JP2020533643A - 一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法および関連する測定方法および装置 - Google Patents
一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法および関連する測定方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020533643A JP2020533643A JP2020515022A JP2020515022A JP2020533643A JP 2020533643 A JP2020533643 A JP 2020533643A JP 2020515022 A JP2020515022 A JP 2020515022A JP 2020515022 A JP2020515022 A JP 2020515022A JP 2020533643 A JP2020533643 A JP 2020533643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction pattern
- complementary
- complementary diffraction
- measurements
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7092—Signal processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2017年9月13日に出願され、その全体が参照により本書に援用される欧州出願第17190810.6号の優先権を主張する。
本発明は、例えば、リソグラフィ技術によるデバイスの製造において使用可能な計測のための方法および装置、ならびにリソグラフィ技術を使用してデバイスを製造する方法に関する。
−プログラマブルミラーアレイ。そのようなミラーアレイに関するさらなる情報は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第5,296,891号および第5,523,193号に示されている。
−プログラマブルLCDアレイ。このような構造の例は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第5,229,872号に示されている。
<EUV分光反射率測定法>
ここで、オーバーレイOVEは、ターゲットピッチPが角度2πラジアンに対応するようなスケールで表される。すでに説明したように、異なる既知のバイアス(+dと−dなど)を持つ回折格子の2つの測定値を使用することにより、オーバーレイOVEは次のように計算できる。
他の方法では、位相シフト項Φを無視して、強度シフト項K0のみを修正するだけで十分な場合がある。いずれの場合でも、オーバーレイOVEを計算するには、これらの追加の項をキャンセルまたは修正できるように、たとえば異なるバイアスのある追加のサブターゲットの追加の測定および/または異なる特性の測定放射を使用することが必要になる。追加のサブターゲットを使用することは、追加のサブターゲット用のレチクル/基板領域がさらに必要になるため、魅力的ではない。したがって、図6に関連して既に説明したような計測装置は、たとえば、異なる波長および/または偏光および/または入射角を有する2つ以上の特性を有する測定放射を使用してターゲットを測定するように構成され得る。そのような装置は、例えば広帯域または複数の波長の測定放射を使用して、異なる特性を有する測定放射で同時に複数の測定を行うことができ、それにより測定時間を短縮することができる。
1.第1の相補的回折パターンおよび第2の相補的回折パターンを含む一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法であって、前記一組の相補的回折パターンは、リソグラフィプロセスによって形成された構造への計測プロセスの実行から得られ、
当該方法は、一組の相補的回折パターンを位置合わせするために少なくとも細かいアライメント段階を実行することを含み、
細かいアライメント段階は、
検出器領域の少なくとも一部にわたって第1の相補的回折パターンの測定値を補間することと、
第2の相補的回折パターンの平行移動および回転の一方または両方によって、第2の相補的回折パターンの測定値と第1の相補的回折パターンの補間からの対応する補間値との間の残差を最小化することと、を含む方法。
2.細かいアライメント段階は、一組の相補的回折パターンをサブピクセル精度内に位置合わせする、項1に記載の方法。
3.非線形ソルバーを使用して前記残差を最小化することを含む、項1または2に記載の方法。
4.残差を最小化するステップは、第2の相補的回折パターンの測定値と第1の相補的回折パターンの補間からの対応する補間値との間の残差を計算することを含む、前項のいずれかに記載の方法。
5.残差を最小化するステップが反復的に実行される、前項のいずれかに記載の方法。
6.前記細かいアライメント段階を実行する前に、粗いアライメント段階を実行することを含む、前項のいずれかに記載の方法。
7.粗いアライメント段階は、一組の相補的回折パターンのそれぞれの配向軸の決定を含む、項6に記載の方法。
8.前記配向軸の決定は、主成分分析を使用して実行される、項7に記載の方法。
9.粗いアライメント段階は、第1の相補的回折パターンおよび第2の相補的回折パターンを位置合わせする回転および/または平行移動ステップをさらに含む、項6、7、または8に記載の方法。
10.第1の相補的回折パターンまたは第2の相補的回折パターンの一方が最初に検出された回折パターンの鏡像反転回折パターン(mirrored diffraction pattern)となるように、前記計測プロセスから検出された回折パターンを鏡像反転する初期ステップを含む、項9に記載の方法。
11.1つ以上の位置合わせされた測定値の組の比較により、リソグラフィプロセスによって形成された前記構造の対象のパラメータの値を決定することを含み、各位置合わせされた測定値の組は、第1の相補的回折パターンの前記測定値の1つおよび第2の相補的回折パターンの前記測定値の1つを含む、項9または10に記載の方法。
12.前記対象のパラメータは、オーバーレイ、焦点または線量の1つを含む、項11に記載の方法。
13.一組の相補的回折パターンは、前記計測プロセスにおける前記構造による測定放射の回折に続いて検出された回折パターンと、検出された回折パターンの正規化のための基準回折パターンとを含む、項1から12のいずれかに記載の方法。
14..第1の相補的回折パターンおよび第2の相補的回折パターンの前記測定値がそれぞれ強度値を含む、前項のいずれかに記載の方法。
15.第1の相補的回折パターンおよび第2の相補的回折パターンがそれぞれ、前記計測プロセスにおける前記構造による測定放射の回折に続いて相補的な高い回折次数から得られる、前項のいずれかに記載の方法。
16.リソグラフィプロセスで基板上に形成された構造の対象のパラメータを測定する方法であって、
測定放射で構造を照明することと、
構造による測定放射の回折に続いて相補的な一組の回折次数を検出し、第1の相補的回折パターンおよび第2の相補的回折パターンを含む一組の相補的回折パターンを得ることと、
項1から15のいずれかの方法を実行することにより、一組の相補的な回折パターンを位置合わせすることと、
1つ以上の位置合わせされた測定値の組の比較により対象のパラメータの値を決定し、測定値の各組は第1の相補的回折パターンの前記測定値の1つと第2の相補的回折パターンの前記測定値の1つを含む、方法。
17.前記対象のパラメータは、オーバーレイ、焦点または線量の1つを含む、請求項16に記載の方法。
18。測定放射は、1〜50nmの波長範囲の放射を含む、項16または17に記載の方法。
19.測定放射は、異なる波長の放射を含む、項16、17または18に記載の方法。
