JP2020533609A - リソグラフィプロセスにおける計測 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 242
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 88
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 claims description 70
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 63
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 28
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 23
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 14
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 230000001179 pupillary effect Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001918 dark-field optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4788—Diffraction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
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Abstract
Description
本出願は、2017年9月11日に出願された欧州出願17190401.4および2017年9月27日に出願された欧州出願17193415.1の優先権を主張し、それらの全体が参照により本書に組み込まれる。
本発明は、リソグラフィプロセスのパラメータを推定する方法および装置に関し、特にこのような推定の質を決定することに関する。具体的な構成において、パラメータはオーバレイであってもよい。
−プログラマブルミラーアレイ。このようなミラーアレイのより多くの情報は、米国特許第5,296,891および5,523,193号に与えられており、本書に参照により組み込まれる。
−プログラマブルLCDアレイ。このような構成の例は、米国特許第5,229,872号に与えられており、本書に参照により組み込まれる。
・OV=0の符号の点線は、オーバレイがゼロであることを示す直線であり、−1の傾きを有する。
・OV→∞の符号の点線は、+1の傾きを有する直線であり、オーバレイが無限に近づくことを示す。
・OV<0の符号の実線は、−1より小さい傾きを有する直線であり、オーバレイがゼロより小さいことを示す。
・OV>0の符号の実線は、−1より大きい傾きを有する直線であり、オーバレイがゼロより大きいことを示す。
さらなる実施の形態は、以下の番号が付された項に記載される。
(項1)テストされる基板上でなされたリソグラフィプロセスのパラメータを推定する装置であって、前記推定は、一以上の波長で光学システムにより射出され、前記テストされる基板の少なくとも第1フィーチャによって回折された放射を用いて決定された非対称性強度データの回帰分析により決定された回帰分析データに基づいており、前記装置は、
前記テストされる基板の前記少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度に基づいて、かつ、前記テストされる基板の代わりとなる少なくとも一つの別基板の複数の対応する少なくとも第1フィーチャについて決定される関係性であって、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの推定値の質の尺度と、前記対応する第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性にさらに基づいて、前記テストされる基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質を決定するように構成されるプロセッサを備えることを特徴とする装置。
(項2)前記推定は、前記光学システムにより複数の波長で射出される放射に基づくことを特徴とする項1に記載の装置。
(項3)前記射出される放射は、前記第1フィーチャおよび第2フィーチャにより回折され、前記第1フィーチャは、正のオーバレイバイアスを有し、前記第2フィーチャは、負のオーバレイバイアスを有することを特徴とする項1または2に記載の装置。
(項4)前記関係性は、前記少なくとも一つの別基板上の複数の対応する第1および第2フィーチャのペアについて決定されることを特徴とする項3に記載の装置。
(項5)前記フィーチャ非対称性の尺度は、前記回帰分析データの切片項を備えることを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項6)前記少なくとも一つの別基板についての前記パラメータの前記推定値の質の尺度は、前記少なくとも一つの別基板についての対応する回帰分析データの適合度を備えることを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項7)前記別基板についての前記対応する回帰分析は、前記光学システムにより射出される前記一以上の波長よりも多い数の波長で射出され、前記少なくとも一つの別基板の前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャから回折される放射を用いて決定されることを特徴とする項6に記載の装置。
(項8)前記プロセッサは、前記テストされる基板の前記少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度の大きさが、少なくとも一つの別基板の前記対応する少なくとも第1フィーチャについて決定される前記関係性に基づく閾値を超える場合、前記テストされる基板上の前記パラメータの推定値を無視するようさらに構成されることを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項9)前記少なくとも第1フィーチャは、計測ターゲットの部分を形成することを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項10)前記光学システムは、400nmから900nm、0.1nmから100nmおよび/または10nmから20nmの範囲内の波長で放射を射出するよう構成されることを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項11)前記プロセッサは、前記光学システムにより三以上の波長で射出され、前記別基板の前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャから回折される放射に基づいて、
前記別基板に関連する前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャについて別基板非対称性強度データを決定し、
