JP3465311B2 - 透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法 - Google Patents
透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は包装用等に使用される透
明な珪素化合物の薄膜を設けたガスの透過遮断性プラス
チックス材およびその製造方法に関する。
明な珪素化合物の薄膜を設けたガスの透過遮断性プラス
チックス材およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】包装材は内容物の保護と保存のためガス
の透過を防ぐ必要があり、従来種々の試みがなされてい
る。例えば、珪素酸化物やアルミニウム酸化物等の無機
の被覆層を設けたり、ポリ塩化ビニリデン等のガス遮断
性樹脂層を積層したり、アルミ箔の金属フイルムを積層
することが試みられて来た。この他特開平３−１８３７
５９号公報にはプラスチックスフイルムにそのプラスチ
ックスと同じ合成樹脂を真空蒸着や、スパッタリングに
よって薄膜状で被覆して有機物層を形成し、その上に無
機物を蒸着して有機物と無機物の混合層を形成し、その
上に無機物層を形成した積層フイルムが示されている。
このプラスチックスは、被覆層の無機物とは全く異なる
物質であって親和性が乏しいためプラスチックスには同
じ合成樹脂を被覆し、無機被覆の定着性を良くするため
に中間に合成樹脂と無機物のブレンド層を形成したもの
であるが、ブレンド層の表面は無機物のみの面ではなく
合成樹脂の面も存在するので無機物層の定着性は期待し
た程には向上しない。また、合成樹脂と無機物を２工程
で蒸着することはシート状物以外例えば成形体には適用
出来ない。さらに合成樹脂は蒸着すると分子量が低下す
るのでこのプラスチックス材は加工性が劣化する。
の透過を防ぐ必要があり、従来種々の試みがなされてい
る。例えば、珪素酸化物やアルミニウム酸化物等の無機
の被覆層を設けたり、ポリ塩化ビニリデン等のガス遮断
性樹脂層を積層したり、アルミ箔の金属フイルムを積層
することが試みられて来た。この他特開平３−１８３７
５９号公報にはプラスチックスフイルムにそのプラスチ
ックスと同じ合成樹脂を真空蒸着や、スパッタリングに
よって薄膜状で被覆して有機物層を形成し、その上に無
機物を蒸着して有機物と無機物の混合層を形成し、その
上に無機物層を形成した積層フイルムが示されている。
このプラスチックスは、被覆層の無機物とは全く異なる
物質であって親和性が乏しいためプラスチックスには同
じ合成樹脂を被覆し、無機被覆の定着性を良くするため
に中間に合成樹脂と無機物のブレンド層を形成したもの
であるが、ブレンド層の表面は無機物のみの面ではなく
合成樹脂の面も存在するので無機物層の定着性は期待し
た程には向上しない。また、合成樹脂と無機物を２工程
で蒸着することはシート状物以外例えば成形体には適用
出来ない。さらに合成樹脂は蒸着すると分子量が低下す
るのでこのプラスチックス材は加工性が劣化する。
【０００３】このような問題があるので充分満足出来る
ものではない。本発明者は先に特願平４−１９５７８４
号発明を出願した。この発明は従来の包装材とは全く異
なる、画期的な発明であり前記の従来の包装材の欠点は
全て解決された。しかしながら、その後の研究による
と、この包装材は従来の要求は完全に満足するが、特に
水蒸気透過量が０．５g ／ｍ２ｄａｙ 以下の高い水蒸
気遮断性を要求される特殊な用途である医薬品の包装に
おいては要求を満し得ない場合が発生した。
ものではない。本発明者は先に特願平４−１９５７８４
号発明を出願した。この発明は従来の包装材とは全く異
なる、画期的な発明であり前記の従来の包装材の欠点は
全て解決された。しかしながら、その後の研究による
と、この包装材は従来の要求は完全に満足するが、特に
水蒸気透過量が０．５g ／ｍ２ｄａｙ 以下の高い水蒸
気遮断性を要求される特殊な用途である医薬品の包装に
おいては要求を満し得ない場合が発生した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来試みられたガスの
透過を遮断したプラスチックス材は充分満足出来るもの
ではなかった。前述の例についてみても無機の被覆層を
設けたプラスチックス材は遮断性が小さく内容物の変質
を充分に防止出来ない。またポリ塩化ビニリデンを積層
するとガス遮断性は良いが、包装材の廃棄が時に塩素が
発生するので問題がある。アルミ箔等を積層すると不透
