JP6346296B2 - メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2014年2月3日に出願のヨーロッパ特許出願第14153611号の利益を請求し、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
[0046] 図4は、既知の実践により基板上に形成された複合格子ターゲットを描写している。複合ターゲットは、すべてがメトロロジー装置の照明ビームによって形成された測定スポット31内に入るように接近して一緒に位置決めされた4つの個別格子32〜35を含む。従って、この4つのターゲットはすべて同時に照明され、センサ19及び23上に同時に結像される。オーバーレイ測定に専用の例では、格子32〜35はそれ自体が、基板W上に形成された半導体デバイスの異なる層にパターン付与された複数の格子をオーバーレイすることによって形成された複合格子である。格子32〜35は、複合格子の種々の部分が形成される層同士の間のオーバーレイの測定を容易にするために異なるバイアスがかけられたオーバーレイオフセットを有する可能性がある。また、格子32〜35は、入射する放射をX方向及びY方向に回折するために、図示の通り、その方向が異なる可能性がある。一例では、格子32及び34は、それぞれ+d、−dのバイアスを有するX方向格子である。これは、格子32では、上に重なるコンポーネントのどちらもそれぞれの名目位置に正確にプリントされた場合にそのコンポーネントの一方が距離dだけもう一方に対してオフセットされるように、上に重なるコンポーネントが配置されることを意味する。格子34では、完全にプリントされた場合に第1の格子とは反対方向にdというオフセットになるように、そのコンポーネントが配置される。格子33及び35は、それぞれオフセット+d及び−dを有するY方向格子である。4つの格子が示されているが、他の実施形態では所望の正確さを得るためにより大きいマトリクスを必要とする可能性がある。例えば、9個の複合格子からなる3×3のアレイは、−4d、−3d、−2d、−d、0、+d、+2d、+3d、+4dというバイアスを有することができる。センサ23によって捕捉された像では、これらの格子の別々の像を識別することができる。
− 信号内の振動は平均化されずにフィットするので、信号推定は正確なROI位置とは無関係である。
− ノイズフィルタリング技術はランダムノイズ成分のみに適用され、コンビネーションフィット関数によってフィットする系統的なノイズ成分には適用されない。
− エッジを記述するパラメータは、脱焦など、測定の事情に関する情報をもたらし、取得時の焦点の制御を可能にすることができる。
− フーリエフィルタリングによるターゲット像内の隣接する構造への光の漏れ(光学クロストーク)は、隣接するROIへのコンビネーションフィット関数のテーリングによって考慮に入れることができ、従って、例えば、オーバーレイについて、より正確なパラメータ推定が得られる。
[0070] 本発明の第1の実施形態による方法について、この方法の選択されたステップを描写するフローチャートである図6に関連して説明する。
1.c0:格子からの回折効率に関する尺度(関心のあるパラメータ)
2.cx1、cx2、cy1、cy2:エッジ効果並びに格子の中心における振動を記述するもの
3.cx、cy、x0、y0:上述のパラメータによる結果曲線からの小さい偏差に関する調整パラメータ
[0091] 次に、本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、コンビネーションフィット関数に関するものを除き、第1の実施形態と同じである。簡潔にするために、共通の特徴に関する説明は以下では省略する。
[0096] 次に、本発明の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、コンビネーションフィット関数に関するものを除き、第1の実施形態と同じである。簡潔にするために、共通の特徴に関する説明は以下では省略する。
[00100] 第4の実施形態では、フィット関数は、外乱を控除して清浄な強度信号を残すことによって像を補正するために使用される。その場合、強度値は、任意の適切な方法、例えば、平均化により、清浄な強度信号から導出される。第4の実施形態は、上記のコンビネーションフィット関数のいずれかを使用できるが、第1のコンビネーションフィット関数、式(2)に関連して説明する。浮動係数c0、cx1、cx2などの値を見つけると、外乱項、即ち、エッジ効果項(jinc)及び系統的ノイズ項(正弦)と、任意選択で窓関数から合成外乱関数が構築される。次に、この合成外乱関数は、清浄な強度信号を生成するために、測定したピクセル像データから控除される。
[00101] 本明細書に開示されている技術は、小さいメトロロジーターゲットの使用により、
オーバーレイ及びその他の測定の優れた正確さ及び反復性を達成できるようにするものである。特定の実現例で実現可能な特定の恩恵としては以下のものを含む。
− ノイズフィルタリングのために開発されたアルゴリズムを使用して正しく扱うことができるランダムノイズ信号成分を主に残し、信号における系統性を除去することによる、例えば、オーバーレイの再現性の改善
− 位置決めの不正確さの影響を低減することによる、例えば、オーバーレイの再現性の改善
− ROIベースの信号推定内の少数のピクセルと比較して、「平均」強度の決定のために格子全体の上により多くのピクセルを含めることによる、例えば、オーバーレイの再現性の改善
− 測定した半導体ウェーハ上で変動する暗視野像のより安定した認識を可能にする、限られた数のフィットパラメータを含む物理学ベースのフィット機能性を使用することによる、暗視野格子像のパターン認識の改善
− 視野上のセンサ関連照明又は検出光変動は、これらの効果(例えば、色彩けられ効果)の補正のために、望ましい場合に追加のパラメータ(例えば、像内の追加の傾斜)として含めることができる。
− 例えば、ターゲット取得中の脱焦など、エッジ効果を記述するjincの大きさ及び符号による、測定の事情を示す追加のパラメータ。これは、正確さ及び再現性の改善をもたらす取得のための正しい焦点レベルに使用することもできる。
− 本発明は、オーバーレイ、焦点、CD、線量、非対称など、小さい格子が測定される多様な暗視野メトロロジー技術に適用可能である。
− これは、特に、例えば、jinc関数と組み合わされた窓関数のテーリングが隣接する構造へのクロストークを考慮に入れる第1及び第2の実施形態について、隣接する格子間の光の漏れのクロストーク低減により、より正確なパラメータ推定の可能性を開くものである。
