JPH09123334A - バリアー性積層体及びその製造方法 - Google Patents
バリアー性積層体及びその製造方法Info
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- JPH09123334A JPH09123334A JP7283456A JP28345695A JPH09123334A JP H09123334 A JPH09123334 A JP H09123334A JP 7283456 A JP7283456 A JP 7283456A JP 28345695 A JP28345695 A JP 28345695A JP H09123334 A JPH09123334 A JP H09123334A
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- thin film
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂フィルムと金属蒸着薄膜との密着性が良
く、かつ、ガスバリアー性に優れたバリアー性積層体と
その製造方法を提供すること。 【解決手段】樹脂フィルムの片面に低温プラズマＣＶＤ
法によりシリコン化合物の薄膜を形成させ、その薄膜上
に物理蒸着法により金属または金属化合物の薄膜を積層
させてなる。
く、かつ、ガスバリアー性に優れたバリアー性積層体と
その製造方法を提供すること。 【解決手段】樹脂フィルムの片面に低温プラズマＣＶＤ
法によりシリコン化合物の薄膜を形成させ、その薄膜上
に物理蒸着法により金属または金属化合物の薄膜を積層
させてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸素、水蒸気等の
ガスバリアー性に優れ、かつ、蒸着工程、印刷工程、ラ
ミネート工程、製袋工程等における薄膜の剥離防止、包
装形態で使用時の薄膜の剥離防止性能を持つバリアー性
積層体とその製造方法に関する。
ガスバリアー性に優れ、かつ、蒸着工程、印刷工程、ラ
ミネート工程、製袋工程等における薄膜の剥離防止、包
装形態で使用時の薄膜の剥離防止性能を持つバリアー性
積層体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、食品、医療品等の包装に用いられ
る包装材料は、内容物の変質、特に食品においては蛋白
質や油脂等の酸化、変質を抑制し、さらに味、鮮度を保
持するために、また、無菌状態での取扱いが必要とされ
る医療品においては、有効成分の変質を抑制し、効能を
維持するために、包装材料を通過する酸素、水蒸気、そ
の他内容物を変質させる気体による影響を防止する必要
があり、これら気体（ガス）を遮断するガスバリアー性
を備えることが求められている。
る包装材料は、内容物の変質、特に食品においては蛋白
質や油脂等の酸化、変質を抑制し、さらに味、鮮度を保
持するために、また、無菌状態での取扱いが必要とされ
る医療品においては、有効成分の変質を抑制し、効能を
維持するために、包装材料を通過する酸素、水蒸気、そ
の他内容物を変質させる気体による影響を防止する必要
があり、これら気体（ガス）を遮断するガスバリアー性
を備えることが求められている。
【０００３】そのため、従来酸素を遮断するバリアー性
フィルムとしてポリビニルアルコールフィルム、エチレ
ンビニルアルコール共重合体フィルム、ポリアクリロニ
トリルフィルム等、また、水蒸気を遮断するバリアー性
フィルムとしてポリプロピレンフィルム、ポリエチレン
フィルム等がガスバリアー性積層体を構成する包装材料
として用いられており、この包装材料からなる包装フィ
ルムが一般的に使用されてきた。
フィルムとしてポリビニルアルコールフィルム、エチレ
ンビニルアルコール共重合体フィルム、ポリアクリロニ
トリルフィルム等、また、水蒸気を遮断するバリアー性
フィルムとしてポリプロピレンフィルム、ポリエチレン
フィルム等がガスバリアー性積層体を構成する包装材料
として用いられており、この包装材料からなる包装フィ
ルムが一般的に使用されてきた。
【０００４】ところがこれらのフィルム単独では、酸素
と水蒸気の両方に対する十分なガスバリアー性を備えて
おらず、一般にガスバリアー性が比較的高いといわれる
特性の異なる性質の高分子樹脂組成物をラミネートまた
はコーティングにより積層した積層フィルムとして包装
材料に用いられてきたが、保存や使用環境における温度
や湿度の影響を受け十分なガスバリアー性を発揮できな
い場合もあった。
と水蒸気の両方に対する十分なガスバリアー性を備えて
おらず、一般にガスバリアー性が比較的高いといわれる
特性の異なる性質の高分子樹脂組成物をラミネートまた
はコーティングにより積層した積層フィルムとして包装
材料に用いられてきたが、保存や使用環境における温度
や湿度の影響を受け十分なガスバリアー性を発揮できな
い場合もあった。
【０００５】また単独で酸素、水蒸気両方のバリアー性
を備えている樹脂フィルムとして、ポリ塩化ビニリデン
フィルム、あるいはポリエステルフィルムに塩化ビニリ
デン共重合体樹脂をコーティングしたフィルム、ポリプ
ロピレンフィルムに塩化ビニリデン共重合体樹脂をコー
ティングしたフィルム、ナイロンフィルムに塩化ビニリ
デン共重合体樹脂をコーティングしたフィルム等があ
る。このような樹脂フィルムは使用後廃棄され焼却する
と有毒ガスが発生し、環境上の問題となる恐れがある。
を備えている樹脂フィルムとして、ポリ塩化ビニリデン
フィルム、あるいはポリエステルフィルムに塩化ビニリ
デン共重合体樹脂をコーティングしたフィルム、ポリプ
ロピレンフィルムに塩化ビニリデン共重合体樹脂をコー
ティングしたフィルム、ナイロンフィルムに塩化ビニリ
デン共重合体樹脂をコーティングしたフィルム等があ
る。このような樹脂フィルムは使用後廃棄され焼却する
と有毒ガスが発生し、環境上の問題となる恐れがある。
【０００６】一方、高度なガスバリアー性が要求される
包装材料には、樹脂フィルム（適当な高分子樹脂組成物
で単独では高いガスバリアー性を有していない樹脂であ
っても）とアルミニウム等の金属または金属化合物から
なる金属箔との積層フィルムが用いられてきた。しかし
ここで使用されるアルミニウム箔等の金属箔は、酸素、
水蒸気等の気体に対するバリアー性は優れているが、使
用後廃棄物として焼却されると残滓として金属が残り、
また、再利用も難しいため、この金属箔の廃棄は環境へ
の影響を避けることはできない。
包装材料には、樹脂フィルム（適当な高分子樹脂組成物
で単独では高いガスバリアー性を有していない樹脂であ
っても）とアルミニウム等の金属または金属化合物から
なる金属箔との積層フィルムが用いられてきた。しかし
ここで使用されるアルミニウム箔等の金属箔は、酸素、
水蒸気等の気体に対するバリアー性は優れているが、使
用後廃棄物として焼却されると残滓として金属が残り、
また、再利用も難しいため、この金属箔の廃棄は環境へ
の影響を避けることはできない。
【０００７】また、上述のような問題を解決するものと
して、最近では一酸化ケイ素（ＳｉＯ）等のケイ素酸化
