JP2015534267A5 - - Google Patents

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  1. 計測機器を較正するのに適した一以上の比例定数を生成する方法であって、
    板全体に分散する複数の測定位置の各測定位置における複数の計測測定信号を取得する工程であって、各測定位置において取得された前記複数の測定信号の各々が、複数の異なる測定条件の1つ前記測定位置を測定する計測機器によって生成される、工程と、
    各測定信号に関する測定された計測値および一以上の品質メリットを決定する工程と、
    前記測定された計測値および前記品質メリットを利用して、前記複数の異なる測定条件の1つに各々が対応する比例定数を決定する工程と、
    後の計測測定値を生成するときに、後の対象の測定に使用される前記測定条件に対応する前記比例定数を使用するように前記計測機器を較正する工程と、
    を含む、方法
  2. 前記測定条件の各々に対応する前記比例定数を比較して、測定条件のどの組み合わせが最適化された測定レシピを生成するかを決定する工程と、
    前記計測機器に、後の計測測定において前記最適化された測定レシピの利用を命令する工程と、をさらに含む、請求項1に記載の方法
  3. 前記最適化された測定レシピにより、前記計測測定値の不正確性の量が最小化される、請求項2に記載の方法
  4. 前記複数の測定条件が様々なカラーフィルタである、請求項1に記載の方法
  5. 前記複数の測定条件が様々な焦点位置である、請求項1に記載の方法
  6. 前記複数の測定条件が様々な光偏光である、請求項1に記載の方法
  7. 前記複数の測定条件が様々な対象タイプである、請求項1に記載の方法
  8. 各測定位置が互いに近接して位置する複数の対象タイプを含む、請求項7に記載の方法
  9. 前記計測機器がオーバーレイ機器である、請求項1に記載の方法
  10. 前記測定された計測値がオーバーレイ測定である、請求項9に記載の方法
  11. 前記計測機器が限界寸法計測機器である、請求項1に記載の方法
  12. 前記測定された計測値がスキャトロメトリによって生成される値である、請求項11に記載の方法
  13. 前記測定された計測値が偏光解析法によって生成される値である、請求項11に記載の方法
  14. 前記測定された計測値がCD−SEMによって生成される値である、請求項11に記載の方法
  15. ネットワーク上で動作するように構成された計測機器であって、
    プロセッサと、
    前記プロセッサに連結されたメモリと、
    メモリに含まれ、前記プロセッサが実行することで、、前記計測機器の較正に適した一以上の比例定数を生成する方法を実施するための、一以上の命令と、を備え、前記方法が、
    基板全体に分散する複数の測定位置の各測定位置における複数の計測測定信号を取得することであって、各測定位置において取得された前記複数の測定信号の各々が、複数の異なる測定条件の1つ前記測定位置を測定する計測機器によって生成されることと、
    各測定信号に関する測定された計測値および一以上の品質メリットを決定することと、
    前記測定された計測値および前記品質メリットを利用して、前記複数の異なる測定条件の1つに各々が対応する比例定数を決定することと、
    後の計測測定値を生成するときに、後の対象の測定に使用される前記測定条件に対応する前記比例定数を使用するように前記計測機器を較正するこ、を含む、計測機器。
  16. 計測機器によって比例定数を対象欠陥に関連させるためのプログラム命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、コンピュータシステムの一以上のプロセッサによる前記プログラム命令の実行によって、前記一以上のプロセッサに、
    既知の欠陥を有する対象から計測信号を取得する工程であって、前記計測機器が、第一の測定条件を使用して第一の既知の比例定数を用いて前記計測信号を生成する、工程と、
    前記計測信号についての一以上の品質メリットを計算する工程と、
    前記一以上の品質メリットと比例定数との組み合わせと、前記既知の欠陥とを関連させる工程と、
    関連性を欠陥データベースに保存する工程と、を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
  17. 計測機器によって対象欠陥タイプを検出するためのプログラム命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、コンピュータシステムの一以上のプロセッサによる前記プログラム命令の実行によって、前記一以上のプロセッサに、
    測定レシピに従い基板上の一以上の対象を測定することによって一以上の測定信号を生成する工程であって、前記測定レシピ内の少なくとも1つの測定条件が既知の比例定数を有する、工程と、
    前記一以上の測定信号の各々についての一以上の品質メリットを生成する工程と、
    前記既知の比例定数と前記一以上の品質メリットとの組み合わせと、欠陥データベース内の対象欠陥に関連する、一組の保存された比例定数と品質メリットとの組み合わせとを比較する工程と、を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
  18. 計測機器を較正するのに適した一以上の比例定数を生成するためのプログラム命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、
    コンピュータシステムの一以上のプロセッサによる前記プログラム命令の実行によって、前記一以上のプロセッサに、
    基板全体に分散する複数の測定位置の各測定位置における複数の計測測定信号を取得する工程であって、各測定位置において取得された前記複数の測定信号の各々が、複数の異なる測定条件の1つで前記測定位置を測定する計測機器によって生成される、工程と、
    各測定信号に関する測定された計測値および一以上の品質メリットを決定する工程と、
    前記測定された計測値および前記品質メリットを利用して、前記複数の異なる測定条件の1つに各々が対応する比例定数を決定する工程と、
    後の計測測定値を生成するときに、後の対象の測定に使用される前記測定条件に対応する前記比例定数を使用するように前記計測機器を較正する工程と、を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
  19. 前記方法が、
    前記測定条件の各々に対応する前記比例定数を比較して、測定条件のどの組み合わせが最適化された測定レシピを生成するかを決定することと、
    前記計測機器に、後の計測測定において前記最適化された測定レシピの利用を命令すること、をさらに含む、請求項15に記載の計測機器。
  20. 前記最適化された測定レシピにより、前記計測測定値の不正確性の量が最小化される、請求項19に記載の計測機器。
  21. 前記複数の測定条件が様々なカラーフィルタである、請求項15に記載の計測機器。
  22. 前記複数の測定条件が様々な焦点位置である、請求項15に記載の計測機器。
  23. 前記複数の測定条件が様々な光偏光である、請求項15に記載の計測機器。
  24. 前記複数の測定条件が様々な対象タイプである、請求項15に記載の計測機器。
  25. 各測定位置が互いに近接して位置する複数の対象タイプを含む、請求項24に記載の計測機器。
  26. 前記計測機器がオーバーレイ機器である、請求項15に記載の計測機器。
  27. 前記測定された計測値がオーバーレイ測定値である、請求項26に記載の計測機器。
  28. 前記計測機器が限界寸法計測機器である、請求項15に記載の計測機器。
  29. 前記測定された計測値がスキャトロメトリによって生成される値である、請求項28に記載の計測機器。
  30. 前記測定された計測値が偏光解析法によって生成される値である、請求項28に記載の計測機器。
  31. 前記測定された計測値がCD−SEMによって生成される値である、請求項28に記載の計測機器。
