KR20120086702A - 큰 면적 선형 어레이 나노임프린팅 - Google Patents

큰 면적 선형 어레이 나노임프린팅 Download PDF

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KR20120086702A
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병진 최
시들가타 브이. 스리니바산
앤슈만 체랄라
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몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
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Abstract

임프린트 리소그래피 템플레이트를 기판 상의 필드로 임프린팅 및 정렬하는 시스템 및 방법이 기술된다. 기판의 필드는 길다란 측면을 포함할 수 있고, 길다란 측면 상의 정렬 감도는 의도적으로 최소화될 수 있다.

Description

큰 면적 선형 어레이 나노임프린팅{LARGE AREA LINEAR ARRAY NANOIMPRINTING}
관련출원 상호참조
이 출원은 2009년 10월 8일에 출원된 미국 가출원 No. 61/249,845, 및 2010년 10월 7일에 출원된 미국 특허 출원 No. 12/900,071의 우선권을 주장하며, 이들은 모두 여기에 참고로 포함된다.
나노제작은 100 나노미터 이하의 크기의 피처(feature)들을 갖는 매우 작은 구조물의 제작을 포함한다. 나노제작이 큰 영향을 준 한가지 이용분야는 집적회로의 가공처리에서이다. 반도체 가공처리 산업은 기판 위에 형성된 단위 면적당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위해 노력하기를 계속하며, 따라서 나노제작은 더욱더 중요해지고 있다. 나노제작은 형성된 구조물의 최소 피처 치수의 계속된 감소를 허용하면서 더 큰 공정제어를 제공한다. 나노제작이 사용된 다른 개발 영역은 생명공학, 광학기술, 기계 시스템 등을 포함한다.
오늘날 사용 중인 예가 되는 나노제작 기술은 통상 임프린트 리소그래피로 언급된다. 예가 되는 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065976, 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065252, 및 미국 특허 No. 6,936,194와 같은 수많은 간행물에 상세히 기술되어 있는데, 이것들은 모두 여기에 참고문헌으로 포함된다.
상기한 미국 특허출원 공개 및 특허의 각각에 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 중합체 층에 양각 패턴의 형성과 양각 패턴에 대응하는 패턴을 하부 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 원하는 위치를 얻기 위해 모션 스테이지에 결합시켜 패턴형성 공정을 용이하게 할 수 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 템플레이트 그리고 템플레이트와 기판 사이에 가해진 성형성 액체를 사용한다. 성형성 액체는 실질적으로 고화되어 성형성 액체와 접촉하는 템플레이트의 표면의 형상에 일치하는 패턴을 갖는 단단한 층을 형성한다. 고화 후, 템플레이트는 단단한 층으로부터 분리되어 템플레이트와 기판이 이격된다. 다음에 기판과 고화된 층은 고화된 층의 패턴에 대응하는 양각 이미지를 기판에 전사하기 위한 추가의 공정을 거치게 된다.
본 발명이 상세히 이해될 수 있도록, 구체예의 더욱 상세한 설명은 첨부 도면에 예시된 구체예를 참고할 수 있다. 그러나, 첨부 도면은 단지 대표적인 구체예를 예시하는 것이며 따라서 범위를 제한하는 것으로 생각되지 않아야 함을 주목해야 한다.
도 1은 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 기판의 필드의 단순화된 위에서 내려다 본 도면을 예시한다.
도 3은 본 발명의 구체예에 따르는 기판의 선형 어레이 필드의 단순화된 위에서 내려다 본 도면을 예시한다.
도 4a는 예가 되는 선형 어레이 템플레이트의 블록도를 예시한다.
도 4b는 또 다른 예가 되는 선형 어레이 템플레이트의 블록도를 예시한다.
도 5a는 도 4a의 단면 AA'를 따르는 예가 되는 선형 어레이 템플레이트의 도면을 예시한다.
도 5b는 도 4b의 단면 BB'를 따르는 예가 되는 선형 어레이 템플레이트의 도면을 예시한다.
도 6a는 선형 어레이 템플레이트로 패턴형성하기 위해 성형성 재료를 부착시키기 위한 예가 되는 유체 분배 시스템의 단순화된 위에서 내려다 본 도면을 예시한다.
도 6b는 선형 어레이 템플레이트로 패턴형성하기 위해 성형성 재료를 부착시키기 위한 또 다른 예가 되는 유체 분배 시스템의 단순화된 위에서 내려다 본 도면을 예시한다.
도 7은 기판의 선형 어레이 필드에 에너지를 제공하는 예가 되는 에너지 시스템의 블록도를 예시한다.
도 8a는 예가 되는 임프린팅 공정 동안의 선형 어레이 템플레이트와 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 8b는 도 8a의 예가 되는 임프린팅 공정 동안의 선형 어레이 템플레이트의 선도를 예시한다.
도 8c는 도 8a의 예가 되는 임프린팅 공정 동안의 기판의 선도를 예시한다.
도 9a는 또 다른 예가 되는 임프린팅 공정 동안의 선형 어레이 템플레이트와 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 9b는 도 9a의 예가 되는 임프린팅 공정 동안의 기판의 선도를 예시한다.
도 10은 패턴형성된 층이 위에 형성된 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 11은 예가 되는 분리 공정 동안의 선형 어레이 템플레이트와 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 12a는 선형 어레이 템플레이트와 함께 사용하기 위한 예가 되는 정렬 시스템의 사시도를 예시한다.
도 12b는 도 12a의 예가 되는 정렬 시스템의 선도를 예시한다.
도 13은 또 다른 예가 되는 정렬 시스템의 선도를 예시한다.
도 14는 선형 어레이 템플레이트와 함께 사용하기 위한 예가 되는 확대 및 뒤틀림(distortion) 보상 시스템의 선도를 예시한다.
도 15는 다수의 메사를 갖는 선형 어레이 템플레이트와 함께 사용하기 위한 예가 되는 확대 및 뒤틀림 보상 시스템의 선도를 예시한다.
