JP6332283B2 - ガスバリア性フィルム - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 144
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 224
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 135
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 135
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 135
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 70
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 535
- 239000010408 film Substances 0.000 description 341
- 239000000463 material Substances 0.000 description 90
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 57
- 239000002585 base Substances 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 45
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 43
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 37
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 27
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 7
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 4
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 9h-pyridazino[3,4-b]indole Chemical class N1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N [C].[O] Chemical compound [C].[O] OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002908 osmium compounds Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N propylsilane Chemical compound CCC[SiH3] UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
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- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
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- B32B2439/00—Containers; Receptacles
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Description
第1の層は、ケイ素、酸素および炭素を含み、より好適にはケイ素、酸素および炭素を主成分とする。ここで、主成分とは、第1の層において、90atm%以上であることを指し、好適には100atm%(すなわち、ケイ素、酸素および炭素からなる)である。すなわち、ケイ素原子及び酸素原子に加えて炭素原子が存在する。かような組成とすることにより、通常のケイ素酸化物から構成される蒸着膜と比較して、高いガスバリア性能を有するとともに屈曲耐性が向上する。
透過型電子顕微鏡(TEM)による断面観察により、各層の膜厚を10箇所測定し、平均した値を膜厚とした。
断面TEM観察として、観察試料を以下のFIB加工装置により薄片作成後、TEM観察を行った。
装置:SII製SMI2050
加工イオン:(Ga 30kV)
試料厚み:100nm〜200nm
(TEM観察)
装置:日本電子製JEM2000FX(加速電圧:200kV)
第1の層は、複数のサブレイヤーからなる積層構造であってもよい(下記第2の層の厚みも同じ)。この場合サブレイヤーの層数は、2〜30層であることが好ましい。また、各サブレイヤーが同じ組成であっても異なる組成であってもよい。
第2の層は、第1の層と同様に、ケイ素、酸素および炭素を含み、より好適にはケイ素、酸素および炭素を主成分とする。ここで、主成分とは、第2の層において、90atm%以上であることを指し、好適には100atm%(すなわち、ケイ素、酸素および炭素からなる)である。また、第2の層においても酸素含有量は深さ方向に連続的に変化する。かような組成とすることにより、ガスバリア性能を有するとともに屈曲耐性が向上する。
第1の層および第2の層の膜厚の合計は、薄膜化およびガスバリア性能の両立の観点から50〜500nmであることが好ましく、50〜300nmであることがより好ましい。本発明の構成によれば、第1の層と第2の層との積層構造にすることにより顕著にガスバリア性能が向上することから、ガスバリア性層が薄膜であっても、高いガスバリア性能が得られる。なお、ここで「第1の層および第2の層の膜厚合計」とは、後述の実施例 試料13のように、第1の層−第2の層のセットの繰り返し構造の場合には、各層の膜厚の合計を指す。
第1の層および第2の層は、プラズマ化学気相成長法(プラズマCVD、PECVD(plasma−enhanced chemical vapor deposition)、以下、単に「プラズマCVD法」とも称する)により形成することができる。
ガスバリア性フィルムは、通常、基材として、プラスチックフィルムを用いる。用いられるプラスチックフィルムは、バリア性積層体を保持できるフィルムであれば材質、厚み等に特に制限はなく、使用目的等に応じて適宜選択することができる。プラスチックフィルムとしては、具体的には、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
上述の基材、第1の層、および第2の層間または表面には、本発明の効果を損なわない範囲で別途中間層を設けてもよい。
本発明に係る基材の表面には、接着性(密着性)の向上を目的として、アンカーコート層を易接着層として形成してもよい。アンカーコート層の構成材料、形成方法等は、特開2013−52561号公報の段落「0229」〜「0232」に開示される材料、方法等が適宜採用される。
ガスバリア性フィルムは、基材のバリア層を有する面、好ましくは基材と下地層との間に平滑層を有していてもよい。平滑層は突起等が存在する基材の粗面を平坦化するために、あるいは、樹脂基材に存在する突起により、バリア層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために設けられる。平滑層の構成材料、形成方法、表面粗さ、膜厚等は、特開2013−52561号公報の段落「0233」〜「0248」に開示される材料、方法等が適宜採用される。
ガスバリア性フィルムは、ブリードアウト防止層をさらに有することができる。ブリードアウト防止層は、平滑層を有するフィルムを加熱した際に、樹脂基材中から未反応のオリゴマー等が表面へ移行して、接触する面を汚染する現象を抑制する目的で、平滑層を有する基材の反対面に設けられる。ブリードアウト防止層は、この機能を有していれば、基本的に平滑層と同じ構成をとっても構わない。ブリードアウト防止層の構成材料、形成方法、膜厚等は、特開2013−52561号公報の段落「0249」〜「0262」に開示される材料、方法等が適宜採用される。
