CN105319867A - 控制紫外光的焦点的方法、控制器及其形成集成电路的装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及控制紫外光的焦点的方法、控制器及其形成集成电路的装置。提供用于控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点的方法及控制器，以及利用其形成集成电路的装置。在一具体实施例中，一种方法包括：提供有一阻剂膜设置于其上的一晶圆。通过用紫外光以一偏离法线的入射角照射一光刻掩膜来图案化该阻剂膜使其具有以第一间距形成的第一测试图案以及以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案。使用一测量设备，测量该等第一、第二测试图案的无远心性诱发偏移以产生相对偏移资料。该紫外光的焦点的调整基于比较该相对偏移资料与第一、第二测试图案的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性。

Description

控制紫外光的焦点的方法、控制器及其形成集成电路的装置

技术领域

本发明所属的技术领域大体涉及数种控制来自光刻成像系统的紫外(UV)光的焦点的方法，利用该方法形成集成电路的装置，以及经程式化成可控制紫外光的焦点的控制器。更特别的是，本发明涉及利用测试图案以调整来自光刻成像系统的紫外光的焦点的方法、装置及控制器。

背景技术

焦点控制为光刻技术的重要考量，以确保在半导体元件形成正确的图案。焦点控制大体涉及焦点监视以提供反馈供调整来自光刻成像系统的紫外光在半导体元件上的焦点。该光刻成像系统大体包括光源、集光器(collector，也习称聚光透镜系统)、光刻掩膜(lithographymask，也习称标线片，reticle)、及物镜(也习称成像或缩影透镜)。在涉及有极小刻度的受照图案的光刻技术中，例如极紫外线(EUV)光刻术，焦点控制通常具有挑战性。焦点控制主要受制于图案的关键尺寸和图案化期间所用的阻剂膜(resistfilm)的厚度，而且EUV光刻术的焦点控制及覆盖限度(overlaybudget)也大体相依。随着图案关键尺寸及层厚减少，焦点控制也必须变得更加精确及准确。另外，EUV光刻术大体涉及以偏离法线的入射角(off-normalincidenceangle)照射光刻掩膜。由于该偏离法线的入射角，来自光刻成像系统的紫外光的最佳焦点会随着印制图案的大小及间距和图案在曝光范围(exposurefield)内的位置而改变。因此，最佳焦点在曝光范围中可变。

习知的焦点监视技术大体利用称作散射量测(scatterometry)的度量技术，藉此侧壁角度在光阻剂图案内测量到的变化可相关于用来形成图案的紫外光的焦点。不过，习知散射量测技术对于光阻剂的厚度及薄膜性质有敏感性。特别是，随着光阻剂的层厚减少，散射量测的焦点监视变得比较没效，因为测量侧壁角度变得更加困难。

相移焦点监视为另一习知技术，其利用相位光栅结构(phasegratingstructure)以监视用来形成图案的光线的焦点。相位光栅结构为光罩，它大体包含方格中有方格的图案(box-in-boxpattern)，其包含一内嵌方格结构与一外嵌方格结构。利用相位光栅结构，紫外光的焦点的偏移在形成于光阻剂中的所得内、外方格图案中显现为相等及相反的偏移。不过，相移焦点监视对于EUV光刻术并未提供适当的敏感度而且难以实现，因为在制造时必须满足严格的要求。

因此，期望提供一种监视来自光刻成像系统的紫外光的焦点的改良方法，特别是光刻技术，例如EUV光刻术，其中，该改良方法提供适当的焦点变化敏感度以及该改良方法不依赖光阻剂在光刻期间的厚度。此外，由以下结合附图及背景技术的详细说明及权利要求书可明白本发明的其他合意特征及特性。

发明内容

提供用于控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点的方法及控制器，以及利用其形成集成电路的装置。在一具体实施例中，用于控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点的方法包括提供有一阻剂膜设置于其上的一晶圆(wafer)。该阻剂膜的图案化通过用紫外光以偏离法线(off-normal)入射角照射光刻掩膜，其中，具有以第一间距形成的第一测试图案以及以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案。使用一测量设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移(non-telecentricityinducedshift)以产生相对偏移资料。该紫外光的焦点的调整基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性。

在另一具体实施例中，用于形成集成电路的装置包括一光刻成像系统、一控制器、以及一测量设备。该光刻成像系统经配置成通过以一偏离法线的入射角照射一光刻掩膜可图案化一晶圆上的一阻剂膜。该控制器经程式化成可控制由该光刻成像系统产生的紫外光的焦点。该控制器用指令程式化成使用由该光刻成像系统产生的紫外光通过以该偏离法线的入射角照射该光刻掩膜而图案化在该晶圆上的该阻剂膜使其具有以第一间距形成的第一测试图案以及以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案，分析从测量该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移得到的相对偏移资料，以及基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的一预定相关性来调整该紫外光的焦点。该测量设备经配置成可测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移以产生该相对偏移资料。