物（ＳｉＯx ) 、酸化アルミニウム（Ａｌx Ｏy ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属酸化物の薄膜を樹脂
フィルム上に蒸着等の形成手段により成膜した蒸着フィ
ルムが開発されており、これらは高分子樹脂組成物から
なるガスバリアー材よりも優れたガスバリアー特性を有
しており、高湿度下での劣化も少なく包装材料に用いら
れはじめている。そしてこれらの蒸着フィルムからなる
包装材料は、蒸着フィルム単体で用いられることはほと
んどなく、蒸着後の後加工として包装容器、包装袋等に
加工される。例えば、包装袋は蒸着フィルムをさらに他
の基材と貼り合わせ、製袋工程を経て袋状に加工されて
いる。
して、最近では一酸化ケイ素（ＳｉＯ）等のケイ素酸化
物（ＳｉＯx ) 、酸化アルミニウム（Ａｌx Ｏy ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属酸化物の薄膜を樹脂
フィルム上に蒸着等の形成手段により成膜した蒸着フィ
ルムが開発されており、これらは高分子樹脂組成物から
なるガスバリアー材よりも優れたガスバリアー特性を有
しており、高湿度下での劣化も少なく包装材料に用いら
れはじめている。そしてこれらの蒸着フィルムからなる
包装材料は、蒸着フィルム単体で用いられることはほと
んどなく、蒸着後の後加工として包装容器、包装袋等に
加工される。例えば、包装袋は蒸着フィルムをさらに他
の基材と貼り合わせ、製袋工程を経て袋状に加工されて
いる。
【０００８】しかしながら、上述の金属、金属酸化物を
樹脂フィルム上に薄膜形成させた蒸着フィルムは、有機
化合物である樹脂フィルムと、その樹脂フィルムに接す
る無機化合物である蒸着薄膜とでは、両者の機械的性
質、化学的性質、熱的性質、電気的性質等の諸物性が非
常に異なっている。従って、蒸着加工、印刷加工、ラミ
ネート加工等の包装材料としての製造工程や、包装袋と
しての使用方法、使用環境によっては、蒸着薄膜に機械
的ストレス、熱的ストレス等が付加され蒸着薄膜に傷を
生じ、クラック、ピンホール等の損傷、欠陥が発生し、
それらの損傷部分、欠陥部分から酸素、水蒸気等の気体
が通過して本来有しているはずの高いバリアー性能が低
下する問題を有している。また、無機化合物の蒸着薄膜
と有機化合物である樹脂フィルム間では強固な結合が得
られ難く、樹脂フィルム、インキ、接着剤等との間で剥
離が生じ、十分な密着性が得られないと共に、蒸着薄膜
も損傷が生じバリアー性劣化する問題を有している。
樹脂フィルム上に薄膜形成させた蒸着フィルムは、有機
化合物である樹脂フィルムと、その樹脂フィルムに接す
る無機化合物である蒸着薄膜とでは、両者の機械的性
質、化学的性質、熱的性質、電気的性質等の諸物性が非
常に異なっている。従って、蒸着加工、印刷加工、ラミ
ネート加工等の包装材料としての製造工程や、包装袋と
しての使用方法、使用環境によっては、蒸着薄膜に機械
的ストレス、熱的ストレス等が付加され蒸着薄膜に傷を
生じ、クラック、ピンホール等の損傷、欠陥が発生し、
それらの損傷部分、欠陥部分から酸素、水蒸気等の気体
が通過して本来有しているはずの高いバリアー性能が低
下する問題を有している。また、無機化合物の蒸着薄膜
と有機化合物である樹脂フィルム間では強固な結合が得
られ難く、樹脂フィルム、インキ、接着剤等との間で剥
離が生じ、十分な密着性が得られないと共に、蒸着薄膜
も損傷が生じバリアー性劣化する問題を有している。
【０００９】このような問題に対して、蒸着基材となる
樹脂フィルムと蒸着フィルムとの密着性を改良する方法
に、例えば樹脂フィルムの表面をコロナ放電処理、紫外
線照射処理、プラズマ処理、火炎処理、または熱やアル
カリ等の薬品による表面処理等により、表面を活性化し
てから金属または金属化合物の蒸着を行うものがある。
ところが樹脂フィルムの濡れ性向上にて蒸着薄膜との二
次結合力の増減により接着性の向上は期待できるが、そ
の活性能力が経時と共に減少し、この処理方法によって
も必ずしも満足する接着力が得られないなどの問題を有
しており十分なものとはいえない。
樹脂フィルムと蒸着フィルムとの密着性を改良する方法
に、例えば樹脂フィルムの表面をコロナ放電処理、紫外
線照射処理、プラズマ処理、火炎処理、または熱やアル
カリ等の薬品による表面処理等により、表面を活性化し
てから金属または金属化合物の蒸着を行うものがある。
ところが樹脂フィルムの濡れ性向上にて蒸着薄膜との二
次結合力の増減により接着性の向上は期待できるが、そ
の活性能力が経時と共に減少し、この処理方法によって
も必ずしも満足する接着力が得られないなどの問題を有
しており十分なものとはいえない。
【００１０】別な方法として、樹脂フィルムとその他の
樹脂成分等と共重合させた共重合樹脂フィルム、樹脂フ
ィルムの製膜時に他の樹脂を共押出しさせた共押出多層
樹脂フィルムを用いる方法や、蒸着基材となる樹脂フィ
ルム表面に、樹脂フィルムの製膜時にオフラインまたは
インラインで、エチレンイミン系、アミン系、エポキシ
系、ウレタン系またはポリエステル系等のコーティング
剤を塗布する方法があるが、両方法とも、密着性は向上
するが耐熱性が劣るため熱寸法安定性が悪く、蒸着、印
刷、ラミネート等の各工程における熱負荷時に蒸着薄膜
が機械的ストレスを受け、それにより蒸着薄膜にクラッ
ク、ピンホール等が発生し、バリアー性が低下し十分な
ものとはいえない。
樹脂成分等と共重合させた共重合樹脂フィルム、樹脂フ
ィルムの製膜時に他の樹脂を共押出しさせた共押出多層
樹脂フィルムを用いる方法や、蒸着基材となる樹脂フィ
ルム表面に、樹脂フィルムの製膜時にオフラインまたは
インラインで、エチレンイミン系、アミン系、エポキシ
系、ウレタン系またはポリエステル系等のコーティング
剤を塗布する方法があるが、両方法とも、密着性は向上
するが耐熱性が劣るため熱寸法安定性が悪く、蒸着、印
刷、ラミネート等の各工程における熱負荷時に蒸着薄膜
が機械的ストレスを受け、それにより蒸着薄膜にクラッ
ク、ピンホール等が発生し、バリアー性が低下し十分な
ものとはいえない。
【００１１】さらに樹脂フィルムに形成された蒸着薄膜
と、印刷、ラミネートの工程によって付加されるイン
キ、接着剤等との密着性の改良も行われており、エチレ
ンイミン系、アミン系、エポキシ系、ウレタン系または
ポリエステル系等のコーティング剤を塗布する方法があ
る。コーティング剤の樹脂成分によっては、密着性の悪
化あるいはバリアー性の低下が見られ、密着性とバリア
ー性の両者を満足させるものではない。これによればコ
ーティング時の熱寸法安定性が悪いため、経時あるいは
製袋工程や成形工程で受ける熱負荷により体積膨張また
は体積収縮を起こし蒸着薄膜が機械的ストレスを受け、
それにより蒸着薄膜にクラック、ピンホール等が発生
し、インキ、接着剤等からの剥離が発生しバリヤー性が
低下した。
と、印刷、ラミネートの工程によって付加されるイン
キ、接着剤等との密着性の改良も行われており、エチレ
ンイミン系、アミン系、エポキシ系、ウレタン系または
ポリエステル系等のコーティング剤を塗布する方法があ
る。コーティング剤の樹脂成分によっては、密着性の悪
化あるいはバリアー性の低下が見られ、密着性とバリア
ー性の両者を満足させるものではない。これによればコ