− フィット関数を使用し、メトロロジー用のスペースを節約するか又はダミーエリアを犠牲にして格子エリアを伸ばすことにより再現性を改善して、ROI又はパターン認識が改善される場合、ターゲットの周りでより少ないダミーパターンエリアが必要である。フィット関数手法は、それについてパターン認識が実行され、非常に分かり易いエッジ効果を有するように最適化されたターゲット設計にも同様に有益である可能性がある。
Claims (15)
- 基板上にリソグラフィプロセスによって形成された複数のコンポーネント格子を含むターゲット構造を使用して前記リソグラフィプロセスの特性を測定する方法であって、
所定の照明条件下で前記ターゲット構造によって回折された放射の所定の一部分を選択する結像システムを使用して前記ターゲット構造の像を形成するステップと、
前記ターゲット構造の前記像を測定するステップと、
前記測定した像内の1つ以上の関心領域を識別するステップであって、前記1つ以上の関心領域が前記ターゲット構造の前記複数のコンポーネント格子のそれぞれのエッジを除く部分からの光を選択するように画定されている、ステップと、
前記1つ以上の関心領域のピクセル値を使用してコンビネーションフィット関数の少なくとも1つの係数の値を決定するステップと、を含み、
前記係数の前記値が、前記リソグラフィプロセスの前記特性を示す、方法。 - 前記コンビネーションフィット関数が、前記結像システムの結像効果を現す結像項を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記コンビネーションフィット関数が、外乱を表す周期関数を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記コンビネーションフィット関数が、前記ターゲット構造の理想的な像を表すターゲット項を含み、
前記係数が、前記ターゲット項の係数である、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。 - 前記コンビネーションフィット関数が、窓関数を含む、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの係数の値を決定することが、非線形最適化アルゴリズムを使用して実行される、請求項1から5の何れか一項に記載の方法。
- 基板上にリソグラフィプロセスによって形成された複数のコンポーネント格子を含むターゲット構造を使用して前記リソグラフィプロセスの特性を測定するための検査装置であって、
前記ターゲット構造がそこに形成されている前記基板のためのサポートと、
所定の照明条件下で前記ターゲット構造を照明する照明システムと、
前記照明条件下で前記ターゲット構造によって回折された放射の所定の一部分を使用して前記ターゲット構造の像を形成する結像システムと、
前記像を測定する測定システムと、
前記検出した像内の1つ以上の関心領域を識別し、前記1つ以上の関心領域のピクセル値を使用してコンビネーションフィット関数の少なくとも1つの係数の値を決定するプロセッサであって、前記1つ以上の関心領域が前記ターゲット構造の前記複数のコンポーネント格子のそれぞれのエッジを除く部分からの光を選択するように画定されている、プロセッサと、を含み、
前記係数の前記値が、前記特性を示す、装置。 - 前記コンビネーションフィット関数が、前記結像システムの結像効果を現す結像項を含む、請求項7に記載の装置。
- 前記コンビネーションフィット関数が、外乱を表す周期関数を含む、請求項7又は8に記載の装置。
- 前記コンビネーションフィット関数が、前記ターゲット構造の理想的な像を表すターゲット項を含み、
前記係数が、前記ターゲット項の係数である、請求項7から9の何れか一項に記載の装置。 - 前記コンビネーションフィット関数が、窓関数を更に含む、請求項7から10の何れか一項に記載の装置。
- 少なくとも1つの係数の値を決定することが、非線形最適化アルゴリズムを使用して実行される、請求項7から11の何れか一項に記載の装置。
- 基板上にリソグラフィプロセスによって形成された複数のコンポーネント格子を含むターゲット構造の測定した像を使用して前記リソグラフィプロセスの特性を測定する方法のステップをプロセッサに実行させるための機械可読命令を含むコンピュータプログラムであって、
前記ターゲット構造の前記像が、所定の照明条件下で前記ターゲット構造によって回折された放射の所定の一部分を選択する結像システムを使用して得られ、
前記命令が、
前記測定した像内の1つ以上の関心領域を識別することであって、前記1つ以上の関心領域が前記ターゲット構造の前記複数のコンポーネント格子のそれぞれのエッジを除く部分からの光を選択するように画定されている、前記1つ以上の関心領域を識別することと、
前記1つ以上の関心領域のピクセル値を使用してコンビネーションフィット関数の少なくとも1つの係数の値を決定することと、
を前記プロセッサに実行させ、
前記係数の前記値が、前記特性を示す、コンピュータプログラム。 - パターンを照明する照明光学システムと、基板上に前記パターンの像を投影する投影光学システムと、請求項7から12の何れか一項に記載の検査装置と、を有するリソグラフィ装置を備え、
前記リソグラフィ装置が、前記パターンを他の基板に適用する際に前記検査装置からの測定結果を使用する、
リソグラフィシステム。 - リソグラフィプロセスを使用してデバイスパターンが一連の基板に適用されるデバイスを製造する方法であって、
請求項1から6の何れか一項に記載の方法を使用して前記基板の少なくとも1つに前記デバイスパターンの一部として又は前記デバイスパターンのそばに形成された少なくとも1つの複合ターゲット構造を測定することと、
前記測定の結果に応じてその後の基板について前記リソグラフィプロセスを制御するこ
とと、
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14153611.0 | 2014-02-03 | ||
EP14153611 | 2014-02-03 | ||
PCT/EP2014/079443 WO2015113724A1 (en) | 2014-02-03 | 2014-12-30 | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017506741A JP2017506741A (ja) | 2017-03-09 |
