JP6130313B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6130313B2 JP6130313B2 JP2014035487A JP2014035487A JP6130313B2 JP 6130313 B2 JP6130313 B2 JP 6130313B2 JP 2014035487 A JP2014035487 A JP 2014035487A JP 2014035487 A JP2014035487 A JP 2014035487A JP 6130313 B2 JP6130313 B2 JP 6130313B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide substrate
- etching
- plasma
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 162
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 148
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 146
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 119
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 62
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記基台上に前記炭化珪素基板を載置した後、前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によりエッチングガスとしてSF6ガスを供給し、供給したSF6ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、前記炭化珪素基板を200℃〜400℃に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法に係る。
11 処理チャンバ
15 基台
20 排気装置
25 ガス供給装置
26 エッチングガス供給部
27 不活性ガス供給部
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 高周波電源
35 高周波電源
K 炭化珪素基板
Claims (4)
- 閉塞空間を有する処理チャンバと、炭化珪素基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、コイルを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上の炭化珪素基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記基台上に、エッチングマスクである二酸化珪素が形成された前記炭化珪素基板を載置した後、
前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってSF6ガスとO2ガスとの混合ガスを供給し、供給した前記混合ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記炭化珪素基板をエッチングするとともに、
前記炭化珪素基板を200℃〜400℃(ただし、200℃を除く)に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とする、前記エッチングにより形成された穴及び溝の底面の側壁側の溝が全く形成されないか、形成されたとしても非常に小さく、前記穴及び溝の前記側壁についても、全くエッチングされないか、エッチングされてもごく僅かである、炭化珪素基板を高精度にエッチングすることが可能なプラズマエッチング方法。 - 前記炭化珪素基板を200℃〜400℃の温度に予め加熱した後、この温度を維持しながら前記炭化珪素基板をエッチングするようにしたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記炭化珪素基板を予め加熱する際に、前記ガス供給装置により不活性ガスを前記処理チャンバ内に供給し、供給した不活性ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与え、前記不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを前記炭化珪素基板に入射させて該炭化珪素基板を加熱するようにしたことを特徴とする請求項2に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記炭化珪素基板の加熱温度を、300℃〜400℃の範囲内に設定したことを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014035487A JP6130313B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014035487A JP6130313B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | プラズマエッチング方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011273076A Division JP2012054616A (ja) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | プラズマエッチング方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016230711A Division JP6567487B2 (ja) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014099659A JP2014099659A (ja) | 2014-05-29 |
JP6130313B2 true JP6130313B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=50941360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014035487A Active JP6130313B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6130313B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019088731A1 (ko) * | 2017-11-01 | 2019-05-09 | 한국기초과학지원연구원 | 원자층 연마 방법 및 이를 위한 연마 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63152125A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | SiC単結晶のエツチング方法 |
JPH07105441B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH088232A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Sony Corp | プラズマ処理方法 |
JPH10303185A (ja) * | 1997-04-26 | 1998-11-13 | Anelva Corp | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP2007502547A (ja) * | 2003-05-30 | 2007-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | High−k誘電材料をエッチングする方法とシステム。 |
JP2007109758A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体素子の製造方法 |
JP4516538B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2010-08-04 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5061506B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2012-10-31 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP5309587B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2013-10-09 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法 |
-
2014
- 2014-02-26 JP JP2014035487A patent/JP6130313B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019088731A1 (ko) * | 2017-11-01 | 2019-05-09 | 한국기초과학지원연구원 | 원자층 연마 방법 및 이를 위한 연마 장치 |
US11268191B2 (en) | 2017-11-01 | 2022-03-08 | Korea Institute Of Fusion Energy | Atomic layer polishing method and device therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014099659A (ja) | 2014-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5179455B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP5762491B2 (ja) | エッチング方法 | |
KR102494959B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 | |
JP2015154047A5 (ja) | ||
CN104285283B (zh) | 半导体基板的制造方法 | |
KR20170073504A (ko) | 에칭 방법 | |
WO2013042497A1 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP2009302181A (ja) | プラズマエッチング処理方法およびプラズマエッチング処理装置 | |
TW201520359A (zh) | 沉積具有高濕蝕刻抗性之低溫、無損壞高密度電漿的碳化矽類膜之方法 | |
JP6567487B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP6130313B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
KR20190035593A (ko) | 탄탈 질화물(TaN)층에서 피처를 패터닝하기 위한 시스템 및 방법 | |
JP6859088B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012054616A5 (ja) | ||
JP2012054616A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP2020136669A (ja) | エッチング方法 | |
JP6295130B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP7277225B2 (ja) | エッチング方法、及び、プラズマ処理装置 | |
US11380586B2 (en) | Cutting method | |
CN105655287A (zh) | 梯度压力模式改善膜厚均一性的方法 | |
JP6348430B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN106847689B (zh) | 一种深硅刻蚀工艺 | |
JP2011171573A (ja) | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 | |
JP2016051777A (ja) | シリコン酸化膜のプラズマエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150206 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151008 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20151019 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20151218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6130313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |