KR101583119B1 - 가스차단성 필름 - Google Patents

Abstract

본 발명은 중간층에 가스차단층을 원자층 적층법에 따라 형성하는 가스차단성 필름에 관한 것이다. 본 발명의 가스차단성 필름은 중간층에 원자층 적층법으로 가스차단층을 형성함에 있어서 코팅 용액 내에 적정 함량의 친핵체를 갖는 화합물을 사용하여 두 계면간 접착력을 증대시킬 뿐만 아니라 가스차단성도 향상시킬 수 있다.

Description

가스차단성 필름{Gas barrier film}

본 발명은 가스차단성 필름의 가스차단층과 기재층 사이에 형성된 중간층에 친핵체 화합물을 사용함으로써 두 계면간 접착력을 증대시킬 뿐만 아니라 가스차단성도 향상시키는 가스차단성 필름, 그 제조 방법 및 이의 용도에 관한 것이다.

가스차단성 필름에는 수십 내지 100 nm 정도의 무기 박막층이 적층되어 가스차단성을 나타낸다. 상기 무기 박막층을 형성하는 방법으로, 원자층 적층법{Atomic Layer Deposition}을 사용하는데, 두께 균일도, 막 밀도, 점착성(conformality)이 우수하여 반도체 소자의 금속 차단층, 내마모성막, 내부식성막 등의 제막에 사용한다.

일본공개특허 제2011-173261호(2011.09.08) 일본공개특허 제2012-218205호(2012.11.12)

본 발명은 디스플레이 소자, 태양광 발전 소자 등 수분에 의해 열화되기 쉬운 제품들을 일상 생활 환경에서 보호할 수 있는 가스차단성 복합 필름에 관한 것으로, 기재층과 가스차단층 사이에 형성되는 중간층에 친핵체 화합물을 적용함으로써 두 계면간 접착력을 증대시킬 뿐만 아니라 가스차단성도 향상시키는 가스차단성 필름, 그 제조 방법 및 이의 용도를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 기재층; 상기 기재층상에 형성되어 있고, 친핵체 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 코팅하여 형성되는 중간층; 및 상기 중간층상에 형성되어 있는 차단층을 포함하는 가스차단성 필름에 관한 것이다.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.

본 발명의 가스차단성 필름은 기재층상에 중간층을 형성하여 평탄화도를 유지하고, 그 위에 원자층 적층법으로 얇은 무기 박막층, 즉, 가스차단층을 형성함에 있어서, 중간층 코팅 조성물 내에 적정 함량의 친핵체 화합물을 사용하여 유기금속과 반응할 수 있는 작용기를 도입함으로써 계면 접착력을 강화하고, 가스차단성을 향상시킨 것임을 특징으로 한다.

본 발명의 가스차단성 필름의 중간층 및 차단층은 기재층의 상하부 어디든지 형성이 가능하며, 2장의 복합 필름을 합지하여 사용할 수도 있다.

상기 기재층으로, 예컨대, 금속 산화물 기재, 반도체 기재, 유리 기재 또는 플라스틱 기재 등을 사용할 수 있다.

상기 기재층은, 단층이어도 되고, 동종 또는 이종의 2층 이상의 다층이어도 된다.

또한, 상기 기재층은 이접착이 가능하도록 표면에 코로나 처리, 상압플라즈마 처리, 이접착 프라이머 처리가 된 필름을 사용할 수 있다.

또한, 상기 기재층상에는 중간층을 형성할 수 있다.

상기 중간층은 수십 내지 수백 nm의 표면 거칠기를 갖는 기재층의 표면을 평탄화할 뿐만 아니라 유기금속과 쉽게 반응할 수 있는 친핵체(또는 작용기), 예컨대 하이드록시기, 머캅토기, 아미노기, 알킬아미노기 또는 카르복실기 등을 함유하는 유기 화합물을 이용하여 상기 친핵체를 기재층 표면에 고르게 분포시킴으로써 원자층 적층에 사용되는 유기금속이 기재층 표면에 고르게 흡착될 수 있게 한다.

상기 중간층은, 임의적으로 프라이머화된 기재의 하나 또는 두 표면상에 배치될 수 있다. 상기 중간층은 유기, 유무기 혼성, 및 무기 코팅층 중 하나일 수 있다.

상기 중간층의 유기 코팅 조성물은, 저분자량 반응성 성분, 친핵체 함유 불포화 올리고머, 용매 및 광개시제를 포함하고, 임의로 폴리에틸렌이민 (PEI), 폴리에스테르, 폴리비닐알코올 (PVOH), 폴리아미드, 폴리티올 및 폴리아크릴산으로부터 선택되는 가교성 유기 중합체 및 가교제를 더 포함할 수 있다. 상기 유기 코팅 조성물은 광분해성 경로에 의해 개시되는 자유 라디칼 반응에 의해 경화될 수 있다. 특정 배합은 목적하는 최종 특징에 따라 변화할 수 있다.

상기 유기 코팅 조성물은 친핵체 함유 불포화 올리고머로, 상술한 친핵체를 포함하는 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 또는 폴리에스테르 아크릴레이트 등을 사용하거나, 친핵체 화합물을 별도로 포함하여 사용할 수 있다.

상기 친핵체는 계면 접착력과 가스차단성을 고려하여 유기 코팅 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로 20 내지 30 mmol로 포함될 수 있다.

