JP2016528549A - メトロロジ方法および装置、リソグラフィシステムならびにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる2013年8月7日に出願された米国特許仮出願第61/863,150号および2014年4月4日に出願された米国特許仮出願第61/975,312号の利益を主張する。
[0002] 本発明は、例えばリソグラフィ技術によるデバイスの製造において使用可能なメトロロジ方法および装置、ならびにリソグラフィ技術を用いたデバイスの製造方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に用いることができる。その場合、ICの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板(例えば、シリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば、ダイの一部、または1つまたは複数のダイを含む)に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向(「スキャン」方向)にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
イメージプロセッサおよびコントローラPUの機能は実行中の測定の具体的な種類に依存する。本明細書で使用される「イメージ」という用語は、広範な意味で使用されていることに留意されたい。−1次および+1次のうちの一つのみが存在する場合には、そのような格子線のイメージは形成されない。
A=K0+K1 sin(OV)
「線形」および「ATAN」モデルの瞳にわたるモデル−一貫性のテストと;
ウェーハにわたる処理非対称性(process asymmetry)の分析。
Claims (32)
- リソグラフィプロセスのパラメータを測定する方法であって、
(a)基板上のターゲット構造を照明することであって、前記ターゲット構造は、第1の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第1のターゲット構造と、第2の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第2のターゲット構造と、を少なくとも備えること、および、各ターゲット構造により分散された放射を検出し、各ターゲット構造に対して、(i)前記ターゲット構造における前記意図的なオーバーレイバイアスと、(ii)前記ターゲット構造の形成中のリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイエラーと、(iii)前記周期構造の1つまたは複数におけるフィーチャ非対称性と、による寄与を含む全体的な非対称性を表す非対称性測定を取得すること、のステップと、
(b)複数の異なる照明条件に対してステップ(a)を繰り返し、非対称性測定データを取得するステップと、
(c)前記第2のターゲット構造の非対称性測定に対する前記第1のターゲット構造の非対称性測定の平面図に、必ずしも前記平面図の原点を通ってフィットされない線形回帰モデルをフィットすることにより前記非対称性測定データ上で回帰分析を実施するステップと、
(d)前記線形回帰モデルにより記述された勾配から前記オーバーレイエラーを決定するステップと、
を含む、方法。 - 前記線形回帰モデルの前記切片項からフィーチャ非対称性による前記全体的な非対称性の前記寄与を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- フィーチャ非対称性による前記全体的な非対称性の前記決定された寄与の関数であるオーバーレイ修正を決定するステップと、
前記オーバーレイ修正を使用して前記オーバーレイエラーを修正するステップと、を含む、請求項2に記載の方法。 - 前記基板上の複数の異なる位置に関するオーバーレイ測定を決定するようにステップ(a)からステップ(d)を実施することであって、TE偏光放射およびTM偏光放射を使用して各位置に関するオーバーレイエラー測定が取得されることと、
TE偏光放射を使用して測定された場合の測定されたオーバーレイエラーとTM偏光放射を使用して測定された場合の測定されたオーバーレイエラーとの間の差の最小化を実施することにより前記オーバーレイ修正を計算することと、
を含む、請求項3に記載の方法。 - 前記非対称性測定にフィットされた前記線形回帰モデルは、前記原点の前記領域に位置する非対称性測定データにのみフィットされる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記複数の照明条件から、フィーチャ非対称性が前記測定された全体的な非対称性に対して最小限に寄与する1つまたは複数の最適な照明条件を特定することであって、前記最適な照明条件は、前記測定された非対称性が前記線形回帰モデルにより記述されるが、原点を通るように切片項がないオフセット線上に位置するまたは前記オフセット線の近くに位置するための照明条件から選択されることを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記最適な照明条件は、前記測定された非対称性が前記オフセット線上に位置しないまたは前記オフセット線の近くに位置しないあらゆる測定された非対称性から最遠である照明条件から選択される、請求項6に記載の方法。
- 前記最適な照明条件の1つまたは複数を使用して前記基板上の構造についてその次の測定を行うことを含む、請求項6または7に記載の方法。
- 前記第1の意図的なオーバーレイバイアスは正のオーバーレイバイアスであり、前記第2の意図的なオーバーレイバイアスは負のオーバーレイバイアスである、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の意図的なオーバーレイバイアスおよび前記第2の意図的なオーバーレイバイアスの大きさは同等である、請求項9に記載の方法。
- ステップ(d)は、フィーチャ非対称性による前記寄与は全てのオーバーレイの値に対して一定であるという前記推測のもとに実施される、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ターゲット構造は、一切の意図的なオーバーレイバイアスを有さない第3のターゲット構造を備え、
前記方法は、前記第1ターゲット構造および前記第3のターゲット構造についてステップ(b)において取得された非対称性測定間の前記差と、前記第2のターゲット構造および前記第3のターゲット構造についてステップ(b)において取得された非対称性測定間の差と、から相対的な非対称性測定を決定することを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。 - ステップ(c)は、前記第2のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第3のターゲット構造の前記非対称性測定との前記差に対する前記第1のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第3のターゲット構造の前記非対称性測定との前記差の平面図に線形回帰モデルをフィットすることを含む、請求項12に記載の方法。
- ステップ(d)は、フィーチャ非対称性による前記寄与はオーバーレイの全ての値に対して一定であるという前記推測なしで実施される、請求項12または13に記載の方法。
- 基板上に前記ターゲット構造を形成するためのリソグラフィプロセスを使用する最初のステップを含む、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
- リソグラフィプロセスのパラメータを測定する検査装置であって、
その上に複数のターゲット構造を有する基板のためのサポートであって、前記ターゲット構造は、第1の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第1のターゲット構造と、第2の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第2のターゲット構造と、を少なくとも備える、サポートと、