JP6346296B2 true JP6346296B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=50028941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016549489A Active JP6346296B2 (ja) | 2014-02-03 | 2014-12-30 | メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10162271B2 (ja) |
JP (1) | JP6346296B2 (ja) |
KR (2) | KR102221751B1 (ja) |
CN (1) | CN106164775B (ja) |
IL (1) | IL246965B (ja) |
NL (1) | NL2014071A (ja) |
TW (2) | TWI578113B (ja) |
WO (1) | WO2015113724A1 (ja) |
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CN107148597B (zh) | 2014-08-29 | 2020-05-01 | Asml荷兰有限公司 | 度量方法、目标和衬底 |
KR102512180B1 (ko) | 2015-04-28 | 2023-03-20 | 케이엘에이 코포레이션 | 계산 효율적인 x 선 기반의 오버레이 측정 |
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JP5729560B2 (ja) | 2011-08-30 | 2015-06-03 | Nok株式会社 | 回転変動吸収ダンパプーリ |
KR101761735B1 (ko) | 2012-03-27 | 2017-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
NL2010458A (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background. |
JP6077647B2 (ja) * | 2012-05-29 | 2017-02-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
WO2015113724A1 (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
-
2014
- 2014-12-30 WO PCT/EP2014/079443 patent/WO2015113724A1/en active Application Filing
- 2014-12-30 JP JP2016549489A patent/JP6346296B2/ja active Active
- 2014-12-30 KR KR1020187025892A patent/KR102221751B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-30 CN CN201480077541.2A patent/CN106164775B/zh active Active
- 2014-12-30 NL NL2014071A patent/NL2014071A/en unknown
- 2014-12-30 US US15/115,229 patent/US10162271B2/en active Active
- 2014-12-30 KR KR1020167024348A patent/KR101898598B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-01-12 TW TW104100989A patent/TWI578113B/zh active
- 2015-01-12 TW TW105143216A patent/TWI582548B/zh active
-
2016
- 2016-07-26 IL IL246965A patent/IL246965B/en active IP Right Grant
-
2018
- 2018-11-09 US US16/185,062 patent/US10739687B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-10 US US16/988,766 patent/US11526085B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017506741A (ja) | 2017-03-09 |
TW201531817A (zh) | 2015-08-16 |
US20200379359A1 (en) | 2020-12-03 |
US10162271B2 (en) | 2018-12-25 |
WO2015113724A1 (en) | 2015-08-06 |
KR101898598B1 (ko) | 2018-09-13 |
NL2014071A (en) | 2015-08-06 |
US10739687B2 (en) | 2020-08-11 |
TWI582548B (zh) | 2017-05-11 |
TWI578113B (zh) | 2017-04-11 |
US20190094712A1 (en) | 2019-03-28 |
IL246965A0 (en) | 2016-09-29 |
CN106164775A (zh) | 2016-11-23 |
TW201712444A (zh) | 2017-04-01 |
US11526085B2 (en) | 2022-12-13 |
KR20180102225A (ko) | 2018-09-14 |
CN106164775B (zh) | 2019-07-19 |
US20160334715A1 (en) | 2016-11-17 |
KR102221751B1 (ko) | 2021-03-03 |
KR20160115982A (ko) | 2016-10-06 |
IL246965B (en) | 2020-07-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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