JP2016528549A5

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Publication number: JP2016528549A5
Application number: JP2016532295A
Authority: JP
Filing date: 2014-07-18
Publication date: 2017-06-15
Anticipated expiration: 2034-07-18

Description

[0092] 図９は、ステップＳ６−２でプロットされ得るような、Ａ＋対Ａ−のプロットであり、これらの態様の最初の２つを示す。上述の既知の方法によると、データポイント９３０は原点を通る線９００がフィットされる。しかしながらこの実施形態では、データポイントは、必ずしも原点を通らない線９１０により最適のフィット方法（例えば、最小二乗）に従ってフィットされる（ステップＳ６−３）。このようにして、オーバーレイは依然として線９１０の傾きから計算可能であり（ステップＳ６−４）；線９１０は一切のフィーチャ非対称性を有さない同じ測定構造であると認められることを表示する線９２０に平行であることがわかる。線９２０（線９１０と同じ傾きを有するが、原点を通じてプロットされた線）から線９１０のオフセットである、線９１０の軸切片は、フィーチャ非対称性の効果を定量的に示す（ステップＳ６−５）。

Claims

リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
（ａ）基板上のターゲット構造を照明することであって、前記ターゲット構造は、第１の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第１のターゲット構造と、第２の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第２のターゲット構造と、を少なくとも備えること、および、各ターゲット構造により分散された放射を検出し、各ターゲット構造に対して、（ｉ）前記ターゲット構造における前記意図的なオーバーレイバイアスと、（ｉｉ）前記ターゲット構造の形成中のリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイエラーと、（ｉｉｉ）前記周期構造の１つまたは複数におけるフィーチャ非対称性と、による寄与を含む全体的な非対称性を表す非対称性測定データを取得すること、のステップと、
（ｂ）複数の異なる照明条件に対してステップ（ａ）を繰り返し、前記非対称性測定データを取得するステップと、
（ｃ）前記第２のターゲット構造の非対称性測定に対する前記第１のターゲット構造の非対称性測定の平面図に、必ずしも前記平面図の原点を通ってフィットされない線形回帰モデルをフィットすることにより前記非対称性測定データ上で回帰分析を実施するステップと、
（ｄ）前記線形回帰モデルにより記述された勾配から前記オーバーレイエラーを決定するステップと、を含み、
前記第１の意図的なオーバーレイバイアスは、正のオーバーレイバイアスであり、前記第２の意図的なオーバーレイバイアスは、負のオーバーレイバイアスであり、
前記異なる照明条件は、前記異なる照明条件の下で異なる非対称性測定データが得られ得るものである、方法。
前記線形回帰モデルの切片項からフィーチャ非対称性による前記全体的な非対称性の前記寄与を決定することを含む、請求項１に記載の方法。
前記非対称性測定にフィットされた前記線形回帰モデルは、前記原点の領域に位置する非対称性測定データにのみフィットされる、請求項１または２に記載の方法。
前記複数の照明条件から、フィーチャ非対称性が前記測定された全体的な非対称性に対して最小限に寄与する１つまたは複数の最適な照明条件を特定することであって、前記最適な照明条件は、前記測定された非対称性が前記線形回帰モデルにより記述されるが、原点を通るように切片項がないオフセット線上に位置するまたは前記オフセット線の近くに位置するための照明条件から選択されることを含む、請求項３に記載の方法。
前記ターゲット構造は、一切の意図的なオーバーレイバイアスを有さない第３のターゲット構造を備え、
前記方法は、前記第１ターゲット構造および前記第３のターゲット構造についてステップ（ｂ）において取得された非対称性測定間の差と、前記第２のターゲット構造および前記第３のターゲット構造についてステップ（ｂ）において取得された非対称性測定間の差と、から相対的な非対称性測定を決定することを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
ステップ（ｃ）は、前記第２のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第３のターゲット構造の前記非対称性測定との差に対する前記第１のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第３のターゲット構造の前記非対称性測定との差の平面図に線形回帰モデルをフィットすることを含む、請求項５に記載の方法。
リソグラフィプロセスのパラメータを測定する検査装置であって、
その上に複数のターゲット構造を有する基板のためのサポートであって、前記ターゲット構造は、第１の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第１のターゲット構造と、第２の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第２のターゲット構造と、を少なくとも備える、サポートと、