일 구현예에서, 상기 유기 코팅 조성물은 단량체 및 친핵체 함유 올리고머 아크릴레이트 (바람직하게는 메틸메타크릴레이트 및 에틸아크릴레이트를 포함)의 UV-경화성 혼합물을 용매 (예를 들어, 메틸에틸케톤) 중에 포함하고, 여기서 코팅 조성물은 조성물 총 중량의 약 20 내지 30 중량%의 고형분으로 아크릴레이트를 포함하고, 미량 (예를 들어, 약 1 중량%의 고형분)의 광개시제 (예를 들어, 이르가큐어 (Irgacure)™ 2959; 시바 (Ciba))를 추가로 포함한다.

본원에서 사용된 용어 "저분자량"은 중합가능한 단량체 종을 기술한다. 용어 "반응성"은 단량체 종의 중합가능성을 의미한다.

추가의 구현예에서, 중간층 유기 코팅 조성물은 용매 (통상 수성 용매) 중에 가교성 유기 중합체, 예를 들어 폴리에틸렌이민 (PEI), 폴리에스테르, 폴리비닐알코올 (PVOH), 폴리아미드, 폴리티올 또는 폴리아크릴산, 및 가교제 (예를 들어, 사이멜 (Cymel)™ 385 또는 본원에 언급된 것들)를 포함한다. 이 구현예에서, 코팅 조성물은 바람직하게는 PEI (바람직하게는, 600,000 내지 900,000 범위의 분자량 (Mw))를 포함한다.

상기 중간층의 유기/무기 혼성 코팅 조성물은 유기 중합체 매트릭스에 분산된 무기 입자를 포함한다. 따라서, 저분자량 반응성 성분, 친핵체 함유 불포화 올리고머(예를 들어, 친핵체를 함유하는 아크릴레이트류 또는 상술한 친핵체를 갖는 공지의 화합물을 추가로 포함함) 및 무기 입자를 포함하고, 임의로 용매 및/또는 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 유기/무기 혼성 코팅 조성물은 열경화되거나 또는 광분해성 경로에 의해 개시되는 자유 라디칼 반응에 의해 경화된다. 따라서, 유기/무기 혼성 코팅 조성물 중 광개시제의 존재는 선택적이다. 용매는 통상 유기/무기 혼성 코팅 조성물 중에 포함된다. 무기 입자는 중합가능한 유기 매트릭스 중에 분산된 통상 실리카 입자 또는 금속 산화물, 보다 구체적으로 실리카이다. 무기 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.005 내지 3 ㎛; 일 구현예에서 0.01 ㎛ 이상, 일 구현예에서 1 ㎛ 이하이다. 무기 입자는 전형적으로 기재 또는 복합 필름의 광학 특징에 실질적으로 영향을 주지 않도록 선택된다. 일 구현예에서, 무기 입자는 유기/무기 혼성 코팅 조성물의 고형분 총 중량의 약 5 중량% 내지 약 60 중량%의 양으로 존재하고, 바람직하게는 경화된 코팅층의 약 5 중량% 내지 약 60 중량%의 양으로 존재한다. 따라서, 일 구현예에서, 유기/무기 혼성 코팅 조성물은 저분자량 반응성 성분 (예를 들어, 단량체 아크릴레이트) 및/또는 불포화 올리고머 (예를 들어, 아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 및 폴리에스테르아크릴레이트), 바람직하게는 실리카 입자 및 금속 산화물로부터 선택되는 무기 입자, 용매, 및 임의로 광개시제를 포함한다. 추가의 일 구현예에서, 열-경화성 유기/무기 혼성 코팅 조성물은 바람직하게는 코팅 조성물 (바람직하게는 알코올 용액 중 5 내지 약 20 중량%의 총 고형분을 포함)의 고형분의 약 10 중량% 이상 (바람직하게는 약 20 중량% 이상, 바람직하게는 약 75 중량% 이하)의 농도로 존재하는 무기 입자 (바람직하게는 실리카 입자)와 조합하여 에폭시 수지를 포함한다. 추가의 구현예에서, UV-경화성 유기/무기 혼성 코팅 조성물은 용매 (예를 들어, 메틸에틸케톤)에서 단량체 아크릴레이트 (전형적으로 다관능성 아크릴레이트)를 무기 입자 (바람직하게는 실리카)와 조합하여 포함하고, 여기서 유기/무기 혼성 코팅 조성물은 코팅 조성물의 총 중량의 약 5 내지 50 중량%의 고형분으로 아크릴레이트 및 실리카 입자를 포함하고, 통상 미량 (예를 들어, 약 1 중량%의 고형분)의 광개시제를 추가로 포함한다. 다관능성 단량체 아크릴레이트는 당업계에 공지되어 있으며, 그 예는 디펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트 및 트리스(2-아크릴로일옥시에틸) 이소시아누레이트를 포함한다.

상기 유기/무기 혼성 코팅 조성물은 친핵체 함유 불포화 올리고머로, 상술한 친핵체를 포함하는 아크릴레이트류를 사용하거나, 친핵체 화합물을 별도로 포함하여 사용할 수 있고, 상기 친핵체는 계면 접착력과 가스차단성을 고려하여 유기/무기 혼성 코팅 조성물의 고형분 총 중량을 기준으로 20 내지 30 mmol로 포함될 수 있다.