ーティング時の熱寸法安定性が悪いため、経時あるいは
製袋工程や成形工程で受ける熱負荷により体積膨張また
は体積収縮を起こし蒸着薄膜が機械的ストレスを受け、
それにより蒸着薄膜にクラック、ピンホール等が発生
し、インキ、接着剤等からの剥離が発生しバリヤー性が
低下した。
【００１２】包装材料としての性能面の問題に加えて、
樹脂フィルムと蒸着薄膜の間に介在するコーティング層
の塗布工程、蒸着膜と印刷層あるいは接着剤層の間に介
在するコーティング層の塗布工程は、樹脂フィルム製造
時にインラインでコーティング層を設ける以外、つまり
ほとんどの場合は、それぞれ各層別工程となるため、製
造コストが非常にかかる問題がある。
樹脂フィルムと蒸着薄膜の間に介在するコーティング層
の塗布工程、蒸着膜と印刷層あるいは接着剤層の間に介
在するコーティング層の塗布工程は、樹脂フィルム製造
時にインラインでコーティング層を設ける以外、つまり
ほとんどの場合は、それぞれ各層別工程となるため、製
造コストが非常にかかる問題がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、バリアー性
積層体に関する上記のような問題点を除去するためにな
され、樹脂フィルムと金属蒸着薄膜との密着性が良く、
かつ、ガスバリアー性に優れたバリヤー性積層体とその
製造方法を提供することを目的とする。
積層体に関する上記のような問題点を除去するためにな
され、樹脂フィルムと金属蒸着薄膜との密着性が良く、
かつ、ガスバリアー性に優れたバリヤー性積層体とその
製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
樹脂フィルムの片面に低温プラズマＣＶＤ法によりシリ
コン化合物の薄膜を形成させ、その薄膜上に物理蒸着法
により金属または金属化合物の薄膜を積層させてなるこ
とを特徴とするバリアー性積層体である。
樹脂フィルムの片面に低温プラズマＣＶＤ法によりシリ
コン化合物の薄膜を形成させ、その薄膜上に物理蒸着法
により金属または金属化合物の薄膜を積層させてなるこ
とを特徴とするバリアー性積層体である。
【００１５】また、第２の発明は、第１の発明におい
て、前記金属または金属化合物の薄膜上に、さらに前記
低温プラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物の薄膜を積
層させてなることを特徴とするバリアー性積層体であ
る。
て、前記金属または金属化合物の薄膜上に、さらに前記
低温プラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物の薄膜を積
層させてなることを特徴とするバリアー性積層体であ
る。
【００１６】また、第３の発明は、第１の発明におい
て、前記樹脂フィルムの片面に物理蒸着法により金属ま
たは金属化合物の薄膜を形成させ、その蒸着薄膜上に低
温プラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物の薄膜を積層
させてなることを特徴とするバリアー性積層体である。
て、前記樹脂フィルムの片面に物理蒸着法により金属ま
たは金属化合物の薄膜を形成させ、その蒸着薄膜上に低
温プラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物の薄膜を積層
させてなることを特徴とするバリアー性積層体である。
【００１７】また、第４の発明は、前記低温プラズマＣ
ＶＤ法によるシリコン化合物の薄膜および物理蒸着法に
よる金属または金属化合物の薄膜を同一バッチ内で樹脂
フィルム上に積層することを特徴とするバリアー性積層
体の製造方法である。
ＶＤ法によるシリコン化合物の薄膜および物理蒸着法に
よる金属または金属化合物の薄膜を同一バッチ内で樹脂
フィルム上に積層することを特徴とするバリアー性積層
体の製造方法である。
【００１８】
【作用】上記のように本発明によれば、樹脂フィルム上
に形成される低温プラズマＣＶＤ法によるシリコン化合
物薄膜の作用は、その薄膜内部での強固な−Ｏ−Ｓｉ−
Ｏ−Ｓｉ−結合をすると共に、基板となる樹脂フィルム
との間でも強固な化学結合を形成し、十分な密着性を発
揮する。また、低温プラズマＣＶＤ法によるシリコン化
合物の薄膜と物理蒸着法による金属または金属化合物の
薄膜との間でも、−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−Ｍ（金属）のような
強固な化学結合を形成するため十分な密着性を発揮す
る。プラズマＣＶＤシリコン化合物の薄膜は、物理蒸着
法による金属または金属化合物の薄膜は内部応力、熱膨
張係数等近似しているため両者の層間に生じる歪みが小
さいことからも強い密着性が得られる。
に形成される低温プラズマＣＶＤ法によるシリコン化合
物薄膜の作用は、その薄膜内部での強固な−Ｏ−Ｓｉ−
Ｏ−Ｓｉ−結合をすると共に、基板となる樹脂フィルム
との間でも強固な化学結合を形成し、十分な密着性を発
揮する。また、低温プラズマＣＶＤ法によるシリコン化
合物の薄膜と物理蒸着法による金属または金属化合物の
薄膜との間でも、−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−Ｍ（金属）のような
強固な化学結合を形成するため十分な密着性を発揮す
る。プラズマＣＶＤシリコン化合物の薄膜は、物理蒸着
法による金属または金属化合物の薄膜は内部応力、熱膨
張係数等近似しているため両者の層間に生じる歪みが小
さいことからも強い密着性が得られる。
【００１９】さらに、プラズマＣＶＤシリコン化合物は
膜質が緻密で架橋が進んでいること、ドライ加工である
ために粉塵等の異物の混入が少なく、ピンホールが非常
に少ないことから、自身の膜でも良好なガス遮断性があ
ると同時に、その薄膜上に物理蒸着法にて金属または金
属化合物の薄膜を形成する際の膜形成ポイントが非常に
多くなること、残留溶剤、脱ガスがなく蒸発粒子の付着
に妨害を与えない等から、金属または金属化合物の薄膜
の膜質も緻密化しバリアー性能が向上する。物理蒸着法
にて形成された金属または金属化合物の薄膜は比較的多
くのピンホールが存在するが、その膜上にプラズマＣＶ
Ｄシリコン化合物膜を形成した場合、段差被覆性が良い
ためピンホールを覆い隠すことができ、ガス遮断性が良
好になる。
膜質が緻密で架橋が進んでいること、ドライ加工である
ために粉塵等の異物の混入が少なく、ピンホールが非常
に少ないことから、自身の膜でも良好なガス遮断性があ
ると同時に、その薄膜上に物理蒸着法にて金属または金
属化合物の薄膜を形成する際の膜形成ポイントが非常に
多くなること、残留溶剤、脱ガスがなく蒸発粒子の付着
に妨害を与えない等から、金属または金属化合物の薄膜
の膜質も緻密化しバリアー性能が向上する。物理蒸着法
にて形成された金属または金属化合物の薄膜は比較的多
くのピンホールが存在するが、その膜上にプラズマＣＶ
Ｄシリコン化合物膜を形成した場合、段差被覆性が良い
ためピンホールを覆い隠すことができ、ガス遮断性が良
好になる。
【００２０】プラズマＣＶＤシリコン化合物膜は強い硬
度を持ち、耐熱性が良好であり、ウェットコーティング
