン(O)を用いて、原子層蒸着によって蒸着される、Alの厚さ50nmのトップバリア層フィルムでコーティングされる。得られた構造は大気気体に不透過性である。
(実施例2)
別種のパッケージング方法を図2に示す。トップコートされたバリアを、上記の実施例1に記載されたようなITO電極を用いない同一の基板バリア構造(Al/PEN/Al)と取り替える。このキャッピングバリア構造は、エポキシ層を用いて基板バリアにシールされる。
(実施例3)
図3は、有機トランジスタのためのALDバリアコーティングによる保護方法を示す。示されたトランジスタは、最終層または上層として有機半導体を有する下部ゲート構造である。大部分の有機半導体は空気感受性であり、長時間の暴露はそれらの性質を低下させるので、保護方法が必要である。図3において、パッケージは、トランジスタが上に蒸着され、次いで同じキャッピングバリア構造にシールされるバリア−基板からなる。基板は、厚さ0.004インチのポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレート(PEN)からなる。PENフィルムの各面が、アルミニウムのための前駆物質としてトリメチルアルミニウムおよび酸化体としてオゾン(O)を用いて、原子層蒸着によって蒸着される、Alの厚さ50nmのフィルムでコーティングされる。蒸着する間の基板温度は150℃である。ALD方法において、PEN基板を機械ポンプを備えた真空チャンバー内に置く。チャンバーを脱気する。トリメチルアルミニウム前駆物質を約2秒間、500ミリトールの圧力のチャンバーに入れる。次いで、チャンバーを約2秒間、アルゴンでパージする。次に、酸化体のオゾンを約2秒間、約500ミリトールのチャンバーに入れる。最後に、酸化体を約2秒間、アルゴンでパージする。この蒸着方法を約50回繰り返して厚さ約100ナノメートルのコーティングを得る。厚さ100nmのPd金属のゲート電極を、Alのバリアフィルム上にシャドウマスクを通してイオンビームスパッタリングする。次に、金属ゲートへの接触を可能にするために同様にマスクを通して、250nmのSiのゲート誘電体を、プラズマ増強化学蒸着によって蒸着する。この後に、ゲート誘電体上にイオンビームスパッタリングされた、厚さ100nmのPdソースおよびドレイン電極をパターン化する。最後に上部有機半導体、例えばペンタセンが、ソース−ドレイン電極への接触を可能にするシャドウマスクを通して熱蒸発される。全トランジスタがAl/PEN/Alバリア構造をキャッピングされ、エポキシシーラントで基板バリアにシールされる。
(実施例4)
図4において、実施例3のキャッピングバリアを、アルミニウムの前駆物質としてトリメチルアルミニウムおよび酸化体としてオゾン(O)を用いて、原子層蒸着によって蒸着される厚さ50nmのAlの単一層と取り替えることができる。有機トランジスタデバイスの両方のパッケージング構造は、大気気体に不透過性である。バリアコーティングを有するプラスチック基板もまた、不透過性ガラス基板と取り替えることができる。バリアキャッピング層は、室温においてプラズマ増強化学蒸着によって蒸着された窒化ケイ素の初期付着層と、その次の、実施例3において記載されたように、原子層蒸着によって蒸着された、厚さ50nmのAlバリアとからなる。
(実施例5)
厚さ0.002インチの、ポリエチレンテレフタレート(PEN)の基板フィルムは、PEN基板の一方の面に厚さ約25nmのAlで120℃において原子層蒸着によってコーティングされた。その透過性性質を評価する前に、コーティングされたPEN基板を少なくとも1回、少なくとも1.5インチの半径に屈曲し、コーティングされたAl被覆PEN基板を硬質シリコンキャリアウエハから除去し、ALD蒸着する間にカプトン(Kapton)(登録商標)テープでウエハにそれを付着させた。AlをALDによって蒸着させたフィルムを通して50%の相対湿度での酸素輸送率を、市販の計測器(モコン・オックス・トラン(MOCON Ox−Tran)2/20)で測定した。80時間の測定時間の後、測定感度(0.005cc−O/m/日)内で、過酷な先行の屈曲にもかかわらずバリアフィルムを通しての酸素輸送は検出されなかった(<0.005cc/m/日)。比較のために、コーティングされないPEN基板を通しての酸素輸送の測定値は約10cc−O/m/日であった。図5は、このAlのコーティングされたPENバリアおよびコーティングされないPENの光の透過率が同じであることを示し(400nmを超える場合に>80%の透過率)、薄いAlバリアコーティングの透過性を実証する。