또한, 중간층 무기 코팅 조성물은 주로 무기인 중합가능한 친핵체 함유 매트릭스, 예를 들어 폴리실록산 또는 친핵체 화합물이 첨가된 폴리실록산 중에 함유된 무기 입자를 포함하고, 이러한 코팅 조성물은 통상 열-경화된다. 일 구현예에서, 무기 코팅은 (a) 약 10 내지 약 70 중량% (바람직하게는 약 20 내지 60 중량%)의 실리카 입자 및 약 90 내지 약 30 중량%의 RSi(OH)₃의 부분적으로 중합된 유기 실란올 (여기서, R은 비닐, 페닐, 감마-글리시독시프로필 및 감마-메타크릴옥시프로필로 구성되는 군의 치환기 약 40% 이하 및 메틸로부터 선택되고, 됨)을 포함하는 약 5 내지 약 50 중량%의 고형분, 및 (b) 약 10 내지 약 90 중량%의 물 및 약 90 내지 약 10 중량%의 지방족 저급 알코올을 포함하는, 약 95 내지 약 50 중량%의 용매를 포함하는 코팅 조성물로부터 유도되고, 특히 코팅 조성물의 pH는 약 3.0 내지 약 8.0, 바람직하게는 약 3.0 내지 약 6.5, 바람직하게는 4.0 이상이다. 이러한 무기 코팅 조성물의 실리카 성분은, 예를 들어 테트라에틸 오르토실리케이트의 가수분해에 의해 폴리규산을 형성하여 수득될 수 있다. 가수분해는, 예를 들어 지방족 알코올 및 산을 추가하는 통상의 방법을 사용하여 실시할 수 있다. 또는, 코팅 조성물 중에 사용되는 실리카는 콜로이드 실리카일 수 있다. 콜로이드 실리카의 입자 크기는 일반적으로 약 5 내지 25 nm, 바람직하게는 약 7 내지 15 nm일 수 있다. 사용할 수 있는 일반적인 콜로이드 실리카는 "루독스 (Ludox) SM", "루독스 HS-30" 및 "루독스 LS" 분산액 (그레이스 다비슨 (Grace Davison))과 같이 시판되는 것들을 포함한다. 유기 실란올 성분은 일반 화학식 RSi(OH)₃을 갖는다. R기의 약 60% 이상, 바람직하게는 약 80% 내지 100%가 메틸이다. R기의 최대 약 40%가 비닐, 페닐, 감마-글리시독시프로필 및 감마-메타크릴옥시프로필로부터 선택되는 고급 알킬 또는 아릴일 수 있다. 용매 성분은 일반적으로 물 및 하나 이상의 지방족 저급 알코올의 혼합물을 포함한다. 물은 일반적으로 용매의 약 10 내지 90 중량%를 구성하고, 지방족 저급 알코올이 보완적으로 약 90 내지 10 중량%를 구성한다. 지방족 알코올은 일반적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 지방족 알코올, 예를 들어 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소-프로판올, n-부탄올, sec-부탄올 및 tert-부탄올이다.

중간층의 다른 예는, 예를 들어 US4198465, US3708225, US4177315, US4309319, US4436851, US4455205, US0142362, WO2003/087247 및 EP1418197에 개시되어 있다.

중간층 코팅 조성물은 연속식뿐만 아니라 딥 (dip) 코팅 절차를 비롯한 통상의 코팅 기술을 사용하여 적용될 수 있다. 코팅은 일반적으로 약 0.1 내지 약 10 ㎛, 바람직하게는 약 0.3 내지 2 ㎛의 건조 두께가 제공되도록 적용된다. 상기 두께 범위를 가짐으로써 상업적으로 생산되는 기재층의 거친 표면을 덮어 평탄화하여 국부적인 응력 집중을 방지하므로, 굴곡이나 열수축과 팽창 등의 과정에서 균열 발생을 최소화하여 복합 필름의 내구성을 향상시킬 수 있다. 코팅 조성물은 필름 제조와 구분되는 공정 단계로서 "오프라인"으로, 또는 필름 제조 공정의 연속 단계로서 "인라인"으로 적용될 수 있다. 코팅은 바람직하게는 인라인으로 실시된다. 기재층에의 적용 후 열-경화성 코팅 조성물은 약 20 내지 약 200 ℃, 바람직하게는 약 20 내지 약 150 ℃의 온도에서 경화될 수 있다. 20 ℃의 상온은 수일의 경화 시간을 요구하는 한편, 150 ℃의 승온은 수초에 코팅을 경화시킬 것이다.

상기 중간층은 가스차단층이 증착하므로 평탄하지 않으면 가스차단층 증착 시 결함이 발생하고 결국 가스차단성이 떨어지는 결과를 초래한다. 표면의 평탄도 값은 낮으면 낮을수록 가스차단성이 증가하는 결과를 나타낸다. 따라서, 상기 중간층의 표면 평탄도는 0.7 nm 미만, 바람직하게는 0.6 nm 미만, 바람직하게는 0.5 nm 미만, 바람직하게는 0.4 nm 미만, 바람직하게는 0.3 nm 미만, 이상적으로는 0.25 nm 미만의 Ra 값, 및/또는 0.9 nm 미만, 바람직하게는 0.8 nm 미만, 바람직하게는 0.75 nm 미만, 바람직하게는 0.65 nm 미만, 바람직하게는 0.6 nm 미만, 바람직하게는 0.50 nm 미만, 바람직하게는 0.45 nm 미만, 바람직하게는 0.35 nm 미만, 이상적으로는 0.3 nm 미만의 Rq 값을 갖는 표면을 나타낼 수 있다.

가스차단층의 증착 전에 중간층의 표면은 플라즈마 전처리를 할 수 있다. 통상, 플라즈마 전처리는 약 2 내지 8분간, 바람직하게는 약 5분간 아르곤/질소 또는 아르곤/산소 대기 하에서 실시된다. 바람직하게는, 플라즈마 전처리는 마이크로웨이브-활성화된다. 즉, 또 다른 플라즈마 발생원 없이 마이크로웨이브 플라즈마 발생원을 사용하여 실시된다.

