JPH0732531A - 透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法 - Google Patents
透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材およびその製造方法Info
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- JPH0732531A JPH0732531A JP5224903A JP22490393A JPH0732531A JP H0732531 A JPH0732531 A JP H0732531A JP 5224903 A JP5224903 A JP 5224903A JP 22490393 A JP22490393 A JP 22490393A JP H0732531 A JPH0732531 A JP H0732531A
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Abstract
スチックス材およびその製造方法を提供する。 【構成】 プラスチックス材と、その上に設けた屈折率
2.0〜2.3の珪素化合物の薄膜である第一層と、第
一層の上に配設した屈折率1.4〜1.6の珪素酸化物
の第二層とからなる透明な珪素化合物の薄膜を設けたガ
ス遮断性プラスチックス材とその製造方法に関する。
Description
明な珪素化合物の薄膜を設けたガスの透過遮断性プラス
チックス材およびその製造方法に関する。
の透過を防ぐ必要があり、従来種々の試みがなされてい
る。例えば、珪素酸化物やアルミニウム酸化物等の無機
の被覆層を設けたり、ポリ塩化ビニリデン等のガス遮断
性樹脂層を積層したり、アルミ箔の金属フイルムを積層
することが試みられて来た。この他特開平3−1837
59号公報にはプラスチックスフイルムにそのプラスチ
ックスと同じ合成樹脂を真空蒸着や、スパッタリングに
よって薄膜状で被覆して有機物層を形成し、その上に無
機物を蒸着して有機物と無機物の混合層を形成し、その
上に無機物層を形成した積層フイルムが示されている。
このプラスチックスは、被覆層の無機物とは全く異なる
物質であって親和性が乏しいためプラスチックスには同
じ合成樹脂を被覆し、無機被覆の定着性を良くするため
に中間に合成樹脂と無機物のブレンド層を形成したもの
であるが、ブレンド層の表面は無機物のみの面ではなく
合成樹脂の面も存在するので無機物層の定着性は期待し
た程には向上しない。また、合成樹脂と無機物を2工程
で蒸着することはシート状物以外例えば成形体には適用
出来ない。さらに合成樹脂は蒸着すると分子量が低下す
るのでこのプラスチックス材は加工性が劣化する。
ものではない。本発明者は先に特願平4−195784
号発明を出願した。この発明は従来の包装材とは全く異
なる、画期的な発明であり前記の従来の包装材の欠点は
全て解決された。しかしながら、その後の研究による
と、この包装材は従来の要求は完全に満足するが、特に
水蒸気透過量が0.5g/m2day以下の高い水蒸気
遮断性を要求される特殊な用途である医薬品の包装にお
いては要求を満し得ない場合が発生した。
透過を遮断したプラスチックス材は充分満足出来るもの
ではなかった。前述の例についてみても無機の被覆層を
設けたブラスチックス材は遮断性が小さく内容物の変質
を充分に防止出来ない。またポリ塩化ビニリデンを積層
するとガス遮断性は良いが、包装材の廃棄が時に塩素が
発生するので問題がある。アルミ箔等を積層すると不透
明となって内容物が見えなくなり、しかもマイクロ波を
遮断するので電子レンジによる加熱が出来ない欠点があ
る。さらに前述の超ガス遮断性の要求の問題もあった。
本発明はこのような問題を全て解決した。
2.0〜2.3の珪素化合物の薄膜である第一層と、第
一層の上に配設した屈折率1.4〜1.6の珪素酸化物
の第二層とからなる透明な珪素化合物の薄膜を設けたガ