前記ターゲットを照明するように動作可能でありかつ各ターゲットにより分散された放射を検出し、各ターゲット構造および複数の異なる照明条件に対して、(i)前記ターゲット構造における前記意図的なオーバーレイバイアスと、(ii)前記ターゲット構造の形成中のリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイエラーと、(iii)前記周期構造の1つまたは複数におけるフィーチャ非対称性と、による寄与を含む全体的な非対称性を表す非対称性測定を取得する光学系と、
前記第2のターゲット構造の非対称性測定に対する前記第1のターゲットの非対称性測定の平面図に、必ずしも前記平面図の原点を通ってフィットされない線形回帰モデルをフィットすることにより非対称性測定データ上で回帰分析を実施し、かつ、前記線形回帰モデルによって記述された勾配から前記オーバーレイエラーを決定するプロセッサと、
を含む、検査装置。 - 前記プロセッサは、前記線形回帰モデルの前記切片項からフィーチャ非対称性による前記全体的な非対称性の前記寄与を決定するように動作可能である、請求項16に記載の検査装置。
- フィーチャ非対称性による前記全体的な非対称性の前記決定された寄与の関数であるオーバーレイ修正を決定し、かつ、
前記オーバーレイ修正を使用して前記オーバーレイエラーを修正するように動作可能である、請求項17に記載の検査装置。 - TE偏光放射およびTM偏光放射を使用して各位置に関するオーバーレイエラー測定が取得されるように、前記基板上の複数の異なる位置に関するオーバーレイ測定を決定するようにステップ(a)からステップ(d)を実施するように動作可能であり、かつ、
TE偏光放射を使用して測定された場合の測定されたオーバーレイエラーとTM偏光放射を使用して測定された場合の測定されたオーバーレイエラーとの間の前記差の最小化を実施することにより前記オーバーレイ修正を計算するように動作可能である、請求項18に記載の検査装置。 - 前記プロセッサは、前記線形回帰モデルを前記原点の前記領域に位置する前記非対称性測定データにのみフィットするように動作可能である、請求項16〜19のいずれか一項に記載の検査装置。
- 前記プロセッサは、前記複数の照明条件から、フィーチャ非対称性が前記測定された全体的な非対称性に対して最小限に寄与する1つまたは複数の最適な照明条件を特定するように動作可能であって、前記最適な照明条件は、前記測定された非対称性が、前記線形回帰モデルにより記述されるが前記原点を通るように切片項がないオフセット線上に位置するまたは前記オフセット線の近くに位置するための照明条件から選択された最適な照明条件である、請求項20に記載の検査装置。
- 前記プロセッサは、前記最適な照明条件を、前記測定された非対称性が前記オフセット線上に位置しないまたは前記オフセット線の近くに位置しないあらゆる測定された非対称性から最遠であるための照明条件から選択するように動作可能である、請求項21に記載の検査装置。
- 前記最適な照明条件の1つまたは複数を使用して前記基板上の構造の次の測定を行うように動作可能である、請求項21または22に記載の検査装置。
- 前記第1の意図的なオーバーレイバイアスは正のオーバーレイバイアスであり、前記第2の意図的なオーバーレイバイアスは負のオーバーレイバイアスである、請求項16〜23のいずれか一項に記載の検査装置。
- 前記第1の意図的なオーバーレイバイアスおよび前記第2の意図的なオーバーレイバイアスの大きさは同等である、請求項24に記載の検査装置。
- 前記プロセッサは、フィーチャ非対称性による前記寄与は全てのオーバーレイの値に対して一定であるという推測のもとに前記線形回帰モデルによって記述された勾配から前記オーバーレイエラーを決定するように動作可能である、請求項16〜25のいずれか一項に記載の検査装置。
- 前記ターゲット構造は、一切の意図的なオーバーレイバイアスを有さない第3のターゲット構造を備え、
前記プロセッサは、前記第1ターゲット構造および前記第3のターゲット構造の非対称性測定間の前記差と、前記第2のターゲット構造および前記第3のターゲット構造の非対称性測定間の前記差と、から相対的な非対称性測定を決定するように動作可能である、請求項16〜25のいずれか一項に記載の検査装置。 - 前記プロセッサは、前記第2のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第3のターゲット構造の前記非対称性測定との前記差に対する前記第1のターゲット構造の前記非対称性測定と前記第3のターゲット構造の前記非対称性測定との前記差の平面図に線形回帰モデルをフィットするように動作可能である、請求項27に記載の検査装置。
- 前記プロセッサは、フィーチャ非対称性による前記寄与は全てのオーバーレイの値に対して一定であるという推測なしで前記線形回帰モデルによって記述された勾配から前記オーバーレイエラーを決定するように動作可能である、請求項27または28に記載の検査装置。
- 請求項16〜29のいずれか一項に記載の前記検査装置を備えるリソグラフィ装置であって、
リソグラフィプロセスを使用して一連の基板にデバイスパターンを付与し、
前記一連の基板の1つまたは複数にターゲット構造を付与し、
請求項1〜15のいずれか一項に記載のパラメータを測定する方法を使用して前記ターゲット構造のオーバーレイパラメータを測定し、かつ、
前記パラメータを測定する方法の前記結果に従って後続の基板のために前記リソグラフィプロセスを制御する、
ように動作可能である、リソグラフィ装置。 - リソグラフィプロセスを使用して一連の基板にデバイスパターンが付与されるデバイス製造方法であって、
請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法を使用して前記基板の少なくとも1つの上の前記デバイスパターンの一部としてまたは前記デバイスパターンの横に形成された少なくとも1つの周期構造を検査することと、
前記検査方法の前記結果に従って後続の基板のために前記リソグラフィプロセスを制御することと、
を含む、方法。 - プロセッサに、非対称性データ上で請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法の処理ステップ(c)および(d)を実施させるための機械可読命令を含むコンピュータプログラムであって、
前記非対称性データは、
複数の異なる照明条件下で基板上のターゲット構造を照明することであって、前記ターゲット構造は、第1の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第1のターゲット構造と、第2の意図的なオーバーレイバイアスを有する重ねあわされた周期構造を備える第2のターゲット構造と、を少なくとも備えることと、
各ターゲット構造により分散された放射を検出し、各ターゲット構造に対して、(i)前記ターゲット構造における前記意図的なオーバーレイバイアスと、(ii)前記ターゲット構造の形成中のリソグラフィプロセスにおけるオーバーレイエラーと、(iii)前記周期構造の1つまたは複数におけるフィーチャ非対称性と、による寄与を含む全体的な非対称性を表す非対称性測定を取得することと、
により取得される非対称性データである、コンピュータプログラム。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019164364A (ja) * | 2015-04-21 | 2019-09-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置、コンピュータプログラム、並びにリソグラフィシステム |
US10466594B2 (en) | 2016-02-26 | 2019-11-05 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
JP2019536096A (ja) * | 2016-11-10 | 2019-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スタック差を使用した設計及び補正 |
JP2019537237A (ja) * | 2016-09-27 | 2019-12-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジレシピ選択 |
KR20200033967A (ko) * | 2017-09-08 | 2020-03-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 추정 방법 |
CN111095112A (zh) * | 2017-09-11 | 2020-05-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻过程中的量测 |
