JP2015534267A - 位置ずれ対象の不正確性を概算および補正するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、Eran Amitらによって「METHOD FOR ESTIMATING AND CORRECTING MISREGISTRATION TARGET INACCURACY」という名称で2012年9月5日に出願された所有者共通の同時係属の米国仮特許出願第61/696,963号の優先権の利益を主張するものであり、その開示全体が参照により本明細書に援用される。
Claims (17)
- 計測機器を較正するのに適した一以上の比例定数を生成するためのプログラム命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、
コンピュータシステムの一以上のプロセッサによる前記プログラム命令の実行によって、前記一以上のプロセッサに、
基板全体に分散する複数の測定位置の各測定位置における複数の計測測定信号を取得する工程であって、各測定位置において取得された前記複数の測定信号の各々が、複数の異なる測定条件の1つにおける前記測定位置を測定する計測機器によって生成される、工程と、
各測定信号に関する測定された計測値および一以上の品質メリットを決定する工程と、
前記測定された計測値および前記品質メリットを利用して、前記複数の異なる測定条件の1つに各々が対応する比例定数を決定する工程と、
後の計測測定値を生成するときに、後の対象の測定に使用される前記測定条件に対応する前記比例定数を使用するように前記計測機器を較正する工程とを実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記測定条件の各々に対応する前記比例定数を比較して、測定条件のどの組み合わせが最適化された測定レシピを生成するかを決定することと、
前記計測機器に、後の計測測定において前記最適化された測定レシピの利用を命令することと、をさらに含む、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記最適化された測定レシピにより、前記計測測定値の不正確性の量が最小化される、請求項2に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記複数の測定条件が様々なカラーフィルタである、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記複数の測定条件が様々な焦点位置である、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記複数の測定条件が様々な光偏光である、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記複数の測定条件が様々な対象タイプである、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 各測定位置が互いに近接して位置する複数の対象タイプを含む、請求項7に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記計測機器がオーバーレイ機器である、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記測定された計測値がオーバーレイ測定である、請求項9に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記計測機器が限界寸法計測機器である、請求項1に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記測定された計測値がスキャトロメトリによって生成される値である、請求項11に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記測定された計測値が偏光解析法によって生成される値である、請求項11に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記測定された計測値がCD−SEMによって生成される値である、請求項11に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- プロセッサと、
前記プロセッサに連結されたメモリと、
前記プロセッサによって実行するための、メモリに含まれる一以上の命令と、を備える、ネットワーク上で動作するように構成された計測機器であって、前記命令が、前記計測機器の較正に適した一以上の比例定数を生成するように構成されており、方法が、
基板全体に分散する測定位置の各測定位置における複数の計測測定信号を取得することであって、各測定位置において取得された前記複数の測定信号の各々が、複数の異なる測定条件の1つにおける前記測定位置を測定する計測機器によって生成されることと、
各測定信号に関する測定された計測値および一以上の品質メリットを決定することと、
前記測定された計測値および前記品質メリットを利用して、前記複数の異なる測定条件の1つに各々が対応する比例定数を決定することと、
後の計測測定値を生成するときに、後の対象の測定に使用される前記測定条件に対応する前記比例定数を使用するように前記計測機器を較正することと、を含む、計測機器。 - 計測機器によって比例定数を対象欠陥に関連させるためのプログラム命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、コンピュータシステムの一以上のプロセッサによる前記プログラム命令の実行によって、前記一以上のプロセッサに、
既知の欠陥を有する対象から計測信号を取得する工程であって、前記計測機器が、第一の測定条件を使用して第一の既知の比例定数を用いて前記計測信号を生成する、工程と、
前記計測信号についての一以上の品質メリットを計算する工程と、
前記一以上の品質メリットと比例定数との組み合わせと、前記既知の欠陥とを関連させる工程と、
関連性を欠陥データベースに保存する工程と、を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 計測機器によって対象欠陥タイプを検出するためのプログラム命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、コンピュータシステムの一以上のプロセッサによる前記プログラム命令の実行によって、前記一以上のプロセッサに、
測定レシピに従い基板上の一以上の対象を測定することによって一以上の測定信号を生成する工程であって、前記測定レシピ内の少なくとも1つの測定条件が既知の比例定数を有する、工程と、
前記一以上の測定信号の各々についての一以上の品質メリットを生成する工程と、
前記既知の比例定数と前記一以上の品質メリットとの組み合わせと、欠陥データベース内の対象欠陥に関連する、一組の保存された比例定数と品質メリットとの組み合わせとを比較する工程と、を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
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Publications (3)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019512166A (ja) * | 2016-02-24 | 2019-05-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 光学的計測における精度改良 |
JP2020505607A (ja) * | 2017-01-30 | 2020-02-20 | ケーエルエー コーポレイション | 分光組成分析のためのウェハ粒子欠陥の活性化 |
JP2021505973A (ja) * | 2017-12-04 | 2021-02-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パターニングプロセスについての情報を決定する方法、測定データにおける誤差を低減する方法、メトロロジプロセスを較正する方法、メトロロジターゲットを選択する方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014194095A1 (en) | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Combined imaging and scatterometry metrology |