膜程厚みを必要とせず、しかも膜厚制御性も良好であ
る。これは加工性、生産性に非常に有利である。従っ
て、プラズマＣＶＤシリコン化合物膜は、物理蒸着法に
よる金属または金属化合物の薄膜に対するアンカーコー
ト層、トップコート層として従来のウェットコート層よ
り非常に有効である。
度を持ち、耐熱性が良好であり、ウェットコーティング
膜程厚みを必要とせず、しかも膜厚制御性も良好であ
る。これは加工性、生産性に非常に有利である。従っ
て、プラズマＣＶＤシリコン化合物膜は、物理蒸着法に
よる金属または金属化合物の薄膜に対するアンカーコー
ト層、トップコート層として従来のウェットコート層よ
り非常に有効である。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。図
１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明のバリアー
性積層体の構成を説明する断面図であり、図２は本発明
のバリアー性積層体を製造する装置の模式説明図であ
る。図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、４、５、６
はバリアー性積層体であり、１は樹脂フィルム、２は低
温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜、３は金属または
金属化合物蒸着薄膜である。
１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明のバリアー
性積層体の構成を説明する断面図であり、図２は本発明
のバリアー性積層体を製造する装置の模式説明図であ
る。図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、４、５、６
はバリアー性積層体であり、１は樹脂フィルム、２は低
温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜、３は金属または
金属化合物蒸着薄膜である。
【００２２】樹脂フィルム（１）は、シート状またはフ
ィルム状のものであって、ポリオレフィン（ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等）、ポリエステル（ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン２，４−ナフレート
等）、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン１２等）、ポ
リ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、芳香族ポリアミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドポリサルフ
ォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルケトン、
ポリアリレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリフ
ェニレンオキサイド、テトラフルオロエチレン、一塩化
三フッ化エチレン、フッ化エチレンプロピレン共重合
体、ポリイミドなど通常包装材料として用いられるもの
が使用できる。これら樹脂フィルム（１）は用途に応じ
て上記材料から適宜選択される。必要に応じて二軸延伸
フィルムを使用できる。また、これらの樹脂フィルムに
は、例えば帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、
着色剤等公知の添加剤を加えることができ、必要に応じ
て適宜添加される。
ィルム状のものであって、ポリオレフィン（ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等）、ポリエステル（ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン２，４−ナフレート
等）、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン１２等）、ポ
リ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、芳香族ポリアミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドポリサルフ
ォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルケトン、
ポリアリレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリフ
ェニレンオキサイド、テトラフルオロエチレン、一塩化
三フッ化エチレン、フッ化エチレンプロピレン共重合
体、ポリイミドなど通常包装材料として用いられるもの
が使用できる。これら樹脂フィルム（１）は用途に応じ
て上記材料から適宜選択される。必要に応じて二軸延伸
フィルムを使用できる。また、これらの樹脂フィルムに
は、例えば帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、
着色剤等公知の添加剤を加えることができ、必要に応じ
て適宜添加される。
【００２３】さらに樹脂フィルム（１）の表面をコロナ
放電処理、プラズマ活性化処理、グロー放電処理、逆ス
パッタ処理、または粗面化処理などの表面活性化処理、
また、クリーニング処理、帯電除去処理など公知の表面
処理を行うこと、または、オフラインやインラインで、
エチレンイミン系、アミン系、エポキシ系、ウレタン
系、ポリエステル系などのコーティング剤を塗布し、樹
脂フィルム（１）と低温プラズマＣＶＤシリコン化合物
薄膜（２）、あるいは、金属あるいは金属化合物蒸着薄
膜（３）との密着性を向上させることも可能である。樹
脂フィルム（１）の厚さは特に制限されないが、蒸着工
程の加工適性などを考慮すると２〜４００μｍの範囲が
好ましい。
放電処理、プラズマ活性化処理、グロー放電処理、逆ス
パッタ処理、または粗面化処理などの表面活性化処理、
また、クリーニング処理、帯電除去処理など公知の表面
処理を行うこと、または、オフラインやインラインで、
エチレンイミン系、アミン系、エポキシ系、ウレタン
系、ポリエステル系などのコーティング剤を塗布し、樹
脂フィルム（１）と低温プラズマＣＶＤシリコン化合物
薄膜（２）、あるいは、金属あるいは金属化合物蒸着薄
膜（３）との密着性を向上させることも可能である。樹
脂フィルム（１）の厚さは特に制限されないが、蒸着工
程の加工適性などを考慮すると２〜４００μｍの範囲が
好ましい。
【００２４】低温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜
（２）は、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ2 などシリコン酸化膜
（ＳｉＯx ）、Ｓｉ3 Ｎ4 などシリコン窒化膜（ＳｉＮ
y ）、ＳｉＯx Ｎy などシリコン酸化窒化膜等である。
