JP2011018925A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011018925A5 JP2011018925A5 JP2010198845A JP2010198845A JP2011018925A5 JP 2011018925 A5 JP2011018925 A5 JP 2011018925A5 JP 2010198845 A JP2010198845 A JP 2010198845A JP 2010198845 A JP2010198845 A JP 2010198845A JP 2011018925 A5 JP2011018925 A5 JP 2011018925A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection system
- liquid
- physical property
- lithographic apparatus
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (17)
- 浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正する方法であって、
前記浸漬式リソグラフィ装置の投影系とテーブルとの間の液体を介して投影される測定ビームを使用して露光パラメータを測定する工程と、
前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づき、オフセットを求める工程と、を含み、
前記露光パラメータが、前記投影系を使用して投影されるべきパターン形成されたビームの横方向位置、又は前記テーブル上に保持された基板のX−Y位置、或いはその両方を含む、
方法。 - 浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正する方法であって、
前記浸漬式リソグラフィ装置の投影系とテーブルとの間の液体を介して投影される測定ビームを使用して露光パラメータを測定する工程と、
前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づき、オフセットを求める工程と、を含み、
前記オフセットが、前記物理特性変化と前記物理特性に対する露光パラメータの変化率との乗算を含む、
方法。 - 前記物理特性が、前記液体の温度、圧力、組成、又はこれらのあらゆる組合せを含む、
請求項1又は2に記載の方法。 - 前記物理特性が、フラッシング・ガスの、或いは、前記投影系の光学素子の又は前記投影系の光学素子上の、或いはその両方の温度、圧力、組成、又はこれらのあらゆる組合せを含む、
請求項1又は2に記載の方法。 - 浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正する方法であって、
前記浸漬式リソグラフィ装置の投影系とテーブルとの間の液体を介して投影される測定ビームを使用して露光パラメータを測定する工程と、
前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づき、オフセットを求める工程と、を含み、
前記物理特性の変化に基づきオフセットを求める工程が、前記測定ビームの波長の物理特性変化と、前記投影系を使用して投影されるべきパターン形成されたビームの波長の物理特性変化と、の差に基づいてオフセットを求める工程を含む、
方法。 - 前記投影系の光学素子を介して、前記測定ビームと、基板を露光するためのパターン形成されたビームとを投影する工程を含む、
請求項1から5の何れか一項に記載の方法。 - リソグラフィ装置であって、
基板を保持するように構成されたテーブルと、
パターン形成されたビームを投影するように構成された投影系と、
前記投影系と前記テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給系と、
前記液体を介して投影された測定ビームを使用して露光パラメータを測定するように構成されたセンサと、
前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づきオフセットを求めるように構成された補正系と、を含み、
前記露光パラメータが、前記パターン形成されたビームの横方向位置、又は前記基板のX−Y位置、或いはその両方を含む、
リソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
基板を保持するように構成されたテーブルと、
パターン形成されたビームを投影するように構成された投影系と、
前記投影系と前記テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給系と、
前記液体を介して投影された測定ビームを使用して露光パラメータを測定するように構成されたセンサと、
前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づきオフセットを求めるように構成された補正系と、を含み、
前記オフセットが、前記物理特性変化と前記物理特性に対する露光パラメータの変化率との乗算を含む、
リソグラフィ装置。 - 前記物理特性が、前記液体の温度、圧力、組成、又はこれらのあらゆる組合せを含む、
請求項7又は8に記載のリソグラフィ装置。 - 前記液体の温度を測定するように構成された温度センサ、又は前記液体の圧力を測定するように構成された圧力センサ、或いはその両方をさらに含む、
請求項9に記載のリソグラフィ装置。 - 前記物理特性が、フラッシング・ガスの、或いは、前記投影系の光学素子の又は前記投影系の光学素子上の、或いはその両方の温度、圧力、組成、又はこれらのあらゆる組合せを含む、
請求項7又は8に記載のリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
基板を保持するように構成されたテーブルと、
パターン形成されたビームを投影するように構成された投影系と、
前記投影系と前記テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給系と、
前記液体を介して投影された測定ビームを使用して露光パラメータを測定するように構成されたセンサと、
前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づきオフセットを求めるように構成された補正系と、を含み、
前記補正系が、前記測定ビームの波長の物理特性変化と前記パターン形成されたビームの波長の物理特性変化との差に基づいて前記オフセットを求めるように構成されている、
リソグラフィ装置。 - 前記パターン形成されたビームがそれを介して投影されるべき前記投影系の光学素子を介して、前記測定ビームを投影するように、前記センサが構成されている、
請求項7から12の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
基板を保持するように構成されたテーブルと、
パターン形成されたビームを投影するように構成された投影系と、
前記投影系と前記テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給系と、
前記液体を介して投影された測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす1つ又は複数の物理特性を測定するように構成されたセンサと、
前記投影系又は位置合わせ系に関連する1つ又は複数の定数と、
前記測定された物理特性値を使用して前記定数を補正する補正系と、を含む、
リソグラフィ装置。 - 前記物理特性値が、前記液体の圧力及び/又は温度を含む、
請求項14に記載のリソグラフィ装置。 - 浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正する方法であって、
前記浸漬式リソグラフィ装置の投影系と基板テーブルとの間の液体を介して投影される測定ビームを使用して露光パラメータを測定する工程と、
前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす複数の物理特性を測定する工程と、
前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定された複数の物理特性のそれぞれの変化に起因するそれぞれのオフセットの合計である累積オフセットを求める工程と、を含み、
前記累積オフセットの各オフセットは、前記測定された物理特性値(X_j)に対する前記測定された露光パラメータ(P)の変化率(dP/dX_j)に、前記測定された物理特性値(X_j)を乗じて得た値(X_j×(dP/dX_j))である、
方法。 - 前記複数の物理特性には、以下の(a)〜(c)の物理特性
(a)前記液体の温度、圧力あるいは組成又はこれらのあらゆる組合せ、
(b)フラッシング・ガスの温度あるいは圧力又はこれらの組合せ、
(c)前記投影系の光学素子の温度あるいは圧力又はこれらの組合せ、
のうちの二つ以上が含まれる、
請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/025,603 US20060147821A1 (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/025,603 | 2004-12-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008309635A Division JP4806703B2 (ja) | 2004-12-30 | 2008-12-04 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011018925A JP2011018925A (ja) | 2011-01-27 |
JP2011018925A5 true JP2011018925A5 (ja) | 2011-06-23 |
JP5286338B2 JP5286338B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=35790378
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005376924A Pending JP2006191079A (ja) | 2004-12-30 | 2005-12-28 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2008309635A Expired - Fee Related JP4806703B2 (ja) | 2004-12-30 | 2008-12-04 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010198845A Expired - Fee Related JP5286338B2 (ja) | 2004-12-30 | 2010-09-06 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005376924A Pending JP2006191079A (ja) | 2004-12-30 | 2005-12-28 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2008309635A Expired - Fee Related JP4806703B2 (ja) | 2004-12-30 | 2008-12-04 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US20060147821A1 (ja) |