상기 중간층은 코팅층 내 작용기들과 화학적 결합으로 가스차단층이 형성되므로 다층 복합 필름에서 발생하기 쉬운 박리 문제를 해결할 수 있다.

상기 차단층은 상기 중간층의 표면상에 적용된다. 차단층은 특히 수증기 및/또는 산소 투과에 대한 차단 특성을 제공하고, 특히 수증기 투과율은 10^-3g/m²/일 미만이고, 산소 투과율이 10^-3/mL/m²/일 미만이 될 정도로 차단 특성을 제공한다. 바람직하게는, 수증기 투과율은 10^-4g/m²/일 미만, 바람직하게는 10^-5g/m²/일 미만, 바람직하게는 10^-6g/m²/일 미만이다. 바람직하게는, 산소 투과율은 10^-4g/m²/일 미만, 바람직하게는 10^-5g/m²/일 미만이다.

상기 차단층은 깨끗한 환경에서 보통 실시되는 원자층 증착 방식(ALD)에 의해 형성된다. ALD는 물질의 등각 박막을 기판 상에 침착시켜 원자 수준의 침착이 가능하게 하는 자기-제한적 순차적 표면 화학이다. ALD에 의해 성장된 필름은 층별 (layer-wise) 방식으로 형성되고, 단일층 당 약 0.1 Å 정도로 미세한 필름 성장의 원자층 제어를 허용한다. 증착된 필름의 총 두께는 전형적으로 약 1 내지 500 nm이다. ALD로, 깊은 트렌치 내부, 다공성 매질 내부 및 입자 주위에 완전하게 균일할 두께로 코팅을 증착시킬 수 있다. ALD-성장 필름은 기재층에 화학적으로 결합된다. ALD 공정에 대한 설명은, 예를 들어 문헌 ["Atomic Layer Epitaxy" by Tuomo Suntola in Thin Solid Films, vol. 216 (1992) pp. 84-89]에 구체적으로 기재되어 있다. ALD는 코팅 공정 및 반응 동안 전구체 물질을 분리되게 유지하면서 ALD 반응이 화학적 증기 증착 (CVD) 반응을 2개의 반쪽-반응으로 나누는 것을 제외하고는 CVD와 화학적 측면에서 유사하다. 공정 중, 층 전구체의 증기는 진공 챔버에서 기재상에 흡수된다. 이후, 증기는 챔버로부터 펌핑되어 흡수된 전구체의 박층을 기재상에 남긴다. 이후, 반응물을, 목적 물질의 층을 형성하도록 흡수된 전구체와의 반응을 촉진시키는 열 조건 하의 챔버에 도입한다. 반응 부산물을 챔버로부터 펌핑한다. 기재를 다시 전구체 증기에 노출시키고 증착 공정을 반복하여 물질의 후속 층을 형성할 수 있다. ALD는 기재 표면상의 한정된 수의 핵형성 부위에서 성장이 개시된 후 진행되는 통상의 CVD 및 물리적 증기 증착 (PVD) 방법과는 구별된다. CVD 및 PVD 기술은 기체 투과가 용이할 수 있는 컬럼들 사이의 경계를 나타내는, 과립 미세구조를 갖는 컬럼 성장을 유도할 수 있다. ALD 공정은 특징부가 없는 미세구조를 얻기 위한 비-방향성 성장 메커니즘을 포함한다. 본 발명에서 ALD에 의해 형성되고 차단층으로서 적합한 물질은 무기이고, 주기율표 IVB, VB, VIB, IIIA, IIB, IVA, VA 및 VIA 족의 산화물, 질화물 및 황화물 및 이들의 조합을 포함한다. 특히 산화물, 질화물 또는 산화물-질화물의 혼합이 좋다. 산화물은 가시광선이 소자로부터 빠져 나오거나 또는 소자에 들어가야 하는 전자 디스플레이 및 광기전 전지에 대해 매력적인 광학적 투명성을 나타낸다. 또한, Si 및 Al의 질화물은 가시광선 스펙트럼에서 투명하다. 예컨대, SiO₂, Al₂O₃, ZnO, ZnS, HfO₂, HfON, AlN, Si₃N₄ 등을 사용할 수 있다.

이러한 차단 물질을 형성하기 위해서 ALD 공정에서 사용되는 전구체는 널리 공지되어 있다 (예를 들어, 문헌 [M. Leskela and M. Ritala, "ALD precursor chemistry: Evolution and future challenges", Journal de Physique IV, vol. 9, pp 837-852 (1999)] 및 이 문헌에 인용된 참고문헌 참고). ALD로 차단 코팅을 합성하기에 바람직한 기재 온도의 범위는 50 내지 250 ℃이다. 기재에서의 치수 변화로 인해 기재의 화학적 분해 또는 ALD 코팅의 붕괴를 유발할 수 있기 때문에 250 ℃를 초과하는 온도는 바람직하지 않다.

상기 차단층의 두께는, 바람직하게는 2 nm 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 2 내지 50 nm 범위이다. 층이 더 얇을수록 필름에 크랙이 생기게 하지 않으면서 구부림을 더 견딜 수 있고, 이는 크래킹 (cracking)이 차단 특성을 손상시키기 때문에 전자 소자에서 가요성 기재의 중요한 특성이다. 또한, 차단 필름이 더 얇을수록 더 투명하고, 이는 광전자 소자에서 사용될 때 중요한 특징이다. 차단층의 최소 두께는 연속 필름 커버리지 (coverage)를 위해서 요구되는 두께이다.