上記したような本発明のガスバリア性フィルムは、優れたガスバリア性、透明性、屈曲性を有する。このため、本発明のガスバリア性フィルムは、電子デバイス等のパッケージ、光電変換素子(太陽電池素子)や有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、液晶表示素子等の等の電子デバイスに用いられるガスバリア性フィルムおよびこれを用いた電子デバイスなど、様々な用途に使用することができる。
電子素子本体は電子デバイスの本体であり、本発明に係るガスバリア性フィルム側に配置される。電子素子本体としては、ガスバリア性フィルムによる封止が適用されうる公知の電子デバイスの本体が使用できる。例えば、有機EL素子、太陽電池(PV)、液晶表示素子(LCD)、電子ペーパー、薄膜トランジスタ、タッチパネル等が挙げられる。本発明の効果がより効率的に得られるという観点から、該電子素子本体は、有機EL素子または太陽電池であることが好ましい。これらの電子素子本体の構成についても、特に制限はなく、従来公知の構成を有しうる。
有機ELパネル9において、ガスバリア性フィルム10で封止される有機EL素子5について説明する。
(2)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/陽極バッファー層(正孔注入層)/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層(電子注入層)/陰極
(陽極)
有機EL素子5における陽極(透明電極4)としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
有機EL素子5における陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が陰極として好適である。
注入層には電子注入層と正孔注入層があり、電子注入層と正孔注入層を必要に応じて設け、陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させる。
有機EL素子5における発光層は、電極(陰極、陽極)または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光ドーパントは、大きく分けて蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの2種類がある。
発光ホスト(単にホストとも言う)とは、2種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比(質量)の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物(単に、ドーパントとも言う)」という。例えば、発光層を化合物A、化合物Bという2種で構成し、その混合比がA:B=10:90であれば化合物Aがドーパント化合物であり、化合物Bがホスト化合物である。更に発光層を化合物A、化合物B、化合物Cの3種から構成し、その混合比がA:B:C=5:10:85であれば、化合物A、化合物Bがドーパント化合物であり、化合物Cがホスト化合物である。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する電子輸送材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
有機EL素子5の作製方法について説明する。
(樹脂基材の準備)
2軸延伸のポリエチレンナフタレートフィルム(略称:PENフィルム、厚さ:100μm、幅:350mm、帝人デュポンフィルム(株)製、商品名「テオネックスQ65FA」)を、樹脂基材として用いた。
上記樹脂基材の易接着面側に、JSR株式会社製のUV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材 OPSTAR Z7501を用い、乾燥後の層厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、乾燥条件として、80℃で3分間の乾燥を行った。次いで、空気雰囲気下で、高圧水銀ランプを使用し、硬化条件;1.0J/cm2で硬化を行い、アンカーコート層を形成した。
図1に記載の磁場を印加したローラー間放電プラズマCVD装置(以下、この方法をローラーCVD法と称す)を用い、樹脂基材のアンカーコート層を形成した面とは反対側の面(裏面)が成膜ローラーと接触するようにして、樹脂基材を装置に装着し、下記の成膜条件(プラズマCVD条件)によりアンカーコート層上に第1の層を100nm成膜した後、第1の層上に下記成膜条件で第2の層を100nm積層し、ガスバリア層とした。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:200sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈プラズマCVD条件(第2の層)〉
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:800sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈元素分布プロファイルの測定〉
上記形成したガスバリア層について、下記条件にてXPSデプスプロファイル測定を行い、膜厚方向の薄膜層の表面からの距離に対する、ケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線を得た。
エッチングレート(SiO2熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO2換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種名「VG Theta Probe」
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形
以上のようにして測定した全層領域におけるケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線より、各元素組成における連続変化領域の有無、極値の有無、酸素の原子比率の最大値を求めた。
試料1の作製において、プラズマCVD条件を第1の層のみ以下のように変更した以外は同様にして、第1の層の膜厚は100nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料2を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:160sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料3の作製:実施例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件を第1の層のみ以下のように変更した以外は同様にして、第1の層の膜厚は100nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料3を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:550sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料4の作製:実施例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件を第2の層のみ以下のように変更した以外は同様にして、第1の層の膜厚は100nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料4を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:600sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料5の作製:実施例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件を以下のように変更した以外は同様にして、第1の層の膜厚は200nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料5を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:200sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:400sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈プラズマCVD条件(第2の層)〉