前記決定された別基板非対称性強度データに基づいて、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記別基板に関連する前記フィーチャ非対称性の尺度とを決定し、
前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度との間の前記関係性を決定する、ようにさらに構成されることを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項12)前記プロセッサは、前記別基板非対称性強度データを回帰分析することにより、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの推定値の質の尺度を決定するようにさらに構成されることを特徴とする項11に記載の装置。
(項13)前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの推定値の質の尺度は、前記回帰分析の適合度を備えることを特徴とする項12に記載の装置。
(項14)前記プロセッサは、前記決定された別基板非対称性強度データに基づいて前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度を決定するようにさらに構成されることを特徴とする項11から13のいずれかに記載の装置。
(項15)前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度は、前記回帰分析の切片項を備えることを特徴とする項14に記載の装置。
(項16)前記光学システムおよび前記回折された放射を検出するセンサのうちの一以上をさらに備えることを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項17)前記リソグラフィプロセスの前記パラメータは、オーバレイを備えることを特徴とする上記いずれかの項に記載の装置。
(項18)リソグラフィプロセスのパラメータの推定値の質の尺度と、少なくとも一つのサンプル基板の複数の少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を、一以上の波長で光学システムにより射出され、前記サンプル基板の前記複数の少なくとも一つのフィーチャから回折された放射に基づいて決定する装置であって、前記装置は、
前記回折された放射に基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記複数の少なくとも第1フィーチャについて非対称性強度データを決定し、
前記決定された非対称性強度データに基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、別基板に関連するフィーチャ非対称性の尺度とを決定し、
前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記複数の少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を決定する、ように構成されるプロセッサを備えることを特徴とする装置。
(項19)上記いずれかの項に記載の装置を備えることを特徴とする検査装置。
(項20)前記検査装置は、計測装置であることを特徴とする項19に記載の検査装置。
(項21)項1から18のいずれかに記載の装置を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
(項22)項1から20のいずれかに記載の装置を備えることを特徴とするリソグラフィセル。
(項23)テストされる基板上でなされたリソグラフィプロセスのパラメータを推定する方法であって、前記推定は、光学システムにより一以上の波長で射出され、前記テストされる基板の少なくとも第1フィーチャによって回折された放射を用いて決定された非対称性強度データの回帰分析により決定された回帰分析データに基づいており、前記方法は、
前記テストされる基板の前記少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度に基づいて、かつ、前記テストされる基板の代わりとなる少なくとも一つの別基板の複数の対応する少なくとも第1フィーチャについて決定される関係性であって、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの推定値の質の尺度と、前記対応する第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性にさらに基づいて、前記テストされる基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質を決定することを備えることを特徴とする方法。
(項24)前記推定は、前記光学システムにより複数の波長で射出された放射に基づくことを特徴とする項23に記載の方法。
(項25)前記射出された放射は、前記第1フィーチャおよび第2フィーチャにより回折され、前記第1フィーチャは、正のオーバレイバイアスを有し、前記第2フィーチャは、負のオーバレイバイアスを有することを特徴とする項23または24に記載の方法。
(項26)前記関係性は、前記少なくとも一つの別基板上の複数の対応する第1および第2フィーチャのペアについて決定されることを特徴とする項25に記載の方法。
(項27)前記フィーチャ非対称性の尺度は、前記回帰分析データの切片項を備えることを特徴とする項23から26のいずれかに記載の方法。
(項28)前記少なくとも一つの別基板についての前記パラメータの前記推定値の質の尺度は、前記少なくとも一つの別基板についての対応する回帰分析データの適合度を備えることを特徴とする項23から27のいずれかに記載の方法。
(項29)前記別基板についての前記対応する回帰分析は、前記光学システムにより射出される前記一以上の波長よりも多い数の波長で射出され、前記少なくとも一つの別基板の前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャから回折された放射を用いて決定されることを特徴とする項28に記載の方法。
(項30)前記テストされる基板の前記少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度の大きさが、少なくとも一つの別基板の前記対応する少なくとも第1フィーチャについて決定される前記関係性に基づく閾値を超える場合、前記テストされる基板上の前記パラメータの前記推定値を無視することをさらに備えることを特徴とする項23から29のいずれかに記載の方法。
(項31)前記少なくとも第1フィーチャは、計測ターゲットの部分を形成することを特徴とする項23から30のいずれかに記載の方法。
(項32)前記光学システムは、400nmから900nm、0.1nmから100nmおよび/または10nmから20nmの範囲内の波長で放射を射出するよう構成されることを特徴とする項23から31のいずれかに記載の方法。
(項33)前記光学システムにより三以上の波長で射出され、前記別基板の前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャから回折される波長に基づいて、
前記別基板に関連する前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャについて別基板非対称性強度データを決定することと、
前記決定された別基板非対称性強度データに基づいて、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記別基板に関連する前記フィーチャ非対称性の尺度とを決定することと、
前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を決定することと、をさらに備えることを特徴とする項23から32のいずれかに記載の方法。
(項34)前記別基板非対称性強度データを回帰分析することにより、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度を決定することをさらに備えることを特徴とする項33に記載の方法。
(項35)前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度は、前記回帰分析の適合度を備えることを特徴とする項34に記載の方法。
(項36)前記決定された別基板非対称性強度データに基づいて、前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度を決定することをさらに備えることを特徴とする項33から35のいずれかに記載の方法。
(項37)前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度は、前記回帰分析の切片項を備えることを特徴とする項36に記載の方法。
(項38)前記リソグラフィプロセスの前記パラメータは、オーバレイを備えることを特徴とする項23から37のいずれかに記載の方法。
(項39)リソグラフィプロセスのパラメータの推定値の質の尺度と、少なくとも一つのサンプル基板の複数の少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を、光学システムにより一以上の波長で射出され、前記サンプル基板の前記複数の少なくとも第1フィーチャから回折される放射に基づいて決定する方法であって、前記方法は、
前記回折された放射に基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記複数の少なくとも第1フィーチャについて非対称性強度データを決定することと、
前記決定された非対称性強度データに基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記別基板に関連するフィーチャ非対称性の尺度とを決定することと、
前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記複数の少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を決定することと、を備えることを特徴とする方法。
(項40)少なくとも一つのプロセッサで実行される際、前記少なくとも一つのプロセッサに装置を制御させて項23から39のいずれかに記載の方法を実行させる指令を備えることを特徴とするコンピュータプログラム。
(項41)項40に記載のコンピュータプログラムを格納する担体であって、電気信号、光信号、無線信号または不揮発性のコンピュータ可読記憶媒体のうちの一つであることを特徴とする担体。
Claims (15)
- テストされる基板上でなされたリソグラフィプロセスのパラメータを推定する装置であって、前記推定は、二以上の波長で光学システムにより射出され、前記テストされる基板の少なくとも第1フィーチャによって回折された放射を用いて決定された非対称性強度データの回帰分析により決定された回帰分析データに基づいており、前記装置は、
前記テストされる基板の前記少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度に基づいて、かつ、前記テストされる基板の代わりとなる少なくとも一つの別基板の複数の対応する少なくとも第1フィーチャについて決定される関係性であって、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの推定値の質の尺度と、前記対応する第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性にさらに基づいて、前記テストされる基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質を決定するように構成されるプロセッサを備えることを特徴とする装置。 - 前記射出される放射は、前記第1フィーチャおよび第2フィーチャにより回折され、前記第1フィーチャは、正のオーバレイバイアスを有し、前記第2フィーチャは、負のオーバレイバイアスを有し、選択的に、前記関係性は、前記少なくとも一つの別基板上の対応する第1および第2フィーチャの複数のペアについて決定されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記フィーチャ非対称性の尺度は、前記回帰分析データの切片項を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
- 前記少なくとも一つの別基板についての前記パラメータの前記推定値の質の尺度は、前記少なくとも一つの別基板についての対応する回帰分析データの適合度を備え、選択的に、前記別基板についての前記対応する回帰分析は、前記光学システムにより射出される一以上の波長よりも多い数の波長で射出され、前記少なくとも一つの別基板の前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャから回折される放射を用いて決定されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記プロセッサは、前記テストされる基板の前記少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度の大きさが、少なくとも一つの別基板の対応する少なくとも第1フィーチャについて決定される前記関係性に基づく閾値を超える場合、前記テストされる基板上の前記パラメータの前記推定値を無視するようさらに構成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記少なくとも第1フィーチャは、計測ターゲットの部分を形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記プロセッサは、前記光学システムにより三以上の波長で射出され、前記別基板の前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャから回折される放射に基づいて、
前記別基板に関連する前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャについて別基板非対称性強度データを決定し、
前記決定された別基板非対称性強度データに基づいて、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記別基板に関連する前記フィーチャ非対称性の尺度とを決定し、