20.計測装置であって、
基板の支持体であって、前記基板はリソグラフィプロセスを使用してその上に形成された構造を有する支持体と、
前記構造を測定放射で照明するための光学システムと、
構造によって散乱された測定放射を検出するための検出器と、
項1から15のいずれかの方法を実行するように、および/または項16から19のいずれかの方法を実行するために当該計測装置を制御するように構成されたプロセッサと、
を備える計測装置。
21.測定放射は、1〜50nmの波長範囲の放射を含む、項20に記載の計測装置。
22.測定放射は、異なる波長の放射を含む、項20または21に記載の計測装置。
23.項1から項19のいずれかの方法を実施するコンピュータによって実行されるときの命令が記録された非一時的なコンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラム製品。
Claims (15)
- 第1の相補的回折パターンおよび第2の相補的回折パターンを含む一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法であって、前記一組の相補的回折パターンは、リソグラフィプロセスによって形成された構造への計測プロセスの実行から得られ、
当該方法は、前記一組の相補的回折パターンを位置合わせするために少なくとも細かいアライメント段階を実行することを含み、
前記細かいアライメント段階は、
検出器領域の少なくとも一部にわたって前記第1の相補的回折パターンの測定値を補間することと、
前記第2の相補的回折パターンの平行移動および回転の一方または両方によって、前記第2の相補的回折パターンの測定値と前記第1の相補的回折パターンの補間からの対応する補間値との間の残差を最小化することと、を含む方法。 - 前記細かいアライメント段階は、前記一組の相補的回折パターンをサブピクセル精度内に位置合わせする、請求項1に記載の方法。
- .非線形ソルバーを使用して前記残差を最小化することを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記残差を最小化するステップは、前記第2の相補的回折パターンの測定値と前記第1の相補的回折パターンの補間からの対応する補間値との間の残差を計算することを含む、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記残差を最小化するステップが反復的に実行される、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記細かいアライメント段階を実行する前に、粗いアライメント段階を実行することを含む、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- 前記粗いアライメント段階は、前記一組の相補的回折パターンのそれぞれの配向軸の決定を含む、請求項6に記載の方法。
- 前記粗いアライメント段階は、前記第1の相補的回折パターンおよび前記第2の相補的回折パターンを位置合わせする回転および/または平行移動ステップをさらに含む、請求項6または7に記載の方法。
- 前記第1の相補的回折パターンまたは前記第2の相補的回折パターンの一方が最初に検出された回折パターンの鏡像反転回折パターンとなるように、前記計測プロセスから検出された回折パターンを鏡像反転する初期ステップを含む、請求項8に記載の方法。
- 1つ以上の位置合わせされた測定値の組の比較により、リソグラフィプロセスによって形成された前記構造の対象のパラメータの値を決定することを含み、各位置合わせされた測定値の組は、前記第1の相補的回折パターンの前記測定値の1つおよび前記第2の相補的回折パターンの前記測定値の1つを含む、請求項8または9に記載の方法。
- 前記一組の相補的回折パターンは、前記計測プロセスにおける前記構造による測定放射の回折に続いて検出された回折パターンと、前記検出された回折パターンの正規化のための基準回折パターンとを含む、請求項1から10のいずれかに記載の方法。
- .前記第1の相補的回折パターンおよび前記第2の相補的回折パターンの前記測定値がそれぞれ強度値を含む、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の相補的回折パターンおよび前記第2の相補的回折パターンがそれぞれ、前記計測プロセスにおける前記構造による測定放射の回折に続いて相補的な高い回折次数から得られる、請求項1から12のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィプロセスで基板上に形成された構造の対象のパラメータを測定する方法であって、
測定放射で前記構造を照明することと、
前記構造による測定放射の回折に続いて相補的な一組の回折次数を検出し、第1の相補的回折パターンおよび第2の相補的回折パターンを含む一組の相補的回折パターンを得ることと、
請求項1から13のいずれかに記載の方法を実行することにより、前記一組の相補的な回折パターンを位置合わせすることと、
1つ以上の位置合わせされた測定値の組の比較により前記対象のパラメータの値を決定し、測定値の各組は前記第1の相補的回折パターンの前記測定値の1つと前記第2の相補的回折パターンの前記測定値の1つを含む、方法。 - 計測装置であって、
基板の支持体であって、前記基板はリソグラフィプロセスを使用してその上に形成された構造を有する支持体と、
前記構造を測定放射で照明するための光学システムと、
前記構造によって散乱された測定放射を検出するための検出器と、
請求項1から13のいずれかに記載の方法を実行するように、および/または請求項14に記載の方法を実行するために当該計測装置を制御するように構成されたプロセッサと、
を備える計測装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17190810.6A EP3457211A1 (en) | 2017-09-13 | 2017-09-13 | A method of aligning a pair of complementary diffraction patterns and associated metrology method and apparatus |
EP17190810.6 | 2017-09-13 | ||
PCT/EP2018/071128 WO2019052741A1 (en) | 2017-09-13 | 2018-08-03 | METHOD FOR ALIGNING A PAIR OF COMPLEMENTARY DIFFRACTION PATTERNS AND ASSOCIATED METROLOGY METHOD AND APPARATUS |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020533643A true JP2020533643A (ja) | 2020-11-19 |
JP6967146B2 JP6967146B2 (ja) | 2021-11-17 |
Family
ID=59858631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020515022A Active JP6967146B2 (ja) | 2017-09-13 | 2018-08-03 | 一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法および関連する測定方法および装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10401739B2 (ja) |
EP (1) | EP3457211A1 (ja) |
JP (1) | JP6967146B2 (ja) |
KR (1) | KR102397270B1 (ja) |
CN (1) | CN111095114B (ja) |