在另一具体实施例中，控制器经程式化成可控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点。该控制器用指令程式化成使用由该光刻成像系统产生的该紫外光通过以偏离法线的入射角照射光刻掩膜可图案化晶圆上的阻剂膜使其具有以第一间距形成的第一测试图案与以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案，分析从测量该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移得到的相对偏移资料，以及基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性来调整该紫外光的焦点。

附图说明

将结合以下附图描述各种具体实施例，其中，类似元件用相同的元件符号表示，且其中：

图1根据一具体实施例图示用于形成集成电路的装置；

图2根据一具体实施例示意图示第一测试图案与第二测试图案；

图3的曲线图根据一具体实施例图示在以不同间距形成的两个不同测试图案内的图案偏移与焦点误差的相关性；

图4根据一替代具体实施例示意图示第一测试图案与第二测试图案；

图5根据另一替代具体实施例示意图示第一测试图案与第二测试图案；以及

图6根据另一替代具体实施例示意图示第一测试图案与第二测试图案。

符号说明

10装置12光源

14晶圆16紫外光

18光刻成像系统20光刻掩膜

22反射紫外光24光件

26基板28反射膜

30吸收剂膜32图案

34控制器36第一测试图案

38第二测试图案40测量设备

42第一测量值44第二测量值

136第一测试图案138第二测试图案

142测量值144测量值

146参考特征236第一测试图案

238第二测试图案242测量值

244测量值336第一测试图案

338第二测试图案342测量值

344参考图案346测量值

348第一区域350第二区域。

具体实施方式

以下的实施方式在本质上只是用来示范说明而不是用来限制本发明或本发明的应用及用途。此外，希望不受前面“背景技术”或以下“实施方式”论及的理论约束。

在此提供控制由光刻成像系统产生的紫外(UV)光的焦点的方法、利用该方法形成集成电路的装置、以及经程式化成可控制紫外光的焦点的控制器。监视该紫外光的焦点的方法特别适合用于涉及有极小刻度的受照图案的光刻技术，例如以偏离法线的入射角照射光刻掩膜的极紫外线(EUV)光刻术，以及该等方法提供适当的焦点变化敏感度而且并不依赖于光刻期间所用的光阻剂的厚度。特别是，无远心性在许多光刻技术中为影响印刷效能的已知现象，特别是以偏离法线的入射角照射光刻掩膜的光刻技术。无远心性现象是在紫外光由光刻掩膜的斜向照射引起以及来自光刻掩膜的不同垂直位置的离轴反射光而失焦时发生。无远心性现象导致晶圆上的图案化特征相对于彼等的目标尺寸有达数纳米的偏移及偏差。图案化特征中的偏移可称为无远心性诱发偏移。根据描述于本文的方法、装置及控制器，测量有不同间距的第一测试图案及第二测试图案的无远心性诱发偏移，以及此测量值用来比较第一测试图案与第二测试图案的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性。由于无远心性偏移随着有不同间距的印制图案而有所不同，第一测试图案与第二测试图案的无远心性诱发偏移差异可用来提供焦点误差的直接相关性。基于给定第一测试图案与第二测试图案的无远心性诱发偏移的预定相关性，可判定在集成电路制造期间形成在晶圆上的第一测试图案及第二测试图案的焦点误差，藉此允许既方便又准确地判定产品晶圆(productwafer)的焦点误差而与光阻剂厚度无关。

此时参考图1描述用于形成集成电路的装置10的示范具体实施例。装置10包括光刻成像系统18，其经配置成可用紫外光16以偏离法线的入射角照射光刻掩膜20来图案化晶圆14上的阻剂膜以产生反射紫外光22。在如图1所示的具体实施例中，光刻成像系统18包含光源12、光刻掩膜20、以及一或更多光件24(也就是，物镜)。尽管未图示，该光刻成像系统更可包含集光器。如用于本文的“偏离法线的入射角”意指紫外光16以非垂直角度定向到光刻掩膜20的表面。在数个具体实施例中，光刻成像系统18为极紫外线(EUV)光刻成像系统，但应了解到，可使用用紫外光16以偏离法线的入射角照射光刻掩膜20来图案化阻剂膜的任何光刻成像系统。在此具体实施例中，光刻掩膜20为EUV反射掩膜且包含基板26、反射膜28及吸收剂膜(absorbentfilm)30。

