JP2011096700A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011096700A5 JP2011096700A5 JP2009246096A JP2009246096A JP2011096700A5 JP 2011096700 A5 JP2011096700 A5 JP 2011096700A5 JP 2009246096 A JP2009246096 A JP 2009246096A JP 2009246096 A JP2009246096 A JP 2009246096A JP 2011096700 A5 JP2011096700 A5 JP 2011096700A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- plasma
- gap semiconductor
- wide
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 3
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009246096A JP5179455B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | プラズマエッチング方法 |
| CN2010800266927A CN102473630A (zh) | 2009-10-27 | 2010-09-06 | 等离子蚀刻法 |
| PCT/JP2010/065203 WO2011052296A1 (ja) | 2009-10-27 | 2010-09-06 | プラズマエッチング方法 |
| US13/318,279 US8673781B2 (en) | 2009-10-27 | 2010-09-06 | Plasma etching method |
| EP10826431.8A EP2495757B1 (en) | 2009-10-27 | 2010-09-06 | Plasma etching method |
| KR1020117023438A KR101861709B1 (ko) | 2009-10-27 | 2010-09-06 | 플라즈마 식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009246096A JP5179455B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | プラズマエッチング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011273076A Division JP2012054616A (ja) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | プラズマエッチング方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011096700A JP2011096700A (ja) | 2011-05-12 |
| JP2011096700A5 true JP2011096700A5 (enExample) | 2011-11-04 |
| JP5179455B2 JP5179455B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=43921726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009246096A Active JP5179455B2 (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8673781B2 (enExample) |
| EP (1) | EP2495757B1 (enExample) |
| JP (1) | JP5179455B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101861709B1 (enExample) |
| CN (1) | CN102473630A (enExample) |
| WO (1) | WO2011052296A1 (enExample) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2934709B1 (fr) * | 2008-08-01 | 2010-09-10 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'echange thermique et dispositif de refroidissement comportant une telle structure. |
| WO2012008179A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 住友精密工業株式会社 | エッチング方法 |
| JP5658110B2 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-01-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP5819969B2 (ja) * | 2011-09-05 | 2015-11-24 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP5877982B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2016-03-08 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP5888027B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-03-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20140342569A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Applied Materials, Inc. | Near surface etch selectivity enhancement |
| JP5874687B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2016-03-02 | 豊田合成株式会社 | 半導体素装置の製造方法 |
| JP2017005177A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105441B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH088232A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Sony Corp | プラズマ処理方法 |
| US5571374A (en) * | 1995-10-02 | 1996-11-05 | Motorola | Method of etching silicon carbide |
| JPH10303185A (ja) | 1997-04-26 | 1998-11-13 | Anelva Corp | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JPH11162958A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-06-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びその方法 |
| JP2001144075A (ja) | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6475889B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-11-05 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
| US6670278B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-12-30 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching of silicon carbide |
| JP2003069154A (ja) * | 2001-06-11 | 2003-03-07 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2003273084A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 大気圧プラズマ装置、大気圧プラズマ処理方法及びデバイス並びにデバイス製造方法 |
| JP4030982B2 (ja) | 2004-05-10 | 2008-01-09 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US7465670B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer storage medium with enhanced selectivity |
| JP4859474B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-01-25 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置 |
| JP4516538B2 (ja) | 2006-03-01 | 2010-08-04 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5135885B2 (ja) | 2007-05-24 | 2013-02-06 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP5072082B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2012-11-14 | 株式会社アルバック | ドライエッチング方法 |
| JP5309587B2 (ja) | 2008-02-07 | 2013-10-09 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法 |
| JP2009194194A (ja) | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理方法 |
-
2009
- 2009-10-27 JP JP2009246096A patent/JP5179455B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-06 KR KR1020117023438A patent/KR101861709B1/ko active Active
- 2010-09-06 WO PCT/JP2010/065203 patent/WO2011052296A1/ja not_active Ceased
- 2010-09-06 US US13/318,279 patent/US8673781B2/en active Active
- 2010-09-06 EP EP10826431.8A patent/EP2495757B1/en active Active
- 2010-09-06 CN CN2010800266927A patent/CN102473630A/zh active Pending