TW (1) | TWI689791B (ja) |
WO (1) | WO2019052741A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3113104B1 (en) * | 2015-06-30 | 2018-02-21 | Softkinetic Software | Method for signal processing |
WO2020126248A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatus for metrology |
WO2021008929A1 (en) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications |
EP3786712A1 (en) * | 2019-08-28 | 2021-03-03 | ASML Netherlands B.V. | Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013502592A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル、およびメトロロジターゲットを備える基板 |
JP2016528549A (ja) * | 2013-08-07 | 2016-09-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法および装置、リソグラフィシステムならびにデバイス製造方法 |
US20170082536A1 (en) * | 2015-08-12 | 2017-03-23 | Industrial Technology Research Institute | Scattering measurement system and method |
JP2018509609A (ja) * | 2015-03-25 | 2018-04-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法、メトロロジ装置、及びデバイス製造装置 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US5296891A (en) | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
US6947135B2 (en) * | 2002-07-01 | 2005-09-20 | Therma-Wave, Inc. | Reduced multicubic database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7791724B2 (en) | 2006-06-13 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Characterization of transmission losses in an optical system |
US7701577B2 (en) | 2007-02-21 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
IL194839A0 (en) | 2007-10-25 | 2009-08-03 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
NL1036123A1 (nl) | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036684A1 (nl) | 2008-03-20 | 2009-09-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL1036685A1 (nl) | 2008-03-24 | 2009-09-25 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL1036734A1 (nl) | 2008-04-09 | 2009-10-12 | Asml Netherlands Bv | A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
WO2009156225A1 (en) | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Overlay measurement apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus |
JP2010025809A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Shimadzu Corp | モアレ縞測定装置 |
KR101295203B1 (ko) | 2008-10-06 | 2013-08-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 2차원 타겟을 이용한 리소그래피 포커스 및 조사량 측정 |
KR101461457B1 (ko) | 2009-07-31 | 2014-11-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 |
NL2006229A (en) | 2010-03-18 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and associated computer readable product. |
NL2006700A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, computer program products for implementing such methods & apparatus. |
CN103003754B (zh) | 2010-07-19 | 2015-03-11 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定重叠误差的方法和设备 |
WO2012022584A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
US9140998B2 (en) * | 2010-11-12 | 2015-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
EP2515168B1 (en) * | 2011-03-23 | 2021-01-20 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for calculating electromagnetic scattering properties of a structure and for reconstruction of approximate structures |
NL2009004A (en) | 2011-07-20 | 2013-01-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and lithographic apparatus. |
NL2009508A (en) * | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
KR101761735B1 (ko) * | 2012-03-27 | 2017-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