EP (2) | EP2264530A1 (ja) |
JP (3) | JP2006191079A (ja) |
KR (1) | KR100742765B1 (ja) |
CN (1) | CN1808279A (ja) |
SG (1) | SG123752A1 (ja) |
TW (1) | TWI342468B (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100593751B1 (ko) * | 2004-11-16 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 오토 포커스 시스템, 오토 포커스 방법 및 이를 이용한노광장치 |
EP1865541A4 (en) * | 2005-03-31 | 2017-06-14 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
US8045134B2 (en) * | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
US8045135B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
SG143178A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
US8164736B2 (en) * | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
WO2009013903A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US7999920B2 (en) | 2007-08-22 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of performing model-based scanner tuning |
JP2009054730A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2009083606A1 (en) * | 2008-01-03 | 2009-07-09 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method and apparatus for mapping of line-width size distributions on photomasks |
US8421993B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE548679T1 (de) | 2008-05-08 | 2012-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithografische immersionsvorrichtung, trocknungsvorrichtung, immersionsmetrologievorrichtung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
US8641203B2 (en) | 2008-06-17 | 2014-02-04 | The Invention Science Fund I, Llc | Methods and systems for receiving and transmitting signals between server and projector apparatuses |
US20090309826A1 (en) | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Systems and devices |
US8608321B2 (en) | 2008-06-17 | 2013-12-17 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems and methods for projecting in response to conformation |
US8936367B2 (en) | 2008-06-17 | 2015-01-20 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems and methods associated with projecting in response to conformation |
US8733952B2 (en) | 2008-06-17 | 2014-05-27 | The Invention Science Fund I, Llc | Methods and systems for coordinated use of two or more user responsive projectors |
US8955984B2 (en) | 2008-06-17 | 2015-02-17 | The Invention Science Fund I, Llc | Projection associated methods and systems |
US8723787B2 (en) | 2008-06-17 | 2014-05-13 | The Invention Science Fund I, Llc | Methods and systems related to an image capture projection surface |
EP2196857A3 (en) * | 2008-12-09 | 2010-07-21 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2228685B1 (en) * | 2009-03-13 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Level sensor arrangement for lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20100231881A1 (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8675210B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor, lithographic apparatus, and substrate surface positioning method |
US8488107B2 (en) | 2009-03-13 | 2013-07-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having multiple projection units and detection units |
NL2004281A (en) * | 2009-03-19 | 2010-09-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005522A (en) | 2009-10-28 | 2011-05-02 | Asml Netherlands Bv | Pattern selection for full-chip source and mask optimization. |
NL2006130A (en) | 2010-03-12 | 2011-09-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN103545174B (zh) * | 2012-07-16 | 2016-08-24 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光刻对焦参数测试方法及系统 |
WO2015082158A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, models for error correction, computer program products for implementing such methods & apparatus |
NL2015776A (en) * | 2014-12-12 | 2016-09-20 | Asml Netherlands Bv | Methods and apparatus for calculating substrate model parameters and controlling lithographic processing. |
Family Cites Families (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206607C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) * | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) * | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS6412515A (en) | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Aluminum electrolytic capacitor |
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH0828319B2 (ja) | 1989-04-21 | 1996-03-21 | 株式会社日立製作所 | 投影露光装置 |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
NL9000503A (nl) | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08219718A (ja) | 1995-02-08 | 1996-08-30 | Nikon Corp | 面位置検出装置 |
JP3689949B2 (ja) | 1995-12-19 | 2005-08-31 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法 |
JPH1012515A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1998009278A1 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US6330052B1 (en) | 1997-06-13 | 2001-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11135420A (ja) | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