前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記複数の対応する少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を決定する、ようにさらに構成されることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。 - 前記プロセッサは、前記別基板非対称性強度データを回帰分析することにより、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度を決定するようにさらに構成されることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度は、前記回帰分析の適合度を備えることを特徴とする請求項8に記載の装置。
- リソグラフィプロセスのパラメータの推定値の質の尺度と、少なくとも一つのサンプル基板の複数の少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を、二以上の波長で光学システムにより射出され、前記サンプル基板の前記複数の少なくとも一つのフィーチャから回折された放射に基づいて決定する装置であって、前記装置は、
前記回折された放射に基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記複数の少なくとも第1フィーチャについて非対称性強度データを決定し、
前記決定された非対称性強度データに基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、別基板に関連するフィーチャ非対称性の尺度とを決定し、
前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記複数の少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を決定する、ように構成されるプロセッサを備えることを特徴とする装置。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の装置を備えることを特徴とする検査装置。
- 請求項1から11のいずれか一項に記載の装置を備えることを特徴とするリソグラフィセル。
- テストされる基板上でなされたリソグラフィプロセスのパラメータを推定する方法であって、前記推定は、光学システムにより二以上の波長で射出され、前記テストされる基板の少なくとも第1フィーチャによって回折された放射を用いて決定された非対称性強度データの回帰分析により決定された回帰分析データに基づいており、前記方法は、
前記テストされる基板の前記少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度に基づいて、かつ、前記テストされる基板の代わりとなる少なくとも一つの別基板の複数の対応する少なくとも第1フィーチャについて決定される関係性であって、前記少なくとも一つの別基板に関連する前記パラメータの推定値の質の尺度と、前記対応する第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性にさらに基づいて、前記テストされる基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質を決定することを備えることを特徴とする方法。 - リソグラフィプロセスのパラメータの推定値の質の尺度と、少なくとも一つのサンプル基板の複数の少なくとも第1フィーチャにおけるフィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を、光学システムにより二以上の波長で射出され、前記サンプル基板の前記複数の少なくとも第1フィーチャから回折される放射に基づいて決定する方法であって、前記方法は、
前記回折された放射に基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記複数の少なくとも第1フィーチャについて非対称性強度データを決定することと、
前記決定された非対称性強度データに基づいて、前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、別基板に関連するフィーチャ非対称性の尺度とを決定することと、
前記少なくとも一つのサンプル基板に関連する前記パラメータの前記推定値の質の尺度と、前記複数の少なくとも第1フィーチャにおける前記フィーチャ非対称性の尺度との間の関係性を決定することと、を備えることを特徴とする方法。 - 少なくとも一つのプロセッサで実行される際、前記少なくとも一つのプロセッサに装置を制御させて請求項13または14に記載の方法を実行させる指令を備えることを特徴とするコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17190401.4 | 2017-09-11 | ||
EP17190401 | 2017-09-11 | ||
EP17193415.1 | 2017-09-27 | ||
EP17193415.1A EP3462239A1 (en) | 2017-09-27 | 2017-09-27 | Metrology in lithographic processes |
PCT/EP2018/071069 WO2019048145A1 (en) | 2017-09-11 | 2018-08-02 | METROLOGY IN LITHOGRAPHIC PROCESSES |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020533609A true JP2020533609A (ja) | 2020-11-19 |
JP6979529B2 JP6979529B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=63165342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020535293A Active JP6979529B2 (ja) | 2017-09-11 | 2018-08-02 | リソグラフィプロセスにおける計測 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10656533B2 (ja) |
JP (1) | JP6979529B2 (ja) |
KR (1) | KR102390687B1 (ja) |
CN (1) | CN111095112B (ja) |
IL (1) | IL273145B2 (ja) |
TW (1) | TWI703409B (ja) |
WO (1) | WO2019048145A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL299124A (en) * | 2020-07-09 | 2023-02-01 | Asml Holding Nv | Metrology method and instruments and computer program |
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TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US7791724B2 (en) | 2006-06-13 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Characterization of transmission losses in an optical system |