明となって内容物が見えなくなり、しかもマイクロ波を
遮断するので電子レンジによる加熱が出来ない欠点があ
る。さらに前述の超ガス遮断性の要求の問題もあった。
本発明はこのような問題を全て解決した。
透過を遮断したプラスチックス材は充分満足出来るもの
ではなかった。前述の例についてみても無機の被覆層を
設けたプラスチックス材は遮断性が小さく内容物の変質
を充分に防止出来ない。またポリ塩化ビニリデンを積層
するとガス遮断性は良いが、包装材の廃棄が時に塩素が
発生するので問題がある。アルミ箔等を積層すると不透
明となって内容物が見えなくなり、しかもマイクロ波を
遮断するので電子レンジによる加熱が出来ない欠点があ
る。さらに前述の超ガス遮断性の要求の問題もあった。
本発明はこのような問題を全て解決した。
【０００５】
【課題を解決した手段】本発明は、
「１． プラスチックス材と、その上に設けた屈折率
２．０〜２．３の少なくとも珪素、酸素、炭素を含む有
機珪素化合物をプラズマＣＶＤ法により重合した重 合体
で形成された有機化合物の薄膜である第一層と、第一層
の上に配設した屈折率１．４〜１．６の珪素酸化物の第
二層とからなる透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮
断性プラスチックス材。 ２． 有機珪素化合物の薄膜である第一層が少くとも珪
素、酸素、炭素を含む有機珪素化合物をプラズマＣＶＤ
法により３×１０-3から３×１０-2ｔｏｒｒのガス圧で
重合した重合体で形成された膜である、１項に記載され
た透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチ
ックス材。 ３． 第一層中の珪素、炭素、酸素の組成において、珪
素１５％以上、炭素２０％以上残部が酸素を含有する有
機珪素化合物の重合体の薄膜である、１項または２項に
記載されたガス遮断性プラスチックス材。 ４． 第二層の主成分が酸化珪素化合物であり、その組
成がＳｉＯx（ｘ ＝１．５〜２．０）である、１項な
いし３項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物
の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ５． 第二層の酸化珪素化合物が６０％以上であり、そ
の組成がＳｉＯx（ｘ＝１．５〜２．０）である、１項
ないし４項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合
物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ６． 第一層が０．００５μｍ〜０．０５μｍの膜厚で
あり第二層が０．０３μｍ〜０．２μｍである、１項な
いし５項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物
の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ７． プラスチックス材が長尺物である、１項ないし６
項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物の薄膜
を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ８． プラスチックス材が成形品である、１項ないし６
項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物の薄膜
を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ９． 低温プラズマ法により、少くとも珪素、酸素、炭
素からなる有機珪素化合物モノマーをプラズマとなし、
該プラズマをプラスチックス材表面に供給し、ガス圧３
×１０-3から３×１０-2ｔｏｒｒで重合して屈折率２．
０〜２．３の有機珪素化合物薄膜を成形し、ついでＰＶ
Ｄ法及びまたはＣＶＤ法により、屈折率１．４〜１．６
の珪素酸化物膜を被覆することを特徴とする、透明な珪
素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材の
製造方法。」 に関する。
２．０〜２．３の少なくとも珪素、酸素、炭素を含む有
機珪素化合物をプラズマＣＶＤ法により重合した重 合体
で形成された有機化合物の薄膜である第一層と、第一層
の上に配設した屈折率１．４〜１．６の珪素酸化物の第