JP2020533643A (ja) * | 2017-09-13 | 2020-11-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法および関連する測定方法および装置 |
JP2021512348A (ja) * | 2018-01-30 | 2021-05-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板グリッドを決定するための測定装置及び方法 |
WO2022113338A1 (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 日本電気株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、及び、記録媒体 |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9927718B2 (en) * | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
US10890436B2 (en) | 2011-07-19 | 2021-01-12 | Kla Corporation | Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill |
NL2011477A (en) * | 2012-10-10 | 2014-04-14 | Asml Netherlands Bv | Mark position measuring apparatus and method, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
WO2014062972A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Kla-Tencor Corporation | Symmetric target design in scatterometry overlay metrology |
KR102124204B1 (ko) | 2013-08-07 | 2020-06-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
KR102269514B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2021-06-25 | 케이엘에이 코포레이션 | 랜드스케이프의 분석 및 활용 |
CN107111250B (zh) | 2014-11-26 | 2019-10-11 | Asml荷兰有限公司 | 度量方法、计算机产品和系统 |
JP6510658B2 (ja) | 2015-02-04 | 2019-05-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジの方法及び装置、コンピュータプログラム、並びにリソグラフィシステム |
CN107533299B (zh) * | 2015-04-10 | 2021-04-02 | Asml荷兰有限公司 | 用于检测及量测的方法与装置 |
TWI656409B (zh) * | 2015-09-09 | 2019-04-11 | 美商克萊譚克公司 | 基於輔助電磁場之引入之一階散射測量疊加之新方法 |
WO2017053150A1 (en) * | 2015-09-21 | 2017-03-30 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for process control with flexible sampling |
WO2017108453A1 (en) | 2015-12-24 | 2017-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Methods of controlling a patterning process, device manufacturing method, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus |
WO2017140528A1 (en) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein |
US10546790B2 (en) | 2016-03-01 | 2020-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
WO2017182235A1 (en) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Determination of stack difference and correction using stack difference |
US10115621B2 (en) | 2016-05-13 | 2018-10-30 | Globalfoundries Inc. | Method for in-die overlay control using FEOL dummy fill layer |
KR102201794B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2021-01-13 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 반도체 제조 프로세스를 위한 계측 방법 및 장치 |
IL263765B2 (en) | 2016-07-15 | 2023-04-01 | Asml Netherlands Bv | Method and device for designing a target field for metrology |
US10048132B2 (en) * | 2016-07-28 | 2018-08-14 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous capturing of overlay signals from multiple targets |
EP3293574A1 (en) | 2016-09-09 | 2018-03-14 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
EP3299890A1 (en) | 2016-09-27 | 2018-03-28 | ASML Netherlands B.V. | Metrology recipe selection |
EP3333631A1 (en) | 2016-12-06 | 2018-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a target, metrology apparatus, polarizer assembly |
EP3333632A1 (en) | 2016-12-08 | 2018-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus |
US10983005B2 (en) | 2016-12-15 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Spectroscopic overlay metrology |
EP3336607A1 (en) | 2016-12-16 | 2018-06-20 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a property of a substrate, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
EP3358413A1 (en) * | 2017-02-02 | 2018-08-08 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
US10656535B2 (en) * | 2017-03-31 | 2020-05-19 | Imec Vzw | Metrology method for a semiconductor manufacturing process |