Claims (14)

  1. a)上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
    b)原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ2nm〜100nmを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品。
  2. a)上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
    b)コーティングされた付着層と、
    c)原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ2nm〜100nmを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品。
  3. a)上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
    b)有機半導体と、
    c)原子層蒸着によって蒸着された厚さ2nm〜100nmを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品。
  4. a)上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
    b)液晶ポリマーと、
    c)原子層蒸着によって蒸着された厚さ2nm〜100nmを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品。
  5. 各気体透過バリアが2nm〜50nmの厚さを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の物品。
  6. 基板が、250℃以上で化学分解及び/又は寸法の変化を受けることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の物品。
  7. 密閉された容器である請求項1〜6のいずれか一項に記載の物品。
  8. 電気デバイスまたは電子デバイスである請求項1〜6のいずれか一項に記載の物品。
  9. 発光ポリマーデバイスである請求項1〜6のいずれか一項に記載の物品。
  10. 有機発光ダイオード、トランジスタ、有機光電池、または、液晶ディスプレイである請求項1〜6のいずれか一項に記載の物品。
  11. 発光ポリマーデバイスを含む回路である請求項1〜6のいずれか一項に記載の物品。
  12. トランジスタを含む回路である請求項1〜6のいずれか一項に記載の物品。
  13. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の物品を各層が含む、複数の層を含有する第2の物品であって、前記物品が互いに接触している、第2の物品。
  14. 積層手段によって互いに接触している請求項13に記載の第2の物品。
JP2011136790A 2003-05-16 2011-06-20 可撓性ポリマー基板と原子層蒸着され気体透過バリアとを含む物品。 Pending JP2011205133A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US47102003P 2003-05-16 2003-05-16
US60/471,020 2003-05-16

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006533109A Division JP2007516347A (ja) 2003-05-16 2004-05-14 原子層蒸着によって製造されたプラスチック基板用のバリアフィルム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012090941A Division JP2012184509A (ja) 2003-05-16 2012-04-12 基板フィルムとバリアコーティングとを含むバリア構造物およびそれを含む物品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011205133A true JP2011205133A (ja) 2011-10-13

Family

ID=33476779

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006533109A Pending JP2007516347A (ja) 2003-05-16 2004-05-14 原子層蒸着によって製造されたプラスチック基板用のバリアフィルム
JP2011136790A Pending JP2011205133A (ja) 2003-05-16 2011-06-20 可撓性ポリマー基板と原子層蒸着され気体透過バリアとを含む物品。
JP2012090941A Pending JP2012184509A (ja) 2003-05-16 2012-04-12 基板フィルムとバリアコーティングとを含むバリア構造物およびそれを含む物品

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006533109A Pending JP2007516347A (ja) 2003-05-16 2004-05-14 原子層蒸着によって製造されたプラスチック基板用のバリアフィルム

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012090941A Pending JP2012184509A (ja) 2003-05-16 2012-04-12 基板フィルムとバリアコーティングとを含むバリア構造物およびそれを含む物品

Country Status (6)

Country Link
US (3) US20070275181A1 (ja)
EP (1) EP1629543B1 (ja)
JP (3) JP2007516347A (ja)
KR (3) KR20120061906A (ja)
CN (2) CN103215569A (ja)
WO (1) WO2004105149A1 (ja)

Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100544145B1 (ko) * 2004-05-24 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
WO2006014591A2 (en) * 2004-07-08 2006-02-09 Itn Energy Systems, Inc. Permeation barriers for flexible electronics
KR101122231B1 (ko) * 2004-12-17 2012-03-19 삼성전자주식회사 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
DE102004061464B4 (de) * 2004-12-17 2008-12-11 Schott Ag Substrat mit feinlaminarer Barriereschutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070040501A1 (en) 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
US7829147B2 (en) 2005-08-18 2010-11-09 Corning Incorporated Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device
US7722929B2 (en) 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
US7508130B2 (en) 2005-11-18 2009-03-24 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
WO2008069894A2 (en) * 2006-11-13 2008-06-12 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Molecular layer deposition process for making organic or organic-inorganic polymers
US8115326B2 (en) 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
US7781031B2 (en) 2006-12-06 2010-08-24 General Electric Company Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method
US7750558B2 (en) 2006-12-27 2010-07-06 Global Oled Technology Llc OLED with protective electrode
US7646144B2 (en) 2006-12-27 2010-01-12 Eastman Kodak Company OLED with protective bi-layer electrode
US8174187B2 (en) 2007-01-15 2012-05-08 Global Oled Technology Llc Light-emitting device having improved light output
US20090159119A1 (en) * 2007-03-28 2009-06-25 Basol Bulent M Technique and apparatus for manufacturing flexible and moisture resistive photovoltaic modules
US7795613B2 (en) * 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
DE102007019994A1 (de) * 2007-04-27 2008-10-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transparente Barrierefolie und Verfahren zum Herstellen derselben
US7560747B2 (en) 2007-05-01 2009-07-14 Eastman Kodak Company Light-emitting device having improved light output
US20090081360A1 (en) 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Oled display encapsulation with the optical property
US20090081356A1 (en) 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
US8080280B1 (en) 2007-10-16 2011-12-20 Sandia Corporation Nanostructure templating using low temperature atomic layer deposition
FI120832B (fi) * 2007-12-03 2010-03-31 Beneq Oy Menetelmä ohuen lasin lujuuden kasvattamiseksi
US7993733B2 (en) 2008-02-20 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Index modified coating on polymer substrate
US20090238993A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Surface preheating treatment of plastics substrate
GB0807037D0 (en) * 2008-04-17 2008-05-21 Dupont Teijin Films Us Ltd Coated polymeric films
US8057649B2 (en) 2008-05-06 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Microwave rotatable sputtering deposition
US8349156B2 (en) 2008-05-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Microwave-assisted rotatable PVD
US7976908B2 (en) * 2008-05-16 2011-07-12 General Electric Company High throughput processes and systems for barrier film deposition and/or encapsulation of optoelectronic devices
US8242487B2 (en) 2008-05-16 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Anode for an organic electronic device
FR2933538B1 (fr) * 2008-07-07 2012-09-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif electroluminescent d'affichage, d'eclairage ou de signalisation, et son procede de fabrication
DE102008054052A1 (de) * 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
EP2361445A4 (en) * 2008-12-01 2012-07-04 Du Pont ANODE FOR AN ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
BRPI0922795A2 (pt) * 2008-12-05 2018-05-29 Lotus Applied Tech Llc alta taxa de deposição de filmes finos com propriedades de camada de barreira melhorada
JP2010140980A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Sony Corp 機能性有機物素子及び機能性有機物装置
US8461758B2 (en) * 2008-12-19 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
CN103456794B (zh) 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