如图1所示，反射膜28设于基板26上方且可包含多层膜用以反射紫外光16。例如，在数个具体实施例中，反射膜28包含许多钼、硅交替层。在数个具体实施例中，基板26包含熔融硅石或具有低热膨胀系数及例如厚约1/4英寸的其他任何适当材料。也如图1所示，吸收剂膜30设于反射膜28上方且包含图案32。吸收剂膜30可包含本技术领域所习知的适当UV吸收材料。可被反射紫外光22光刻转印至晶圆14的图案32可通过选择性地去除部份吸收剂膜30以暴露反射膜28的对应部份而形成。在晶圆14的光刻加工期间，只有由紫外光16产生打到反射膜28的暴露部份的反射紫外光22是用光件24定向到晶圆14。

请参考图1，装置10进一步包括经程式化成可控制由光源12产生的紫外光16的焦点的控制器34。在多个具体实施例中，控制器34包含经指令程式化的处理器，所述指令可自动或者是在使用者输入输入时用以操作光刻成像系统18。除了其他机能以外，控制器34经指令程式化成能用由光刻成像系统18产生的紫外光16来图案化晶圆14上的阻剂膜。为了控制紫外光16的焦点，控制器34经指令程式化成能用以第一间距形成的第一测试图案36和以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案38来图案化阻剂膜。如用于本文的“间距”意指各个图案相邻两个特征中的同一点间的距离。如以下所详述的，有不同间距的第一测试图案36及第二测试图案38的无远心性诱发偏移可用来比较第一测试图案36与第二测试图案38的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性。以下详述第一测试图案36与第二测试图案38的不同配置。控制器34更经程式化成可分析从测量第一测试图案36与第二测试图案38的无远心性诱发偏移所得到的相对偏移资料。控制器34更经程式化成基于比较相对偏移资料和第一测试图案36与第二测试图案38的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性，而调整紫外光16的焦点。

装置10进一步包括测量设备40，其经配置成可测量第一测试图案36与第二测试图案38的无远心性诱发偏移以产生相对偏移资料。无远心性诱发偏移的测量涉及测量纳米级特征间的间隔，而合适的测量设备40包括能够做埃级(Angstromscale)测量者。合适的测量设备40的实施例包含但不限于选自以下各物者：扫瞄式电子显微镜设备、覆盖测量设备、或散射量测覆盖度量设备(scatterometryoverlaymetrologydevice)。应了解，熟谙此技术领域者应明白，第一测试图案36与第二测试图案38的某些配置对于某些测量设备40而言是可取的。

现在，将描述控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点的方法，例如图1中的装置10的光刻成像系统18。根据该示范方法，提供具有阻剂膜设于其上的晶圆14，这在通过光刻术图案化时为众所周知。不过，在多个具体实施例中，实行EUV光刻术以及阻剂膜有小于约60纳米的厚度。在有厚度如此小的阻剂膜下，散射量测的焦点误差测定无效，然而描述于本文的方法有效而与阻剂膜厚度无关。此外，在多个具体实施例中，晶圆14为要形成集成电路于其上的产品晶圆。在这点上，在集成电路制造期间，根据描述于本文的方法可控制紫外光16的焦点，不必利用专属测试晶圆。根据所述方法有可能使用产品晶圆，因为基于无远心性现象的图案偏移(patternshift)用来测定焦点误差，以及用习知光学测量仪器可进行测量。此外，基于测试图案在晶圆上的空间约束，可使用各种不同测试图案而且位置不受限制。

通过以偏离法线的入射角照射光刻掩膜20，阻剂膜被图案化成有以第一间距形成的第一测试图案36，以及以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案38。例如，图2图示以不同间距形成的第一测试图案36及第二测试图案38的具体实施例。在数个具体实施例中，第一间距与第二间距不同至少有3倍，例如至少5倍，例如至少8倍，例如约3倍至约12倍。例如，在数个具体实施例中，第一间距约有40至约50纳米，以及第二间距约有150至约500纳米。在一特定具体实施例中，第一间距约为44纳米，以及第二间距约为400纳米。在数个具体实施例中，设备特征(也就是，根据集成电路的制造所形成而且不是单独用来测试的特征)可图案化成为第一测试图案36与第二测试图案38，只要该等设备特征充分靠近在一起使得埃级光学测量变成有可能。在其他具体实施例中，第一测试图案36与第二测试图案38形成为与图案化设备特征无关的特征，其中，第一测试图案36与第二测试图案38只用来测试。