ス遮断性プラスチックス材。 2. 第一層の珪素化合物が少くとも珪素、酸素、炭素
を含む有機珪素化合物をプラズマCVD法により3×1
0−3から3×10−2torrのガス圧で重合した重
合体で形成された膜である、1項に記載された透明な珪
素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 3. 珪素化合物の薄膜が、珪素15%以上、炭素20
%以上残部が酸素を含有する珪素化合物の重合体の薄膜
である、1項または2項に記載されたガス遮断性プラス
チックス材。 4. 第二層の主成分が酸化珪素化合物であり、その組
成がSiOx(x=1.5〜2.0)である、1項ない
し3項のいずれか1項に記載された透明な珪素化合物の
薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 5. 第二層の酸化珪素化合物が60%以上であり、そ
の組成がSiOx(x=1.5〜2.0)である、1項
ないし4項のいずれか1項に記載された透明な珪素化合
物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 6. 第一層が0.005μm〜0.05μmの膜厚で
あり第二層が0.03μm〜0.2μmである、1項な
いし5項のいずれか1項に記載された透明な珪素化合物
の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 7. プラスチックス材が長尺物である、1項ないし6
項のいずれか1項に記載された透明な珪秦化合物の薄膜
を設けたガス遮断性プラスチックス材。 8. プラスチックス材が成形品である、1項ないし6
項のいずれか1項に記載された透明な珪素化合物の薄膜
を設けたガス遮断性プラスチックス材。 9. 低温プラズマ法により、少くとも珪素、酸素、炭
素からなる有機シリコン化合物モノマーをプラズマとな
し、該プラズマをプラスチックス材表面に供給し、ガス
圧3×10−3から3×10−2torrで重合して屈
折率2.0〜2.3の珪素化合物薄膜を成形し、ついで
PVD法及びまたはCVD法により、屈折率1.4〜
1.6の珪素酸化物膜を被覆することを特徴とする、透
明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチック
ス材の製造方法。」 に関する。
外は良好な性能を示すので、ガス遮断性を向上させるべ
く種々研究した。
の上に、珪素、炭素、酸素を含む珪素化合物の屈折率
2.0〜2.3の重合体被覆層を設けたことである。こ
の層はそれ自体はガス遮断性はない。
屈折率1.4〜1.6の珪素酸化物層を設けたことであ
る。この珪素酸化物層は前述の通り直接プラスチックス
材に設けても充分なガスの透過を遮断する作用を奏さな
い。ところが、第1の層の上に第2の層が設けられる
と、両者の相乗効果によってガス遮断性が著しく向上す
る。
とこのような特別の効果が奏されるのかその学問的解明
は必ずしも充分ではないが、本発明は反復再現する作用
効果を奏する。本発明者は、珪素酸化物層のガス遮断効
果は、被覆基体上に供給される珪素酸化物微粒子の安定
定着性によるとことろが大きいと考える。即ち供給され
た粒子はプラスチックス基体上を移動し最も安定な場所
で安定化し定着する。この場合プラスチックス基体の上
に珪素、炭素、酸素を含む珪素化合物の重合体被膜が形
成されていると珪素酸化物微粒子は良好に安定化し定着
する。そしてその分布は均一となり、安定化して珪素酸
化物粒子の上にさらに珪素酸化物微粒子が積み重なって
珪素酸化物被覆が形成されるので緊密な被覆となるから
であると考えている。また第一層の珪素化合物被膜と第
二層の珪素酸化物被膜が夫々特定の屈折率の範囲内にあ
ると0.5g/m2day以下の超水蒸気ガス遮断性を
示すことについてはより定着性の高い、欠陥の少い緊密
な被膜となるからであると考えている。
層中の珪素、炭素、酸素の組成において、、珪素15%
以上、炭素20%以上そして残りが酸素を含有し、0.