二層とからなる透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮
断性プラスチックス材。 ２． 有機珪素化合物の薄膜である第一層が少くとも珪
素、酸素、炭素を含む有機珪素化合物をプラズマＣＶＤ
法により３×１０-3から３×１０-2ｔｏｒｒのガス圧で
重合した重合体で形成された膜である、１項に記載され
た透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチ
ックス材。 ３． 第一層中の珪素、炭素、酸素の組成において、珪
素１５％以上、炭素２０％以上残部が酸素を含有する有
機珪素化合物の重合体の薄膜である、１項または２項に
記載されたガス遮断性プラスチックス材。 ４． 第二層の主成分が酸化珪素化合物であり、その組
成がＳｉＯx（ｘ ＝１．５〜２．０）である、１項な
いし３項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物
の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ５． 第二層の酸化珪素化合物が６０％以上であり、そ
の組成がＳｉＯx（ｘ＝１．５〜２．０）である、１項
ないし４項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合
物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ６． 第一層が０．００５μｍ〜０．０５μｍの膜厚で
あり第二層が０．０３μｍ〜０．２μｍである、１項な
いし５項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物
の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ７． プラスチックス材が長尺物である、１項ないし６
項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物の薄膜
を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ８． プラスチックス材が成形品である、１項ないし６
項のいずれか１項に記載された透明な珪素化合物の薄膜
を設けたガス遮断性プラスチックス材。 ９． 低温プラズマ法により、少くとも珪素、酸素、炭
素からなる有機珪素化合物モノマーをプラズマとなし、
該プラズマをプラスチックス材表面に供給し、ガス圧３
×１０-3から３×１０-2ｔｏｒｒで重合して屈折率２．
０〜２．３の有機珪素化合物薄膜を成形し、ついでＰＶ
Ｄ法及びまたはＣＶＤ法により、屈折率１．４〜１．６
の珪素酸化物膜を被覆することを特徴とする、透明な珪
素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材の
製造方法。」 に関する。
【０００６】
【作用】珪素酸化物層はガス遮断性は小さいが、それ以
外は良好な性能を示すので、ガス遮断性を向上させるべ
く種々研究した。
外は良好な性能を示すので、ガス遮断性を向上させるべ
く種々研究した。
【０００７】本発明の第１の特徴は、プラスチックス材
の上に、珪素、炭素、酸素を含む有機珪素化合物の屈折
率２．０〜２．３の重合体被覆層を設けたことである。
この層はそれ自体はガス遮断性はない。
の上に、珪素、炭素、酸素を含む有機珪素化合物の屈折
率２．０〜２．３の重合体被覆層を設けたことである。
この層はそれ自体はガス遮断性はない。
【０００８】本発明の第２の特徴は上記の第一層の上に
屈折率１．４〜１．６の珪素酸化物層を設けたことであ
る。この珪素酸化物層は前述の通り直接プラスチックス
材に設けても充分なガスの透過を遮断する作用を奏さな
い。ところが、第１の層の上に第２の層が設けられる
と、両者の相乗効果によってガス遮断性が著しく向上す
る。
屈折率１．４〜１．６の珪素酸化物層を設けたことであ
る。この珪素酸化物層は前述の通り直接プラスチックス
材に設けても充分なガスの透過を遮断する作用を奏さな
い。ところが、第１の層の上に第２の層が設けられる
と、両者の相乗効果によってガス遮断性が著しく向上す
る。
【０００９】何故この二種の層がこの順序で積層される
とこのような特別の効果が奏されるのかその学問的解明
は必ずしも充分ではないが、本発明は反復再現する作用
効果を奏する。本発明者は、珪素酸化物層のガス遮断効
果は、被覆基体上に供給される珪素酸化物微粒子の安定
定着性によるとことろが大きいと考える。即ち供給され