도면, 특히 도 1 및 도 2를 참고하면, 기판(12) 위에 양각 패턴을 형성하기 위해 사용된 리소그래피 시스템(10)이 예시되어 있다. 임프린트 리소그래피 기술은 일반적으로 기판(12) 상에 패턴들을 복제하는 나노성형 기술을 사용한다. 단계 및 반복 임프린트 리소그래피 공정에서, 중합성 재료(34)의 점적들의 어레이는 기판 상(12) 및 템플레이트(18)에 의해 제공된 패턴을 사용하여 임프린팅된 기판의 필드(60) 상에 점적 패턴으로 분배될 수 있다.
기판(12)의 필드(60)는 템플레이트(18)를 사용하여 임프린팅될 수 있고 이 공정은 기판(12) 상에 각각의 개개 필드(60)에 대해 반복된다. 이러한 기술은 또한 미국 특허 No. 6,334,960에 기술되어 있고, 이것은 그 전체가 여기에 참고로 포함된다. 필드(60)에 대해 표준화된 크기가 이미 확립된 포토리소그래피 내에서의 가이드라인에 대한 상업적 제조에 일치하도록 사용된다. 예를 들면, 필드(60)의 크기는 26 * 33 mm 또는 26 * 32 mm일 수 있다. 각 필드(60)에 대한 이 작은 크기는 품질 오버레이를 제공한다. 그러나, 오버레이 성능은 필드(60)의 크기의 증가로 감소하는 경향이 있다.
대안으로, 전체 기판(12)은 전체 웨이퍼 기술을 사용하여 임프린팅될 수 있다. 예를 들면, 이러한 기술은 미국 특허 공개 No. 2005/0189676에 더 기술되어 있고, 이것은 여기에 참고문헌으로 포함된다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 단계 및 반복 임프린트 리소그래피 공정을 위한 필드(60)의 증가하는 크기는 오버레이 문제를 야기하는 것으로 예상된다. 이런 이유로, 필드(60)의 크기는 일반적으로 산업 내에서 표준화된 크기에 일치하여 남았다. 도 3 내지 도 5를 참고하면, 여기서 기술된 바와 같이 길다란 치수를 갖는 선형 어레이 템플레이트(18a)의 설계, 뿐만 아니라 임프린팅에서 사용된 기술 및 시스템은 기판(12)을 패턴형성하여 산업 내에서 보여진 표준 크기 보다 더 큰 치수를 갖는 어레이 필드(60a)를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 임프린트 리소그래피 공정에 적합한 오버레이 성능 감도를 제공하기 위해, 높은 정확도의 오버레이 성능은 템플레이트(18a)의 1-방향 및/또는 치수(예를 들면, x-방향에서의 감도, y-방향에서의 비감도)에 있어서 제한될 수 있고, 이런 이유로, 템플레이트(18a)는 기판(12)의 어레이 필드(60a)를 패턴형성하기 위해 사용될 수 있다.
어레이 필드(60a)(도 3에 나타냄)는 산업 내에서 현재 사용되는 표준화된 필드(60)(도 2에 나타냄) 보다 더 클 수 있다. 예를 들면, 단일 필드(60)는 치수 d1 및 d2 (예를 들면, 반도체 산업에서 26- × 33-mm 또는 26- × 32-mm, 패턴형성된 미디어 산업에서 12 mm × 48 mm의 치수들)을 포함할 수 있다. 어레이 필드(60a)는 표준 필드 크기 치수 d1의 배수 n일 수 있고 치수(n*d1) 및 d2 또는 d1 및 (n*d2)를 제공한다. 또 다르게는, 어레이 필드(60a)는 산업 내에서 표준화된 필드(60)의 치수에 무관한 치수들 d1 및 d2를 포함할 수 있으나, 어레이 필드(60a)의 적어도 한 치수(예를 들면, d1)는 나머지 치수(예를 들면, d2)의 크기의 적어도 두배이다. 예를 들면, 반도체 산업에서, 300 mm 기판(12)에 대해, 어레이 필드(60a)는 대략 26 × 150 mm일 수 있다. 이런 이유로, 어레이 필드(60a)는 적어도 하나의 긴 치수(예를 들면, d2)와 적어도 하나의 짧은 치수(d1)를 포함할 수 있다.
한 치수 d1(예를 들면, 어레이 필드(60a)의 더 짧은 치수)의 오버레이는 필드(60)에서 오버레이를 제어하기 위해 산업 내에서 공지된 실시들과 여기에 개시된 방법들과 유사하게 제어될 수 있는 한편, 치수 d2(예를 들면, 어레이 필드(60a)의 더 긴 또는 길다란 치수)의 오버레이 성능은 의도적으로 최소한으로 제어하거나, 또는 의도적으로 제어하지 않는다(예를 들면, 정렬 감도가 의도적으로 최소화된다). 산업에서 허용된 실시와 반대이지만, 어레이 필드(60a)를 패턴형성하고 높은 정확도 오버레이 성능을 위해 단지 한 치수를 제어함으로써, 패턴형성 공정의 처리량은 증가할 수 있고 마스크(20) 및/또는 템플레이트(18a) 사용 및/또는 형성과 관련된 비용은 감소할 수 있다.
도 4 내지 도 5는 예시적 템플레이트(18a 및 18b)를 예시한다. 템플레이트(18a)는 제 1 측면(62) 및 제 2 측면(64)을 포함할 수 있다. 제 1 측면(62)은 패턴형성 표면(22a)이 위에 있는 메사(20a)를 포함할 수 있다. 또한, 메사(20a)는 몰드(20a)로도 언급된다. 템플레이트(18a) 및/또는 몰드(20a)는 용융 실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화 사파이어, 및/또는 기타를 포함하며 이들에 제한되지 않는 이러한 재료로부터 형성될 수 있다.
템플레이트(18a)의 제 2 측면(64)은 거기에 배치된 오목부(66)를 포함할 수 있다. 오목부(66)는 제 1 표면(68) 및 오목부 벽(70)으로 형성될 수 있다. 한 구체예에서, 도 5b에 예시된 바와 같이, 제 1 표면(68a)은 템플레이트(18a)의 길이로 연장될 수도 있다. 오목부 벽(70)은 제 1 표면(68)과 제 2 표면(74) 사이에 횡으로 연장될 수 있다. 오목부(66)는 메사(20a)와 겹쳐 있을 수 있다. 오목부(66)의 형상은 원형, 삼각형, 육각형, 직사각형, 또는 어떤 기발한 형상도 될 수 있다.