005μm〜0.05μmの薄い層である。被覆層の厚
みがこれより厚くなるとガス遮断性が悪くなる。
重合体被覆は例えば、ヘキサメチルジシラン等の有機珪
素化合物モノマーをプラズマ化し、プラスチックス基体
上で重合することによって形成することが出来る。この
重合時のガス圧を3×10−3から3×10−2tor
rに調節することによって形成される被膜の屈折率を
2.0〜2.3にすることが出来る。従来、他の用途で
はあるが知られているプラズマCVD法は0.数tor
rから数+torrの範囲であるから本発明で用いるプ
ラズマCVD法が特殊であることがわかる。
マーとしてはビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、フェニルトリメトキシシラン、オクタメチルシ
クロテトラシロキサン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、1133−テトラメチルジシ
ロキサン、ヘキサンメチルジシロキサン等である。
この層は珪素酸化物以外の金属化合物例えばMgOやM
gF2やCuCO3などを含むことも出来る。しかしな
がら、この第二層は珪素酸化物が主成分であり、珪素酸
化物は好ましくは60%以上より好適には65%以上存
在しなければならない。第二層の珪素酸化物被覆は例え
ば二酸化珪素などの珪素酸化物と他の金属化合物を用い
てPVD法でもプラズマCVD法でも形成することが出
来る。
層が設けられたプラスチックス材は廃棄上全く問題はな
く、リサイクルも出来る。本発明のガス遮断層を配設す
るプラスチックス材としてはポリエチレンテレフタレー
ト等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン樹脂、ナイロン、ポリビニルアル
コール、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂等
である。本発明のガス遮断層を設けたプラスチックス材
は成形性が良くないので、ガス遮断性は成形したボト
ル、袋、箱等の包装容器に被覆するのが好ましい。ガス
遮断層を配設したプラスチックスフイルムはガス遮断層
の上に保護層をラミネートすることにより袋に加工する
ことが出来る。本発明のガス遮断性ブラスチックスはガ
ス遮断層の定着性が良好であり熱湯殺菌に耐えるのでレ
トルト用に使用することが出来る。
を具体的に説明する。各実施例と比較例におけるガス透
過量の測定は基材がシートの場合は、水蒸気透過量はモ
ダンコントロール社製PERHAIRAN−W3/30
を使用して測定した。測定条件は40℃相対温度90%
である。透過単位はg/m2 day で表わした。酸
素ガス透過量はモダンコントロール社製OX−tran
100を使用して測定した。測定条件は27℃相対温
度90%であり透過量単位cc/m2day atm
で表わした。基材がボトルやカップ状の場合はボトルま
たはカップ内に水を2g充墳した。アルミ箔とポリプロ
ピレンまたはポリエチレンテレフタレート樹脂が積層さ
れている積層体を蓋材として使用し、アルミ箔を外面に
むけ、水が充填されているボトルまたはカップにヒート
シールした。50℃40%RH、40℃10%RHの雰
囲気にそれらを保存し、重量変化を測定し、水蒸気透過
量を測定した。
合し、8×10−3torrの圧力で、低温プラズマC
VD法により、厚み100μmの二軸延伸ポリエチレン
テレフタレートシートの表面にSi16%、O36%、
C48%の組成比の一層の重合体被膜を形成した。この
被覆の膜厚は0.005μmで屈折率が2.1あった。
この薄膜の上にヘキサメチルジシロキサンと酸素を混合
し、2×10−3torrの圧力で、低温プラズマ法に
より珪素、酸素、炭素の組成比が3:6:1で膜厚が
0.069μm、屈折率1.5の薄膜の第二層を被覆し
た。
折率を表1に示すように変えた他は実施例と同様にして
第一層と第二層を形成した。
折率を表1に示すように変えた以外は実施例1と同様に
して第一層と第二層を形成した。実施例1〜3および比
較例1〜3の第一層の組成比と膜厚と屈折率、第二層の
組成比と膜厚と屈折率を表1に示す。併せてこれ等の被
膜を設けたシートの水蒸気透過量を表1に示す。
ンおよび酸素混合物をプラズマ化して口径20mm、胴
径25mm、高さ50−mのシリンダー型ポリプロピレ
ン製ボトルの外表面に供給しガス圧1×10−2tor
rで重合して珪素、酸素、炭素の組成比が2:3:5で
