TWI342468B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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1342468 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種器件製造方法。 【先前技術】 祕影裝置係將所要圖案施加至一基板（通常為基板之一 目標部分）上之機器。舉例而言，微影裝置可用於製造積體 電路（ic)。在彼情況下，替代地稱為遮罩或主光罩之一圖案 0 化元件可用於產生待形成於IC之一個別層上之一電路圖 案。此圖案可轉印至基板（例如一矽晶圓）之一目標部分（例 如包含一個或若干晶粒之一部分）上。圖案之轉印通常經由 在提供於基板上之輻射敏感材料（抗蝕劑）之一層上成像而 達成。大體而言，一單一基板含有隨後圖案化之相鄰目標 郤刀之一網路。已知微影裝置包括所謂步進器，其中藉由 次性曝光整個圖案至目標部分上來輻射每一目標部分； 及所謂掃描器，其中藉由在一給定方向（1,掃描”方向）經由一 • 輻射束掃描圖案且同時同步在此方向之平行或反平行方向 上知描基板來輻射每一目標部分。亦可藉由將圖案壓印至 基板上來將圊案自圖案化元件轉印至基板。 已提議將微影投影裝置中之基板浸入—具有才目對較高折 射率（例如，水）的液體中，以便填充在投影系統之最終元件 與基板之間的空間。由於曝光轄射在液體中具有一較短波 長（亦可認為液體之影響增加系統之有效數值孔徑（na)且 亦増加聚焦之深度），所以上述動作可成像較小特徵。已提 議其它浸沒技術，包括有固體粒子（例如，石英）懸浮於其中 107288.doc 1342468 之水。 然而’將基板或基板台浸入液體槽中（例如，參看美國專 利第US 4,5 09,852號，該專利之全文以引用的方式併入本文 t )意謂存在於一掃描曝光過程中必須加速之大量液體。此 需要額外或較大功率馬達且液體中之渦流可導致不良或無 法預期之影響。 所提議之一種方案為一液體供應系統，該液體供應系統 將液體提供至基板之僅一局部區域及提供至投影系統之最 終7L件與基板（基板通常具有一比投影系統之最終元件大 的表面區域）之間。已提議進行此配置之一方法係揭示於 pc丁專利申請案第wo 99/49504號，該申請案之全文以引用 的方式併入本文中。如圖2及圖3所說明，液體藉由至少一 入口 IN且較佳沿基板相對於最終元件移動之方向供應至基 板’並在已穿過投影系統下方之後藉由至少一出口 OUT而 年夕除。思即，當在_χ方向掃描元件下方之基板時，液體被 供應至元件之+X側且在_χ側被吸收。圊2示意性展示該配 置，其中液體經由入口 IN供應且藉由連接至低壓源之出口 OUT而在元件之另一側被吸收。在圖2之說明中，液體係沿 著基板相對於最終元件之移動方向而供應’但其不必一定 為此情況。可圍繞最終元件定位各種方位及各種數目之入 及出口，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件按規則圖 案提供有在—側具有—人σ且在另—側具有—出口之四组 配置。 【發明内容】 I07288.doc 本發明之益處在於提供一種用於校正一浸沒微影裝置之 曝光參數的方法、裝置及/或電腦程式產品。 根據本發明之一態樣，提供一種用於校正一浸沒微影裝 置之一曝光參數之方法，該方法包含： 使用一1測射束量測一曝光參數，該量測射束經投影而 穿過該浸沒微影裝置之該投影系統與一基板台之間的一液 體；及 基於影響一使用該量測射束進行之量測的一物理性質之 瓷化而確定一偏移以至少部分校正該量測曝光參數。 根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含： —支撐機構，其經組態以固持—圖案化器件，該圖案化 器件經組態以將一圖案賦予一輻射束之橫截面中； 一基板台’其經組態以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將該圖案化射束投影至該基板 之一目標部分； 一液體供應系統’其經組態以將液體提供至該投影系統 與該基板台之間的一空間； 一感測器，其經組態以使用一經投影而穿過該液體之量 測射束來量測一曝光參數；及 一校正系統，其經組態以基於影響一使用該量測射束進 行之量測的一物理性質之一改變而確定一偏移以至少部分 校正該量測曝光參數。 根據本發明之一態樣，提供一種用於校正一浸沒微影事 置之一曝光參數的電腦程式產品，該電腦程式產品包含： 107288.doc 經組態以使用一經投影而穿過該浸沒微影裝置之該投影 系統與一基板台之間的一液體之量測射束量測一曝光參數 之軟體程式碼；及 經組態以基於影響一使用該量測射束進行之量測的一物 理性質之一變化而確定一偏移以至少部分校正該量測曝光 参數之軟體程式碼。 根據本發明之一態樣，提供/種微影裝置，其包含： —基板台，其經組態以固持一基板； 投影系統，其經組態以將一圖案化射束投影至該基板 之一目標部分，該投影系統具有一光學元件； 液肢供應系統，其經組態以將液體提供至該投影系統 '、。亥基板台之間的一空間，該光學元件經組態以連接至哕 液體；及 ~ ，也組恐U $測該光學11干之一南庋。 根據本發明之一態樣，提供一種用於校正一浸沒微影裴 置成像誤差的方法，該方法包含： 里測該浸沒微影裝置中 古择—, 之杈衫糸統之一光學元件的一 回度’该光學元件係連接 基板A 疋接至及技衫糸統與該投影系統之一 丞板台之間的一液體；及 藉由移動該光學开 移動s亥基板台或兩者而至少邱八 杈正該影像誤差。 4网有卯芏乂。|3分 【貫施方式】 圖】示意性描繪根據本發 置包含： 貫施例之微影裝置。該裝 I07288 doc 1342468 •一照明系統（照％器）比，其經組態以調節—輪射束pB(例 如，UV輻射或DUV輻射）。 --支撐結構(例如，一遮罩台)MT，其經建構以支撐一圖案 二匕器件(例如，-遮罩)MA且連接至一第_定位議，該第 一 mi p Μ經組態以根據某些參數精確定位該圖案化器 件；