템플레이트(18a)는 제 1 영역(76) 및 제 2 영역(78)을 포함할 수 있다. 제 1 영역(76)은 제 2 영역(78)을 둘러싼다. 제 2 영역(78)은 오목부(66)와 겹쳐 있을 수 있다. 이런 이유로, 템플레이트(18)는 제 1 영역(76)과 관련된 제 1 두께(t1) 및 제 2 영역(78)과 관련된 제 2 두께(t2)를 가질 수 있고 이때 제 1 두께(t1)는 제 2 두께(t2) 보다 더 크다.
제 1 측면(62)은 패턴형성 표면(22a)을 갖는 몰드(20a)를 포함할 수 있다. 패턴형성 표면(22a)은 다수의 이격된 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 한정된 피처를 포함한다(도 1에 나타냄). 패턴형성 표면(22)은 기판(12) 위에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 어떤 원래의 패턴도 정의할 수 있다. 한 실시예에서, 템플레이트(18a)는 0.25-인치 두께 6 인치×6 인치의 산업 표준 크기에 일치할 수 있다.
몰드(20a)는 제 1 치수(즉, 길이)를 갖는 제 1 측면 및 제 2 치수(즉, 폭)를 갖는 제 2 측면을 포함할 수 있다. 몰드(20a)는 한 치수(예를 들면, 길이)로 길다랗게 되어 몰드(20a)(즉, 어레이 몰드(20a))가 템플레이트(18a)의 제 1 측면(71)으로부터 템플레이트(18a)의 제 2 측면(73)으로 연장되어 선형 어레이를 형성하도록 할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 몰드(20a)(즉, 어레이 몰드(20a))가 한 치수로 길다랗게 되어 템플레이트(18a)의 제 3 측면(75)으로부터 템플레이트(18a)의 제 4 측면(77)으로 연장될 수 있다. 몰드(20a)는 측면들(71 및 73 또는 75 및 77)에 대해 실질적으로 중심에 오게 될 수 있다. 또 다르게는, 몰드(20a)는 측면들(71 및 73 또는 75 및 77)에 대해 어떤 지점에도 위치될 수 있다. 추기로, 몰드(20a)는 각을 이룰 수도 있다. 예를 들면, 몰드(20a)는 각을 이루어 몰드(20a)가 템플레이트(18a)의 제 1 코너 가장자리(80)로부터 템플레이트(18a)의 제 2 코너 가장자리(82)로 연장되도록 할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 몰드(20a)는 제 3 코너 가장자리(84)로부터 제 4 코너 가장자리(86)로 연장되도록 템플레이트(18a) 상에 비스듬히 위치될 수도 있다.
템플레이트(18) 및/또는 몰드(20)는 용융 실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화 사파이어, 및/또는 기타를 포함하며 이들에 제한되지 않는 이러한 재료로부터 형성될 수 있다. 템플레이트(18a)는 여기에 그 전체가 참고로 포함되는 미국 특허 공개 No. 2008/0160129에 더욱 상세히 기술되는 것들과 같은 다른 추가의 설계 특징을 가질 수도 있다.
기판(12)은 반도체 산업, 패턴형성된 미디어 산업, 생체의학 산업, 태양전지 산업, 등에서 사용되는 어떤 기판도 될 수 있다. 예를 들면, 기판(12)은 패턴형성된 미디어 산업에서 사용되는 65 mm 또는 95 mm 디스크일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 기판(12)은 300 mm 또는 450 mm 웨이퍼일 수 있다.
기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수도 있다. 예시하는 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 기타를 포함하나, 이에 제한되지 않는 어떤 척도 될 수 있다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 6,873,087에 기술되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x-, y-, 및 z-축에 따라 모션을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시않음)에 위치될 수도 있다.
템플레이트(18)는 척(28)에 결합될 수도 있다. 척(28)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 다른 유사한 척 유형들로서 구성될 수 있는데, 이에 제한되지 않는다. 이러한 척들은 또한 미국 특허 No. 6,873,087, 미국 특허 No. 6,982,783, 미국 특허 출원 No. 11/565,393, 및 미국 특허 출원 No. 11/687,902에 기술되어 있는데, 이것들은 모두 여기에 참고문헌으로 포함된다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합되어 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 템플레이트(18)의 이동을 용이하게 하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 분배 시스템(32)을 더 포함한다. 유체 분배 시스템(32)은 기판(12) 상에 재료를 부착시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 유체 분배 시스템(32)은 기판(12) 상에 성형성 액체 재료(34)를 부착시키기 위해 사용될 수 있다. 재료(34)는 드롭 분배, 스핀-코팅, 침지 코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막 부착, 후막 부착 및/또는 기타와 같은 기술들을 사용하여 기판(12) 위에 위치될 수 있다. 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 몰드(22)와 기판(12) 사이에 원하는 공간이 한정되기 전 및/또는 후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 재료(34)는, 모두 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 7,157,036 및 미국 특허출원 공개 No. 2005/0187339에 기술된 것과 같은 단량체 혼합물을 포함할 수도 있다. 추가로, 재료는 패턴형성된 미디어 산업, 반도체 산업, 생체의학 산업, 태양전지 산업, 광전(opticalelectric) 산업, 등에서의 기능성 재료들을 포함할 수 있음을 주목해야 한다.