WO2015031337A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Kla-Tencor Corporation | Removing process-variation-related inaccuracies from scatterometry measurements |
WO2016037003A1 (en) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | Kla-Tencor Corporation | Optimizing the utilization of metrology tools |
CN107078074B (zh) * | 2014-11-25 | 2021-05-25 | 科磊股份有限公司 | 分析及利用景观 |
KR102665579B1 (ko) | 2015-05-19 | 2024-05-10 | 케이엘에이 코포레이션 | 오버레이 측정을 위한 지형 위상 제어 |
CN113376975A (zh) | 2015-12-23 | 2021-09-10 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品 |
US10372114B2 (en) * | 2016-10-21 | 2019-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Quantifying and reducing total measurement uncertainty |
US10527952B2 (en) * | 2016-10-25 | 2020-01-07 | Kla-Tencor Corporation | Fault discrimination and calibration of scatterometry overlay targets |
US10191112B2 (en) | 2016-11-18 | 2019-01-29 | Globalfoundries Inc. | Early development of a database of fail signatures for systematic defects in integrated circuit (IC) chips |
KR102351345B1 (ko) * | 2017-02-28 | 2022-01-13 | 케이엘에이 코포레이션 | 오버레이 계측 데이터에 대한 확률적 행위의 영향 결정 |
EP3435162A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-30 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus and computer program |
US10401738B2 (en) * | 2017-08-02 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Overlay metrology using multiple parameter configurations |
CN111095112B (zh) * | 2017-09-11 | 2022-05-13 | Asml荷兰有限公司 | 光刻过程中的量测 |
US10533848B2 (en) | 2018-03-05 | 2020-01-14 | Kla-Tencor Corporation | Metrology and control of overlay and edge placement errors |
US10622238B2 (en) | 2018-06-07 | 2020-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Overlay measurement using phase and amplitude modeling |
CN113544830A (zh) * | 2019-03-08 | 2021-10-22 | 科磊股份有限公司 | 偏移测量的动态改善 |
US11551980B2 (en) * | 2019-03-08 | 2023-01-10 | Kla-Tencor Corporation | Dynamic amelioration of misregistration measurement |
CN110796107A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-02-14 | 南京北旨智能科技有限公司 | 电力巡检图像缺陷识别方法和系统、电力巡检无人机 |
US11487929B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-11-01 | Kla Corporation | Target design process for overlay targets intended for multi-signal measurements |
US20220020649A1 (en) * | 2020-06-25 | 2022-01-20 | Kla Corporation | Wavelet System and Method for Ameliorating Misregistration and Asymmetry of Semiconductor Devices |
US11454894B2 (en) * | 2020-09-14 | 2022-09-27 | Kla Corporation | Systems and methods for scatterometric single-wavelength measurement of misregistration and amelioration thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128186A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査システム |
US20110134419A1 (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Inspection Method and Apparatus, and Corresponding Lithographic Apparatus |
JP2011192769A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体デバイス製造方法、及び製造システム |
JP2013520795A (ja) * | 2010-02-18 | 2013-06-06 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高性能な補間と共に最適化されたサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能を与える方法及びシステム |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0298118A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハアライメント方法 |
JP2000353647A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | マスクとウエハの倍率補正量検出方法及び位置合わせ装置 |
US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US6737208B1 (en) * | 2001-12-17 | 2004-05-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling photolithography overlay registration incorporating feedforward overlay information |
US7225047B2 (en) * | 2002-03-19 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Method, system and medium for controlling semiconductor wafer processes using critical dimension measurements |