-一基板台（例如，晶圓臺）WT，其經建構以固持一基板（例 如-塗覆有抗蝕劑之晶圓)w且連接至一第二定位器pw，該 第一二Λ位广w經組態以根據某些參數精確定位該基板；及 -一投影系統（例如，一折射投影透鏡系統）PL，其經組態以 將-藉由圖案化器件MA賦予至輻射束叩上之圖案投影至 基板W之-目標部分c(例如，包含一或多個晶粒）上。 照明系統可包括用於導向、成形、或控制輕射之各種類 型的光學組件’諸如折射、&射、磁、電磁、靜電或其他 類型之光學組件、或其任何組合。

支撐結構支撐(意即承載)圖案化器件之重量 -視圖案化器件之方位、微影裝置之設計、及諸如圖案化 器件是否在一真空環境中 1 ’、 兄τ之，、他狀況而夂的方式固待 化器件。支#結構可使用機械、纟空、靜電或其他夹持技 術來固持圖案化器彳。舉例而言，支推結構可為_框架或 台，其可視需要而固定亦+4^, U疋次可移動。支撐結構可確保圓 器件（例如）相對於投务糸纪1 + '、 叔〜糸統而在一所要位置。可認 語”主光罩”或”遮罩，.之杯彳叮姑m Α 不文诉 之任何使用與更通用術語"圓案 同義。 干 I07288.doc -10- 本文使用之術語，，圓案化器件’，應廣 將-圖案賦予^ 為心不可用以 標區中產生一圖幸之… 截面中以在基板之1 圖案之任何器件。應注意，（例如 相移特徵或所謂輔助特徵，則賦予 ），案包括 全對應於基板之目桿部分中所I -射束之圖案可不完 至^击“要之圖案。大體而言，職予 ‘射束之圖案對應於在目標區 功能層，諸如—積體電路。 益件的—特定 圖案化器件可為透射性或拓私w从 包括遮罩、可程弋化A / 、。圖案化器件之實例 了^Μ面陣列及可HiUtLCD面板。遮罩 在微影技術中是熟知的，且 _ ^ ‘ ·，，罩 減式相移之遮罩類型以及久錄° -凡交’變相移型及衰 — 及各種混合遮罩類型。可程式化鏡 面陣列之一貫例搡用，丨# t 獨立傾斜以使得在不：=一矩陣排列，每-小鏡面可 從 冋方向中反射入射輻射束。傾斜鏡面 :一圖案賦予由鏡面陣列所反射之輻射束。 斤使用之術„吾投影系統,,應廣泛地理解為包含各種 Ί A H統’包括折射光學系統、反射光學系統及反 射折射一光學系統、磁光學系統、電磁光學系統及靜電 光學系統或其組合’其適合於所使用之曝光幸昌射或諸如浸 體的使用或真空的使用之其他因素。本文術語”投影透 4兄之任何使用可視作與更通用的術語”投影系統"同義。 ★此處所描、’會’裝置為-透射類型(例如，使用—透射遮 罩）或者，4裝置可為一反射類型（例如，採用如上所述類 51之可私式化奴面陣列、或採用一反射遮罩)。 ^〜袭置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ I07288.doc