도 6a 및 6b를 참고하면, 유체 분배 시스템(32)은 분배 헤드(90)를 포함할 수 있다. 분배 헤드(90)는 기판(12) 상에 성형성 액체 재료(34)의 부착을 제공할 수 있다. 분배 헤드(90)는 도 6a에 예시된 바와 같이 실질적으로 기판(12)의 길이로 연장될 수 있고 또는 분배 헤드(90)는 기판(12)의 길이의 일부를 연장할 수도 있다. 분배 헤드(90)의 기판(12)의 길이 만큼 연장은 기판 상에 성형성 재료(34)의 부착을 위한 스테이지(16)의 이동을 제한할 수도 있다. 예를 들면, 스테이지(16)는 기판(12)을 분배 헤드(90)와 겹쳐서 위치시켜 성형성 재료(34)가 기판(12) 상에 부착될 수 있도록 한다. 만일 분배 헤드(90)가 실질적으로 기판(12)의 길이로 연장되면, 스테이지(16)는 제 1 방향(예를 들면, y-방향)으로 움직여 기판(12)을 분배 헤드(90)와 겹쳐서 위치시키고 제 2 방향(예를 들면, x-방향)으로 단지 제한된 조절 움직임을 갖도록 할 수 있다. 만일 분배 헤드(90)가 도 6b에 예시된 바와 같이, 기판(12)의 길이의 일부만을 연장한다면, 스테이지(16)는 제 1 방향 및 제 2 방향(예를 들면, x 및 y-방향 둘다)으로 이동하여 기판(12)을 분배 헤드(90)와 겹쳐서 위치시킨다.
도 1을 참고하면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 향하게 하도록 결합된 에너지원(38)을 더 포함할 수 있다. 에너지원(38)은 에너지(40), 예를 들면, 광대역 자외선 복사선을 내어, 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합되도록 일으킨다. 한 구체예에서, 에너지원(38)은 LED 광원이 될 수 있다.
한 실시예에서, 도 7에서 예시한 바와 같이, 에너지원(38)은 주사 광원(100)일 수도 있다. 주사 광원(100)은 반사 요소(102)를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 반사 요소(102)는 조절가능하게 비스듬히 위치된 미러일 수 있다. 반사 요소(102)는 x-, y-, 및 z-축을 따라 모션을 제공할 수도 있다. 예를 들면, 반사 요소(102)는 Pos1, Pos2, 및 Pos3에서 미끄럼가능하게 위치될 수 있어서 이러한 에너지(40)가 기판(12)의 적어도 필드(60a)의 길이를 가로질러 제공될 수 있다. 에너지(40)는 에너지원(38)에 의해 빔(104)으로 반사 요소(102)에 제공될 수도 있고 및/또는 반사 요소(102)는 에너지원(38)으로부터 에너지(40)를 수용하고 에너지(40)를 빔(104)의 형상으로 기판(12)에 제공할 수도 있다. 한 실시예에서는, 빔 형상(104)은 실질적으로 어레이 필드(60a)의 형상과 유사할 수도 있다.
임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 빔(104)과 겹쳐서 템플레이트(18)와 기판(12)을 위치시키도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 및/또는 에너지원(38)과 통신되어 있는 프로세서(54)에 의해 조정될 수 있고, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 작동될 수 있다.
도 1을 참고하면, 임프린트 헤드(30), 스테이지(16), 또는 둘다는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변동시켜 그것들 사이에 재료(34)가 채워지는 원하는 공간을 한정한다. 예를 들면, 임프린트 헤드(30)는 템플레이트(18)에 힘을 가하여 몰드(20)가 재료(34)와 접촉하도록 할 수도 있다.
한 구체예에서, 도 8a에 예시된 바와 같이, 템플레이트(18a)의 형상은 원하는 공간이 재료(34)로 채워지도록 변경될 수 있다. 예를 들면, 힘 F1 및/또는 F2는 템플레이트(18a)에 가해져 측면(71 및 73) 및/또는 측면(75 및 77)이 기판(12)으로부터 굽혀져 멀어지고 템플레이트(18a)의 축 A, 축 B, 및/또는 중심 CT은 기판(12)을 향해 굽혀진다. 템플레이트(18a)에 가해진 힘 F1 및/또는 F2는 시스템(예를 들면, 펌프 시스템)으로부터의 직접적 힘이거나 인가된 힘일 수 있다. 힘 F1 및/또는 F2는 성형성 재료(34)에 템플레이트(18a)의 초기 접촉의 동안에 가해질 수 있고 그 다음 감소되어 템플레이트(18a)와 기판(12) 사이에 성형성 재료(34)의 퍼짐을 촉진할 수 있다.
도 8a 내지 8c를 참고하면, 한 실시예에서, 힘 F1 및/또는 F2는 템플레이트(18a)에 가해져 가장자리(75 및 77)를 기판(12)으로부터 굽혀져 멀어지게 하고 축 A를 포함하는 영역을 기판(12)을 향해 굽혀서 템플레이트(18a)의 축 A를 따라 성형성 재료(34)가 가장자리(75 및 77)를 향해 퍼지도록 할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 힘 F1 및/또는 F2는 템플레이트(18a)에 가해져 가장자리(71 및 73)를 기판(12)으로부터 굽혀져 멀어지게 하고 축 B를 포함하는 영역을 기판(12)을 향해 굽혀서 템플레이트(18a)의 축 B를 따라 성형성 재료(34)가 가장자리(71 및 73)를 향해 퍼지도록 할 수 있다. 또 다르게는, F1 및/또는 F2는 템플레이트(18a)에 가해져 가장자리(71, 73, 75 및 77)를 기판(12)으로부터 굽혀져 멀어지게 하고 템플레이트(18a)의 중심 CT는 기판(12)을 향해 굽혀지도록 할 수 있다. 이 실시예에서, 기판의 중간 반경 r1을 둘러싸는 성형성 재료(34)는 도 8c에서 예시된 바와 같이 기판(12)의 가장자리(108)를 향해 퍼질 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참고하면, 기판(12)의 형상은 템플레이트(18a)의 형상 변경에 더하여 또는 그 대신에 변경될 수도 있다. 예를 들면, 힘 F3 및/또는 F4는 기판(12)에 가해져 기판(12)의 가장자리(108)를 템플레이트(18a)로부터 굽혀져 멀어지게 하고 기판의 중심 CS는 템플레이트(18a)를 향해 굽혀지도록 할 수 있다. 기판(12)에 가해진 힘 F3 및/또는 F4는 시스템(예를 들면, 펌프 시스템)으로부터의 직접적 힘이거나 인가된 힘일 수 있다. 예를 들면, 힘 F3 및/또는 F4는 미국 특허 출원 No. 11/687,902에 기술된 시스템 및 방법을 사용하여 가해질 수 있다. 기판(12)의 중간 반경 r2을 둘러싸는 성형성 재료(34)는 도 9b에서 예시된 바와 같이 기판(12)의 가장자리(108)를 향해 퍼질 수 있다.
