JP2012054616A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不活性ガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、ワイドギャップ半導体基板が載置される基台にバイアス電位を与え、不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを基台上の半導体基板に入射させて半導体基板を加熱し、半導体基板の温度が200℃〜400℃の温度でエッチング時の温度になった後、エッチングガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、半導体基板の温度を前記エッチング時の温度に維持しながら半導体基板をエッチングする。
【選択図】なし
Description
閉塞空間を有する処理チャンバと、ワイドギャップ半導体基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、環状のコイルとを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上のワイドギャップ半導体基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記基台上に前記ワイドギャップ半導体基板を載置した後、前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってエッチングガスを供給し、供給したエッチングガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングするとともに、前記ワイドギャップ半導体基板を200℃〜400℃に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法に係る。
11 処理チャンバ
15 基台
20 排気装置
25 ガス供給装置
26 エッチングガス供給部
27 不活性ガス供給部
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 高周波電源
35 高周波電源
K 炭化珪素基板(ワイドギャップ半導体基板)
Claims (4)
- 閉塞空間を有する処理チャンバと、ワイドギャップ半導体基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、環状のコイルとを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上のワイドギャップ半導体基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記基台上に前記ワイドギャップ半導体基板を載置した後、
前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってエッチングガスを供給し、供給したエッチングガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングするとともに、
前記ワイドギャップ半導体基板を200℃〜400℃に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記ワイドギャップ半導体基板は、炭化珪素基板であることを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ワイドギャップ半導体基板を加熱する際に、前記ガス供給装置により不活性ガスを前記処理チャンバ内に供給し、供給した不活性ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与え、前記不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを前記ワイドギャップ半導体基板に入射させて該ワイドギャップ半導体基板を加熱するようにしたことを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング方法。
- 前記ワイドギャップ半導体基板の加熱温度を、300℃〜400℃の範囲内に設定したことを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
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