丄J f兩個或兩個以上遮罩台）之類型。在該等"多平臺"機器中 。,、行使用額外台’或可在一或多個臺上執行預備步驟同 時一或多個其他台來進行曝光。 參看圖卜照明器IL自一輻射源s〇接收一輻射束^舉例而 :田5玄源為一準分子雷射時，該源與微影裝置可為單獨 實體。在該狀；兄下，；Μ忍為該源形成為微影裝置之一部分， 輻射束通承借助於包含例如合適的導向鏡及/或射束放 大器之射束傳遞系統BD自源SQ傳遞至照明器IL。在其他狀 況下，例如當源為汞燈時，源可為裝置的主要部分。源s〇 及照明益IL若需要可連同射束傳遞系統BD 一起被稱為賴 射系統。 ”’、月器IL可包含一用於調節輻射束之角強度分佈的調節 器AD。大體上，可調節照明器之光瞳平面中之強度分佈的 至少外部及/或内部徑向範圍（通常將其稱為。外部及…内 另外’照明器IL可包含諸如一積光器in及一聚光器⑶ 各種其他組件。照明器可用以調節輻射束以在其橫截面 中具有一所要均勻度與強度分佈。 轄射束PB入射於圖案化器件（例如，遮罩MA)上且藉由圖 木化态件圖案化’該圖案化器件固持於支撐結構(例如遮罩 D MT)上。在穿過圖案化器件MA後，輪射束PB穿過投影系 統PL’該投影系統凡將射束聚焦至基之目標部分c上。 下文將作進一步描述之浸沒罩（immersi〇n 將浸沒 液體供應至投影系統PL之最終元件與基板w之間的空間 中。 I07288.doc 1J42468 。。借助於第二定位器Pw與位置感測器if(例如一干涉量測 a件、線性編碼器或電容式感測器）可精確地移動基板台 WT’（例如）以在轄射束PB之路徑中定位不同目標部分/ 同樣地’ m立器PM與另—^位感測器（圖1中未明確描 )°用以相對於輻射束PB之路徑精確定位圖案化器件 …此可例如在自—遮罩庫之機械檢索之後或在一掃描期 間進:丁。一般而言，借助於長衝程模組(粗定位)與短衝程模 組㈠月細定位）可實現支撐結構之移動，該長衝程模組與短 程模組形成第—$ Μ $ Μ之一部分。同樣地，使用長衝程 t且與短衝程模組可實現基板台资之移動，該長衝程模电 與短衝程模組形成第_ $ ' · &第-夂位裔PW之-部分。在步進器(相 知描11 )之狀況下，遮罩台MT僅可連接至—短衝程致 ^、或可固定。可使用遮罩對準標記⑷、M2及基板對準 標此PI、P2來對準圖案化器件MA及基板w。儘管所說明之 基板對準標記佔據專用目標部分，但是其可位於目標部分 :間的空間中(此等稱為劃線對準標記)。同樣地，在圖案化 ,^ maji提供多於—個晶粒之情況下遮罩對準標記位於 5玄專晶粒之間。 所描繪之裝置可用於以下模式之至少一者： >在乂進模式中，遮罩台河丁及基板台W丁大體上保持穩 疋同時將賦予輪射束之整個圖案一次性（意即，一單一靜 態4⑽Μ目標部分C上。隨後，基板台WT在X及/或¥ 方向移動以使得可曝光—不同之目標部分C。在步進模式 中，曝光場之最、 寸限制在一單一靜態曝光中成像之目 107288.doc *13- 1342468 標部分c之尺寸。 2.在掃描模式中， 將賦予輕射束之1 =至 與基板台WT且同時 態曝光)上。藉由投二二:標部分C(意即，-單-動 來確定基ew 了相㈣⑷、）及料反轉特徵 模式中，…ΛΓ尺—向。在婦描 之PM t 大尺寸限料—動態曝以目標部分