또한, 본 발명의 가스차단성 필름은 차단층상에 차단층과 접하여 보호층을 추가로 형성할 수 있다.

상기 보호층은 코팅 조성물을 코팅하여 형성하며, 바인더로서, 축합 경화형 화합물, 열경화성 화합물, 라디칼 경화성 화합물 또는 양이온 경화성 화합물을 단독 또는 2종 이상 사용할 수 있다.

상기 라디칼 경화성 화합물은 라디칼 중합성 단관능기 모노머, 라디칼 중합성 다관능기 모노머, 또는 라디칼 중합성 올리고머로 분류할 수 있다.

상기 라디칼 중합성 단관능기 모노머로, 아크릴산, 아크릴산 메틸, 헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 트릴옥시에틸아크릴레이트, 노닐페녹시에틸아크릴레이트, 테트라하이드로 푸르푸릴옥시에틸아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 사이클로헥실아크릴레이트, 디사이클로펜타닐아크릴레이트, 디사이클로펜테닐아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 카르비톨아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.

라디칼 중합성 다관능기 모노머로서는, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 디사이클로펜타닐디아크릴레이트, 부틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타리스리토르디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 프로피온옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.

라디컬 중합성 올리고머로서는, 폴리에스테르아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리올아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.

상기 양이온성 경화성 화합물로는, 예를 들면, 양이온 중합성 에폭시 화합물, 비닐 에테르 화합물, 옥세탄 화합물, 옥소란(oxolane) 화합물, 고리형 아세탈 화합물, 고리형 락톤 화합물, 티란(thiirane) 화합물, 티오비닐에테르 화합물, 스피로오소 에스테르(spirortho ester) 화합물, 에틸렌성 불포화 화합물, 고리형 에테르 화합물 또는 고리형 티오에테르 화합물 등이 예시될 수 있고, 바람직하게는 양이온 중합성의 에폭시 화합물 또는 옥세탄 화합물 등이 사용될 수 있다.

양이온 중합성의 에폭시 화합물로는, 예를 들면, 크레졸 노볼락 타입 에폭시 수지 또는 페놀 노볼록 타입 에폭시 수지 등이 예시될 수 있고, 바람직하게는 페놀 노볼락 타입의 에폭시 수지일 수 있다.

양이온 중합성 에폭시 화합물로는, 또한 지환식 에폭시 화합물 방향족 에폭시 화합물 또는 지방족 에폭시 화합물 등이 예시될 수도 있고, 상기 중 1종 이상이 사용될 수 있다.

본 명세서에서 용어 지환식 에폭시 화합물은, 지환식 에폭시기를 하나 이상 포함하는 화합물을 의미한다. 본 명세서에서 지환식 에폭시기는 지방족 포화 탄화수소 고리를 가지고, 상기 고리를 구성하는 2개의 탄소 원자가 또한 에폭시기를 구성하고 있는 관능기를 의미한다.

지환식 에폭시 화합물로는, 예를 들면, 에폭시시클로헥실메틸 에폭시시클로헥산카복실레이트계 화합물; 알칸디올의 에폭시시클로헥산 카복실레이트계 화합물; 디카르복시산의 에폭시 시클로헥실메틸 에스테르계 화합물; 폴리에틸렌글리콜의 에폭시시클로헥실메틸 에테르계 화합물; 알칸디올의 에폭시시클로헥실메틸 에테르계 화합물; 디에폭시트리스피로계 화합물; 디에폭시모노스피로계 화합물; 비닐시클로헥센 디에폭시드 화합물; 에폭시시클로펜틸 에테르 화합물 또는 디에폭시 트리시클로 데칸 화합물 등이 예시될 수 있다.

지환식 에폭시 화합물로는, 2관능형 에폭시 화합물, 즉 2개의 에폭시를 가지는 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 상기 2개의 에폭시기가 모두 지환식 에폭시기인 화합물을 사용하는 것이 보다 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.

지방족 에폭시 화합물로는, 지환식 에폭시기가 아닌 지방족 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물이 예시될 수 있다. 예를 들면, 지방족 다가 알코올의 폴리글리시딜에테르; 지방족 다가 알코올의 알킬렌옥시드 부가물의 폴리글리시딜에테르; 지방족 다가 알코올과 지방족 다가 카복실산의 폴리에스테르 폴리올의 폴리글리시딜에테르; 지방족 다가 카복실산의 폴리글리시딜에테르; 지방족 다가 알코올과 지방족 다가 카복실산의 폴리에스테르 폴리카복실산의 폴리글리시딜에테르; 글리시딜 아크릴레이트 또는 글리시딜 메타크릴레이트의 비닐 중합에 의해 얻어지는 다이머, 올리고머 또는 폴리머; 또는 글리시딜 아크릴레이트 또는 글리시딜 메타크릴레이트와 다른 비닐계 단량체의 비닐 중합에 의해 얻어지는 올리고머 또는 폴리머가 예시될 수 있고, 바람직하게는 지방족 다가 알코올 또는 그 알킬렌옥시드 부가물의 폴리글리시딜에테르가 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

상기에서 지방족 다가 알코올로는, 예를 들면, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 지방족 다가 알코올이 예시될 수 있고, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 네오펜틸글리콜, 3-메틸-2,4-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 3,5-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 2-메틸-1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 1,10-데칸디올 등의 지방족 디올; 시클로헥산디메탄올, 시클로헥산디올, 수소 첨가 비스페놀 A, 수소 첨가 비스페놀 F 등의 지환식 디올; 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 헥시톨류, 펜티톨류, 글리세린, 폴리글리세린, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스리톨, 테트라메틸올프로판 등이 예시될 수 있다.