形成方法は直流（ＤＣ）プラズマ、低周波プラズマ、高
周波（ＲＦ）プラズマ、パルス波プラズマ、３極構造プ
ラズマ、マイクロ波プラズマ、ダウンストリームプラズ
マ、カラムナープラズマ、プラズマアシスッテドエピタ
キシー等の低温プラズマ発生装置が用いられる。プラズ
マの安定性の点から高周波（ＲＦ）プラズマ方式がより
好ましい。原料ガスとして、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓ
ｉＨx Ｆy 、ＴＥＯＳ等と、Ｏ2、Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ、Ｎ
Ｈ3 、Ｎ2 、ＰＳＧ等の混合ガスが用いられる。これら
の原料ガスを前記方式にてプラズマ化させ、樹脂フィル
ム上に堆積させる。
（２）は、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ2 などシリコン酸化膜
（ＳｉＯx ）、Ｓｉ3 Ｎ4 などシリコン窒化膜（ＳｉＮ
y ）、ＳｉＯx Ｎy などシリコン酸化窒化膜等である。
形成方法は直流（ＤＣ）プラズマ、低周波プラズマ、高
周波（ＲＦ）プラズマ、パルス波プラズマ、３極構造プ
ラズマ、マイクロ波プラズマ、ダウンストリームプラズ
マ、カラムナープラズマ、プラズマアシスッテドエピタ
キシー等の低温プラズマ発生装置が用いられる。プラズ
マの安定性の点から高周波（ＲＦ）プラズマ方式がより
好ましい。原料ガスとして、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓ
ｉＨx Ｆy 、ＴＥＯＳ等と、Ｏ2、Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ、Ｎ
Ｈ3 、Ｎ2 、ＰＳＧ等の混合ガスが用いられる。これら
の原料ガスを前記方式にてプラズマ化させ、樹脂フィル
ム上に堆積させる。
【００２５】低温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜
（２）の膜厚は、１０〜５０００Åの範囲で良く、好ま
しくは５０〜５００Åの範囲である。これは膜厚が１０
Åを下回ると膜に抜けが生じ易く、また、５０００Åを
超えると蒸着薄膜のフレキシビリティーが損なわれ、ク
ラック、ピンホールが発生し易くなる。なお、ＣＶＤシ
リコン化合物薄膜（２）は単一成分のみでなく多成分で
あっても、あるいは単層膜に限らず多層膜であっても良
い。
（２）の膜厚は、１０〜５０００Åの範囲で良く、好ま
しくは５０〜５００Åの範囲である。これは膜厚が１０
Åを下回ると膜に抜けが生じ易く、また、５０００Åを
超えると蒸着薄膜のフレキシビリティーが損なわれ、ク
ラック、ピンホールが発生し易くなる。なお、ＣＶＤシ
リコン化合物薄膜（２）は単一成分のみでなく多成分で
あっても、あるいは単層膜に限らず多層膜であっても良
い。
【００２６】金属あるいは金属化合物蒸着薄膜（３）に
は、アルミニウム、シリカ、チタニウム、亜鉛、ジルコ
ニウム、マグネシウム、錫、銅、鉄などの金属やこれら
の金属の酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物など、例え
ば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3 ）一酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、酸化チタニウム（Ｔ
ｉＯ2 ）、酸化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネ
シウム（ＭｇＦ2 ）、酸化錫（ＳｎＯ2 ）、酸化銅（Ｃ
ｕＯ）、酸化鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ）などが用いられる。形成
方法は、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリ
ングなどの蒸着法を用いることができるが、真空蒸着、
イオンプレーティングが生産性の点から好ましい。蒸着
装置の加熱方式は抵抗加熱、エレクトロンビーム（Ｅ
Ｂ）加熱、高周波誘導加熱などが用いられる。
は、アルミニウム、シリカ、チタニウム、亜鉛、ジルコ
ニウム、マグネシウム、錫、銅、鉄などの金属やこれら
の金属の酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物など、例え
ば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3 ）一酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、酸化チタニウム（Ｔ
ｉＯ2 ）、酸化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネ
シウム（ＭｇＦ2 ）、酸化錫（ＳｎＯ2 ）、酸化銅（Ｃ
ｕＯ）、酸化鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ）などが用いられる。形成
方法は、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリ
ングなどの蒸着法を用いることができるが、真空蒸着、
イオンプレーティングが生産性の点から好ましい。蒸着
装置の加熱方式は抵抗加熱、エレクトロンビーム（Ｅ
Ｂ）加熱、高周波誘導加熱などが用いられる。
【００２７】金属あるいは金属化合物蒸着薄膜（３）の
膜厚は５０〜５０００Åの範囲で良く、好ましくは２０
０〜１５００Åの範囲である。これは膜厚が５０Åを下
回ると蒸着薄膜に抜けが生じ、バリアー性にバラツキが
生じ易く、また、５０００Åを超えると蒸着薄膜のフレ
キシビリティーが損なわれ、クラック、ピンホールが発
生し易くなり、バリアー性が低下する。なお、蒸着薄膜
は単一成分の単層に限られることなく、上記の蒸着材料
の混合物からなる蒸着薄膜であっても、また２層以上の
多層膜であっても良い。
膜厚は５０〜５０００Åの範囲で良く、好ましくは２０
０〜１５００Åの範囲である。これは膜厚が５０Åを下
回ると蒸着薄膜に抜けが生じ、バリアー性にバラツキが
生じ易く、また、５０００Åを超えると蒸着薄膜のフレ
キシビリティーが損なわれ、クラック、ピンホールが発
生し易くなり、バリアー性が低下する。なお、蒸着薄膜
は単一成分の単層に限られることなく、上記の蒸着材料
の混合物からなる蒸着薄膜であっても、また２層以上の
多層膜であっても良い。
【００２８】低温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜
（２）と金属あるいは金属化合物蒸着薄膜（３）は、図
２に示す同一の真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置
（１０）内でそれぞれ別々の部屋（２２−１、２２−２
と２３）に分かれてコントロールされ、連続的に順次積
層される。真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置（１