前記ターゲットを照明するように動作可能でありかつ各ターゲットにより分散された放射を検出し、各ターゲット構造および複数の異なる照明条件に対して、（ｉ）前記ターゲット構造における前記意図的なオーバーレイバイアスと、（ｉｉ）前記ターゲット構造の形成中のリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイエラーと、（ｉｉｉ）前記周期構造の１つまたは複数におけるフィーチャ非対称性と、による寄与を含む全体的な非対称性を表す非対称性測定データを取得する光学系と、
前記第２のターゲット構造の非対称性測定に対する前記第１のターゲットの非対称性測定の平面図に、必ずしも前記平面図の原点を通ってフィットされない線形回帰モデルをフィットすることにより前記非対称性測定データ上で回帰分析を実施し、かつ、前記線形回帰モデルによって記述された勾配から前記オーバーレイエラーを決定するプロセッサと、
を含み、
前記第１の意図的なオーバーレイバイアスは、正のオーバーレイバイアスであり、前記第２の意図的なオーバーレイバイアスは、負のオーバーレイバイアスであり、
前記異なる照明条件は、前記異なる照明条件の下で異なる非対称性測定データが得られ得るものである、検査装置。
前記プロセッサは、前記線形回帰モデルの切片項からフィーチャ非対称性による前記全体的な非対称性の前記寄与を決定するように動作可能である、請求項７に記載の検査装置。
前記プロセッサは、前記線形回帰モデルを前記原点の領域に位置する前記非対称性測定データにのみフィットするように動作可能である、請求項７または８に記載の検査装置。
前記プロセッサは、前記複数の照明条件から、フィーチャ非対称性が前記測定された全体的な非対称性に対して最小限に寄与する1つまたは複数の最適な照明条件を特定するように動作可能であって、前記最適な照明条件は、前記測定された非対称性が、前記線形回帰モデルにより記述されるが前記原点を通るように切片項がないオフセット線上に位置するまたは前記オフセット線の近くに位置するための照明条件から選択された最適な照明条件である、請求項９に記載の検査装置。
前記ターゲット構造は、一切の意図的なオーバーレイバイアスを有さない第３のターゲット構造を備え、
前記プロセッサは、前記第１ターゲット構造および前記第３のターゲット構造の非対称性測定間の差と、前記第２のターゲット構造および前記第３のターゲット構造の非対称性測定間の差と、から相対的な非対称性測定を決定するように動作可能である、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の検査装置。
前記プロセッサは、前記第２のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第３のターゲット構造の前記非対称性測定との差に対する前記第１のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第３のターゲット構造の前記非対称性測定との差の平面図に線形回帰モデルをフィットするように動作可能である、請求項１１に記載の検査装置。
請求項７〜１２のいずれか一項に記載の前記検査装置を備えるリソグラフィ装置であって、
リソグラフィプロセスを使用して一連の基板にデバイスパターンを付与し、
前記一連の基板の１つまたは複数にターゲット構造を付与し、
請求項１〜６のいずれか一項に記載のパラメータを測定する方法を使用して前記ターゲット構造のオーバーレイパラメータを測定し、かつ、
前記パラメータを測定する方法の前記結果に従って後続の基板のために前記リソグラフィプロセスを制御する、
ように動作可能である、リソグラフィ装置。
リソグラフィプロセスを使用して一連の基板にデバイスパターンが付与されるデバイス製造方法であって、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法を使用して前記基板の少なくとも１つの上の前記デバイスパターンの一部としてまたは前記デバイスパターンの横に形成された少なくとも１つの周期構造を検査することと、
前記検査方法の前記結果に従って後続の基板のために前記リソグラフィプロセスを制御することと、
を含む、方法。
プロセッサに、非対称性測定データ上で請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法の処理ステップ（ｃ）および（ｄ）を実施させるための機械可読命令を含むコンピュータプログラムであって、
前記非対称性測定データは、
複数の異なる照明条件下で基板上のターゲット構造を照明することであって、前記ターゲット構造は、第１の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第１のターゲット構造と、第２の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第２のターゲット構造と、を少なくとも備えることと、
各ターゲット構造により分散された放射を検出し、各ターゲット構造に対して、（ｉ）前記ターゲット構造における前記意図的なオーバーレイバイアスと、（ｉｉ）前記ターゲット構造の形成中のリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイエラーと、（ｉｉｉ）前記周期構造の１つまたは複数におけるフィーチャ非対称性と、による寄与を含む全体的な非対称性を表す非対称性測定データを取得することと、
により取得される非対称性測定データであり、
前記第１の意図的なオーバーレイバイアスは、正のオーバーレイバイアスであり、前記第２の意図的なオーバーレイバイアスは、負のオーバーレイバイアスであり、
前記異なる照明条件は、前記異なる照明条件の下で異なる非対称性測定データが得られ得るものである、コンピュータプログラム。