도 1 및 도 10을 참고하면, 원하는 공간이 재료(34)로 채워진 후, 에너지원(38)은 에너지(40), 예를 들면, 광대역 자외선 복사선을 내어, 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합되도록 일으켜 기판(12)의 표면(44) 및 패턴 형성 표면(22)의 형상에 일치하여, 기판(12) 상에 패턴형성된 층(46)을 한정한다. 패턴형성된 층(46)은 잔류층(48)과 돌출부(50) 및 오목부(52)와 같이 나타낸 다수의 피처들을 포함할 수 있고, 돌출부(50)는 두께(tF)를 갖고 잔류층은 두께(tRL)을 갖는다.
도 11a 및 도 11b를 참고하면, 패턴형성된 층(46)의 형성 후, 템플레이트(18a)는 패턴형성된 층(46)으로부터 분리될 수 있다. 분리는 미국 특허 출원 No. 11/687,902, 미국 특허 출원 No. 11/108,208, 미국 특허 출원 No. 11/047,428, 미국 특허 출원 No. 11/047,499, 및 미국 특허 출원 No. 11/292,568에 기술된 것과 같은 기술들을 포함할 수 있는데, 이것들은 모두 여기에 참고문헌으로 포함된다.
한 구체예에서, 도 11에 예시된 바와 같이, 템플레이트(18a)의 형상은 패턴형성된 층(46)으로부터 템플레이트(18a)의 분리의 동안에 변경될 수도 있다. 예를 들면, 힘 FS1 및/또는 FS2는 템플레이트(18a)에 가해져 템플레이트(76)의 일부를 기판(12)으로부터 굽혀져 멀어지게 하고 템플레이트(18a)의 중심 CT는 기판(12)을 향해 굽혀지도록 할 수 있다. 템플레이트(18a)에 가해진 힘 FS1 및/또는 FS2는 시스템(예를 들면, 유체 압력 시스템)으로부터의 직접적 힘이거나 인가된 힘일 수 있다.
템플레이트(18a)와 함께 사용하기 위한 한가지 예가 되는 분리 시스템 및 방법은 미국 특허 출원 No. 11/292,568에 또한 기술되어 있는데, 이것은 그 전체가 여기에 참고로 포함된다. 일반적으로, 분리 시스템 및 방법은 몰드(20)의 주변에 가까운 영역에서 몰드(20)와 패턴형성된 층(46) 사이의 국소화된 분리를 조장함으로써 템플레이트(18a)에 가해진 힘 FS2을 감소시킬 수 있다. 국소화된 분리는 힘 FS1을 템플레이트(18a)에 하향 인가함으로써 제공될 수 있다. 힘 FS1을 하향 인가하는 것은 템플레이트(18a)의 영역의 형상을 뒤틀리게 하여 몰드(20)의 주변이 기판(12)으로부터 분리되도록 야기한다. 기판(12)의 형상은 템플레이트(18a)의 형상 변경에 더하여 또는 그에 대신하여 변경시킬 수 있음을 주목해야 한다.
상기한 시스템 및 방법은 미국 특허 No. 6,932,934, 미국 특허 No. 7,077,992, 미국 특허 No. 7,179,396, 및 미국 특허 No. 7,396,475, 7,442,336에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에서 또한 사용될 수 있고, 이들은 모두 여기에 그 전체가 참고로 포함된다.
몰드(20a)와 기판(12) 사이의 적당한 정렬을 얻지 못하는 것은 패턴형성된 층(46)에 오차를 도입할 수 있다. 표준 정렬 오차에 더하여, 확대/런아웃 오차는 특히 몰드(20a)와 기판(12) 사이의 참작 사유가 되는 변동으로 인해 패턴형성된 층(46)에서 뒤틀림을 조장할 수 있다. 확대/런아웃 오차는 몰드(20a) 상의 패턴이 기록될 기판(12)의 영역이 몰드(20a) 상의 패턴의 면적을 초과할 때 일어날 수 있다. 추가로, 확대/런아웃 오차는 몰드(20a)의 패턴이 기록될 기판(12)의 영역이 원래의 패턴보다 더 작은 면적을 가질 때 일어날 수 있다.
확대/런아웃 오차의 해로운 효과는 공통 영역에 다수의 패턴들을 형성할 때 악화될 수 있다. 추가의 오차는 몰드(20a) 상의 패턴이 기록될 기판(12)의 영역에 관하여 기판(12)의 수직한 축에 대해 회전되면(즉, 배향 오차) 일어난다. 추가로, 뒤틀림은 몰드(20a)의 주변의 형상이 패턴이 기록될 기판(12) 상의 영역의 외주부의 형상과 다를 때 야기될 수 있다. 이것은, 예를 들면, 몰드(20a) 및/또는 기판(12)의 횡으로 연장되는 외주부 세그먼트들이 직교하지 않을 때 일어날 수 있다(즉, 스큐/직교성 뒤틀림).
도 13 및 도 14를 참고하면, 기판(12)과 몰드(20a) 사이의 적당한 정렬을 보장하기 위해, 일반적으로 템플레이트(18) 및/또는 기판(12) 위에 및/또는 내에 위치된 정렬 마크(110)의 세트들이 정렬 시스템(112)과 함께 사용될 수 있다.
한 구체예에서, 도 13에서 예시된 바와 같이, 정렬 시스템(112)은 여기에 그 전체가 참고로 포함되는 미국 출원 No. 11/000,331에 더욱 상세히 기술된 간섭계 분석 도구와 같은 간섭계 분석 도구를 포함할 수도 있다. 간섭계 분석 도구는 템플레이트(18a) 및 기판(12) 둘다의 다수의 공간 파라미터에 관한 데이터를 제공할 수 있고 및/또는 공간 파라미터의 차이를 최소화하기 위한 신호를 제공할 수도 있다.