WO2018197198A1 (en) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus and associated computer program |
WO2018202388A1 (en) | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Metrology parameter determination and metrology recipe selection |
EP3399371A1 (en) * | 2017-05-05 | 2018-11-07 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of interest, device manufacturing method, metrology apparatus, and lithographic system |
KR102432667B1 (ko) | 2017-05-15 | 2022-08-17 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정방법 및 제어 시스템 |
EP3422103A1 (en) | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a performance parameter of a process |
EP3422105A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Metrology parameter determination and metrology recipe selection |
EP3435162A1 (en) | 2017-07-28 | 2019-01-30 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus and computer program |
EP3462239A1 (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-03 | ASML Netherlands B.V. | Metrology in lithographic processes |
EP3460574A1 (en) | 2017-09-22 | 2019-03-27 | ASML Netherlands B.V. | Method to determine a patterning process parameter |
WO2019057578A1 (en) | 2017-09-22 | 2019-03-28 | Asml Netherlands B.V. | METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF PATTERN CREATION PROCESS |
US10795268B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring overlay errors using overlay measurement patterns |
WO2019081211A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Asml Netherlands B.V. | METHOD FOR DETERMINING A VALUE OF A PARAMETER OF INTEREST, METHOD FOR CLEANING A SIGNAL CONTAINING INFORMATION REGARDING THIS PARAMETER OF INTEREST |
EP3492985A1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets |
US10705435B2 (en) | 2018-01-12 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Self-referencing and self-calibrating interference pattern overlay measurement |
WO2019166190A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Stichting Vu | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
NL2021848A (en) | 2018-04-09 | 2018-11-06 | Stichting Vu | Holographic metrology apparatus. |
EP3557327A1 (en) * | 2018-04-18 | 2019-10-23 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process |
WO2019233738A1 (en) | 2018-06-08 | 2019-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
EP3579052A1 (en) | 2018-06-08 | 2019-12-11 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
NL2021852A (en) | 2018-08-01 | 2018-11-09 | Asml Netherlands Bv | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
EP3605230A1 (en) | 2018-08-01 | 2020-02-05 | Stichting VU | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
KR20210044283A (ko) | 2018-09-19 | 2021-04-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 그 장치 |
US20220074875A1 (en) | 2018-12-31 | 2022-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Method for overlay metrology and apparatus thereof |
KR20210096659A (ko) | 2018-12-31 | 2021-08-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 |
EP3731018A1 (en) | 2019-04-23 | 2020-10-28 | ASML Netherlands B.V. | A method for re-imaging an image and associated metrology apparatus |
KR20210007275A (ko) * | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정 방법, 및 그 보정 방법을 기초로 한 포토리소그라피 방법, 반도체 소자 제조방법 및 스캐너 시스템 |
EP3770682A1 (en) | 2019-07-25 | 2021-01-27 | ASML Netherlands B.V. | Method and system for determining information about a target structure |
US20220283122A1 (en) * | 2019-08-14 | 2022-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and metrology tool for determining information about a target structure, and cantilever probe |
EP3839635A1 (en) | 2019-12-17 | 2021-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method |
WO2021121733A1 (en) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method |
