JP2008182114A - 露光余裕度の算出方法、露光評価装置及び露光評価用プログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】様々な形状、寸法の任意の露光パターンの露光余裕度を算出することが可能な露光余裕度の算出方法、露光評価装置、露光評価プログラムを提供する。
【解決手段】露光工程を経て半導体ウェーハW等の露光対象物上に形成された露光パターンの画像を、異なる露光量D毎に複数枚取得する。この露光パターンの画像を画像処理して、露光量D毎に露光パターンの外周長Lを算出する。この外周長Lと、設計パターンの外周長L0とを比較して両者の差である外周長差dLを露光量毎に算出し、更に露光余裕度Anを算出する。
【選択図】図1
【解決手段】露光工程を経て半導体ウェーハW等の露光対象物上に形成された露光パターンの画像を、異なる露光量D毎に複数枚取得する。この露光パターンの画像を画像処理して、露光量D毎に露光パターンの外周長Lを算出する。この外周長Lと、設計パターンの外周長L0とを比較して両者の差である外周長差dLを露光量毎に算出し、更に露光余裕度Anを算出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子線露光装置、光露光装置により形成された任意のパターンの露光余裕度を算出する方法、露光評価装置及び露光評価用プログラムに関するものである。
半導体デバイスや液晶デバイスの製造工程では、フォトマスクやCADデータとして形成された回路パターンを、縮小投影露光法又は電子線露光法等により、半導体ウェーハ、フォトマスク、液晶用ガラス基板等の上に塗布されたレジストにできるだけ忠実に転写する必要がある。
しかし、露光条件、光近接効果(Optical Proximity Effect)、ベーク・現像の条件、或いはレジスト材料のバラツキ等により、設計パターンと、実際に転写された露光パターンとの間には、多少の寸法及び形状の差が生じることは免れない。従って、生じ得る寸法等の変動量がどの程度であるのかを定量的に把握することが、半導体デバイスの歩留まりを低下させる上で、極めて重要となる。
従来、生じ得る寸法等の変動量を定量的に表す指標として、「露光余裕度」という数値が用いられている。露光余裕度Aは、露光量の変化に対するパターンの線幅の変化量を示す指標であり、一例として、露光量(ドーズ量)D、ラインアンドスペースパターンの線幅W、定数Bとの関係で、W=A・Ln(D)+Bと定義することができる。
この定義に従えば、露光余裕度Aが大きい場合、僅かな露光量Dの変動に対し、線幅Wが大きく変動する。この露光余裕度Aを把握しておくことにより、線幅Wを正確に管理することができる。露光余裕度の定義はメーカー毎に異なっており、上記以外の定義も存在するが(例えば、特許文献1参照)、基本的な意味合いは類似している。
しかし、露光余裕度Aは、ラインアンドスペースパターン、正方形および円状のホールパターン等の単純な露光パターンに対しては既存の手法で寸法測定が可能なので有効だが、実際に半導体ウェーハ、フォトマスク、及び液晶用のガラス基板等の露光対象物上に転写される様々な形状、寸法を有する任意の露光パターンの露光余裕度を既存の方法で求めることはできなかった。その理由は、実際に露光されるデバイスパターンに於いては形状が複雑であるため、露光余裕度を決定すべき寸法が一義的に決められない。そのため、従来のCDSEMによる寸法測定から、露光余裕度を求めることは出来なかった。つまり、実際のパターンの正確な露光余裕度の代わりに、単純で規則的なラインアンドスペースパターンで露光余裕度を見積もるしか方法がなかった。露光余裕度は、露光または描画面積率、パターン形状、寸法によって、その値は大きく変化するため、実際の露光パターンの露光余裕度を正確に見積もることが困難であった。
特開2004−79911号公報
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、様々な形状、寸法の任意のパターンでも露光余裕度を算出することが可能な露光余裕度の算出方法、露光評価装置、露光評価プログラムを提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る露光余裕度の算出方法は、露光工程を経て露光対象物上に形成された露光パターンの画像を、前記露光工程における異なる露光量毎に複数枚取得するステップと、前記露光パターンの画像を画像処理して、前記露光量毎に前記露光パターンの外周長を算出するステップと、前記外周長と、前記露光パターンの形成に用いた設計パターンの外周長とを比較して両者の差である外周長差を前記露光量毎に算出するステップと、前記露光量の変化に対する前記外周長差の変化に基づいて、露光余裕度を算出するステップとを備えたことを特徴とする。
また、本発明の別の一態様に係る露光評価装置は、露光工程における露光量を異ならせて露光対象物上に形成された複数通りの露光パターンの画像を取得して、その露光パターンの外周長を算出する外周長算出部と、前記外周長算出部で得られた外周長と、前記露光パターンの形成に用いた設計パターンの外周長とを比較して両者の差である外周長差を前記露光量毎に算出する外周長差算出部と、前記露光量の変化に対する前記外周長差の変化に基づいて露光余裕度を算出する露光余裕度算出部とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の更に別の一態様に係る露光評価プログラムは、露光工程を経て露光対象物上に形成された露光パターンの画像を、前記露光工程における異なる露光量毎に複数枚取得するステップと、前記露光パターンの画像を画像処理して、前記露光量毎に前記露光パターンの外周長を算出するステップと、前記外周長と、前記露光パターンの形成に用いた設計パターンの外周長とを比較して両者の差である外周長差を前記露光量毎に算出するステップと、前記露光量の変化に対する前記外周長差の変化に基づいて、露光余裕度を算出するステップとをコンピュータに実行させることが可能に構成されたことを特徴とする。
本発明によれば、様々な形状、寸法を有する任意の露光パターンの露光余裕度を管理することが可能な露光余裕度の算出方法、露光評価装置、露光評価プログラムを提供することが可能になる。
次に、本発明の実施の形態に係る露光余裕度の算出方法、露光評価装置及びプログラムを、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る露光評価装置としてのコンピュータ10の構成を示すブロック図である。このコンピュータ10は、一般的なパーソナルコンピュータに、画像処理ソフトウエア50を格納して構成され得る。すなわち、この実施の形態のコンピュータ10は、CPU11、画像メモリ12、RAM13、ROM14、ハードディスクドライブ15、インターフェース16、17、18、及び露光量制御部19を備えて構成される。露光量制御部19は、露光パターンの露光を行うための装置の一例としての電子ビーム描画装置40における露光量D(電子ビーム強度)を制御するためのものである。なお、露光量Dの制御は、電子ビーム描画装置40側の制御部(図示せず)で行わせるようにし、露光制御部19を省略することも可能である。ハードディスクドライブ15には、上述の画像処理ソフトウエア50が格納されている。
また、インターフェース16〜18は、それぞれ、出力部20、CDSEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)60、及びCADデータ格納部70との間でデータを送受信するためのものである。
出力部20は、画像処理ソフトウエア50により算出されたデータを外部に出力するもので、一般的なディスプレイ、プリンタ、プロッタなどである。
また、CDSEM60は、電子ビーム描画装置40により露光対象物としての半導体ウェーハW上に形成された露光パターンのSEM画像を撮影するためのものである。なお、露光対象物は半導体ウェーハに限らず、例えばフォトマスク、液晶用のガラス基板等も含む。
CADデータ格納部70は、露光すべき各種設計パターンのデータ(座標、輪郭の外周長等を含む)を格納したものである。
上述の画像処理ソフトウエア50は、図1に示すように、画像取込部51、外周長算出部52、外周長差算出部53、及び露光余裕度算出部54等の機能をコンピュータ10において実行させるように構成されている。
画像取込部51は、CDSEM60で撮影されたSEM画像を取り込んで、画像メモリ12に格納させる機能を有する。画像メモリ12に格納させる際、そのSEM画像に含まれる露光パターンを露光したときの露光量Dのデータも、この画像データと関連付けて画像メモリ12又はこれに連携されたメモリ(図示せず)に格納される。露光量Dのデータは、例えばSEM画像のファイル名に含めるようにしてもよいし、或いはSEM画像の画像データとは別のテキストデータとして、何らかの方法により関連付けられて格納することができる。
外周長算出部52は、画像メモリ12に格納されたSEM画像の画像データに含まれる露光パターンの外周長Lを、エッジ検出アルゴリズム、直線近似アルゴリズム等を含む画像処理機能に基づいて算出する機能を有する。
一例として、図2(a)に示すような逆L字状の露光パターン(実線)の外周長Lを算出する場合を考える。図2(a)において、点線は露光パターン(実線)の転写に用いた逆L字状の設計パターン(外周長L0)の外周を示している。設計パターンの寸法は、縦辺の横幅がW0、高さがH0、横辺の横幅がW1+W0、高さがH0であるとする。設計パターンと露光パターンとの間のズレは、全方向について均一に現れる。このずれ量をΔdとする。