  32. 計測機器によって比例定数を対象欠陥に関連させる方法であって、
    既知の欠陥を有する対象から計測信号を取得する工程であって、前記計測機器が、第一の測定条件を使用して第一の既知の比例定数を用いて前記計測信号を生成する、工程と、
    前記計測信号についての一以上の品質メリットを計算する工程と、
    前記一以上の品質メリットと比例定数との組み合わせと、前記既知の欠陥とを関連させる工程と、
    関連性を欠陥データベースに保存する工程と、
    を含む、方法。
  33. ネットワーク上で動作するように構成された計測機器であって
    プロセッサと、
    前記プロセッサに連結されたメモリと、
    メモリに含まれ、前記プロセッサが実行することで、計測機器によって比例定数を対象欠陥に関連させる方法を実行するための一以上の命令と、を備え、前記方法が、
    基板全体に分散する複数の測定位置の各測定位置における複数の計測測定信号を取得することであって、各測定位置において取得された前記複数の測定信号の各々が、複数の異なる測定条件の1つで前記測定位置を測定する計測機器によって生成されることと、
    各測定信号に関する測定された計測値および一以上の品質メリットを決定することと、
    前記測定された計測値および前記品質メリットを利用して、前記複数の異なる測定条件の1つに各々が対応する比例定数を決定することと、
    後の計測測定値を生成するときに、後の対象の測定に使用される前記測定条件に対応する前記比例定数を使用するように前記計測機器を較正することと、を含む、計測機器。
  34. 計測機器によって対象欠陥タイプを検出するための方法であって、
    測定レシピに従い基板上の一以上の対象を測定することによって、一以上の測定信号を生成する工程であって、前記測定レシピ内の少なくとも1つの測定条件が既知の比例定数を有する、工程と、
    前記一以上の測定信号の各々についての一以上の品質メリットの生成する工程と、
    前記既知の比例定数と前記一以上の品質メリットとの組み合わせと、欠陥データベース内の対象欠陥に関連づけられた、一組の保存された比例定数と品質メリットとの組み合わせとを比較する工程と、
    を含む、方法。
  35. ネットワーク上で動作するように構成された計測機器であって、
    プロセッサと、
    前記プロセッサに連結されたメモリと、
    メモリに含まれ、前記プロセッサが実行することで、前記計測機器によって対象欠陥タイプを検出するための方法を実行するための一以上の命令と、を備え、前記方法が、
    測定レシピに従い基板上の一以上の対象を測定することによって、一以上の測定信号を生成する工程であって、前記測定レシピ内の少なくとも1つの測定条件が既知の比例定数を有する、工程と、
    前記一以上の測定信号の各々についての一以上の品質メリットの生成する工程と、
    前記既知の比例定数と前記一以上の品質メリットとの組み合わせと、欠陥データベース内の対象欠陥に関連づけられた、一組の保存された比例定数と品質メリットとの組み合わせとを比較する工程と、を含む、
    計測機器。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014194095A1 (en) 2013-05-30 2014-12-04 Kla-Tencor Corporation Combined imaging and scatterometry metrology
WO2015031337A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 Kla-Tencor Corporation Removing process-variation-related inaccuracies from scatterometry measurements
WO2016037003A1 (en) * 2014-09-03 2016-03-10 Kla-Tencor Corporation Optimizing the utilization of metrology tools
WO2016086056A1 (en) * 2014-11-25 2016-06-02 Kla-Tencor Corporation Analyzing and utilizing landscapes
KR102607646B1 (ko) 2015-05-19 2023-11-29 케이엘에이 코포레이션 오버레이 측정을 위한 지형 위상 제어
CN113376975A (zh) 2015-12-23 2021-09-10 Asml荷兰有限公司 量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品
TWI780741B (zh) * 2016-02-24 2022-10-11 美商克萊譚克公司 光學計量之準確度提升
US10372114B2 (en) * 2016-10-21 2019-08-06 Kla-Tencor Corporation Quantifying and reducing total measurement uncertainty
US10527952B2 (en) * 2016-10-25 2020-01-07 Kla-Tencor Corporation Fault discrimination and calibration of scatterometry overlay targets
US10191112B2 (en) * 2016-11-18 2019-01-29 Globalfoundries Inc. Early development of a database of fail signatures for systematic defects in integrated circuit (IC) chips
US10551320B2 (en) * 2017-01-30 2020-02-04 Kla-Tencor Corporation Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis
CN110383442B (zh) * 2017-02-28 2023-10-10 科磊股份有限公司 确定随机行为对叠加计量数据的影响
EP3435162A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-30 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus and computer program
US10401738B2 (en) * 2017-08-02 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology using multiple parameter configurations
IL273145B2 (en) * 2017-09-11 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Lithographic processes in meteorology
EP3492985A1 (en) * 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets
US10533848B2 (en) 2018-03-05 2020-01-14 Kla-Tencor Corporation Metrology and control of overlay and edge placement errors
US10622238B2 (en) 2018-06-07 2020-04-14 Kla-Tencor Corporation Overlay measurement using phase and amplitude modeling
US11551980B2 (en) * 2019-03-08 2023-01-10 Kla-Tencor Corporation Dynamic amelioration of misregistration measurement