NL2010717A (en) | 2012-05-21 | 2013-11-25 | Asml Netherlands Bv | Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property. |
JP5992110B2 (ja) * | 2012-11-05 | 2016-09-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ミクロ構造の非対称性を測定する方法および装置、位置測定方法、位置測定装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
WO2016083076A1 (en) | 2014-11-26 | 2016-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, computer product and system |
CN107771271B (zh) | 2015-04-21 | 2020-11-06 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、计算机程序及光刻系统 |
KR102259091B1 (ko) | 2016-11-10 | 2021-06-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스택 차이를 이용한 설계 및 교정 |
EP3333632A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus |
-
2017
- 2017-09-13 EP EP17190810.6A patent/EP3457211A1/en not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-08-03 CN CN201880059407.8A patent/CN111095114B/zh active Active
- 2018-08-03 JP JP2020515022A patent/JP6967146B2/ja active Active
- 2018-08-03 WO PCT/EP2018/071128 patent/WO2019052741A1/en active Application Filing
- 2018-08-03 KR KR1020207007379A patent/KR102397270B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-07 TW TW107131403A patent/TWI689791B/zh active
- 2018-09-07 US US16/124,492 patent/US10401739B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013502592A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル、およびメトロロジターゲットを備える基板 |
JP2016528549A (ja) * | 2013-08-07 | 2016-09-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法および装置、リソグラフィシステムならびにデバイス製造方法 |
JP2018509609A (ja) * | 2015-03-25 | 2018-04-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法、メトロロジ装置、及びデバイス製造装置 |
US20170082536A1 (en) * | 2015-08-12 | 2017-03-23 | Industrial Technology Research Institute | Scattering measurement system and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190079410A1 (en) | 2019-03-14 |
JP6967146B2 (ja) | 2021-11-17 |
KR102397270B1 (ko) | 2022-05-13 |
US10401739B2 (en) | 2019-09-03 |
EP3457211A1 (en) | 2019-03-20 |
TW201921150A (zh) | 2019-06-01 |
TWI689791B (zh) | 2020-04-01 |
CN111095114B (zh) | 2022-04-22 |
KR20200037858A (ko) | 2020-04-09 |
WO2019052741A1 (en) | 2019-03-21 |
CN111095114A (zh) | 2020-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI679398B (zh) | 度量衡方法、目標及基板 | |
JP7124071B2 (ja) | 基板上の1つ又は複数の構造の特性を決定するためのメトロロジシステムおよび方法 | |
US10527953B2 (en) | Metrology recipe selection | |
KR101994385B1 (ko) | 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 | |
JP6312834B2 (ja) | メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 | |
JP5389235B2 (ja) | オーバーレイエラーを判定するための方法及び装置 | |
US11709436B2 (en) | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate | |
TW201945855A (zh) | 度量衡裝置及用於判定基板上之一或多個結構之特性之方法 | |
JP6967146B2 (ja) | 一組の相補的回折パターンを位置合わせする方法および関連する測定方法および装置 | |
TW201716883A (zh) | 檢查方法、微影裝置、光罩及基板 | |
JP6975324B2 (ja) | 構造を測定するメトロロジ装置、リソグラフィシステム、及び方法 | |
EP3531191A1 (en) | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate | |
CN105452963A (zh) | 用于评价结构的所感兴趣的参数的值的重构品质的方法和检验设备以及计算机程序产品 | |
JP2017538155A (ja) | パターニングデバイストポグラフィ誘起位相を使用するための方法及び装置 | |
TW202125113A (zh) | 用於過濾影像的方法及相關度量衡設備 | |
EP3605230A1 (en) | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate | |
JP6979529B2 (ja) | リソグラフィプロセスにおける計測 | |
KR20220103159A (ko) | 측정 레시피를 결정하기 위한 방법 및 연관된 장치들 | |
TWI823593B (zh) | 用於測量基板上的至少一個目標的方法及相關聯設備和基板 | |
KR20240070563A (ko) | 기판 상의 적어도 하나의 타겟을 측정하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211019 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6967146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |