JP2014085123A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、被測定物の厚みを高精度に求めるのに有利な検出装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、被測定物の裏面に設けられたマークを検出する検出装置であって、被測定物を透過する光で被測定物の表面側からマークを照明し、照明されたマークの像を検出する第1検出系と、被測定物の表面位置を検出する第2検出系と、処理部と、を備え、処理部は、第1検出系により検出されたマークの像を参照して第1フォーカス位置を求め、かつ第2検出系により検出された表面位置を参照して第2フォーカス位置を求めることを特徴とする。
本発明によれば、例えば、被測定物の厚みを高精度に求めるのに有利な検出装置を提供することができる。
Claims (14)
- 被測定物の裏面に設けられたマークを検出する検出装置であって、
前記被測定物を透過する光で前記被測定物の表面側から前記マークを照明し、該照明されたマークの像を検出する第1検出系と、
前記被測定物の表面位置を検出する第2検出系と、
処理部と、を備え、
前記処理部は、前記第1検出系により検出された前記マークの像を参照して第1フォーカス位置を求め、かつ前記第2検出系により検出された前記表面位置を参照して第2フォーカス位置を求めることを特徴とする検出装置。 - 前記第1フォーカス位置と前記第2フォーカス位置との差分に基づいて、前記被測定物の厚みを求めることを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記厚みは、前記差分に前記被測定物の屈折率をかけることで求められる幾何学的厚みであることを特徴とする請求項2に記載の検出装置。
- 前記処理部は、前記被測定物の予め設定されている厚みを、前記被測定物の屈折率で割ることで取得したオフセット量に基づいて、前記マークの像のフォーカス状態を示す情報を求めることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記第1検出系は、赤外光で前記マークを照明することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記第2検出系は、前記被測定物に照明し、前記被測定物の表面で反射された紫外光を受光することで前記表面位置を検出することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記処理部は、前記被測定物の複数の位置にて取得された前記第1フォーカス位置と前記第2フォーカス位置とに基づいて、前記複数の位置での前記厚みを求め、
前記複数の厚みに基づいて、前記被測定物の3次元情報を求める、ことを特徴とする請求項2ないし6のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記被測定物を保持する保持部を備え、
前記処理部は、前記保持部または前記被測定物の少なくともいずれかの表面に設置されているマークを基準として、前記第1検出系が検出した前記マークの位置を参照して取得
したフォーカス位置と、前記第2検出系が検出した前記マークの位置を参照して取得したフォーカス位置とを合わせることで、フォーカスの計測値を補正する、
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記屈折率に関する情報は、前記処理部に予め入力されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の検出装置。
- 基板を露光する露光装置であって、
被測定物としての前記基板の裏面、または前記基板に塗布された被測定物としての感光剤の裏面に設けられたマークを検出する、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の検出装置を有することを特徴とする露光装置。 - 前記処理部が求める前記厚みに変動が生じた場合は、露光処理後の前記基板に薄化処理を実施する装置、または露光処理後の前記基板にエッチング処理を実施する装置の少なくともいずれかに前記厚みをフィードバックさせることを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- 被測定物を透過する光で前記被測定物の表面側から前記マークを照明し、該照明されたマークの像を検出する工程と、
前記被測定物の表面位置を計測する工程と、
検出された前記マークの像に基づいて第1フォーカス位置を取得し、かつ前記表面位置に基づいて第2フォーカス位置を取得する工程と、を有することを特徴とする検出方法。 - 前記第1フォーカス位置と前記第2フォーカス位置との差に基づいて前記被測定物の厚みを求める工程とを有することを特徴とする検出方法。
- 請求項10又は11に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光した基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012231653A JP6150490B2 (ja) | 2012-10-19 | 2012-10-19 | 検出装置、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
TW102136354A TWI534558B (zh) | 2012-10-19 | 2013-10-08 | 偵測裝置、曝光設備及使用其之裝置製造方法 |
US14/055,323 US9400436B2 (en) | 2012-10-19 | 2013-10-16 | Detection device, exposure apparatus, and device manufacturing method using same |
EP13004976.0A EP2722714A3 (en) | 2012-10-19 | 2013-10-17 | Detection device, exposure apparatus and device manufacturing method using such an exposure apparatus |
KR1020130124407A KR101672576B1 (ko) | 2012-10-19 | 2013-10-18 | 검출 디바이스, 노광 장치, 그리고 상기 검출 디바이스 및 노광 장치를 이용한 디바이스 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012231653A JP6150490B2 (ja) | 2012-10-19 | 2012-10-19 | 検出装置、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014085123A JP2014085123A (ja) | 2014-05-12 |
JP2014085123A5 true JP2014085123A5 (ja) | 2015-12-03 |
JP6150490B2 JP6150490B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=49385090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012231653A Active JP6150490B2 (ja) | 2012-10-19 | 2012-10-19 | 検出装置、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9400436B2 (ja) |
EP (1) | EP2722714A3 (ja) |
JP (1) | JP6150490B2 (ja) |
KR (1) | KR101672576B1 (ja) |
TW (1) | TWI534558B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI571710B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-02-21 | 力晶科技股份有限公司 | 曝光機台對準光源裝置內的模組作動監控方法及監控系統 |
JP6207671B1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-10-04 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法 |
CN106247958A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 测量设备及测量方法 |
WO2018041440A1 (en) | 2016-08-30 | 2018-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Position sensor, lithographic apparatus and method for manufacturing devices |
JP2019096757A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定器のずれ量を求める方法、及び、処理システムにおける搬送位置データを較正する方法 |
EP3667423B1 (en) * | 2018-11-30 | 2024-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, determination method, and method of manufacturing an article |
JP7129325B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2022-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送方法及び搬送システム |
JP7173891B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2022-11-16 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置、および物品製造方法 |
JP7446131B2 (ja) * | 2020-03-12 | 2024-03-08 | キヤノン株式会社 | 検出装置、露光装置および物品製造方法 |
TW202223555A (zh) * | 2020-08-17 | 2022-06-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 針對半導體製造利用絕對參考產生疊對結果的方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5406624B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
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-
2012
- 2012-10-19 JP JP2012231653A patent/JP6150490B2/ja active Active
-
2013
- 2013-10-08 TW TW102136354A patent/TWI534558B/zh active
- 2013-10-16 US US14/055,323 patent/US9400436B2/en active Active
- 2013-10-17 EP EP13004976.0A patent/EP2722714A3/en not_active Withdrawn
- 2013-10-18 KR KR1020130124407A patent/KR101672576B1/ko active IP Right Grant
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