정렬 시스템(112)은 템플레이트(18a) 위에 또는 내에 하나 이상의 정렬 마크(110)(즉, 템플레이트 정렬 마크) 및/또는 기판(12) 위에 또는 내에 하나 이상의 정렬 마크(110)(즉, 기판 정렬 마크)를 감지하기 위해 결합될 수 있다. 일반적으로, 정렬 시스템(112)은 정렬 시스템(112)을 감지하는 것으로부터 얻어진 정보에 기초하여 템플레이트(18a) 및 기판(12)의 다수의 상대적 공간 파라미터를 결정할 수 있다. 공간 파라미터는 그것들 간의 오정렬, 뿐만 아니라 상대적 확대/런아웃 측정으로도 언급되는 기판(12)과 템플레이트(18a) 간의 상대적 크기 차이 및 스큐 측정으로도 언급되는 템플레이트(18a) 및/또는 기판(12) 중 어느 하나 상에 두개의 인접한 횡으로 연장되는 가장자리의 상대적 비직교성을 포함할 수 있다. 추가로, 정렬 시스템(112)은 Z 방향에 대해 상대적 회전 배향을 결정할 수 있는데, 이것은 템플레이트(18a)가 놓이는 평면에 실질적으로 수직일 수 있고 기판(12)의 표면은 템플레이트(18a)에 면한다.
선형 어레이 템플레이트(18a)의 설계는 여기서 기술된 바와 같이 길다란 치수를 포함하기 때문에, 임프린트 리소그래피 공정에 적합한 오버레이 성능 감도를 제공하기 위해, 높은 정확도의 오버레이 성능은 1-방향(예를 들면, x-방향에서의 감도, y-방향에서의 비감도)에 있어서 제한될 수 있고, 이런 이유로, 템플레이트(18a)는 기판(12)의 어레이 필드(60a)를 패턴형성하기 위해 사용될 수 있다. 단일 방향(예를 들면, x-방향)으로의 오버레이 성능의 제어가 다른 방향(예를 들면, y-방향)으로의 오버레이 성능의 제어가 없다는 제한과 함께한다는 것은 당업계에서 현재 인정되고 있는 지식과 반대된다는 것은 당업자라면 이해될 것이며 주목해야한다. 그러나, 이 방법은 선형 어레이 템플레이트(18a)의 독특한 형상 및 설계에 대해서 허용되는 처리량과 함께 적당한 오버레이 성능을 제공한다.
정렬 시스템(112)은 다수의 검출 시스템(114) 및 조명원(116)을 포함할 수 있다. 각 검출 시스템(114)은 검출기(118) 및 조명원(116)을 포함할 수 있다. 각 조명원(116)은 검출기(118)가 광통신되어 있는 템플레이트(18a)의 영역 위에서 에너지(예를 들면, 빛)를 부딪치기 위해 결합될 수 있다. 예를 들면, 검출 시스템(114)은 정렬 마스크(110)가 위에 배치된 템플레이트(18a)의 영역(120)과 광통신되어 있을 수 있다. 조명원(116)은 템플레이트(18a) 상의 영역을 조명하기 위해 광학 에너지를 제공할 수도 있다. 한 실시예에서, 조명원(116)은 하프 미러(half-silvered (50/50) mirror) 위에서 부딪치고 통로(P)를 따라 영역을 조명하도록 향하는 광학 에너지를 제공할 수 있다. 영역 위에서 부딪치는 광학 에너지의 일부는 통로(P)를 따라 돌아오고 검출기(118)에 집중될 수 있다.
템플레이트(18a), 그리고 특히 몰드(20)의 전체 면적이 노출되어 에너지(40)가 그것을 통해 검출기(118)로 전파되도록 하는 것을 보장하기 위해, 조명원(116), 및 정렬 시스템(112)의 다른 구성요소들은 에너지(40)의 빔 통로의 외부에 위치될 수 있다. 도 12 및 도 13은 에너지(40)의 빔 통로의 외부에서 구성요소들을 갖는 정렬 시스템(112)의 예시 구체예를 예시한다.
도 12a를 참고하면, 몰드(20)의 각 코너에 정렬 마크(110)의 세트(122a-d)가 배치되어 있다. 각 세트(122a-d)는 서로 직교하여 위치된 적어도 두개의 정렬 마크(110)를 포함한다. 예를 들면, 세트(122a)는 두개의 정렬 마크(110)를 포함하는데 한 정렬 마크(110)는 X-방향을 따라 위치되고 한 정렬 마크(110)는 Y-방향을 따라 위치된다. 이 시스템은 여기에 그 전체가 참고로 포함되는 미국 출원 No. 11/000,331에 더욱 상세히 기술된 정렬 마크와 유사하다.
세트(122a-d)에 더하여, 국소 정렬 마크들(130)이 템플레이트(18a) 및/또는 기판(12)의 가장자리를 따라 포함될 수 있다. 정렬 마크(110) 및 국소 정렬 마크들(130)은 더 높은 오버레이 성능 방향(예를 들면, x-방향 대 y-방향)에 대해 충분한 데이터를 제공하도록 배치될 수 있다. 각 검출 시스템(114)은 감지된 광학 에너지에 반응하여, 신호를 제공한다. 신호는 프로세서와 데이터 통신되어 프로세서에 의해 수신될 수 있다.
