JP2013051412A - オーバーレイエラーを判定するための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】当該方法は、第1及び第2構造を含む第1ターゲットの散乱特性を測定し、測定された散乱特性を用いて第1構造のモデルを構築し、モデルは第1構造に対応する第1モデル構造を含み、第1モデル構造を中間モデル構造とともにオーバーレイすることによりモデルを修正し、修正されたモデルにおける第1モデル構造と中間モデル構造との間の第1欠陥誘起オーバーレイエラーを計算し、中間モデル構造を第2構造に対応する第2モデル構造と置換することによりモデルをさらに修正し、第1及び第2モデル構造の間の第2欠陥誘起オーバーレイエラーを計算し、第1及び第2モデル構造はさらに修正されたモデルにおいて互いにオーバーレイされ、計算された第2欠陥誘起オーバーレイエラーを用いて第2ターゲットにおけるオーバーレイエラーを判定する。
【選択図】図7
Description
ΔOVm=ΔOVL1+ΔOVL2
となる。
となる。
を測定するためには、測定されたオーバーレイエラーX周りのこの非対称性誘起オーバーレイエラー、すなわち、
を計算することが有用である。したがって、補正済みオーバーレイエラーは
である。これは、回折に基づいたオーバーレイの非線形挙動によるものである。同じ量のターゲット非対称性は、大きいオーバーレイエラーと比較して、ゼロに近いオーバーレイエラーについて僅かに異なる非対称性誘起オーバーレイエラーを与える。
1.レジスト中心CD差 1.5nm
2.レジスト傾斜非対称性:4nm(左端と右端の幅間の差)
3.レジスト高さ非対称性:−0.9nm
Claims (16)
- オーバーレイエラーを判定する方法であって、
第1構造及び第2構造を含む第1ターゲットの散乱特性を測定するステップと、
前記測定された散乱特性を用いて前記第1構造のモデルを構築するステップであって、前記モデルは前記第1構造に対応する第1モデル構造を含む、ステップと、
前記第1モデル構造を中間モデル構造とともにオーバーレイすることにより前記モデルを修正するステップと、
前記修正されたモデルにおける、前記第1モデル構造と前記中間モデル構造との間の第1欠陥誘起オーバーレイエラーを計算するステップと、
前記中間モデル構造を、前記第2構造に対応する第2モデル構造と置換することにより前記モデルをさらに修正するステップと、
前記第1モデル構造と前記第2モデル構造との間の第2欠陥誘起オーバーレイエラーを計算するステップであって、前記第1及び第2モデル構造は、前記さらに修正されたモデルにおいて互いにオーバーレイされている、ステップと、
前記計算された第2欠陥誘起オーバーレイエラーを用いて第2ターゲットにおけるオーバーレイエラーを判定するステップと、
を含む、方法。 - 第1ターゲットの散乱特性を測定する前記ステップは、前記第2構造の形成前に前記第1ターゲットの前記散乱特性を測定することと、前記結果として得られた測定された散乱特性を、前記第1構造のモデルを構築する前記ステップにおいて用いることと、続けて、前記第2構造の形成後に前記第1ターゲットの前記散乱特性を測定することと、前記結果として得られた測定された散乱特性を、前記中間モデル構造を第2モデル構造と置換することによる前記モデルの前記さらなる修正において用いることと、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記中間モデル構造は、任意の欠陥を示さない、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記モデルを修正する前記ステップは、
前記欠陥を補償するために前記第1モデル構造の位置パラメータを定義するステップと、
前記定義された位置パラメータを用いて前記第1及び中間モデル構造を互いに対して位置決めするステップと、
を含む、請求項1、2又は3に記載の方法。 - 前記中間モデル構造を第2モデル構造と置換することにより前記モデルをさらに修正する前記ステップは、前記第1モデル構造に対して、前記中間モデルと同じ位置に前記第2モデル構造を配置することを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1及び中間モデル構造は、ゼロのオフセットで互いに対してオーバーレイされる、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1及び中間モデル構造は、所定の非ゼロオフセットで互いに対してオーバーレイされ、前記方法は複数の異なる非ゼロオフセットについて繰り返され、前記計算された第2欠陥誘起オーバーレイエラーを用いて第2ターゲットにおけるオーバーレイエラーを判定する前記ステップは、前記第2ターゲットの測定されたオーバーレイエラーに最も近い対応を有する、所定のオフセットで得られた計算された第2欠陥誘起オーバーレイエラーを選択することを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1モデル構造と前記第2モデル構造との間の第2欠陥誘起オーバーレイエラーを計算する前記ステップは、前記第2構造における欠陥を記述する1以上のパラメータを計算することを含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2構造における欠陥を記述する1以上のパラーメータ(pi)を計算する前記ステップは、次の通りに定義される平均2乗エラー(ε)を最小化することを含み、
ただし、ΔOVmは、様々な散乱特性測定レシピ間でのオーバーレイ測定結果における測定された変動の合計であり、ΔOVL1は、前記第1構造における欠陥の結果として生じる、前記様々な散乱特性測定レシピ間での前記オーバーレイ計算における変動の合計であり、Si,L2は、パラメータpiに起因する、前記様々な散乱特性測定レシピ間での前記オーバーレイ計算における前記変動の感度である、請求項8に記載の方法。 - 前記第1モデル構造と前記第2モデル構造との間の第2欠陥誘起オーバーレイエラーを計算する前記ステップはさらに、前記第1構造における欠陥を記述する1以上のパラメータを計算することを含む、請求項8又は9に記載の方法。
- 第2ターゲットにおけるオーバーレイエラーを判定する前記ステップは、前記第2欠陥誘起オーバーレイエラーと、前記第2ターゲットの測定されたオーバーレイエラーとの間の差分を計算することを含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記欠陥誘起オーバーレイエラーを変化させるようにモデル構造パラメータ値を調節することと、複数の散乱特性測定レシピに対する複数のモデル構造パラメータ値について第2欠陥誘起オーバーレイエラーを計算する前記ステップを繰り返すことと、を含み、
前記第2ターゲットにおけるオーバーレイエラーを判定する前記ステップは、前記計算された欠陥誘起オーバーレイエラーを用いて、前記第2ターゲットを測定するために用いた最適散乱特性測定レシピを選択することを含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。 - 欠陥誘起オーバーレイエラーを計算する前記ステップは、角度分解されたスキャトロメータの瞳面における複数のピクセルにおけるオーバーレイエラーを、前記第1モデル構造の前記欠陥に応じて最大オーバーレイ誤差を有するピクセルは除外して、計算することを含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1及び第2欠陥誘起オーバーレイエラーは、対象の構造における非対称性の結果生じる、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1から14のいずれか一項に記載される方法を行うよう操作可能な検査装置。
- 請求項1から14のいずれか一項に記載される方法を行うように操作可能なリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161528941P | 2011-08-30 | 2011-08-30 | |
US61/528,941 | 2011-08-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013051412A true JP2013051412A (ja) | 2013-03-14 |
JP5389235B2 JP5389235B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=47744864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012180060A Active JP5389235B2 (ja) | 2011-08-30 | 2012-08-15 | オーバーレイエラーを判定するための方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9704810B2 (ja) |
JP (1) | JP5389235B2 (ja) |
KR (1) | KR101457030B1 (ja) |
CN (1) | CN102967997B (ja) |
IL (1) | IL221519A (ja) |
NL (1) | NL2009294A (ja) |
TW (1) | TWI470375B (ja) |
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- 2012-08-16 IL IL221519A patent/IL221519A/en active IP Right Grant
- 2012-08-27 CN CN201210308690.8A patent/CN102967997B/zh active Active
- 2012-08-28 TW TW101131232A patent/TWI470375B/zh active
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KR101457030B1 (ko) | 2014-10-31 |
US20130054186A1 (en) | 2013-02-28 |
IL221519A (en) | 2015-10-29 |
KR20130024839A (ko) | 2013-03-08 |
NL2009294A (en) | 2013-03-04 |
US9704810B2 (en) | 2017-07-11 |
TW201312294A (zh) | 2013-03-16 |
TWI470375B (zh) | 2015-01-21 |
CN102967997A (zh) | 2013-03-13 |
CN102967997B (zh) | 2015-01-07 |
JP5389235B2 (ja) | 2014-01-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130920 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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