このとき、露光パターンの外周長Lは、
[数1]
L=(W0+2Δd)+(H1+2Δd)+(W0+W1+2Δd)+(H0+2Δd)+W1+H1−H0
となり、この値が、外周長算出部52において、上記のような画像処理アルゴリズムを用いて算出される。
[数1]
L=(W0+2Δd)+(H1+2Δd)+(W0+W1+2Δd)+(H0+2Δd)+W1+H1−H0
となり、この値が、外周長算出部52において、上記のような画像処理アルゴリズムを用いて算出される。
外周長差算出部53は、外周長算出部52で得られた外周長Lと、この露光パターンに対応する設計データの外周長L0との差である外周長差dL(=L−L0)を算出する機能を有する。なお、外周長L0のデータは、CADデータ格納部70に格納されている。なお、CADデータ格納部70を備える代わりに、設計データの外周長L0のデータを図示しない入力部より入力することとしてもよい。
外周長差dLは、[数1]から明らかなように、dL=L−L0=8ΔLとなる。これは、露光パターンの形状、寸法等に関係なく同様である。
露光余裕度算出部54は、外周長差算出部53で得られた外周長差dLと、露光量Dとの関係を分析し、露光量Dの変化に対する外周長差dLの変化量に基づき、露光余裕度Anを算出する。即ち、この露光余裕度算出部54で算出される露光余裕度Anは、露光パターンの外周長差dLに基づいて算出されるものである。
外周長差dLは、露光パターンの形状、寸法に影響されないので、露光余裕度Anは、露光パターンの形状、寸法に関係なく、換言すれば様々な形状、寸法の露光パターンの評価に用いることができる。
従来の露光余裕度Acは、図2(b)に示すように、ラインアンドスペースパターン等のCDSEMで測長可能な単純なパターンを用い、露光量Dの変化に応じた線幅W0の変化2Δd(Δdは線幅W0の片側の誤差)を、次のように表現したものであった。
[数2]
W0+2Δd=A・Ln(D)+B
しかし、この従来の露光余裕度Acは、ラインアンドスペースパターンのような極単純なパターンに基づいて算出されるものであり、実際に半導体ウェーハ、フォトマスク、及び液晶用ガラス基板等の露光対象物に転写される様々な形状のパターンに対し普遍的に適用できるものではなかった。
W0+2Δd=A・Ln(D)+B
しかし、この従来の露光余裕度Acは、ラインアンドスペースパターンのような極単純なパターンに基づいて算出されるものであり、実際に半導体ウェーハ、フォトマスク、及び液晶用ガラス基板等の露光対象物に転写される様々な形状のパターンに対し普遍的に適用できるものではなかった。
これに対し、本実施の形態により算出される露光余裕度Anは、露光パターンの外周長に基づいて算出されるので、さまざまな形状、寸法を有する任意のパターンに適用可能である。
次に、本発明の実施の形態に係るコンピュータ10による露光余裕度の算出の実行手順を、図3のフローチャートを参照して説明する。
まず、露光制御部19から出力される制御信号に従い、電子ビーム描画装置40の露光量Dを複数段階に変化させ(D=D1、D2、D3・・・・Dn)、それぞれの露光量Diにつき同一の設計パターンの露光を行い、複数の露光パターンを半導体ウェーハW上に形成する(S11)。
次に、その半導体ウェーハWをCDSEM60に移動させ、露光量Dを異ならせて形成した複数の露光パターンのSEM画像を撮像する(S12)。
続いて、この複数の露光パターンのSEM画像の画像データP1、P2、・・・Pnが画像取込部51により画像メモリ12に取り込まれ、この複数の露光パターンの外周長Lが、外周長算出部52により算出される(S13)。取り込まれたSEM画像の画像データPiは、その画像に対応する露光パターンを露光したときの露光量Diのデータと関連付けられて格納される。
続いて、露光量D毎の外周長Lと、設計データの外周長L0との差である外周長差ΔLが、外周長差算出部53で算出される(S14)。更に、露光量Dの変化に対するこの外周長差ΔLの変化を、外周長差dLのデータ、及び画像データPiと対応付けられて格納されていた露光量Diのデータに基づいて計算し、これに基づいて露光余裕度Anを算出する(S15)。すなわち、図4に示すように露光量DがD1,D2、・・・Dnと複数段階に変化する場合において、外周長差dLが、dL1、dL2、・・・dLnと変化する場合、これをグラフにプロットして得られるグラフの傾きが、露光余裕度Anとして算出され、出力部20から出力される。 上記で得られた露光余裕度を用いれば、露光機の露光量のバラツキ量から実際に発生する線幅変動量を正確に推定することが可能である。その変動量が仕様値に比べ大きいと判明した場合は、露光余裕度を広くするように、レジストプロセス、エッチングプロセス、それらに使われる種々の材料を再検討し、プロセスを見直す必要が生じる。