AU1505699A (en) | 1997-12-12 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Projection exposure method and projection aligner |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) * | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
WO2002091078A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
EP1500186A2 (en) * | 2001-08-14 | 2005-01-26 | Redline Communications Inc. | An adaptive pre-distortion method and apparatus for digital rf transmitters |
US6600547B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
CN1791839A (zh) * | 2001-11-07 | 2006-06-21 | 应用材料有限公司 | 光点格栅阵列光刻机 |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) * | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN101713932B (zh) * | 2002-11-12 | 2012-09-26 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP1420302A1 (en) | 2002-11-18 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
AU2003302831A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
KR101101737B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
AU2003289237A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
EP1571701A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-04-09 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2004053953A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20050085026A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
JP2004301825A (ja) | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP3997199B2 (ja) | 2002-12-10 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
WO2004057589A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
ES2268450T3 (es) | 2002-12-19 | 2007-03-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Metodo y dispositivo para irradiar puntos en una capa. |
JP3915789B2 (ja) | 2003-03-13 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板の製造方法 |
KR100794852B1 (ko) | 2003-03-20 | 2008-01-15 | 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 | 파장 변환기 |
WO2004090634A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
EP2613193B1 (en) | 2003-04-11 | 2016-01-13 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2270599A1 (en) | 2003-05-13 | 2011-01-05 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
US7274472B2 (en) * | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005006416A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN102854755A (zh) * | 2003-07-09 | 2013-01-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2005286068A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP4510494B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7271917B2 (en) * | 2005-05-03 | 2007-09-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, position quantity detection system and method |
-
2004
- 2004-12-30 US US11/025,603 patent/US20060147821A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-12-12 US US11/298,942 patent/US7670730B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-19 EP EP10180805A patent/EP2264530A1/en not_active Withdrawn
- 2005-12-19 EP EP05257813A patent/EP1677156B1/en not_active Not-in-force
- 2005-12-20 TW TW094145387A patent/TWI342468B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-12-22 SG SG200508322A patent/SG123752A1/en unknown
- 2005-12-28 JP JP2005376924A patent/JP2006191079A/ja active Pending
- 2005-12-29 CN CN200510121556.7A patent/CN1808279A/zh active Pending
- 2005-12-29 KR KR1020050133107A patent/KR100742765B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-12-04 JP JP2008309635A patent/JP4806703B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-27 US US12/694,880 patent/US8102507B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-06 JP JP2010198845A patent/JP5286338B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-20 US US13/331,865 patent/US8354209B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011018925A5 (ja) | ||
TW200627088A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2009055068A5 (ja) | ||
WO2010076232A3 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
JP6381184B2 (ja) | 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法 | |
TW200739678A (en) | Device manufacturing method, device manufacturing system, and measuring/examining instrument | |
JP2015017844A5 (ja) | ||
JP2013535819A5 (ja) | ||
JP2015146043A5 (ja) | ||
JP5219906B2 (ja) | 温度計測装置、温度計測方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2015534267A5 (ja) | ||
JP2011060919A5 (ja) | ||
JP2008145203A5 (ja) | ||
JP2008199034A5 (ja) | ||
TW200632589A (en) | Method of generating a photolithography patterning device, computer program, patterning device, method of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus | |
CN105698686A (zh) | 一种裂缝测宽仪示值误差检测装置及方法 | |
KR970016827A (ko) | 노광 방법 및 노광 장치 | |
CN205808350U (zh) | 一种裂缝测宽仪示值误差检测装置 | |
JP2009505062A5 (ja) | ||
JP2009002931A5 (ja) | ||
WO2008132799A1 (ja) | 計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2013092414A (ja) | 変位検出装置、目盛の校正方法及び目盛の校正プログラム | |
Mulkens et al. | High order field-to-field corrections for imaging and overlay to achieve sub 20-nm lithography requirements | |
WO2006040347A1 (en) | Calibration of optical line shortening measurements | |
WO2016145772A1 (zh) | 关键尺寸测量设备的光源亮度调整系统和方法 |