DE102009024411A1 (de) 2009-03-24 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
FI123170B (fi) * 2009-05-26 2012-11-30 Beneq Oy Järjestely substraatin käsittelemiseksi sekä asennusalusta substraattia varten
EP2471105A2 (en) * 2009-08-24 2012-07-04 E. I. du Pont de Nemours and Company Barrier films for thin-film photovoltaic cells
FI20095947A0 (fi) * 2009-09-14 2009-09-14 Beneq Oy Monikerrospinnoite, menetelmä monikerrospinnoitteen valmistamiseksi, ja sen käyttötapoja
JP5621258B2 (ja) * 2009-12-28 2014-11-12 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
US8637123B2 (en) 2009-12-29 2014-01-28 Lotus Applied Technology, Llc Oxygen radical generation for radical-enhanced thin film deposition
FI122616B (fi) * 2010-02-02 2012-04-30 Beneq Oy Vahvistettu rakennemoduuli ja sen valmistusmenetelmä
US8512809B2 (en) 2010-03-31 2013-08-20 General Electric Company Method of processing multilayer film
JP5912228B2 (ja) * 2010-05-17 2016-04-27 凸版印刷株式会社 ガスバリア性積層体の製造方法
DE102010040839B4 (de) * 2010-09-15 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektronsichen Bauelements und elektronisches Bauelement
JP2012096432A (ja) * 2010-11-01 2012-05-24 Sony Corp バリアフィルム及びその製造方法
CN102468307A (zh) * 2010-11-15 2012-05-23 联建(中国)科技有限公司 基板模组、显示面板以及触控面板
JP2012182303A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池バックシート
DE102011079101A1 (de) * 2011-07-13 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches optoelektronisches bauteil und verfahren zu dessen herstellung
WO2013015417A1 (ja) 2011-07-28 2013-01-31 凸版印刷株式会社 積層体、ガスバリアフィルム、積層体の製造方法、及び積層体製造装置
KR101996684B1 (ko) 2011-07-28 2019-07-04 도판 인사츠 가부시키가이샤 적층체, 가스 배리어 필름, 및 이들의 제조 방법
TW201322382A (zh) * 2011-11-17 2013-06-01 Wintek Corp 電致發光顯示裝置
US20150099126A1 (en) 2012-04-25 2015-04-09 Konica Minolta, Inc. Gas barrier film, substrate for electronic device and electronic device
US20130333835A1 (en) * 2012-06-14 2013-12-19 E I Du Pont De Nemours And Company Process for manufacturing gas permeation barrier material and structure
US10862073B2 (en) * 2012-09-25 2020-12-08 The Trustees Of Princeton University Barrier film for electronic devices and substrates
TWI592310B (zh) 2012-10-18 2017-07-21 凸版印刷股份有限公司 積層體、阻氣薄膜及其製造方法
US10096533B2 (en) 2014-11-17 2018-10-09 Sage Electrochromics, Inc. Multiple barrier layer encapsulation stack
DE102012220586A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Element zur Stabilisierung eines optoelektronischen Bauelements, Verfahren zur Herstellung eines Elements und optoelektronisches Bauelement
KR101583119B1 (ko) * 2012-11-29 2016-01-07 주식회사 엘지화학 가스차단성 필름
WO2014084685A1 (ko) * 2012-11-29 2014-06-05 주식회사 엘지화학 차단층의 손상을 감소시키는 코팅방법
DE102013100818B4 (de) * 2013-01-28 2023-07-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112014000637T5 (de) * 2013-01-31 2015-11-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Gasdurchgangs-Sperrschichtmaterial und damit konstruierte elektronische Geräte
KR101701257B1 (ko) * 2013-03-14 2017-02-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 박막 캡슐화 ― oled 어플리케이션을 위한 얇은 초고 배리어 층
EP2979859A4 (en) * 2013-03-27 2016-11-02 Toppan Printing Co Ltd LAMINATE AND BARRIER FILM AGAINST GAS
EP2979857B1 (en) 2013-03-27 2024-03-20 Toppan Printing Co., Ltd. Laminate body, barrier film, and manufacturing method of these
JP6003778B2 (ja) 2013-04-03 2016-10-05 株式会社デンソー 熱交換器の製造方法
US20140319488A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Veeco Ald Inc. Thin film formation for device sensitive to environment
JP2014214366A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 コニカミノルタ株式会社 プラズマcvd成膜用マスク、プラズマcvd成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6020339B2 (ja) * 2013-04-26 2016-11-02 コニカミノルタ株式会社 プラズマcvd成膜用マスク、及びプラズマcvd成膜方法
KR102104608B1 (ko) * 2013-05-16 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
FR3006236B1 (fr) * 2013-06-03 2016-07-29 Commissariat Energie Atomique Procede de collage metallique direct
KR101928598B1 (ko) * 2013-09-30 2018-12-12 주식회사 엘지화학 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
TWI581969B (zh) * 2013-09-30 2017-05-11 樂金顯示科技股份有限公司 用於有機電子裝置之基板