US6948254B2 (en) * | 2003-10-27 | 2005-09-27 | Micronic Laser Systems Ab | Method for calibration of a metrology stage |
US6948149B2 (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-20 | Infineon Technologies, Ag | Method of determining the overlay accuracy of multiple patterns formed on a semiconductor wafer |
US7065737B2 (en) * | 2004-03-01 | 2006-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc | Multi-layer overlay measurement and correction technique for IC manufacturing |
US7684011B2 (en) | 2007-03-02 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Calibration method for a lithographic apparatus |
CN100559283C (zh) * | 2007-12-28 | 2009-11-11 | 上海微电子装备有限公司 | 测量方镜非正交性角度和缩放比例因子校正值的方法 |
US8214771B2 (en) * | 2009-01-08 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corporation | Scatterometry metrology target design optimization |
US8484382B2 (en) * | 2009-03-11 | 2013-07-09 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for merging peer-to-peer overlay networks |
NL2005719A (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-21 | Asml Netherlands Bv | Method of measuring properties of dynamic positioning errors in a lithographic apparatus, data processing apparatus, and computer program product. |
NL2006322A (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus and associated method and monitoring and control system. |
KR101943593B1 (ko) | 2011-04-06 | 2019-01-30 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 공정 제어를 개선하기 위한 품질 메트릭 제공 방법 및 시스템 |
-
2013
- 2013-03-15 US US13/834,915 patent/US9329033B2/en active Active
- 2013-09-05 TW TW102132061A patent/TWI591342B/zh active
- 2013-09-05 JP JP2015531193A patent/JP6215330B2/ja active Active
- 2013-09-05 WO PCT/US2013/058254 patent/WO2014039674A1/en active Application Filing
- 2013-09-05 KR KR1020157007740A patent/KR102000746B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-05 CN CN201380054535.0A patent/CN104736962B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128186A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査システム |
US20110134419A1 (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Inspection Method and Apparatus, and Corresponding Lithographic Apparatus |
JP2013520795A (ja) * | 2010-02-18 | 2013-06-06 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高性能な補間と共に最適化されたサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能を与える方法及びシステム |
JP2011192769A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体デバイス製造方法、及び製造システム |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019512166A (ja) * | 2016-02-24 | 2019-05-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 光学的計測における精度改良 |
JP2022019770A (ja) * | 2016-02-24 | 2022-01-27 | ケーエルエー コーポレイション | 光学的計測ツールを備える装置及び方法 |
JP7319342B2 (ja) | 2016-02-24 | 2023-08-01 | ケーエルエー コーポレイション | 装置、方法及びプログラム |
US11862522B2 (en) | 2016-02-24 | 2024-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Accuracy improvements in optical metrology |
JP2020505607A (ja) * | 2017-01-30 | 2020-02-20 | ケーエルエー コーポレイション | 分光組成分析のためのウェハ粒子欠陥の活性化 |
JP2021505973A (ja) * | 2017-12-04 | 2021-02-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パターニングプロセスについての情報を決定する方法、測定データにおける誤差を低減する方法、メトロロジプロセスを較正する方法、メトロロジターゲットを選択する方法 |
US11604419B2 (en) | 2017-12-04 | 2023-03-14 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6215330B2 (ja) | 2017-10-18 |
KR20150052128A (ko) | 2015-05-13 |
US20140060148A1 (en) | 2014-03-06 |
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US9329033B2 (en) | 2016-05-03 |
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TW201418711A (zh) | 2014-05-16 |
CN104736962B (zh) | 2017-10-03 |
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