膜厚が0.01μm屈折率2.0の第一層を被覆し、そ
の上に5×10−4torrによる高周波イオンプレー
ティング法により珪素と酸素の比が1:1.8で膜厚
0.07μm、屈折率1.5の第二層を被覆した。
のボトルの水蒸気透過量を未処理の被覆のない比較例5
のボトルと共に表2に示す。
チレンおよび酸素ガスを混合し、8×10−3torr
の圧力で、低温プラズマ法により、口径60mm、底径
20mm、高さ60mmの逆円錐台形状のポリエチレン
テレフタレート製カップの内表面に、珪素、酸素、炭素
の組成比が2:3;5で膜厚が0.005μm、屈折率
2.3の第一層を被覆し、この薄膜の上にヘキサメチル
ジシロキサンと酸素を混合し、2×10−3torrの
圧力で、低温プラズマCVD法により珪素と酸素の組成
比1:1.8で膜厚0.069μm屈折率1.6の第二
層を被覆した。
のカップの水蒸気透過量を未処理の被覆のない比較例7
のカップと共に表3に示す。
に薄い遮断層で非常に優れたガス遮断効果を奏してお
り、各層の組成が特定範囲からはずれると効果が大きく
劣化することがわかる。
膜で水蒸気透過量を0.5g/m2day以下の範囲に
高度に遮断し、使用後のリサイクルが良好であり、廃棄
にも問題がない優れた効果を奏する。
Claims (9)
- 【請求項1】 プラスチックス材と、その上に設けた屈
折率2.0〜2.3の珪素化合物の薄膜である第一層
と、第一層の上に配設した屈折率1.4〜1.6の珪素
酸化物の第二層とからなる透明な珪素化合物の薄膜を設
けたガス遮断性プラスチックス材。 - 【請求項2】 第一層の珪素化合物が少くとも珪素、酸
素、炭素を含む有機珪素化合物をプラズマCVD法によ
り3×10−3から3×10−2torrのガス圧で重
合した重合体で形成された膜である、請求項1に記載さ
れた透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラス
チックス材。 - 【請求項3】 珪素化合物の薄膜が、珪素15%以上、
炭素20%以上残部が酸素を含有する珪素化合物の重合
体の薄膜である、請求項1または2に記載されたガス遮
断性プラスチックス材。 - 【請求項4】 第二層の主成分が酸化珪素化合物であ
り、その組成がSiOx(x=1.5〜2.0)であ
る、請求項1ないし3のいずれか1項に記載された透明
な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス
材。 - 【請求項5】 第二層の酸化珪素化合物が60%以上で
あり、その組成がSiOx(x=1.5〜2.0)であ
る、請求項1ないし4のいずれか1項に記載された透明
な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス
材。 - 【請求項6】 第一層が0.005μm〜0.05μm
の膜厚であり第二層が0.03μm〜0.2μmであ
る、請求項1ないし5のいずれか1項に記載された透明
な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス
材。 - 【請求項7】 プラスチックス材が長尺物である、請求
項1ないし6のいずれか1項に記載された透明な珪素化
合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 - 【請求項8】 プラスチックス材が成形品である、請求
項1ないし6のいずれか1項に記載された透明な珪素化
合物の薄膜を設けたガス遮断性プラスチックス材。 - 【請求項9】 低温プラズマ法により、少くとも珪素、
酸素、炭素からなる有機シリコン化合物モノマーをプラ
ズマとなし、該プラズマをプラスチックス材表面に供給
し、ガス圧3×10−3から3×10−2torrで重
合して屈折率2.0〜2.3の珪素化合物薄膜を成形
し、ついでPVD法及びまたはCVD法により、屈折率
1.4〜1.6の珪素酸化物膜を被覆することを特徴と
する、透明な珪素化合物の薄膜を設けたガス遮断性プラ
スチックス材の製造方法。
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1993
- 1993-07-23 JP JP22490393A patent/JP3465311B2/ja not_active Expired - Fee Related
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