US7701577B2 (en) | 2007-02-21 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
SG152187A1 (en) | 2007-10-25 | 2009-05-29 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
NL1036123A1 (nl) | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL1036684A1 (nl) | 2008-03-20 | 2009-09-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL1036685A1 (nl) | 2008-03-24 | 2009-09-25 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL1036734A1 (nl) | 2008-04-09 | 2009-10-12 | Asml Netherlands Bv | A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL2002883A1 (nl) | 2008-06-26 | 2009-12-29 | Asml Netherlands Bv | Overlay measurement apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus. |
US8891061B2 (en) | 2008-10-06 | 2014-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic focus and dose measurement using a 2-D target |
KR101429629B1 (ko) | 2009-07-31 | 2014-08-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 |
WO2011023517A1 (en) | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
NL2006229A (en) | 2010-03-18 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and associated computer readable product. |
WO2012022584A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
JP5661194B2 (ja) | 2010-11-12 | 2015-01-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
NL2009004A (en) | 2011-07-20 | 2013-01-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and lithographic apparatus. |
NL2010717A (en) | 2012-05-21 | 2013-11-25 | Asml Netherlands Bv | Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property. |
US9329033B2 (en) | 2012-09-05 | 2016-05-03 | Kla-Tencor Corporation | Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy |
KR102269514B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2021-06-25 | 케이엘에이 코포레이션 | 랜드스케이프의 분석 및 활용 |
CN107111250B (zh) | 2014-11-26 | 2019-10-11 | Asml荷兰有限公司 | 度量方法、计算机产品和系统 |
KR102162234B1 (ko) | 2015-06-17 | 2020-10-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 레시피간 일치도에 기초한 레시피 선택 |
-
2018
- 2018-08-02 IL IL273145A patent/IL273145B2/en unknown
- 2018-08-02 KR KR1020207007005A patent/KR102390687B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-02 JP JP2020535293A patent/JP6979529B2/ja active Active
- 2018-08-02 CN CN201880058496.4A patent/CN111095112B/zh active Active
- 2018-08-02 WO PCT/EP2018/071069 patent/WO2019048145A1/en active Application Filing
- 2018-08-21 US US16/106,322 patent/US10656533B2/en active Active
- 2018-09-07 TW TW107131489A patent/TWI703409B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017072861A (ja) * | 2012-07-05 | 2017-04-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィのためのメトロロジ |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111095112B (zh) | 2022-05-13 |
WO2019048145A1 (en) | 2019-03-14 |
CN111095112A (zh) | 2020-05-01 |
JP6979529B2 (ja) | 2021-12-15 |
IL273145A (en) | 2020-04-30 |
KR20200035307A (ko) | 2020-04-02 |
US10656533B2 (en) | 2020-05-19 |
US20190079413A1 (en) | 2019-03-14 |
IL273145B2 (en) | 2024-03-01 |
KR102390687B1 (ko) | 2022-04-26 |
TW201921152A (zh) | 2019-06-01 |
IL273145B1 (en) | 2023-11-01 |
TWI703409B (zh) | 2020-09-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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