た粒子はプラスチックス基体上を移動し最も安定な場所
で安定化し定着する。この場合プラスチックス基体の上
に珪素、炭素、酸素を含む珪素化合物の重合体被膜が形
成されていると珪素酸化物微粒子は良好に安定化し定着
する。そしてその分布は均一となり、安定化して珪素酸
化物粒子の上にさらに珪素酸化物微粒子が積み重なって
珪素酸化物被覆が形成されるので緊密な被覆となるから
であると考えている。また第一層の有機珪素化合物被膜
と第二層の珪素酸化物被膜が夫々特定の屈折率の範囲内
にあると０．５g ／ｍ２ｄａｙ 以下の超水蒸気ガス遮
断性を示すことについてはより定着性の高い、欠陥の少
い緊密な被膜となるからであると考えている。
とこのような特別の効果が奏されるのかその学問的解明
は必ずしも充分ではないが、本発明は反復再現する作用
効果を奏する。本発明者は、珪素酸化物層のガス遮断効
果は、被覆基体上に供給される珪素酸化物微粒子の安定
定着性によるとことろが大きいと考える。即ち供給され
た粒子はプラスチックス基体上を移動し最も安定な場所
で安定化し定着する。この場合プラスチックス基体の上
に珪素、炭素、酸素を含む珪素化合物の重合体被膜が形
成されていると珪素酸化物微粒子は良好に安定化し定着
する。そしてその分布は均一となり、安定化して珪素酸
化物粒子の上にさらに珪素酸化物微粒子が積み重なって
珪素酸化物被覆が形成されるので緊密な被覆となるから
であると考えている。また第一層の有機珪素化合物被膜
と第二層の珪素酸化物被膜が夫々特定の屈折率の範囲内
にあると０．５g ／ｍ２ｄａｙ 以下の超水蒸気ガス遮
断性を示すことについてはより定着性の高い、欠陥の少
い緊密な被膜となるからであると考えている。
【００１０】第１の有機珪素化合物重合体被覆層は第一
層中の珪素、炭素、酸素の組成において、、珪素１５％
以上、炭素２０％以上そして残りが酸素を含有し、０．
００５μｍ〜０．０５μｍの薄い層である。被覆層の厚
みがこれより厚くなるとガス遮断性が悪くなる。
層中の珪素、炭素、酸素の組成において、、珪素１５％
以上、炭素２０％以上そして残りが酸素を含有し、０．
００５μｍ〜０．０５μｍの薄い層である。被覆層の厚
みがこれより厚くなるとガス遮断性が悪くなる。
【００１１】このような第一層の特殊な有機珪素化合物
重合体被覆は例えば、ヘキサメチルジシラン等の有機珪
素化合物モノマーをプラズマ化し、プラスチックス基体
上で重合することによって形成することが出来る。この
重合時のガス圧を３×１０−３から３×１０−２ｔｏｒ
ｒに調節することによって形成される被膜の屈折率を
２．０〜２．３にすることが出来る。従来、他の用途で
はあるが知られているプラズマＣＶＤ法は０．数ｔｏｒ
ｒから数十ｔｏｒｒの範囲であるから本発明で用いるプ
ラズマＣＶＤ法が特殊であることがわかる。
重合体被覆は例えば、ヘキサメチルジシラン等の有機珪
素化合物モノマーをプラズマ化し、プラスチックス基体
上で重合することによって形成することが出来る。この
重合時のガス圧を３×１０−３から３×１０−２ｔｏｒ
ｒに調節することによって形成される被膜の屈折率を
２．０〜２．３にすることが出来る。従来、他の用途で
はあるが知られているプラズマＣＶＤ法は０．数ｔｏｒ
ｒから数十ｔｏｒｒの範囲であるから本発明で用いるプ
ラズマＣＶＤ法が特殊であることがわかる。
【００１２】本発明で使用する有機珪素化合物モノマー
としてはビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、オクタメチルシクロ
テトラシロキサン、メチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、１１３３−テトラメチルジシロキ
サン、ヘキサメチルジシロキサン等である。
としてはビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、オクタメチルシクロ
テトラシロキサン、メチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、１１３３−テトラメチルジシロキ
サン、ヘキサメチルジシロキサン等である。
【００１３】第二層は珪素酸化物からなる層であるが、
この層は珪素酸化物以外の金属化合物例えばＭｇＯやＭ
ｇＦ２ やＣｕＣＯ３ などを含むことも出来る。しか
しながら、この第二層は珪素酸化物が主成分であり、珪
素酸化物は好ましくは６０％以上より好適には６５％以
上存在しなければならない。第二層の珪素酸化物被覆は