JP2015115185A (ja) * 2013-12-11 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 有機elモジュールおよびその製造方法
CN103955091A (zh) * 2014-05-22 2014-07-30 张家港康得新光电材料有限公司 基于pdlc器件的光学复合膜及其制备方法
DE102014010241A1 (de) * 2014-05-30 2015-12-03 Schott Ag Körper, bevorzugt mit einer Oberfläche umfassend bevorzugt einen Glaskörper mit einer Glasoberfläche und Verfahren zur Herstellung desselben
CN107108917B (zh) 2014-07-24 2020-04-28 欧司朗Oled股份有限公司 屏障层的制备方法和包含这种屏障层的载体主体
KR20170038821A (ko) 2014-07-29 2017-04-07 도판 인사츠 가부시키가이샤 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 가스 배리어 필름 및 그 제조 방법
CN104300091B (zh) * 2014-09-17 2017-02-15 合肥京东方光电科技有限公司 Oled器件封装结构及其制作方法
EP3213341A4 (en) * 2014-10-17 2018-08-29 Lotus Applied Technology, LLC High-speed deposition of mixed oxide barrier films
US20170088951A1 (en) * 2014-10-17 2017-03-30 Eric R. Dickey Deposition of high-quality mixed oxide barrier films
CN107111972B (zh) * 2014-10-28 2020-04-28 株式会社半导体能源研究所 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
CN104465636A (zh) * 2014-11-12 2015-03-25 谢颃星 一种新型半导体封装体
JP5795427B1 (ja) * 2014-12-26 2015-10-14 竹本容器株式会社 被膜付き樹脂容器の製造方法及び樹脂容器被覆装置
US9766763B2 (en) 2014-12-26 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, light-emitting panel, display panel, and sensor panel
JP6011652B2 (ja) * 2015-02-02 2016-10-19 凸版印刷株式会社 ガスバリア性積層体およびこの製造方法
JP6554810B2 (ja) * 2015-02-16 2019-08-07 凸版印刷株式会社 積層体及びその製造方法、並びにガスバリアフィルム
JP6524702B2 (ja) 2015-02-26 2019-06-05 凸版印刷株式会社 ガスバリア性フィルムの製造方法及びガスバリア性フィルム
JP6536105B2 (ja) 2015-03-17 2019-07-03 凸版印刷株式会社 積層体及びその製造方法、並びにガスバリアフィルム及びその製造方法
EP3284592A4 (en) * 2015-04-16 2019-04-17 Toppan Printing Co., Ltd. LAMINATE AND GAS TONER
JP6657588B2 (ja) 2015-04-17 2020-03-04 凸版印刷株式会社 積層体及びその製造方法
JP6259023B2 (ja) 2015-07-20 2018-01-10 ウルトラテック インク 電極系デバイス用のald処理のためのマスキング方法
CN105449123B (zh) * 2015-11-18 2018-03-06 上海大学 水氧阻隔层的制备方法
WO2017115783A1 (ja) 2015-12-28 2017-07-06 凸版印刷株式会社 積層体及びその製造方法、ガスバリアフィルム及びその製造方法、並びに有機発光素子
EP3470893A4 (en) 2016-06-08 2020-02-26 Toppan Printing Co., Ltd. DISPLAY BODY
US10472150B2 (en) * 2016-07-12 2019-11-12 R.J. Reynolds Tobacco Products Package wrapping including PLA film with moisture barrier by atomic layer deposition
KR102577001B1 (ko) 2016-08-11 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판, 플렉서블 기판의 제조방법, 및 플렉서블 기판을 포함하는 디스플레이 장치
CN106947957A (zh) * 2017-03-01 2017-07-14 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 食品/药品容器的加工方法、食品/药品容器用材料及食品/药品容器
CN107068904A (zh) * 2017-04-18 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 无机封装薄膜、oled封装薄膜的制作方法及相应装置
FR3066324B1 (fr) * 2017-05-11 2021-09-10 Isorg Dispositif electronique a tenue au vieillissement amelioree
EP3476594A1 (en) 2017-10-24 2019-05-01 Renolit SE Laminate structure for biocompatible barrier packaging
EP3476593A1 (en) 2017-10-24 2019-05-01 Renolit SE Laminate structure for barrier packaging
EP3747647A4 (en) 2018-02-02 2021-03-31 Toppan Printing Co., Ltd. GAS BARRIER FILM AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING
EP3843128B1 (en) 2018-08-24 2024-06-19 FUJIFILM Corporation Method for manufacturing an organic thin film transistor
WO2020154023A1 (en) * 2019-01-25 2020-07-30 Applied Materials, Inc. Method of forming moisture and oxygen barrier coatings
FR3098997B1 (fr) * 2019-07-18 2021-11-26 Tecmoled Dispositif d’émission de lumière
CN111172511A (zh) * 2020-01-17 2020-05-19 胜科纳米(苏州)有限公司 一种在有机材料表面制备金属膜层的方法
KR102184678B1 (ko) * 2020-04-20 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102270084B1 (ko) * 2020-04-20 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN112850639A (zh) * 2021-01-26 2021-05-28 嘉庚创新实验室 一种微纳器件聚合物、制备方法及应用
WO2022250948A1 (en) * 2021-05-24 2022-12-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for medical packaging
WO2022249112A1 (en) * 2021-05-25 2022-12-01 Metacontinental, Inc. Photovoltaic cell having increased thermal emmisivity
CN115613004A (zh) * 2021-07-12 2023-01-17 北京印刷学院 内壁镀膜的塑料管及制备方法
KR20240034238A (ko) 2021-08-23 2024-03-13 쌩-고벵 글래스 프랑스 수분장벽이 있는 스페이서
US12091239B2 (en) * 2021-11-11 2024-09-17 Advanced Composite Structures, Llc Formed structural panel with open core