０）は内部を２×１０-6〜８×１０-3Ｔｏｒｒ、好まし
くは８×１０-6〜８×１０-5Ｔｏｒｒまで真空に引いた
後、低温プラズマＣＶＤ及び蒸着処理を行う。
（２）と金属あるいは金属化合物蒸着薄膜（３）は、図
２に示す同一の真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置
（１０）内でそれぞれ別々の部屋（２２−１、２２−２
と２３）に分かれてコントロールされ、連続的に順次積
層される。真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置（１
０）は内部を２×１０-6〜８×１０-3Ｔｏｒｒ、好まし
くは８×１０-6〜８×１０-5Ｔｏｒｒまで真空に引いた
後、低温プラズマＣＶＤ及び蒸着処理を行う。
【００２９】
【実施例】以下、図２を用い本発明の具体的な実施例を
挙げ詳細に説明する。 〈実施例１〉樹脂フィルム（１）である例えば厚み１２
μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（以下ＰＥＴと略称する）の巻出しロール（１１）が、
真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置（１０）内のロ
ール室（２１）に装填されている。このＰＥＴフィルム
（１）は、ガイドロール（１２）を通り金属製の冷却ド
ラム（１３）に抱かれながら低温プラズマＣＶＤ発生室
（２２−１）、ついで蒸着源（１４）を有する蒸着室
（２３）、低温プラズマＣＶＤ発生室（２２−２）、を
順次通って、最後に冷却ドラム（１３）から離れてガイ
ドロール（１２）を経てロール室（２１）に設置されて
いる巻取りロール（１５）に巻取られる構造を有してい
る。
挙げ詳細に説明する。 〈実施例１〉樹脂フィルム（１）である例えば厚み１２
μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（以下ＰＥＴと略称する）の巻出しロール（１１）が、
真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置（１０）内のロ
ール室（２１）に装填されている。このＰＥＴフィルム
（１）は、ガイドロール（１２）を通り金属製の冷却ド
ラム（１３）に抱かれながら低温プラズマＣＶＤ発生室
（２２−１）、ついで蒸着源（１４）を有する蒸着室
（２３）、低温プラズマＣＶＤ発生室（２２−２）、を
順次通って、最後に冷却ドラム（１３）から離れてガイ
ドロール（１２）を経てロール室（２１）に設置されて
いる巻取りロール（１５）に巻取られる構造を有してい
る。
【００３０】先ず真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装
置（１０）全体を真空度１．５×１０-5Ｔｏｒｒとした
後、低温プラズマＣＶＤ発生室（２２−１）の冷却ドラ
ム（１３）上を走行しているＰＥＴフィルム（１）に、
原料ガス源（１６−１）より流量調整されたＴＥＯＳと
酸素ガス（２５％）の混合ガスを供給し、１ ．０Ｔｏ
ｒｒとした。同時に高電圧源（１７−１）より周波数１
３．５６ＭＨｚの周波（ＲＦ）をプラズマ発生電源（カ
ソード、１８−１）に印加し、５００Ｗのパワーにて供
給ガスを励起させプラズマを発生させた。アノードとな
る冷却ドラム（１３）上を走行しているＰＥＴフィルム
（１）の表面に厚さ１００ÅのＳｉＯ2（Ｈ）のプラズ
マＣＶＤ膜（２）を堆積させた。
置（１０）全体を真空度１．５×１０-5Ｔｏｒｒとした
後、低温プラズマＣＶＤ発生室（２２−１）の冷却ドラ
ム（１３）上を走行しているＰＥＴフィルム（１）に、
原料ガス源（１６−１）より流量調整されたＴＥＯＳと
酸素ガス（２５％）の混合ガスを供給し、１ ．０Ｔｏ
ｒｒとした。同時に高電圧源（１７−１）より周波数１
３．５６ＭＨｚの周波（ＲＦ）をプラズマ発生電源（カ
ソード、１８−１）に印加し、５００Ｗのパワーにて供
給ガスを励起させプラズマを発生させた。アノードとな
る冷却ドラム（１３）上を走行しているＰＥＴフィルム
（１）の表面に厚さ１００ÅのＳｉＯ2（Ｈ）のプラズ
マＣＶＤ膜（２）を堆積させた。
【００３１】さらに蒸着室（２３）の冷却ドラム（１
３）を抱くように走行している、低温プラズマＣＶＤシ
リコン化合物薄膜（２）を堆積させたＰＥＴフィルム
（１）の低温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜（２）
の上に、酸化ケイ素ＳｉＯをＥＢ−Ｐｏｗｅｒ ３０Ｋ
Ｖ−０．７５Ａ、圧力 ２×１０-4Ｔｏｒｒの条件で膜
厚５００Åに蒸着積層し、ＰＥＴ（１）／ＣＶＤシリコ
ン化合物薄膜（２）／ＳｉＯ（３）構成の蒸着フィルム
を作製した。
３）を抱くように走行している、低温プラズマＣＶＤシ
リコン化合物薄膜（２）を堆積させたＰＥＴフィルム
（１）の低温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜（２）
の上に、酸化ケイ素ＳｉＯをＥＢ−Ｐｏｗｅｒ ３０Ｋ
Ｖ−０．７５Ａ、圧力 ２×１０-4Ｔｏｒｒの条件で膜
厚５００Åに蒸着積層し、ＰＥＴ（１）／ＣＶＤシリコ
ン化合物薄膜（２）／ＳｉＯ（３）構成の蒸着フィルム
を作製した。
【００３２】さらに低温プラズマＣＶＤ発生室（２２−
２）のアノードとなる冷却ドラム（１３）を抱くように
走行しているＰＥＴ（１）／ＣＶＤシリコン化合物薄膜
（２）／ＳｉＯ蒸着フィルム（３）のＳｉＯ蒸着薄膜上
に、原料ガス源（１６−２）より流量調整されたＴＥＯ
Ｓと酸素ガス（２５％）の混合ガスを供給し、圧力１．
０Ｔｏｒｒとした。同時に高電圧源（１７−２）より周
波数１３．５６ＭＨｚの周波（ＲＦ）をプラズマ発生電
源（カソード、１８−２）に印加し、５００Ｗのパワー
にて供給ガスを励起させプラズマを発生させ、厚さ１０
０Åの組成ＳｉＯ2 （Ｈ）のプラズマＣＶＤ膜（２）を
堆積させ、ついでこのＰＥＴフィルムは冷却ドラム（１
３）を離れ、ガイドロール（１２）を通り巻取りロール
（１５）に連続的に巻取られ、本発明のバリアー性積層
体（５）、ＰＥＴ（１）／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 （２）／Ｓ
ｉＯ（３）／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 （２）が作製される（図
１（ｂ）参照）。
２）のアノードとなる冷却ドラム（１３）を抱くように
走行しているＰＥＴ（１）／ＣＶＤシリコン化合物薄膜
（２）／ＳｉＯ蒸着フィルム（３）のＳｉＯ蒸着薄膜上
に、原料ガス源（１６−２）より流量調整されたＴＥＯ
Ｓと酸素ガス（２５％）の混合ガスを供給し、圧力１．
０Ｔｏｒｒとした。同時に高電圧源（１７−２）より周
波数１３．５６ＭＨｚの周波（ＲＦ）をプラズマ発生電
源（カソード、１８−２）に印加し、５００Ｗのパワー
にて供給ガスを励起させプラズマを発生させ、厚さ１０
０Åの組成ＳｉＯ2 （Ｈ）のプラズマＣＶＤ膜（２）を
堆積させ、ついでこのＰＥＴフィルムは冷却ドラム（１
３）を離れ、ガイドロール（１２）を通り巻取りロール