例えば二酸化珪素などの珪素酸化物と他の金属化合物を
用いてＰＶＤ法でもプラズマＣＶＤ法でも形成すること
が出来る。
この層は珪素酸化物以外の金属化合物例えばＭｇＯやＭ
ｇＦ２ やＣｕＣＯ３ などを含むことも出来る。しか
しながら、この第二層は珪素酸化物が主成分であり、珪
素酸化物は好ましくは６０％以上より好適には６５％以
上存在しなければならない。第二層の珪素酸化物被覆は
例えば二酸化珪素などの珪素酸化物と他の金属化合物を
用いてＰＶＤ法でもプラズマＣＶＤ法でも形成すること
が出来る。
【００１４】本発明の第３の特徴はこのようなガス遮断
層が設けられたプラスチックス材は廃棄上全く問題はな
く、リサイクルも出来る。本発明のガス遮断層を配設す
るプラスチックス材としてはポリエチレンテレフタレー
ト等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン樹脂、ナイロン、ポリビニルアル
コール、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂等
である。本発明のガス遮断層を設けたプラスチックス材
は成形性が良くないので、ガス遮断性は成形したボト
ル、袋、箱等の包装容器に被覆するのが好ましい。ガス
遮断層を配設したプラスチックスフイルムはガス遮断層
の上に保護層をラミネートすることにより袋に加工する
ことが出来る。本発明のガス遮断性プラスチックスはガ
ス遮断層の定着性が良好であり熱湯殺菌に耐えるのでレ
トルト用に使用することが出来る。
層が設けられたプラスチックス材は廃棄上全く問題はな
く、リサイクルも出来る。本発明のガス遮断層を配設す
るプラスチックス材としてはポリエチレンテレフタレー
ト等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン樹脂、ナイロン、ポリビニルアル
コール、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂等
である。本発明のガス遮断層を設けたプラスチックス材
は成形性が良くないので、ガス遮断性は成形したボト
ル、袋、箱等の包装容器に被覆するのが好ましい。ガス
遮断層を配設したプラスチックスフイルムはガス遮断層
の上に保護層をラミネートすることにより袋に加工する
ことが出来る。本発明のガス遮断性プラスチックスはガ
ス遮断層の定着性が良好であり熱湯殺菌に耐えるのでレ
トルト用に使用することが出来る。
【００１５】
【実施例】つぎに実施例を製造例を含めて示して本発明
を具体的に説明する。各実施例と比較例におけるガス透
過量の測定は基材がシートの場合は、水蒸気透過量はモ
ダンコントロール社製 PERMATRAN-W3/30を使用して測定
した。測定条件は４０℃相対温度９０％である。透過単
位は g/ ｍ２ｄａｙで表わした。酸素ガス透過量はモダ
ンコントロール社製 ＯＸ−ｔｒａｎ １００ を使用
して測定した。測定条件は２７℃相対温度９０％であり
透過量単位 ｃｃ／ｍ２ｄａｙ ａｔｍで表わした。基
材がボトルやカップ状の場合はボトルまたはカップ内に
水を２g 充填した。アルミ箔とポリプロピレンまたはポ
リエチレンテレフタレート樹脂が積層されている積層体
を蓋材として使用し、アルミ箔を外面にむけ、水が充填
されているボトルまたはカップにヒートシールした。５
０℃４０％ＲＨ、４０℃１０％ＲＨの雰囲気にそれらを
保存し、重量変化を測定し、水蒸気透過量を測定した。
を具体的に説明する。各実施例と比較例におけるガス透
過量の測定は基材がシートの場合は、水蒸気透過量はモ
ダンコントロール社製 PERMATRAN-W3/30を使用して測定
した。測定条件は４０℃相対温度９０％である。透過単
位は g/ ｍ２ｄａｙで表わした。酸素ガス透過量はモダ
ンコントロール社製 ＯＸ−ｔｒａｎ １００ を使用
して測定した。測定条件は２７℃相対温度９０％であり
透過量単位 ｃｃ／ｍ２ｄａｙ ａｔｍで表わした。基
材がボトルやカップ状の場合はボトルまたはカップ内に
水を２g 充填した。アルミ箔とポリプロピレンまたはポ
リエチレンテレフタレート樹脂が積層されている積層体
を蓋材として使用し、アルミ箔を外面にむけ、水が充填
されているボトルまたはカップにヒートシールした。５
０℃４０％ＲＨ、４０℃１０％ＲＨの雰囲気にそれらを
保存し、重量変化を測定し、水蒸気透過量を測定した。
【００１６】実施例１
ヘキサメチルジシロキサンとエチレン及び酸素ガスを混
合し、８×１０−３ｔｏｒｒの圧力で、低温プラズマＣ