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06222388A (ja) * 1993-01-28 1994-08-12 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリックスの製造方法
JP2002151254A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Denso Corp 有機el素子の製造方法
JP2002273811A (ja) * 2001-03-16 2002-09-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光学用高分子シート
WO2003008110A1 (en) * 2001-07-18 2003-01-30 The Regents Of The University Of Colorado A method of depositing an inorganic film on an organic polymer
JP2003086356A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2003332042A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Denso Corp 有機電子デバイス素子
JP2004319484A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Eastman Kodak Co 透明防湿層を形成するための方法及び装置並びに防湿型oledデバイス

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641984A (en) 1994-08-19 1997-06-24 General Electric Company Hermetically sealed radiation imager
JP2776268B2 (ja) * 1994-10-07 1998-07-16 王子製紙株式会社 メタライズドコンデンサ用亜鉛蒸着基材及びその製造方法
DE4438359C2 (de) * 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
EP0809420B1 (en) * 1995-02-06 2002-09-04 Idemitsu Kosan Company Limited Multi-color light emission apparatus and method for production thereof
JP3962436B2 (ja) * 1995-02-14 2007-08-22 出光興産株式会社 多色発光装置
WO1997006956A1 (en) 1995-08-21 1997-02-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Waterless printing plates
FI954922A (fi) 1995-10-16 1997-04-17 Picopak Oy Valmistusmenetelmä sekä kontaktinystyrakenne puolijohdepalojen tiheitä pintaliitoksia varten
US5686360A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5693956A (en) * 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
EP1021255A1 (en) * 1997-07-11 2000-07-26 Fed Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
KR100492983B1 (ko) 1997-07-23 2005-09-02 삼성전자주식회사 화학기상증착장치및그장치를이용하는금속배선형성방법
US6635989B1 (en) * 1998-08-03 2003-10-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
ID30404A (id) * 1999-04-28 2001-11-29 Du Pont Perangkat elektronik organik yang fleksibel dengan daya tahan terhadap penguraian oksigen dan air yang lebih baik
US6203613B1 (en) * 1999-10-19 2001-03-20 International Business Machines Corporation Atomic layer deposition with nitrate containing precursors
US6623861B2 (en) * 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6548912B1 (en) * 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
US6368899B1 (en) 2000-03-08 2002-04-09 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Electronic device packaging
JP4556282B2 (ja) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機el素子およびその製造方法
US7579203B2 (en) * 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4827313B2 (ja) * 2000-04-25 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US20010052752A1 (en) * 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US20020086307A1 (en) * 2000-07-06 2002-07-04 Murtaza Amin Combination of microporous membrane and solid support for micro-analytical diagnostic applications
JP2002018994A (ja) * 2000-07-12 2002-01-22 Sony Corp ガスバリア材及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002100469A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
US6664186B1 (en) * 2000-09-29 2003-12-16 International Business Machines Corporation Method of film deposition, and fabrication of structures
JP2002134272A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Ricoh Co Ltd エレクトロルミネセンス素子及びその作製方法
JP2004519081A (ja) * 2001-02-05 2004-06-24 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド プラスチック基板上の有機発光ダイオード
WO2002071506A1 (en) * 2001-02-15 2002-09-12 Emagin Corporation Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US20030008243A1 (en) * 2001-07-09 2003-01-09 Micron Technology, Inc. Copper electroless deposition technology for ULSI metalization
JP2003051386A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
TW490868B (en) * 2001-08-10 2002-06-11 Ritdisplay Corp Method for forming a waterproof layer of organic light emitting device
US6794220B2 (en) * 2001-09-05 2004-09-21 Konica Corporation Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same
US6605549B2 (en) * 2001-09-29 2003-08-12 Intel Corporation Method for improving nucleation and adhesion of CVD and ALD films deposited onto low-dielectric-constant dielectrics
JP2003125315A (ja) * 2001-10-19 2003-04-25 Sony Corp 画像表示装置
US6926572B2 (en) * 2002-01-25 2005-08-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device
US6897474B2 (en) * 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US6949389B2 (en) * 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
JP2004165634A (ja) * 2002-08-15 2004-06-10 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw Ald表面処理のためのプラズマ処理
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US20040229051A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
JP2004288456A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Denso Corp 有機elパネル
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
US7352053B2 (en) * 2003-10-29 2008-04-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Insulating layer having decreased dielectric constant and increased hardness
US20050172897A1 (en) * 2004-02-09 2005-08-11 Frank Jansen Barrier layer process and arrangement
US7115304B2 (en) * 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates
US7541626B2 (en) * 2005-03-28 2009-06-02 Massachusetts Institute Of Technology High K-gate oxide TFTs built on transparent glass or transparent flexible polymer substrate
JP2007090803A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Fujifilm Corp ガスバリアフィルム、並びに、これを用いた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06222388A (ja) * 1993-01-28 1994-08-12 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリックスの製造方法
JP2002151254A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Denso Corp 有機el素子の製造方法
JP2002273811A (ja) * 2001-03-16 2002-09-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光学用高分子シート
WO2003008110A1 (en) * 2001-07-18 2003-01-30 The Regents Of The University Of Colorado A method of depositing an inorganic film on an organic polymer
JP2003086356A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2003332042A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Denso Corp 有機電子デバイス素子
JP2004319484A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Eastman Kodak Co 透明防湿層を形成するための方法及び装置並びに防湿型oledデバイス