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:800sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料6の作製:比較例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件を第2の層のみ以下のように変更した以外は同様にして、第1の層の膜厚は100nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料6を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:550sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料7の作製:比較例〕
試料1のプラズマCVD条件において、第1の層と第2の層の成膜条件を逆にした以外は試料1と同様にし、第1の層の膜厚は100nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料7を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:800sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈プラズマCVD条件(第2の層)〉
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:200sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:2.5m/min
〔試料8の作製:比較例〕
試料1の作製において、第2の層の成膜は実施しなかった以外は同様にし、第1の層の膜厚は100nmとなるよう試料8を作製した。
試料1の作製において、第1の層のプラズマCVD条件を以下に変更し、第2の層の成膜は実施しなかった以外は同様にし、第1の層の膜厚は100nmとなるよう試料9を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:800sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料10の作製:比較例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件のうち第1の層及び第2の層の成膜条件を以下とした以外は同様にして第1の層の膜厚は100nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料10を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:200sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料11の作製:比較例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件のうち第1の層及び第2の層の成膜条件を以下とした以外は同様にして第1の層の膜厚は100nm、第2の層の膜厚は100nmとなるよう試料11を作製した。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:800sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料12の作製:実施例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件を以下のように変更した以外は同様にして、試料12を作製した。第1の層の膜厚は200nm、第2の層の膜厚は200nmであった。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:200sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:400sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈プラズマCVD条件(第2の層)〉
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:200sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:1600sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〔試料13の作製:実施例〕
試料1の作製において、プラズマCVD条件を以下のように変更し、更に第1の層(第3の層)、第2の層(第4の層)を積層した以外は同様にして、試料13を作製した。第1の層、第2の層、第3の層、第4の層の膜厚は全て50nmであった。第1の層における最大酸素含有量(at%)および各層の酸素含有量最大値の差分を表1に示す。
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:100sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈プラズマCVD条件(第2の層)〉
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:400sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈プラズマCVD条件(第3の層)〉
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:100sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
〈プラズマCVD条件(第4の層)〉
原料ガス(ヘキサメチルジシロキサン(略称:HMDSO))の供給量:50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)
酸素ガス(O2)の供給量:400sccm
真空チャンバー内の真空度:2Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
樹脂基材の搬送速度:5m/min
[バリア性能評価]
(水蒸気バリア性評価用セルの作製)
各ガスバリア性フィルム試料のバリア層面(最表面)に、真空蒸着装置(日本電子株式会社製、真空蒸着装置 JEE−400)を用い、透明導電膜を付ける前のガスバリア性フィルム試料の蒸着させたい部分(12mm×12mmを9箇所)以外をマスクし、金属カルシウムを蒸着させた。その後、真空状態のままマスクを取り去り、カルシウム蒸着面にアルミニウムをもう一つの金属蒸着源から蒸着させた。アルミニウム封止後、真空状態を解除し、速やかに乾燥窒素ガス雰囲気下で、厚さ0.2mmの石英ガラスに封止用紫外線硬化樹脂(ナガセケムテックス製)を介してアルミニウム封止側と対面させ、紫外線を照射することで、評価用セルを作製した。
◎:1×10−4g/m2/day未満
○:1×10−4g/m2/day以上、5×10−4g/m2/day未満
○△:5×10−4g/m2/day以上、1×10−3g/m2/day未満
△:1×10−3g/m2/day以上、5×10−2g/m2/day未満
△×:5×10−2g/m2/day以上、1×10−1g/m2/day未満
×:1×10−2g/m−1/day以上