（１５）に連続的に巻取られ、本発明のバリアー性積層
体（５）、ＰＥＴ（１）／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 （２）／Ｓ
ｉＯ（３）／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 （２）が作製される（図
１（ｂ）参照）。
【００３３】得られたバリアー性積層体（５）の最外層
プラズマＣＶＤ膜面に、熱接着性樹脂として厚さ３０μ
ｍの未延伸ポリプロピレンフィルムをドライラミネート
法により貼り合わせた。
プラズマＣＶＤ膜面に、熱接着性樹脂として厚さ３０μ
ｍの未延伸ポリプロピレンフィルムをドライラミネート
法により貼り合わせた。
【００３４】〈実施例２〉低温プラズマＣＶＤ発生室
（２２−２）にてプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜を積層し
なかった以外は、実施例１と同様にしてバリアー性積層
体（４）を作製した。すなわち、ＰＥＴ（１）／ＣＶＤ
−ＳｉＯ2 （２）／ＳｉＯ（３）構成の積層体（４）で
ある（図１（ａ）参照）。
（２２−２）にてプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜を積層し
なかった以外は、実施例１と同様にしてバリアー性積層
体（４）を作製した。すなわち、ＰＥＴ（１）／ＣＶＤ
−ＳｉＯ2 （２）／ＳｉＯ（３）構成の積層体（４）で
ある（図１（ａ）参照）。
【００３５】〈実施例３〉低温プラズマＣＶＤ室（２２
−１）にてプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜を積層しなかっ
た以外は、実施例１と同様にしてバリアー性積層体
（６）を作製した。すなわち、ＰＥＴ（１）／ＳｉＯ
（３）／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 （２）構成の積層体（６）で
ある（図１（ｃ）参照）。
−１）にてプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜を積層しなかっ
た以外は、実施例１と同様にしてバリアー性積層体
（６）を作製した。すなわち、ＰＥＴ（１）／ＳｉＯ
（３）／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 （２）構成の積層体（６）で
ある（図１（ｃ）参照）。
【００３６】〈実施例４〉蒸着材料を酸化アルミニウム
（純度９９．９９％）、蒸着条件をＥＢ−Ｐｏｗｅｒ
３０ＫＶ−０．７５Ａとした以外は、実施例１と同様に
してバリアー性積層体を作製した。すなわち、ＰＥＴ／
ＣＶＤ−ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 構成
の積層体である。
（純度９９．９９％）、蒸着条件をＥＢ−Ｐｏｗｅｒ
３０ＫＶ−０．７５Ａとした以外は、実施例１と同様に
してバリアー性積層体を作製した。すなわち、ＰＥＴ／
ＣＶＤ−ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＣＶＤ−ＳｉＯ2 構成
の積層体である。
【００３７】〈実施例５〉２つの低温プラズマＣＶＤ発
生室（２２−１、２２−２）にて、原料ガス源（１６−
１、１６−２）より流量調整された混合ガスにＳｉＨ4
とＮＨ3 （２５％）の混合ガスを用い、シリコン窒化膜
ＳｉＮx を堆積した以外は、実施例１と同様にしてバリ
アー性積層体を作製した。すなわち、ＰＥＴ／ＳｉＮx
／ＳｉＯ／ＳｉＮx 構成の積層体である。
生室（２２−１、２２−２）にて、原料ガス源（１６−
１、１６−２）より流量調整された混合ガスにＳｉＨ4
とＮＨ3 （２５％）の混合ガスを用い、シリコン窒化膜
ＳｉＮx を堆積した以外は、実施例１と同様にしてバリ
アー性積層体を作製した。すなわち、ＰＥＴ／ＳｉＮx
／ＳｉＯ／ＳｉＮx 構成の積層体である。
【００３８】〈比較例１〉２つの低温プラズマＣＶＤ発
生室（２２−１、２２−２）にて、プラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2 膜を積層しなかった以外は、実施例１と同様にし
て積層体を作製した。すなわち、ＰＥＴ／ＳｉＯ構成の
積層体である。
生室（２２−１、２２−２）にて、プラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2 膜を積層しなかった以外は、実施例１と同様にし
て積層体を作製した。すなわち、ＰＥＴ／ＳｉＯ構成の
積層体である。
【００３９】〈比較例２〉２つの低温プラズマＣＶＤ発
生室（２２−１、２２−２）にて、プラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2 膜を積層しなかった以外は、実施例４と同様にし
て積層体を作製した。すなわちＰＥＴ／Ａｌ2 Ｏ3 構成
の積層体である。
生室（２２−１、２２−２）にて、プラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2 膜を積層しなかった以外は、実施例４と同様にし
て積層体を作製した。すなわちＰＥＴ／Ａｌ2 Ｏ3 構成
の積層体である。
【００４０】〈比較例３〉積層体基材フィルムとして、
厚さ１２μｍのＰＥＴフィルム面に、グラビアコート法
によりＴＥＯＳ水溶液を塗布乾燥し、厚さ０．１μｍの
コーティング膜を形成したコーティングＰＥＴを用いた
以外は、比較例１と同様にして積層体を作製した。すな
わち、ＰＥＴ／コーティング層／ＳｉＯ構成の積層体で
ある。
厚さ１２μｍのＰＥＴフィルム面に、グラビアコート法
によりＴＥＯＳ水溶液を塗布乾燥し、厚さ０．１μｍの
コーティング膜を形成したコーティングＰＥＴを用いた
以外は、比較例１と同様にして積層体を作製した。すな
わち、ＰＥＴ／コーティング層／ＳｉＯ構成の積層体で
ある。
【００４１】〈比較例４〉比較例３で得られた積層体の
酸化ケイ素ＳｉＯ蒸着膜面に、グラビアコート法により
ＴＥＯＳ水溶液を塗布乾燥し、また厚さ０．１μｍのコ
ーティング膜を形成したコーティングＰＥＴを用いた以
外は、比較例１と同様にして積層体を作製した。すなわ
ち、ＰＥＴ／コーティング層／ＳｉＯ／コーティング層
構成の積層体である。
酸化ケイ素ＳｉＯ蒸着膜面に、グラビアコート法により
ＴＥＯＳ水溶液を塗布乾燥し、また厚さ０．１μｍのコ
ーティング膜を形成したコーティングＰＥＴを用いた以
外は、比較例１と同様にして積層体を作製した。すなわ
ち、ＰＥＴ／コーティング層／ＳｉＯ／コーティング層
構成の積層体である。
【００４２】以上のようにして作製した実施例、比較
例、合計９例の積層体のバリアー特性を示す酸素透過
率、透湿度と、積層体のプラズマＣＶＤ膜および蒸着膜
の密着特性を示す剥離強度を示す剥離強度の各物性につ
いて、以下に示す測定条件に従って測定した。その結果
を表１に示す。 酸素透過率‥‥モコン法（ＭＯＣＯＮ ＯＸＴＲＡＮ−
１０／５０Ａ）、２５°Ｃ−１００％ＲＨ、試料は蒸着
フィルムとラミネートフィルム。 透湿度 ‥‥モコン法（ＭＯＣＯＮ ＰＥＲＭＡＴＲ