为了测定焦点误差，例如，使用图1的测量设备40，测量第一测试图案36与第二测试图案38的无远心性诱发偏移以产生相对偏移资料。为了产生相对偏移资料，第一测试图案36与第二测试图案38可以做各种测量以及确定测量值间的差异。例如，在一具体实施例中，以及如图2所示，取得在第一测试图案36的特征间的第一测量值42，以及得到第二测试图案38的特征间的第二测量值44。第二测量值44减去第一测量值42以产生相对偏移资料。

该相对偏移资料比较第一测试图案36与第二测试图案38的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性，藉此使得能够基于特定的第一测量值42及第二测量值44测得的相对偏移资料来测定焦点误差。例如，为了产生图3曲线图中的资料，由第一测试图案及第二测试图案组成的阵列经图案化成有已知焦点误差，并且取得每个图案在已知焦点误差处的第一测量值42及第二测量值44。该阵列可图案化于对焦环形晶圆(focusmeanderwafer，未图示)上。第二测量值44减去在已知焦点误差处的第一测量值42以产生第一测试图案与第二测试图案的无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性。如图3所示，尽管在第一图案及第二图案内的图案偏移大小各有不同而且间距不同的图案有无法预测的不同焦点误差，但图案偏移的差异提供直接、可预测的焦点误差相关性而可用来测定随后产生组够与用来建立该预定相关性的图案相同的第一测试图案及第二测试图案的焦点误差。在数个具体实施例中，在进行该方法的前提供该预定相关性。在其他具体实施例中，该预定相关性的产生是根据该方法。

在各种具体实施例中，相对偏移资料的产生通过第一测试图案与第二测试图案的无远心性诱发偏移的其他测量值。例如，代替测量及比较在各个测试图案内的特征的偏移的其他偏移比较包括：第一测试图案的一特征与第二测试图案的一特征间在一位置的偏移以及第一测试图案的另一特征与第二测试图案的另一特征间在另一位置的偏移，第一测试图案及第二测试图案的各个特征与共同参考特征间的偏移，或第一测试图案的一特征与第一区域中的一覆盖参考特征和第二测试图案的一特征与第二区域中的一覆盖参考特征间的偏移，其中，第一区域及第二区域中的参考特征以相同的间距形成。

第一测试图案与第二测试图案的各种相对配置有可能取决于受测的特定偏移比较。在一具体实施例中以及参考图2，第一测试图案36与第二测试图案38图示成彼等的各自特征是同轴地形成，这样的配置适合比较各个图案36、38的特征间的偏移，这是藉由测量第一测试图案36的图案特征间隔(测量值42)与第二测试图案38的图案特征间隔(测量值44)间的差异。在另一具体实施例中以及参考图4，第一测试图案136与第二测试图案138于提供第一测试图案136及第二测试图案138两者的参考点的参考特征146(例如，方格)内被图案化。在此具体实施例中，藉由测量第一测试图案136的一特征与参考特征146(测量值142)的间隔和第二测试图案138的一特征与参考特征146(测量值144)的间隔间的差异来测量第一测试图案136与第二测试图案138的无远心性诱发偏移。在另一具体实施例中以及参考图5，第一测试图案236与第二测试图案238图示成彼等的各自特征彼此平行地形成，而且第一测试图案236与第二测试图案238的各自特征至少部份横向覆盖，这样的配置适合比较各个236、238的特征间的偏移，这是藉由测量第一测试图案236的一特征与第二测试图案238的一特征在一位置的间隔(测量值242)和第一测试图案236的另一特征与第二测试图案238的另一特征在另一位置的间隔(测量值244)间的差异。在另一具体实施例中以及参考图6，第一区域348包含以与该第一间距不同的间距图案化的第一测试图案336及参考图案(referencepattern)344，其中，第一测试图案336与部份参考图案344图案化成有覆盖关系(overlayingrelationship)，也就是，第一测试图案336与参考图案344印在同一个区域而且彼此互补。第二区域350包含图案化成有覆盖关系的第二测试图案338及参考图案344的另一部份。在此具体实施例中，藉由测量第一测试图案336的一图案特征与参考图案344的间隔(测量值342)和第二测试图案338的一图案特征与参考图案344的间隔(测量值346)间的差异来测量第一测试图案336与第二测试图案338的无远心性诱发偏移。

在集成电路形成于晶圆上期间，可在制造阶段间测量第一测试图案与第二测试图案的无远心性诱发偏移。例如，再参考图1，测量设备40可正好位于在集成电路形成期间的一制造阶段后以及在另一制造阶段前。该紫外光的焦点的调整可基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性。以此方式，在集成电路制造期间，可便于识别及适当地调整焦点偏移误差以最小化不合规格产品的产生。