ＶＤ法により、厚み１００μｍの二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートシートの表面にＳｉ１６％、Ｏ３６％、
Ｃ４８％の組成比の第一層の重合体被膜を形成した。こ
の被覆の膜厚は０．００５μｍで屈折率が２．１あっ
た。この薄膜の上にヘキサメチルジシロキサンと酸素を
混合し、２×１０−３ｔｏｒｒの圧力で、低温プラズマ
法により珪素、酸素、炭素の組成比が３：６：１で膜厚
が０．０６９μｍ、屈折率１．５の薄膜の第二層を被覆
した。
合し、８×１０−３ｔｏｒｒの圧力で、低温プラズマＣ
ＶＤ法により、厚み１００μｍの二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートシートの表面にＳｉ１６％、Ｏ３６％、
Ｃ４８％の組成比の第一層の重合体被膜を形成した。こ
の被覆の膜厚は０．００５μｍで屈折率が２．１あっ
た。この薄膜の上にヘキサメチルジシロキサンと酸素を
混合し、２×１０−３ｔｏｒｒの圧力で、低温プラズマ
法により珪素、酸素、炭素の組成比が３：６：１で膜厚
が０．０６９μｍ、屈折率１．５の薄膜の第二層を被覆
した。
【００１７】実施例２
第一層の珪素、酸素、炭素の組成と屈折率と第二層の屈
折率を表１に示すように変えた他は実施例１と同様にし
て第一層と第二層を形成した。
折率を表１に示すように変えた他は実施例１と同様にし
て第一層と第二層を形成した。
【００１８】比較例１
第一層の珪素、酸素、炭素の組成と屈折率と第二層の屈
折率を表１に示すように変えた以外は実施例１と同様に
して第一層と第二層を形成した。実施例１〜２および比
較例１〜３の第一層の組成比と膜厚と屈折率、第二層の
組成比と膜厚と屈折率を表１に示す。併せてこれ等の被
膜を設けたシートの水蒸気透過量を表１に示す。
折率を表１に示すように変えた以外は実施例１と同様に
して第一層と第二層を形成した。実施例１〜２および比
較例１〜３の第一層の組成比と膜厚と屈折率、第二層の
組成比と膜厚と屈折率を表１に示す。併せてこれ等の被
膜を設けたシートの水蒸気透過量を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】実施例３
プラズマＣＶＤ法によりヘキサメチルジシランとエチレ
ンおよび酸素混合物をプラズマ化して口径２０mm、胴径
２５mm、高さ５０mmのシリンダー型ポリプロピレン製ボ
トルの外表面に供給しガス圧１×１０−２ｔｏｒｒで重
合して珪素、酸素、炭素の組成比が２：３：５で膜厚が
０．０１μｍ屈折率２．０の第一層を被覆し、その上に
５×１０−４ｔｏｒｒによる高周波イオンプレーティン
グ法により珪素と酸素の比が１：１．８で膜厚０．０７
μｍ、屈折率１．５の第二層を被覆した。
ンおよび酸素混合物をプラズマ化して口径２０mm、胴径
２５mm、高さ５０mmのシリンダー型ポリプロピレン製ボ
トルの外表面に供給しガス圧１×１０−２ｔｏｒｒで重
合して珪素、酸素、炭素の組成比が２：３：５で膜厚が
０．０１μｍ屈折率２．０の第一層を被覆し、その上に
５×１０−４ｔｏｒｒによる高周波イオンプレーティン
グ法により珪素と酸素の比が１：１．８で膜厚０．０７
μｍ、屈折率１．５の第二層を被覆した。
【００２１】比較例２〜比較例３
第一層を設けない以外は実施例３と同一とした。これ等
のボトルの水蒸気透過量を表２に示す。
のボトルの水蒸気透過量を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】実施例４
プラズマＣＶＤ法によりヘキサメチルジシロキサンとエ
チレンおよび酸素ガスを混合し、８×１０−３ｔｏｒｒ
の圧力で、低温プラズマ法により、口径６０ｍｍ、底径
２０ｍｍ、高さ６０ｍｍの逆円錐台形状のポリエチレン
テレフタレート製カップの内表面に、珪素、酸素、炭素
の組成比が２：３：５で膜厚が０．００５μｍ、屈折率
２．３の第一層を被覆し、この薄膜の上にヘキサメチル
ジシロキサンと酸素を混合し、２×１０−３ｔｏｒｒの
圧力で、低温プラズマＣＶＤ法により珪素と酸素の組成
比１：１．８で膜厚０．０６９μｍ屈折率１．６の第二
層を被覆した。
チレンおよび酸素ガスを混合し、８×１０−３ｔｏｒｒ
の圧力で、低温プラズマ法により、口径６０ｍｍ、底径
２０ｍｍ、高さ６０ｍｍの逆円錐台形状のポリエチレン
テレフタレート製カップの内表面に、珪素、酸素、炭素
の組成比が２：３：５で膜厚が０．００５μｍ、屈折率
２．３の第一層を被覆し、この薄膜の上にヘキサメチル
ジシロキサンと酸素を混合し、２×１０−３ｔｏｒｒの
圧力で、低温プラズマＣＶＤ法により珪素と酸素の組成