또한, 상기에서 알킬렌옥시드로는, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌옥시드가 예시될 수 있고, 예를 들면, 에틸렌옥시드, 프로필렌옥시드 또는 부틸렌옥시드 등이 사용될 수 있다.

또한, 상기에서 지방족 다가 카복실산으로는, 예를 들면, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베린산, 아젤라산, 세바신산, 도데칸이산, 2-메틸숙신산, 2-메틸아디프산, 3-메틸아디프산, 3-메틸펜탄이산, 2-메틸옥탄이산, 3,8-디메틸데칸이산, 3,7-디메틸데칸이산, 1,20-에이코사메틸렌디카르복실산, 1,2-시클로펜탄디카르복실산, 1,3-시클로펜탄디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,4-디카르복실메틸렌시클로헥산, 1,2,3-프로판트리카르복실산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

지방족 에폭시 화합물로는, 지환식 에폭시기를 포함하지 않고, 또한 3개 이상의 에폭시기, 바람직하게는 3개의 에폭시기를 포함하는 화합물을 사용하는 것이 경화성, 내후성 및 굴절률 특성 등을 고려할 때 적절하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.

방향족 에폭시 화합물로는 분자 내에 방향족기를 포함하는 에폭시 화합물로서, 예를 들면, 비스페놀 A 계 에폭시, 비스페놀 F 계 에폭시, 비스페놀 S 에폭시, 브롬화 비스페놀계 에폭시와 같은 비스페놀형 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지 및 크레졸노볼락형 에폭시 수지와 같은 노볼락형 에폭시 수지; 크레졸 에폭시, 레졸시놀글리시딜에테르 등이 사용될 수 있다.

양이온 중합성의 옥세탄 화합물로는, 3-에틸-3-히드록시메틸 옥세탄, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시메틸]벤젠, 3-에틸-3-(페녹시메틸)옥세탄, 디[(3-에틸-3-옥세타닐)메틸]에테르, 3-에틸-3-(2-에틸헥실옥시메틸)옥세탄 또는 페놀노볼락 옥세탄 등이 예시될 수 있다. 옥세탄 화합물로는, 예를 들면, 토아고세이㈜사의 「알론옥세탄 OXT-101」, 「알론옥세탄 OXT-121」, 「알론옥세탄 OXT-211」, 「알론옥세탄 OXT-221」 또는 「알론옥세탄 OXT-212」 등을 사용할 수 있다.

양이온 중합성 화합물로는, 바람직하게는 에폭시 화합물을 사용할 수 있고, 보다 바람직하게는 크레졸 노볼락 타입 에폭시 수지 또는 페놀 노볼록 타입 에폭시 수지 등과 같은 에폭시 수지를 사용할 수 있다.

상기 보호층은 경화 반응을 개시시키기 위한 성분으로서, 라디칼 개시제 또는 양이온 개시제를 추가로 포함할 수 있다.

라디칼 개시제로는, 예를 들면 라디칼 광개시제 또는 라디칼 열개시제가 사용될 수 있다. 라디칼 광개시제로는, 예를 들면, 벤조인계, 히드록시케톤 화합물, 아미노케톤 화합물 또는 포스핀 옥시드 화합물 등과 같은 개시제를 사용할 수 있고, 바람직하게는 포스핀 옥시드 화합물 등을 사용할 수 있다. 광개시제로는, 보다 구체적으로는, 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 n-부틸에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아니노 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤(thioxanthone), 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논 디메틸케탈, p-디메틸아미노 안식향산 에스테르, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판논], 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐-포스핀옥시드 및 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

양이온 개시제로는, 예를 들면, 활성 에너지선의 조사 또는 열의 인가에 의하여 양이온 중합을 개시시킬 수 있는 성분을 방출하는 양이온 광개시제, 즉 양이온 광개시제 또는 양이온 열개시제를 사용할 수 있다.

양이온 광개시제로는, 오늄 염(onium salt) 또는 유기금속염(organometallic salt) 계열의 이온화 양이온 개시제 또는 유기 실란 또는 잠재성 황산(latent sulfonic acid) 계열이나 그 외의 비이온화 화합물 등과 같은 비이온화 양이온 광개시제를 사용할 수 있다. 오늄염 계열의 개시제로는, 디아릴이오도늄 염(diaryliodonium salt), 트리아릴술포늄 염(triarylsulfonium salt) 또는 아릴디아조늄 염(aryldiazonium salt) 등이 예시될 수 있고, 유기금속 염 계열의 개시제로는 철 아렌(iron arene) 등이 예시될 수 있으며, 유기 실란 계열의 개시제로는, o-니트릴벤질 트리아릴 실리 에테르(o-nitrobenzyl triaryl silyl ether), 트리아릴 실리 퍼옥시드(triaryl silyl peroxide) 또는 아실 실란(acyl silane) 등이 예시될 수 있고, 잠재성 황산 계열의 개시제로는 α-설포닐옥시 케톤 또는 α-히드록시메틸벤조인 설포네이트 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 양이온 개시제로는 요오드 계열의 개시제와 광증감제의 혼합물을 사용할 수도 있다.

양이온 개시제로는, 이온화 양이온 광개시제를 사용하는 것이 바람직하고, 오늄염 계열의 이온화 양이온 광개시제를 사용하는 것이 보다 바람직하며, 트리아릴설포늄 염 계열의 이온화 양이온 광개시제를 사용하는 것이 더욱 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.