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、置換、追加等が可能である。例えば、上記の実施の形態では、露光装置の一例として電子ビーム描画装置を例示したが、本発明は光露光装置にも適用することができる。すなわち、光露光装置における露光ビームの露光量を変えて複数の露光パターンを得て、それぞれの露光パターンの外周長を測定して露光余裕度を計算するようにしてもよい。
10・・・コンピュータ、 11・・・CPU、 12・・・画像メモリ、 13・・・RAM、 14・・・ROM、 15・・・ハードディスクドライブ、 16、17、18・・・インターフェース、 19・・・露光量制御部、 20・・・出力部、 40・・・電子ビーム描画装置、 50・・・画像処理ソフトウエア、 60・・・CDSEM、 70・・・CADデータ格納部。
Claims (4)
- 露光工程を経て露光対象物上に形成された露光パターンの画像を、前記露光工程における異なる露光量毎に複数枚取得するステップと、
前記露光パターンの画像を画像処理して、前記露光量毎に前記露光パターンの外周長を算出するステップと、
前記外周長と、前記露光パターンの形成に用いた設計パターンの外周長とを比較して両者の差である外周長差を前記露光量毎に算出するステップと、
前記露光量の変化に対する前記外周長差の変化に基づいて、露光余裕度を算出するステップと
を備えたことを特徴とする露光余裕度の算出方法。 - 露光工程における露光量を異ならせて露光対象物上に形成された複数通りの露光パターンの画像を取得して、その露光パターンの外周長を算出する外周長算出部と、
前記外周長算出部で得られた外周長と、前記露光パターンの形成に用いた設計パターンの外周長とを比較して両者の差である外周長差を前記露光量毎に算出する外周長差算出部と、
前記露光量の変化に対する前記外周長差の変化に基づいて露光余裕度を算出する露光余裕度算出部と
を備えたことを特徴とする露光評価装置。 - 前記複数通りの露光パターンの画像データを格納する画像メモリを備え、
前記画像メモリは、前記露光量のデータを、前記画像データと関連付けて格納することを特徴とする請求項2記載の露光評価装置。 - 露光工程を経て露光対象物上に形成された露光パターンの画像を、前記露光工程における異なる露光量毎に複数枚取得するステップと、
前記露光パターンの画像を画像処理して、前記露光量毎に前記露光パターンの外周長を算出するステップと、
前記外周長と、前記露光パターンの形成に用いた設計パターンの外周長とを比較して両者の差である外周長差を前記露光量毎に算出するステップと、
前記露光量の変化に対する前記外周長差の変化に基づいて、露光余裕度を算出するステップと
をコンピュータに実行させることが可能に構成されたことを特徴とする露光評価プログラム。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007015384A JP2008182114A (ja) | 2007-01-25 | 2007-01-25 | 露光余裕度の算出方法、露光評価装置及び露光評価用プログラム |
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WO2021206144A1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | Alitecs株式会社 | パターン測定装置、方法及びプログラム、並びに、パターン検査装置、方法及びプログラム |
-
2007
- 2007-01-25 JP JP2007015384A patent/JP2008182114A/ja not_active Withdrawn
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WO2021206144A1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | Alitecs株式会社 | パターン測定装置、方法及びプログラム、並びに、パターン検査装置、方法及びプログラム |
JP2021168355A (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-21 | Alitecs株式会社 | パターン測定装置、方法及びプログラム、並びに、パターン検査装置、方法及びプログラム |
JP7211627B2 (ja) | 2020-04-10 | 2023-01-24 | Alitecs株式会社 | パターン測定装置、方法及びプログラム、並びに、パターン検査装置、方法及びプログラム |
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