結果を下記に示す。
Claims (4)
- 基材と、ケイ素、酸素、および炭素を含む第1の層と、ケイ素、酸素、および炭素を含む第2の層と、をこの順に含み、
前記第1の層および前記第2の層において酸素含有量は深さ方向に連続的に変化し、
前記第1の層の膜厚方向における前記第1の層表面からの距離(L)と、ケイ素原子、酸素原子、および炭素原子の合計量に対する酸素原子の量の比率との関係を示す酸素分布曲線が、少なくとも2つの極値を有し、
前記第2の層の膜厚方向における前記第2の層表面からの距離(L)と、ケイ素原子、酸素原子、および炭素原子の合計量に対する酸素原子の量の比率との関係を示す酸素分布曲線が、少なくとも2つの極値を有し、
前記第1の層におけるケイ素原子、酸素原子、および炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率の最大値が、30〜45at%であり、
前記第2の層におけるケイ素原子、酸素原子、および炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率の最大値が、前記第1の層におけるケイ素原子、酸素原子、および炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率の最大値よりも10〜25at%大きい、ガスバリア性フィルム。 - 前記第1の層の膜厚が30〜150nmである、請求項1に記載のガスバリア性フィルム。
- 前記第1の層および第2の層を、有機ケイ素化合物を含む原料ガスと酸素ガスとを用いて、磁場を印加したローラー間に放電空間を有する放電プラズマ化学気相成長法により形成する、請求項1または2に記載のガスバリア性フィルム。
- 前記第1の層および第2の層の膜厚が合計で50〜300nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のガスバリア性フィルム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014005499 | 2014-01-15 | ||
JP2014005499 | 2014-01-15 | ||
PCT/JP2014/061331 WO2015107702A1 (ja) | 2014-01-15 | 2014-04-22 | ガスバリア性フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015107702A1 JPWO2015107702A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6332283B2 true JP6332283B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=53542617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015557692A Expired - Fee Related JP6332283B2 (ja) | 2014-01-15 | 2014-04-22 | ガスバリア性フィルム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6332283B2 (ja) |
WO (1) | WO2015107702A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6430982B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-11-28 | 株式会社麗光 | 透明ハイバリアフイルム |
JP7018872B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2022-02-14 | リンテック株式会社 | ガスバリア性積層体、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP7139092B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2022-09-20 | 大日本印刷株式会社 | バリア性フィルム |
JP6988978B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2022-01-05 | 大日本印刷株式会社 | バリア性フィルム |
JP6874775B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-05-19 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス |
JP6818250B2 (ja) * | 2017-01-06 | 2021-01-20 | 大日本印刷株式会社 | バリア性フィルム |
JP7261547B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2023-04-20 | 住友化学株式会社 | 積層フィルム |
JP7198607B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2023-01-04 | 住友化学株式会社 | 積層フィルム |
JP2021085045A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 住友化学株式会社 | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH082982B2 (ja) * | 1992-06-15 | 1996-01-17 | 東洋製罐株式会社 | ガス遮断性包装用プラスチックス材の製造方法 |
JP3465311B2 (ja) * | 1993-07-23 | 2003-11-10 | 東洋製罐株式会社 | 透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法 |
JP4464155B2 (ja) * | 2003-02-10 | 2010-05-19 | 大日本印刷株式会社 | バリアフィルム |
JP2007238666A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高分子複合フィルムの製造方法、高分子複合フィルム及び包装材料 |
JP4830733B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2011-12-07 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリアフィルムおよびその製造方法 |
JP5967982B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2016-08-10 | 東レエンジニアリング株式会社 | プラズマcvd法により形成された化学蒸着膜 |
WO2013146964A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | 住友化学株式会社 | 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ |
-
2014
- 2014-04-22 JP JP2015557692A patent/JP6332283B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-22 WO PCT/JP2014/061331 patent/WO2015107702A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015107702A1 (ja) | 2017-03-23 |
WO2015107702A1 (ja) | 2015-07-23 |
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