比１：１．８で膜厚０．０６９μｍ屈折率１．６の第二
層を被覆した。
【００２４】比較例４〜比較例５
第一層を設けない以外は実施例４と同一とした。これ等
のカップの水蒸気透過量を表３に示す。
のカップの水蒸気透過量を表３に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】本発明のガス遮断性プラスチック材は非常
に薄い遮断層で非常に優れたガス遮断効果を奏してお
り、各層の組成が特定範囲からはずれると効果が大きく
劣化することがわかる。
に薄い遮断層で非常に優れたガス遮断効果を奏してお
り、各層の組成が特定範囲からはずれると効果が大きく
劣化することがわかる。
【００２７】
【発明の効果】本発明は１／１００μｍオーダーの薄い
膜で水蒸気透過量を０．５g ／ｍ２ｄａｙ 以下の範囲
に高度に遮断し、使用後のリサイクルが良好であり、廃
棄にも問題がない優れた効果を奏する。
膜で水蒸気透過量を０．５g ／ｍ２ｄａｙ 以下の範囲
に高度に遮断し、使用後のリサイクルが良好であり、廃
棄にも問題がない優れた効果を奏する。
Claims (9)
- 【請求項１】 プラスチックス材と、その上に設けた屈
折率２．０〜２．３の少なくとも珪素、酸素、炭素を含
む有機珪素化合物をプラズマＣＶＤ法により重合した重
合体で形成された有機化合物の薄膜である第一層と、第
一層の上に配設した屈折率１．４〜１．６の珪素酸化物
の第二層とからなる透明な珪素化合物の薄膜を設けたガ
ス遮断性プラスチックス材。 - 【請求項２】 有機珪素化合物の薄膜である第一層が少
くとも珪素、酸素、炭素を含む有機珪素化合物をプラズ
マＣＶＤ法により３×１０-3から３×１０-2ｔｏｒｒの
ガス圧で重合した重合体で形成された膜である、請求項
１に記載された透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮
断性プラスチックス材。 - 【請求項３】 第一層中の珪素、炭素、酸素の組成にお
いて、珪素１５％以上、炭素２０％以上残部が酸素を含
有する有機珪素化合物の重合体の薄膜である、請求項１
または２に記載されたガス遮断性プラスチックス材。 - 【請求項４】 第二層の主成分が酸化珪素化合物であ
り、その組成がＳｉＯx（ｘ ＝１．５〜２．０）であ
る、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された透明
な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス
材。 - 【請求項５】 第二層の酸化珪素化合物が６０％以上で
あり、その組成がＳｉＯx（ｘ ＝１．５〜２．０）で
ある、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された透
明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチック
ス材。 - 【請求項６】 第一層が０．００５μｍ〜０．０５μｍ
の膜厚であり第二層が０．０３μｍ〜０．２μｍであ
る、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された透明
な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス
材。 - 【請求項７】 プラスチックス材が長尺物である、請求
項１ないし６のいずれか１項に記載された透明な珪素化
合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 - 【請求項８】 プラスチックス材が成形品である、請求
項１ないし６のいずれか１項に記載された透明な珪素化
合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 - 【請求項９】 低温プラズマ法により、少くとも珪素、
酸素、炭素からなる有機珪素化合物モノマーをプラズマ
となし、該プラズマをプラスチックス材表面に供給し、
ガス圧３×１０-3から３×１０-2ｔｏｒｒで重合して屈
折率２．０〜２．３の有機珪素化合物薄膜を成形し、つ
いでＰＶＤ法及びまたはＣＶＤ法により、屈折率１．４
〜１．６の珪素酸化物膜を被覆することを特徴とする、
透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチッ
クス材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22490393A JP3465311B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22490393A JP3465311B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0732531A JPH0732531A (ja) | 1995-02-03 |
| JP3465311B2 true JP3465311B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=16820968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22490393A Expired - Fee Related JP3465311B2 (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3465311B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004044039A3 (en) * | 2002-11-12 | 2004-08-05 | Dow Global Technologies Inc | Process and apparatus for depositing plasma coating onto a container |
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| JPH08290517A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Kishimoto Akira | プラスチックスシートからなる包装材料にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法 |
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| JP3634474B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2005-03-30 | 大日本印刷株式会社 | ふた材 |
| WO2006133730A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Innovative Systems & Technologies | Method for producing coated polymer |
| JP2010208086A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリアフィルム |
| WO2015107702A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム |
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| JP6988978B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2022-01-05 | 大日本印刷株式会社 | バリア性フィルム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526766B2 (ja) * | 1992-06-15 | 1996-08-21 | 東洋製罐株式会社 | ガス遮断性積層プラスチックス材 |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP22490393A patent/JP3465311B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004044039A3 (en) * | 2002-11-12 | 2004-08-05 | Dow Global Technologies Inc | Process and apparatus for depositing plasma coating onto a container |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732531A (ja) | 1995-02-03 |
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