상기 보호층 코팅 조성물의 각 성분의 특정 배합은 목적하는 최종 특징에 따라 변화할 수 있다.

상기 보호층의 두께는 사용 재료, 가스차단성 필름에 요구되는 광 투과율, 필요한 내구성 등에 따라서 적절하게 결정된다. 차단층상에 형성되는 보호층의 두께가 매우 얇으면, 이 보호층은 차단층을 충분하게 보호할 수 없다. 이와 반대로, 보호층의 두께가 두꺼워지면 투명성이 저하하게 된다. 특히 절연성 소재를 이용한 경우에는 이러한 단점이 심각하다. 그리고, 보호층이 두꺼워지면, 가스차단성 필름 자체도 두껍게 된다. 따라서, 보호층의 두께는 0.2 ㎛ 내지 2 ㎛의 범위로 하는 것이 바람직하다.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 가스차단성 필름의 단면 개략도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 의한 가스차단성 필름(10)은 기재층(14), 중간층(13) 및 차단층(12)을 순차로 포함한다. 또한, 상기 차단층(13)의 상부에는 내구성과 가스차단성을 보다 개선하기 위해 보호층(11)이 추가로 부착되어 있다.

도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따른 가스차단성 필름의 단면 개략도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 의한 가스차단성 필름(20)은 기재층(24), 중간층(23) 및 차단층(22)이 순차로 적층되어 있되, 상기 중간층(23) 및 차단층(22)은 2장이 합지되어 있고, 차단층(22)의 상부에는 보호층(21)이 추가로 부착되어 있다.

본 발명의 가스차단성 필름은 차단층에 사용된 무기물의 종류와 목적에 따라 압전 필름(AlN, ZnO의 경우), 도전성 필름(ITO, ZnO:Al의 경우), 광학 필름(Al₂O₃, SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂ 등의 경우)등의 제조에도 응용되어 내구성을 향상시키고 증착막의 균질도를 향상시킬 수 있다.

본 발명은 또한 기재층상에 친핵체 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 코팅하여 중간층을 형성하고, 상기 중간층에 접하도록 차단층을 형성하는 것을 포함하는 가스차단성 필름의 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명에서 기재층에는, 코로나 방전 처리, 자외선 조사 처리, 플라즈마 처리 또는 스퍼터 에칭 처리 등의 적절한 접착 처리가 수행되어 있을 수 있다.

상기 차단층은 원자층 증착 방식으로 기재층상에 형성하되, 기재층 표면의 평탄화와 차단층을 형성하기 위한 유기금속과의 부착력을 높이기 위해 상기 기재층과 차단층 사이에는 친핵체 화합물을 포함하는 코팅 조성물로 형성된 중간층이 위치할 수 있다.

상기 중간층에 있는 고밀도의 하이드록시기, 머캅토기, 아미노기, 알킬아미노기 또는 카르복실기 등에 의해 차단층의 부착력과 무기물의 표면 밀도가 증대되므로 가스차단성 필름의 내구성과 성능이 획기적으로 증대될 수 있다.

본 발명은 또한 내구성 및 가스차단성이 개선된 본 발명의 가스차단성 필름을 구비한 전자 장치에 관한 것이다.

본 발명의 가스차단성 필름은 LCD 또는 OLED 등의 디스플레이 소자나 태양전지 등의 태양광 발전 소자와 같이 수분에 의해 열화되기 쉬운 제품들을 일상 생활 환경에서 보호하는데 사용할 수 있다.

본 발명은 기재층상에 유기금속과 반응할 수 있는 친핵체 화합물을 사용하여 중간층을 형성하므로, 기재층의 표면을 평탄화하고 원자층 적층법을 통해 가스차단층의 부착력을 높임으로써 계면 접착력, 내구성 및 가스차단성이 증대된 가스차단성 필름을 제공하는 효과가 있다.

따라서, 본 발명의 가스차단성 필름은 수분에 의해 열화되기 쉬운 제품, 예컨대 LCD 또는 OLED 등의 디스플레이 소자나, 태양전지 등의 태양광 발전 소자 등에서 유용하게 사용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 하나의 예시에 따른 가스차단성 필름을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 예시에 따른 가스차단성 필름의 구조를 나타내는 도면이다.

이하 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

< 실시예 1>

기재층으로서, 두께가 약 100 ㎛이고, WVTR(Water Vapor Transmission rate)이 약 4g/m²·day 정도인 폴리 카보네이트 필름을 사용하였다. 상기 기재층상에 테트라에톡시 올쏘실리케이트(tetraethoxy orthosilicate) 50 g와 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) 50 g을 에탄올 150 g에 희석하고, 물 56.4 g, 0.1N HCl 1.6 g을 첨가하여 실온에서 1일 동안 반응한 졸 상태의 코팅 조성물 용액(코팅액 중 경화전 고형분 대비 하이드록시기 함량이 29.4 mmol이 되도록 함)을 코팅하고, 120 ℃에서 10분간 열 경화하여 약 0.6 ㎛ 두께의 평탄화코팅층을 형성하였다.