ＡＮ−Ｗ６）、４０°Ｃ−９０％ＲＨ、試料は蒸着フィ
ルムとラミネートフィルム。 剥離強度 ‥‥インストロン型引張試験機、試料１５ｍ
ｍ幅、剥離角度９０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉ
ｎ．、試料はラミネートフィルム。
例、合計９例の積層体のバリアー特性を示す酸素透過
率、透湿度と、積層体のプラズマＣＶＤ膜および蒸着膜
の密着特性を示す剥離強度を示す剥離強度の各物性につ
いて、以下に示す測定条件に従って測定した。その結果
を表１に示す。 酸素透過率‥‥モコン法（ＭＯＣＯＮ ＯＸＴＲＡＮ−
１０／５０Ａ）、２５°Ｃ−１００％ＲＨ、試料は蒸着
フィルムとラミネートフィルム。 透湿度 ‥‥モコン法（ＭＯＣＯＮ ＰＥＲＭＡＴＲ
ＡＮ−Ｗ６）、４０°Ｃ−９０％ＲＨ、試料は蒸着フィ
ルムとラミネートフィルム。 剥離強度 ‥‥インストロン型引張試験機、試料１５ｍ
ｍ幅、剥離角度９０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉ
ｎ．、試料はラミネートフィルム。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１から考察すると、酸素、水蒸気に対す
るバリアー性は、実施例１〜５は非常に良好な結果が得
られ、比較例１、２はやや良好なバリアー性が得られ
た。比較例３、４はやや不良あるいは不良であった。積
層体のプラズマＣＶＤ膜および蒸着膜の密着特性を示す
剥離強度は、実施例１〜５は非常に良好な密着性が得ら
れ、比較例３、４はやや良好な結果が得られ、比較例
１、２はやや不良あるいは不良であった。
るバリアー性は、実施例１〜５は非常に良好な結果が得
られ、比較例１、２はやや良好なバリアー性が得られ
た。比較例３、４はやや不良あるいは不良であった。積
層体のプラズマＣＶＤ膜および蒸着膜の密着特性を示す
剥離強度は、実施例１〜５は非常に良好な密着性が得ら
れ、比較例３、４はやや良好な結果が得られ、比較例
１、２はやや不良あるいは不良であった。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、樹脂
フィルム上で金属、金属化合物蒸着膜間、または金属、
金属化合物蒸着膜上に、低温プラズマＣＶＤ法によるシ
リコン化合物薄膜を設けることにより、積層体のガスバ
リアー性および積層体の密着性が向上する。また、低温
プラズマＣＶＤ法によるシリコン化合物薄膜層は耐熱
性、熱寸法安定性、硬度に優れることから、蒸着、印
刷、ラミネート、製袋等の積層体製造工程における機械
的ストレス、熱的ストレスからくる歪みによるクラッ
ク、ピンホールが発生しにくく、バリアー性劣化が起き
難い。さらに、ウェットコーティング膜程厚みを必要と
せず、しかも膜厚制御性も良好であるため、加工性、生
産性に非常に有利である。
フィルム上で金属、金属化合物蒸着膜間、または金属、
金属化合物蒸着膜上に、低温プラズマＣＶＤ法によるシ
リコン化合物薄膜を設けることにより、積層体のガスバ
リアー性および積層体の密着性が向上する。また、低温
プラズマＣＶＤ法によるシリコン化合物薄膜層は耐熱
性、熱寸法安定性、硬度に優れることから、蒸着、印
刷、ラミネート、製袋等の積層体製造工程における機械
的ストレス、熱的ストレスからくる歪みによるクラッ
ク、ピンホールが発生しにくく、バリアー性劣化が起き
難い。さらに、ウェットコーティング膜程厚みを必要と
せず、しかも膜厚制御性も良好であるため、加工性、生
産性に非常に有利である。
【図１】（ａ）本発明のバリアー性積層体の一実施例を
示す断面図である。 （ｂ）本発明のバリアー性積層体の別の実施例を示す断
面図である。 （ｃ）本発明のバリアー性積層体のさらに別の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。 （ｂ）本発明のバリアー性積層体の別の実施例を示す断
面図である。 （ｃ）本発明のバリアー性積層体のさらに別の実施例を
示す断面図である。
【図２】本発明のバリアー性積層体を製造する装置を説
明する模式説明図である。
明する模式説明図である。
１‥‥樹脂フィルム ２‥‥低温プラズマＣＶＤシリコン化合物薄膜、ＣＶＤ
−ＳｉＯ2 ３‥‥金属または金属化合物蒸着薄膜、ＳｉＯ ４‥‥バリアー性積層体 ５‥‥バリアー性積層体 ６‥‥バリアー性積層体 １０‥‥真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置 １１‥‥巻出しロール １２‥‥ガイドロール １３‥‥冷却ドラム １４‥‥蒸着源 １５‥‥巻取りロール １６−１、１６−２‥‥原料ガス源 １７−１、１７−２‥‥高電圧源 １８−１、１８−２‥‥プラズマ発生電源 ２１‥‥ロール室 ２２−１、２２−２‥‥低温プラズマＣＶＤ発生室 ２３‥‥蒸着室
−ＳｉＯ2 ３‥‥金属または金属化合物蒸着薄膜、ＳｉＯ ４‥‥バリアー性積層体 ５‥‥バリアー性積層体 ６‥‥バリアー性積層体 １０‥‥真空蒸着兼低温プラズマＣＶＤ発生装置 １１‥‥巻出しロール １２‥‥ガイドロール １３‥‥冷却ドラム １４‥‥蒸着源 １５‥‥巻取りロール １６−１、１６−２‥‥原料ガス源 １７−１、１７−２‥‥高電圧源 １８−１、１８−２‥‥プラズマ発生電源 ２１‥‥ロール室 ２２−１、２２−２‥‥低温プラズマＣＶＤ発生室 ２３‥‥蒸着室
Claims (4)
- 【請求項１】樹脂フィルムの片面に低温プラズマＣＶＤ
法によりシリコン化合物の薄膜を形成させ、その薄膜上
に物理蒸着法により金属または金属化合物の薄膜を積層
させてなることを特徴とするバリアー性積層体。 - 【請求項２】前記金属または金属化合物の薄膜上に、さ
らに前記低温プラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物の
薄膜を積層させてなることを特徴とする請求項１に記載
のバリアー性積層体。 - 【請求項３】前記樹脂フィルムの片面に物理蒸着法によ
り金属または金属化合物の薄膜を形成させ、その蒸着薄
膜上に低温プラズマＣＶＤ法によりシリコン化合物の薄
膜を積層させてなることを特徴とする請求項１に記載の
バリアー性積層体。 - 【請求項４】前記低温プラズマＣＶＤ法によるシリコン
化合物の薄膜および物理蒸着法による金属または金属化
合物の薄膜を同一バッチ内で樹脂フィルム上に積層する
ことを特徴とするバリアー性積層体の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH09123334A true JPH09123334A (ja) | 1997-05-13 |
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| JP28345695A Expired - Fee Related JP3605908B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | バリアー性積層体及びその製造方法 |
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