정렬 오차 검출 시스템(114)은 일반적으로 템플레이트(18a) 및/또는 기판(12)에 대해 위치될 수 있다. UV 경화 및 전체 필드 이미징을 목적으로, 검출 유닛(114)은 UV 빔으로부터 거리를 두고 위치될 수 있다. 코너들에 위치된 정렬 마크(110)에 대해, 검출 시스템(114)(도 12b에 또한 나타냄)이 사용될 수 있다. 그러나, 광학 유닛의 제한된 작업 거리로 인해, 국소 정렬 마크들(130)로부터의 정렬 데이터는 UV 차단을 가져올 수 있다. 한 구체예에서, 각 검출 시스템(114)은 이동성이어서 정렬 데이터를 제공하도록 국소 정렬 마크(130)와 광통신되기 위해 재위치되도록 할 수 있다. 예를 들면, 각 검출 시스템(114)은 x 및/또는 y-방향으로 주사 이동할 수 있으므로 검출 시스템(114)이 제 1 위치에서 정렬 정보를 제공하고 임프린팅 동안에 UV 빔으로부터 거리를 둔 제 2 위치에 재위치되도록 할 수 있다.
추가의 선택적 검출 시스템(131)은 템플레이트(18) 및/또는 기판(12)의 길이를 따라 다양한 정도로 위치될 수 있음을 주목해야 한다. 예를 들면, 선택적 검출 시스템(131)은 x-축을 따라 위치되어 하나 이상의 정렬 마크들(130)에 대한 정렬 오차를 제공한다.
도 13을 참고하면, 한 구체예에서, 정렬 오차를 제공하기 위해 국소 정렬 마크들(130)이 배치될 수 있다(예를 들면, x-축 또는 y-축에 대해 각을 이룸). 예를 들면, 국소 정렬 마크들(130)은 y-축에 대해 비스듬히 템플레이트(18a) 및/또는 기판(12) 상에 또는 내에 위치될 수 있다. 그 다음 y-방향에서의 벡터 성분들이 결정되고 사용될 수 있어 템플레이트(18a) 및 기판(12)의 공간 파라미터들과 관련한 데이터를 제공하고 및/또는 공간 파라미터들 간의 차이를 최소화하기 위한 신호를 제공할 수 있다. 또 다르게는, 국소 정렬 마크들(130)은 x-축에 대해 비스듬히 템플레이트(18a) 및/또는 기판(12) 상에 또는 내에 위치될 수 있고 x-방향으로의 벡터 성분들이 결정될 수 있다. 한 실시예에서, 세트(122) 내의 정렬 마크(110)도 또한 y-축에 대해 각을 이룰 수 있다.
도 14를 참고하면, 측면 힘들에 대해 템플레이트(18a)를 지지하기 위해, 힘 FT 및 FB가 템플레이트(18a)에 가해질 수 있다. FT 및 FB의 인가는 템플레이트(18a)의 길다란 측면들로 향할 수 있다. 예를 들면, 힘 FT는 측면(75)에서 위치된 적어도 하나의 힘 제어가능 액튜에이터에 의해 템플레이트(18a)에 가해질 수 있고 FT 및 FB는 측면(77)에서 위치된 적어도 하나의 힘 제어가능 액튜에이터에 의해 템플레이트(18a)에 가해질 수 있다. 액튜에이터는 기계적, 수력학적, 압전, 전자기계, 선형 모터, 및/또는 기타일 수 있다. 액튜에이터는 균일한 힘이 전체 표면에 가해지도록 하는 방식으로 템플레이트(18a)의 표면에 연결될 수 있다. 요구되는 뒤틀림 제어의 수준에 의존하여, 독립적 액튜에이터, 또는 다른 유사한 시스템의 수가 명시될 수 있다. 추가로, 힘 제어가능 액튜에이터는 선택적으로 측면(71 및 73)에서 위치되어 각각 FL 및 FR을 제공한다. 더 많은 액튜에이터는 뒤틀림의 더 큰 제어를 제공할 수 있다. 그러나, 액튜에이터, 또는 힘을 공급하는 다른 수단의 위치설정은 템플레이트(18a)의 단지 두 측면(길다란 측면)에 제한될 수 있다.
도 15를 참고하면, 한 구체예에서, 템플레이트(18a)는 비패턴형성 영역(21)에 의해 분리된 다수의 메사(20a)를 포함할 수 있다. 힘의 인가는 템플레이트(18a)의 길다란 측면들(75 및 77) 및/또는 길다랗지 않은 측면들(71 및 73)로 향할 수 있다. 힘은 비패턴형성 영역(21)에 가해진 뒤틀림에 무관하게 메사(20a)의 영역들을 향할 수 있어서 템플레이트(18)의 메사(20a)에 대해 최적의 임프린팅 조건을 제공한다.
템플레이트(18a) 및/또는 기판(12)의 확대 및 뒤틀림 보상은 또한 미국 출원 No. 09/907,512, 미국 출원 No. 10/616,294, 미국 출원 10/999,898, 미국 출원 No. 10/735,110, 미국 출원 No. 11/143,076, 미국 출원 No. 10/316,963, 미국 출원 No. 11/142,839, 미국 출원 No. 10/293,223에 기술된 시스템 및 방법들을 사용할 수 있는데, 이들 출원은 모두 그 전체가 여기에 참고로 포함된다. 이러한 시스템 및 방법은 템플레이트(18a)의 길다란 측면들을 따라 교정을 제공하도록 조절될 수 있다.