EP3876036A1 (en) | 2020-03-04 | 2021-09-08 | ASML Netherlands B.V. | Vibration isolation system and associated applications in lithography |
WO2021259559A1 (en) * | 2020-06-24 | 2021-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
IL299124A (en) | 2020-07-09 | 2023-02-01 | Asml Holding Nv | Metrology method and instruments and computer program |
EP3964892A1 (en) | 2020-09-02 | 2022-03-09 | Stichting VU | Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope |
EP4224254A1 (en) | 2022-02-04 | 2023-08-09 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology device |
EP4246231A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-20 | Stichting VU | A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses |
EP4246232A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-20 | Stichting VU | Illumination arrangement for a metrology device and associated method |
WO2023174648A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-21 | Stichting Vu | Illumination arrangement for a metrology device and associated method |
CN114678282B (zh) * | 2022-05-27 | 2022-08-02 | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 | 一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构 |
EP4318131A1 (en) | 2022-08-01 | 2024-02-07 | ASML Netherlands B.V. | Sensor module, illuminator, metrology device and associated metrology method |
EP4332678A1 (en) | 2022-09-05 | 2024-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Holographic metrology apparatus and method |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011012624A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system, and lithographic processing cell |
US20110032535A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Zygo Corporation | Interferometer for determining overlay errors |
US20110255066A1 (en) * | 2008-06-11 | 2011-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and Method for Inspecting a Substrate |
WO2012062858A1 (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
JP2012169617A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-06 | Asml Netherlands Bv | 検査装置および方法、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、およびデバイス製造方法 |
JP2013051412A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Asml Netherlands Bv | オーバーレイエラーを判定するための方法及び装置 |
WO2014005828A1 (en) * | 2012-07-05 | 2014-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology for lithography |
US9158194B2 (en) * | 2011-10-24 | 2015-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7170604B2 (en) * | 2002-07-03 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Overlay metrology method and apparatus using more than one grating per measurement direction |
US7791727B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7408642B1 (en) * | 2006-02-17 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Registration target design for managing both reticle grid error and wafer overlay |
US7704850B2 (en) * | 2006-09-08 | 2010-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Semiconductor device for measuring an overlay error, method for measuring an overlay error, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
WO2011023517A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
DE202009012606U1 (de) * | 2009-09-18 | 2010-01-14 | Sma Solar Technology Ag | Steckbare elektrische Verbindung zwischen zwei Bauteile aufweisenden Gehäusen |
JP6008851B2 (ja) * | 2010-07-19 | 2016-10-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバレイ誤差を決定する方法及び装置 |
US10107621B2 (en) * | 2012-02-15 | 2018-10-23 | Nanometrics Incorporated | Image based overlay measurement with finite gratings |
WO2013143814A1 (en) | 2012-03-27 | 2013-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
KR102124204B1 (ko) | 2013-08-07 | 2020-06-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
-
2014
- 2014-07-18 KR KR1020187012297A patent/KR102124204B1/ko active IP Right Grant
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- 2014-08-04 TW TW103126643A patent/TWI563345B/zh active
- 2014-08-04 TW TW105134143A patent/TWI600981B/zh active
- 2014-08-04 TW TW106126036A patent/TWI636341B/zh active
-
2016
- 2016-01-31 IL IL243854A patent/IL243854B/en active IP Right Grant
-
2018
- 2018-03-05 US US15/912,036 patent/US10126662B2/en active Active
- 2018-05-01 JP JP2018088388A patent/JP6577086B2/ja active Active
- 2018-10-15 US US16/159,884 patent/US10331041B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-24 US US16/421,697 patent/US10725386B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110255066A1 (en) * | 2008-06-11 | 2011-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and Method for Inspecting a Substrate |
WO2011012624A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system, and lithographic processing cell |
US20110032535A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Zygo Corporation | Interferometer for determining overlay errors |
WO2012062858A1 (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
JP2012169617A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-06 | Asml Netherlands Bv | 検査装置および方法、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、およびデバイス製造方法 |
JP2013051412A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Asml Netherlands Bv | オーバーレイエラーを判定するための方法及び装置 |
US9158194B2 (en) * | 2011-10-24 | 2015-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method |
WO2014005828A1 (en) * | 2012-07-05 | 2014-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology for lithography |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019164364A (ja) * | 2015-04-21 | 2019-09-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置、コンピュータプログラム、並びにリソグラフィシステム |
US11022892B2 (en) | 2016-02-26 | 2021-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
US10466594B2 (en) | 2016-02-26 | 2019-11-05 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
JP2019537237A (ja) * | 2016-09-27 | 2019-12-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジレシピ選択 |
US11106142B2 (en) | 2016-09-27 | 2021-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Metrology recipe selection |
JP2019536096A (ja) * | 2016-11-10 | 2019-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スタック差を使用した設計及び補正 |
KR102383949B1 (ko) | 2017-09-08 | 2022-04-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 추정 방법 |
JP2020533621A (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバーレイを推定するための方法 |
KR20200033967A (ko) * | 2017-09-08 | 2020-03-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 추정 방법 |
JP2020533609A (ja) * | 2017-09-11 | 2020-11-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィプロセスにおける計測 |
CN111095112A (zh) * | 2017-09-11 | 2020-05-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻过程中的量测 |
JP2020533643A (ja) * | 2017-09-13 | 2020-11-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法および関連する測定方法および装置 |
JP2021512348A (ja) * | 2018-01-30 | 2021-05-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板グリッドを決定するための測定装置及び方法 |
JP7191108B2 (ja) | 2018-01-30 | 2022-12-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板グリッドを決定するための測定装置及び方法 |
US11966166B2 (en) | 2018-01-30 | 2024-04-23 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus and a method for determining a substrate grid |
WO2022113338A1 (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 日本電気株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、及び、記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP6336068B2 (ja) | 2018-06-06 |
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---|---|---|
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