KR20210127260A (ko) * 2019-03-08 2021-10-21 케이엘에이 코포레이션 미스레지스트레이션 측정의 동적 개선
CN110796107A (zh) * 2019-11-04 2020-02-14 南京北旨智能科技有限公司 电力巡检图像缺陷识别方法和系统、电力巡检无人机
US11487929B2 (en) 2020-04-28 2022-11-01 Kla Corporation Target design process for overlay targets intended for multi-signal measurements
US12080610B2 (en) 2020-06-25 2024-09-03 Kla Corporation Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices
US12100574B2 (en) 2020-07-01 2024-09-24 Kla Corporation Target and algorithm to measure overlay by modeling back scattering electrons on overlapping structures
WO2022020069A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-27 Applied Materials, Inc. Optical devices and method of optical device metrology
US11454894B2 (en) * 2020-09-14 2022-09-27 Kla Corporation Systems and methods for scatterometric single-wavelength measurement of misregistration and amelioration thereof
US12020970B2 (en) 2021-09-22 2024-06-25 International Business Machines Corporation Metrology data correction

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298118A (ja) * 1988-10-05 1990-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハアライメント方法
JP2000353647A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd マスクとウエハの倍率補正量検出方法及び位置合わせ装置
US7317531B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US6737208B1 (en) * 2001-12-17 2004-05-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling photolithography overlay registration incorporating feedforward overlay information
US7225047B2 (en) * 2002-03-19 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Method, system and medium for controlling semiconductor wafer processes using critical dimension measurements
US6948254B2 (en) * 2003-10-27 2005-09-27 Micronic Laser Systems Ab Method for calibration of a metrology stage
US6948149B2 (en) * 2004-02-19 2005-09-20 Infineon Technologies, Ag Method of determining the overlay accuracy of multiple patterns formed on a semiconductor wafer
US7065737B2 (en) * 2004-03-01 2006-06-20 Advanced Micro Devices, Inc Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing
JP4449697B2 (ja) * 2004-10-26 2010-04-14 株式会社ニコン 重ね合わせ検査システム
US7684011B2 (en) 2007-03-02 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Calibration method for a lithographic apparatus
CN100559283C (zh) * 2007-12-28 2009-11-11 上海微电子装备有限公司 测量方镜非正交性角度和缩放比例因子校正值的方法
US8214771B2 (en) * 2009-01-08 2012-07-03 Kla-Tencor Corporation Scatterometry metrology target design optimization
US8484382B2 (en) * 2009-03-11 2013-07-09 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for merging peer-to-peer overlay networks
NL2005459A (en) * 2009-12-08 2011-06-09 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and corresponding lithographic apparatus.
NL2005719A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv Method of measuring properties of dynamic positioning errors in a lithographic apparatus, data processing apparatus, and computer program product.
US9620426B2 (en) * 2010-02-18 2017-04-11 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing process tool correctables using an optimized sampling scheme with smart interpolation
JP2011192769A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Renesas Electronics Corp 半導体デバイス製造方法、及び製造システム
NL2006322A (en) * 2010-03-18 2011-09-20 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and associated method and monitoring and control system.
EP2694983B1 (en) 2011-04-06 2020-06-03 KLA-Tencor Corporation Method and system for providing a quality metric for improved process control

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