Also Published As

Publication number Publication date
US20060275926A1 (en) 2006-12-07
KR20060006840A (ko) 2006-01-19
US8445937B2 (en) 2013-05-21
EP1629543B1 (en) 2013-08-07
US20070275181A1 (en) 2007-11-29
JP2012184509A (ja) 2012-09-27
CN103215569A (zh) 2013-07-24
KR20120061906A (ko) 2012-06-13
KR20130081313A (ko) 2013-07-16
EP1629543A1 (en) 2006-03-01
KR101423446B1 (ko) 2014-07-24
US20080182101A1 (en) 2008-07-31
WO2004105149A1 (en) 2004-12-02
CN1791989A (zh) 2006-06-21
JP2007516347A (ja) 2007-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011205133A (ja) 可撓性ポリマー基板と原子層蒸着され気体透過バリアとを含む物品。
Park et al. Thin film encapsulation for flexible AM-OLED: a review
US7074501B2 (en) Coatings with low permeation of gases and vapors
US7378133B2 (en) Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20130333835A1 (en) Process for manufacturing gas permeation barrier material and structure
Kim et al. Optimization of Al 2 O 3/TiO 2 nanolaminate thin films prepared with different oxide ratios, for use in organic light-emitting diode encapsulation, via plasma-enhanced atomic layer deposition
US20130337259A1 (en) Gas permeation barrier material
JP2007522344A (ja) バリア層プロセス及び装置
TWI578592B (zh) 有機發光二極體元件及包括其之封裝結構的沉積方法
JP6332283B2 (ja) ガスバリア性フィルム
CN111769206A (zh) 用于衬底和装置的薄膜渗透屏障系统和制造所述薄膜渗透屏障系统的方法
JP2007533860A (ja) プラスチック基板上で低温無機膜を堆積させる方法及び装置
US10961622B2 (en) Gas barrier film and method of manufacturing the same
JP2009274251A (ja) 透明バリアフィルムおよびその製造方法
US11090917B2 (en) Laminate and method for fabricating the same
Park et al. Growth behavior and improved water–vapor-permeation-barrier properties of 10-nm-thick single Al2O3 layer grown via cyclic chemical vapor deposition on organic light-emitting diodes
WO2013188613A1 (en) Gas permeation barrier material
JP2008240131A (ja) 透明ガスバリアフィルムおよびエレクトロルミネッセンス素子
JP4949644B2 (ja) ジョセフソン素子の製造方法
JP2017109438A (ja) ガスバリア性フィルム及びこれを用いた有機el発光素子
JP2006169585A (ja) 導電性ガスバリア積層体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130604