Claims (20)

  1. 임프린트 리소그래피 템플레이트를 기판 상의 필드로 정렬하는 단계를 포함하는 방법으로서, 기판의 필드는 제 1 치수를 갖는 제 1 측면 및 제 2 치수를 갖는 제 2 측면을 가지며, 제 1 치수는 제 2 치수보다 실질적으로 더 크고, 제 1 측면의 정렬 감도는 제 2 측면보다 실질적으로 더 낮은 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 1 치수는 제 2 치수의 크기의 적어도 2배인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 임프린트 리소그래피 템플레이트는 제 1 측면 및 제 2 측면을 포함하고, 템플레이트의 제 1 측면은 몰드가 그 위에 위치되어 있고 템플레이트의 제 2 측면은 거기에 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 몰드는 제 1 치수로 길다랗게되어 몰드가 템플레이트의 제 1 코너 가장자리로부터 템플레이트의 제 2 코너 가장자리로 각을 이루도록 한 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 분배 헤드에 의해 기판의 필드 상에 성형성 재료를 분배하는 단계를 더 포함하며, 분배 헤드는 기판의 길이로 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 빔으로 기판의 필드에 에너지를 제공하는 단계를 더 포함하며, 빔의 형상은 필드의 형상과 실질적으로 유사한 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 상에 양각 패턴을 형성하기 위해 기판의 필드를 임프린팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 임프린팅하는 단계는 템플레이트의 일부가 기판으로부터 굽혀져 멀어지고 템플레이트의 일부가 기판을 향해 굽혀지도록 임프린트 리소그래피 템플레이트에 제 1 힘을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 임프린팅하는 단계는 기판을 향해 굽혀지는 템플레이트의 일부에 직교하는 위치에서 기판의 일부가 템플레이트를 향해 굽혀지도록 기판에 제 2 힘을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 템플레이트로부터 양각 패턴을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 분리하는 단계는 템플레이트의 일부가 기판으로부터 굽혀져 멀어지고 템플레이트의 중심이 기판을 향해 굽혀지도록 템플레이트에 하향 힘을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 임프린트 리소그래피 템플레이트를 기판 상의 필드로 정렬하는 단계는 정렬 시스템에 의해 제공되고, 정렬 시스템은 다수의 검출 시스템 및 다수의 조명원을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 템플레이트는 적어도 한 세트의 코너 정렬 마크를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 템플레이트는 적어도 하나의 국소 정렬 마크를 포함하고, 국소 정렬 마크는 제 1 치수 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 적어도 하나의 검출 시스템은 국소 정렬 마크와 광통신되기 위해 위치 이동성인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 국소 정렬 마크는 y-축에 대해 비스듬히 템플레이트 내에 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 템플레이트의 제 1 치수에서 위치된 적어도 하나의 힘 제어가능 액튜에이터에 의해 힘을 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 12 항에 있어서, 검출 시스템은 템플레이트의 전체 측면을 따라 이동성인 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 검출 시스템은 템플레이트의 제 1 측면에 대해 위치된 정지 검출 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 1 항에 있어서, 템플레이트는 다수의 메사와 다수의 비패턴형성 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140056046A (ko) * 2012-11-01 2014-05-09 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 각형 금형용 기판

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
JP2013175604A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Toshiba Corp パターン形成装置、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
JP5935385B2 (ja) * 2012-02-27 2016-06-15 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート
JP6016578B2 (ja) * 2012-10-26 2016-10-26 富士フイルム株式会社 ナノインプリント方法、その方法に使用されるモールドおよびその方法を利用したパターン化基板の製造方法
JP6412317B2 (ja) 2013-04-24 2018-10-24 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP6338328B2 (ja) * 2013-07-02 2018-06-06 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6415120B2 (ja) * 2014-06-09 2018-10-31 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP6555868B2 (ja) * 2014-09-30 2019-08-07 キヤノン株式会社 パターン形成方法、および物品の製造方法
JP2016134441A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2015173271A (ja) * 2015-04-13 2015-10-01 株式会社東芝 パターン形成装置、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2016149578A (ja) * 2016-05-11 2016-08-18 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3310410A (en) 1964-01-13 1967-03-21 Gen Foods Corp Process for fortifying fruit juice
US4749905A (en) 1985-11-15 1988-06-07 Kabushiki Kaisha Toshiba High pressure discharge lamp
US4742805A (en) 1986-08-14 1988-05-10 Sanshin Kogyo Kabushiki Kaisha Internal combustion engine
US6334960B1 (en) * 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US6873087B1 (en) * 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
EP2264524A3 (en) * 2000-07-16 2011-11-30 The Board of Regents of The University of Texas System High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography
US6743368B2 (en) * 2002-01-31 2004-06-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nano-size imprinting stamp using spacer technique
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US7077992B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US6932934B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7442336B2 (en) * 2003-08-21 2008-10-28 Molecular Imprints, Inc. Capillary imprinting technique
US6936194B2 (en) * 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US20040065252A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US8349241B2 (en) * 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US6980282B2 (en) * 2002-12-11 2005-12-27 Molecular Imprints, Inc. Method for modulating shapes of substrates
US6929762B2 (en) * 2002-11-13 2005-08-16 Molecular Imprints, Inc. Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes
WO2004054784A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Molecular Imprints, Inc. Magnification corrections employing out-of-plane distortions on a substrate
US7179396B2 (en) * 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7396475B2 (en) * 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US7157036B2 (en) * 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7150622B2 (en) * 2003-07-09 2006-12-19 Molecular Imprints, Inc. Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes
US8076386B2 (en) * 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US20050189676A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Molecular Imprints, Inc. Full-wafer or large area imprinting with multiple separated sub-fields for high throughput lithography
JP4481698B2 (ja) * 2004-03-29 2010-06-16 キヤノン株式会社 加工装置
WO2005121903A2 (en) * 2004-06-03 2005-12-22 Board Of Regents, The University Of Texas System System and method for improvement of alignment and overlay for microlithography
US20050270516A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Molecular Imprints, Inc. System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing
JP4792028B2 (ja) * 2004-06-03 2011-10-12 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術
US7630067B2 (en) * 2004-11-30 2009-12-08 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices
US7292326B2 (en) * 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US7636999B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US7611348B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-03 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070035717A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Wei Wu Contact lithography apparatus, system and method
US7803308B2 (en) * 2005-12-01 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Technique for separating a mold from solidified imprinting material
US7943080B2 (en) * 2005-12-23 2011-05-17 Asml Netherlands B.V. Alignment for imprint lithography
US20070231422A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. System to vary dimensions of a thin template
US8432548B2 (en) * 2008-11-04 2013-04-30 Molecular Imprints, Inc. Alignment for edge field nano-imprinting
US20110180964A1 (en) * 2010-01-27 2011-07-28 Molecular Imprints. Inc. Systems and methods for substrate formation
TWI714855B (zh) 2018-03-01 2021-01-01 鴻海精密工業股份有限公司 頭戴式核磁共振成像儀以及失智症預檢系統

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140056046A (ko) * 2012-11-01 2014-05-09 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 각형 금형용 기판

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TW201127593A (en) 2011-08-16
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