JP2011097032A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 絶縁表面上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体膜と接する酸化物絶縁膜を形成し、
   前記酸化物絶縁膜上の、前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜と重なる位置に、水素を吸蔵または吸着することができる金属を有する電極を形成し、
   前記電極が露出した状態で加熱処理を行い、
   前記電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体膜と接する酸化物絶縁膜を形成し、
   前記酸化物絶縁膜上の、前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜と重なる位置に、水素を吸蔵または吸着することができる金属を有する電極を形成し、
   前記電極が露出した状態で加熱処理を行い、
   前記電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
3. 絶縁表面上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上にチャネル保護膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記チャネル保護膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物絶縁膜を形成し、
   前記酸化物絶縁膜上の、前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜と重なる位置に、水素を吸蔵または吸着することができる金属を有する電極を形成し、
   前記電極が露出した状態で加熱処理を行い、
   前記電極上に絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記加熱処理は３５０℃以上６５０℃以下で行う半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記電極は、チタン、白金、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、パラジウム、マグネシウム、ニオブまたは希土類の金属のうち、いずれか一つまたは複数を含む混合物、金属化合物または合金を有する半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行う半導体装置の作製方法。