JP2008199034A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. ＥＵＶ放射を含む放射線を調整する放射システムと、
   前記ＥＵＶ放射を含む放射ビームをパターン化し、パターン化された放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体と、
   基板を保持する基板支持体と、
   前記基板のターゲット部分上に前記ＥＵＶ放射を含むパターン化された放射ビームを投影する投影システムを有する露光ステーションと、
   前記パターニングデバイスの表面の高さマップを生成する目的で、前記表面に垂直な第一の方向で前記パターニングデバイスの前記表面上の複数の点の各々の位置を測定するセンサと、
   前記高さマップに基づいて、前記第一の方向に実質的に垂直な少なくとも一つの方向周りの前記パターニングデバイス支持体の傾きを制御するコントローラ
   とを有するリソグラフィー投影装置。
2. 前記パターニングデバイスは反射型パターニングデバイスである、請求項１に記載の装置。
3. 前記ＥＵＶ放射の波長は約９ｎｍから１６ｎｍの範囲である、請求項１に記載の装置。
4. 前記投影システムは反射性の光学素子を含む、請求項１に記載の装置。
5. さらに、前記高さマップを生成するセンサを備える測定ステーションを含む、請求項１に記載の装置。
6. 前記測定ステーションは、前記測定ステーションにおける前記パターニングデバイス支持体の位置を測定する第一の位置検出システムを備える、請求項５に記載の装置。
7. 前記露光ステーションは、前記露光ステーションにおける前記パターニングデバイス支持体の位置を測定する第二の位置検出システムを備える、請求項６に記載の装置。
8. 前記測定ステーションにおける前記センサは、前記パターニングデバイス上に配置された物理的参照面に対する前記高さマップを生成する、請求項５に記載の装置。
9. 前記傾きは、前記パターニングデバイスの不平面度の影響を軽減するために、前記コントローラによって調整されている、請求項５に記載の装置。
10. ＥＵＶ放射を含む放射ビームを調整することと、
    パターニングデバイスを用い、前記ＥＵＶ放射を含む放射ビームをパターン化してパターン化された放射ビームを生成し、前記パターニングデバイスはパターニングデバイス支持体によって支持されていることと、
    投影システムを用い、前記ＥＵＶ放射を含むパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影することと、
    前記パターニングデバイスの表面の高さマップを生成する目的で、前記表面に垂直な第一の方向で、前記パターニングデバイスの前記表面上の複数の点の各々の位置を測定することと、
    前記高さマップに基づいて、前記第一の方向に実質的に垂直な少なくとも一つの方向周りの前記パターニングデバイス支持体の傾きを制御すること
    とを含むデバイス製造方法。
11. 前記パターニングデバイスは反射型のパターニングデバイスである、請求項１０に記載の方法。
12. 前記ＥＵＶ放射の波長は約９ｎｍから１６ｎｍの範囲である、請求項１０に記載の方法。
13. 前記投影システムは反射性の光学素子を含む、請求項１０に記載の方法。
14. 前記傾きは、前記パターニングデバイスの不平面度の影響を軽減するために、前記コントローラによって調整されている、請求項１０に記載の方法。