尽管在本发明专利标的的以上实施方式中已提出至少一个示范具体实施例，然而应了解，仍存在许多变体。也应了解，该或该等示范具体实施例只是实施例，而且不希望以任何方式来限定本发明专利标的的范畴、应用性或配置。反而，以上实施方式是要让熟谙此技术领域者有个方便的发展蓝图用来具体实作本发明专利标的的示范具体实施例。应了解，描述于示范具体实施例的元件功能及配置可做出不同的改变而不脱离本申请权利要求书所述的本发明范畴。

Claims (20)

1.一种控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点的方法，其中，该方法包含：

提供具有阻剂膜设置于其上的晶圆；

用紫外光以偏离法线的入射角，通过照射光刻掩膜，图案化该阻剂膜，使其具有以第一间距形成的第一测试图案以及以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案；

使用测量设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移，以产生相对偏移资料；

基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性来调整该紫外光的焦点。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在焦点误差已知下，图案化由数个第一测试图案及数个第二测试图案组成的阵列，以产生该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的该预定相关性。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，图案化由数个第一测试图案及数个第二测试图案组成的该阵列包括：图案化由数个第一测试图案及数个第二测试图案组成的该阵列于对焦环形晶圆上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，提供该晶圆包括：提供具有该阻剂膜设置于其上的产品晶圆。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，提供该晶圆包括：提供具有该阻剂膜设置于其上的该晶圆，该阻剂膜具有小于约60纳米的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化该阻剂膜包括：图案化作为该第一测试图案及该第二测试图案的设备特征。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化该阻剂膜包括：图案化该第一测试图案及该第二测试图案作为与图案化设备特征无关的特征。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化该阻剂膜包括：通过极紫外线光刻术来图案化该阻剂膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，以具有该第一间距的该第一测试图案以及具有该第二间距的该第二测试图案来图案化该阻剂膜包括：在该第一间距及该第二间距不同至少有3倍的数量下图案化该阻剂膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：测量该第一测试图案的图案特征与该第二测试图案的图案特征间的间隔差异。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：测量该第一测试图案的特征与参考特征间以及该第二测试图案的特征与该参考特征间的间隔差异。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，第一区域包含以与该第一间距不同的间距所图案化的该第一测试图案及参考图案，其中，该第一测试图案与该参考图案的一部份图案化成有覆盖关系，其中，第二区域包含图案化成有覆盖关系的该第二测试图案与该参考图案的另一部份，以及其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：测量该第一测试图案的图案特征与该参考图案间和该第二测试图案的图案特征与该参考图案间的间隔差异。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：使用扫瞄式电子显微镜设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：使用覆盖测量设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：使用散射量测覆盖度量设备测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移包括：在集成电路形成于该晶圆上期间的制造阶段间，测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移。

17.一种用于形成集成电路的装置，其中，该装置包括：

光刻成像系统，经配置成以偏离法线的入射角，通过照射光刻掩膜图案化在晶圆上的阻剂膜；

控制器，经程式化成控制由该光刻成像系统产生的紫外光的焦点，其中，该控制器以指令程式化成：

使用由该光刻成像系统产生的该紫外光，以该偏离法线的入射角，通过照射该光刻掩膜来图案化在该晶圆上的该阻剂膜，使其具有以第一间距形成的第一测试图案以及具有以不同于该第一间距的第二间距形成的的第二测试图案；

分析从测量该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移得到的相对偏移资料；以及

基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性来调整该紫外光的焦点；以及

测量设备，经配置成测量该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移，以产生该相对偏移资料。

18.根据权利要求17所述的装置，其中，该测量设备选自：扫瞄式电子显微镜设备、覆盖测量设备、或散射量测覆盖度量设备。

19.根据权利要求17所述的装置，其中，该光刻成像系统包括极紫外线光刻成像系统。

20.一种经程式化成控制由光刻成像系统产生的紫外光的焦点的控制器，其中，该控制器以指令程式化成：

使用由该光刻成像系统产生的该紫外光，以偏离法线的入射角，通过照射光刻掩膜来图案化在晶圆上的阻剂膜，使其具有以第一间距形成的第一测试图案以及以不同于该第一间距的第二间距形成的第二测试图案；

分析从测量该第一测试图案及该第二测试图案的无远心性诱发偏移得到的相对偏移资料；以及

基于比较该相对偏移资料与该第一测试图案及该第二测试图案的该无远心性诱发偏移间以焦点误差为函数的预定相关性来调整该紫外光的焦点。