이어서 상기 평탄화층상에 ALD(Atomic Layer Deposition)의 방식으로 차단층인 Al₂O₃층을 약 15 nm의 두께로 형성하였다. 구체적으로는 중간층상에 TMA(Trimethyl Aluminium) 및 H₂O를 각각 5초간 펄스 형태로 중간층상에 침착 및 반응시켜서 두께가 약 15nm인 막을 형성하고, 아르곤(Ar) 가스로 퍼징하여 반응되지 않은 H₂O나 반응 부산물들을 제거였다. 이러한 과정을 1 사이클로 하여 40회 반복하여 차단층을 형성하였다. 이어서 평균 직경이 약 15 nm인 구상의 실리카 입자와 바인더로서 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트와 3-이소시아네이토프로필트리에톡시 실란 부가물(isocyanatopropyltriethoxysilane adduct)와 개시제(irgacure 127)를 포함(바인더와 실리카 입자의 합계 중량을 기준으로 한 상기 실라카 입자의 비율이 약 50 중량%)하는 코팅액을 상기 차단층상에 코팅하고, UV 경화 방식으로 경화시켜서 두께가 약 0.5 ㎛인 보호층을 형성하여 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 실시예 2>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 하이드록시기 함량이 28.6 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 실시예 3>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 하이드록시기 함량이 25.7 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 실시예 4>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 머캅토기 함량이 29.4 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 실시예 5>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 아미노기 함량이 29.4 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 실시예 6>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 알킬 아미노기 함량이 29.4 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 실시예 7>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 카르복실기 함량이 29.4 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 비교예 1>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 하이드록시기 함량이 17.4 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

< 비교예 2>

평탄화코팅층 형성 시에 사용한 코팅액 내에서 친핵체 함량을 경화전 고형분 대비 하이드록시기 함량이 35 mmol이 되도록 한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 가스차단성 필름을 제조하였다.

<실험예 1>

상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 2에서 제조한 가스차단성 필름의 수증기 투과율, 광투과도 및 헤이즈를 하기의 방법으로 측정하였다.

1) 수증기 투과율(WVTR): Aquatran Model 1을 사용하여 ASTM F 1249의 방법으로 100%의 상대습도로 38℃에서 48시간 동안 측정하였다.

2) 광투과도(Tt): Shimadzu사의 UV-3600를 사용하여 가시광선 영역인 380에서 780nm의 범위에서 측정하였다.

3) 헤이즈(Haze): Murakami Color Research Laboratory사의 HM-150으로 측정하였다.

	Tt(%)	헤이즈	WVTR(g/m2 ˙day)
실시예1	91	0.1	0.0020
실시예2	90	0.1	0.0028
실시예3	88	0.2	0.0045
실시예4	87	0.1	0.0050
실시예5	91	0.1	0.0032
실시예6	89	0.1	0.0030
실시예7	90	0.1	0.0046
비교예1	91	0.1	0.0080
비교예2	90	0.1	0.0091

10, 20: 가스차단성 필름 구조
11, 21: 보호층 12, 22: 차단층
13, 23: 중간층 14, 24: 기재층

Claims (14)

1. 기재층; 상기 기재층상에 형성되어 있고, 친핵체 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 코팅하여 형성되는 중간층; 및 상기 중간층상에 원자층 증착 방식에 의해 형성된 차단층을 포함하고,
   상기의 친핵체는 상기 코팅 조성물의 고형분 100g을 기준으로 20 내지 30 mmol로 포함되고,
   상기 친핵체 화합물은 하이드록시기, 머캅토기, 아미노기, 알킬아미노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물인, 가스차단성 필름.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서, 중간층이
   (i) 중합가능한 단량체, 친핵체 함유 불포화 올리고머, 용매 및 광개시제를 포함하고, 폴리에틸렌이민, 폴리에스테르, 폴리비닐알코올, 폴리아미드, 폴리티올 및 폴리아크릴산으로부터 선택되는 가교성 유기 중합체 및 가교제를 더 포함하는 유기 코팅 조성물;
   (ii) 중합가능한 단량체, 친핵체 함유 불포화 올리고머 및 무기 입자를 포함하고, 용매 및/또는 광개시제를 더 포함하는 유기/무기 혼성 코팅 조성물; 및
   (iii) 중합가능한 친핵체 함유 무기 매트릭스 중에 함유된 무기 입자를 포함하는 무기 코팅 조성물에서 선택되는 조성물로 형성되는 가스차단성 필름.
4. 삭제
5. 제 3 항에 있어서,
   중합가능한 단량체는 단량체 아크릴레이트로부터 선택되고, 불포화 올리고머는 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 및 폴리에스테르 아크릴레이트로부터 선택되는 가스차단성 필름.
6. 제 3 항에 있어서,
   무기 입자는 실리카 입자 또는 금속 산화물인 가스차단성 필름.
7. 제 1 항에 있어서,
   중간층은 두께가 0.1 내지 10 ㎛인 가스차단성 필름.
8. 제 1 항에 있어서,
   차단층은 SiO₂, Al₂O₃, ZnO, ZnS, HfO₂, HfON, AlN, 또는 Si₃N₄를 포함하는 가스차단성 필름.
9. 삭제
10. 제 1 항에 있어서,
    차단층상에는 보호층이 추가로 형성된 가스차단성 필름.
11. 기재층상에 친핵체 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 코팅하여 중간층을 형성하고, 상기 중간층에 접하도록 원자층 증착 방식에 의해 형성된 차단층을 형성하는 것을 포함하고,
    상기의 친핵체는 상기 코팅 조성물의 고형분 100g을 기준으로 20 내지 30 mmol로 포함되고,
    상기 친핵체 화합물은 하이드록시기, 머캅토기, 아미노기, 알킬아미노기 또는 카르복실기 중 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물인, 가스차단성 필름의 제조 방법.
12. 삭제
13. 제 11 항에 있어서,
    차단층상에 보호층을 추가로 형성하는 것을 더 포함하는 가스차단성 필름의 제조 방법.
14. 제 1 항의 가스차단성 필름을 포함하는 전자 장치.
    

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