方向），而掃描運動之長度…標部分之 阿度（在知描方向）。 3.在另-Μ式中’遮罩台町大體上保持靜止，其固持— 可程式圖案化器件’且在基板台资移動或掃描的同時_賦 予幸田射束之圖案得以投影至目標部分U。在此模式下，通 =用—脈衝㈣源’且在基板台资的每〜欠移動後或掃 U間在相繼_脈衝之間按需要更新可程式化之圓案 化構件。此操作模式可快速應用於利用諸如上文所指類型 之可程式化鏡面陣列的可程式化圖案化器件之無遮罩微 影。 亦可採用上文所述之有用模式的組合及/或變化或完全 不同的有用模式。 圖4展不具有一局部液體供應系統之又一浸沒微影方 案。液體係藉由在投影系統PL兩側之兩個溝槽入口川而供 應且藉由配置於入口 IN之徑向外側的複數個離散出口 out而移除。入口IN及出口 〇υτ可配置於—在中心處具有 孔的板中’投影系統經由該孔進行投影。液體藉由在投 知本統PL之一側上之一個溝槽入口 ΙΝ而供應，且藉由投影 I07288.doc •14- ^42468 二先L之另一側上之複數個離散出口 〇u丁而 :系机與基板W之間產生一液體薄膜流。對二= ΙΝ與出□ OUT之組合的選擇可視基板移動方 (入口 與出口 0U丁之另—組合可被停止）。 〇弋 方具有一局部液體供應系統方案之另-浸沒微影 供具有-液體限制結構之液體供應系㉝，該液體 制、構沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之

邊緣的至少—部分延伸4方㈣於圖5中進行說明。雖熟 :體限制結構相對於投影系統在灯平面中大體上靜止，： 疋其在Z方向（在光軸方向）具有某些相對移動。舉例而言， 參看美國專利申請案第us 10/844,575 ’該申請案之全文以 引用的方式併入本A中。纟液體限制結構與基板表面之間 形成一密封。 參看圖5，儲集區10圍繞投影系統之影像場形成與基板之 無接觸密封，以使得液體受到限制而填充基板表面與投影 系統之最終元件之間的空間。儲集區係藉由定位於投影系 統PL之最終元件下方及周圍的液體限制結構12而得以形 成。液體被引入投影系統下方及液體限制結構1 2内之空間 中。液體限制結構1 2延伸稍微超出投影系統之最終元件， 且液位升至高於最終九件’以提供一液體緩衝。液體限制 結構1 2上端具有一内部周邊，在一實施例中其與投影系統 或投影系統之最終元件的形狀近似—致且可為（例如）圓 形。在底部’内部周邊與影像場之形狀近似一致（例如為矩 形）’但不必一定為此情況。 107288.doc • 15· 1342468 液體藉由液體限制結構ι2與基板w表面之 16而限制於儲集區中。氣體密封係藉由氣體（例如空氣或1 成空氣，但在一實施例中Α Ντ σ 牡X她例中相2或另一惰性氣體）形成， 體係在受塵條件下妹由人n , e t丨 ^ 仵下‘由人σ 15而提供至液體限制結構12盘

基板之間的間隙中，且經由第—出σΙ4抽出。氣體入口 上之過壓 '第一出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀噔 配置’以使得存在—限制液體之向内的高速氣流。此—系 統揭示於美國專利申請案第us 1 0/705,783號中該申請案 之全文以引用的方式併入本文中。 Μ

在貫知例中，為便於成像基板，可在基板之—曝光位 置處執灯調平及對準基板。換言之，圍繞投影系統及/或圍 繞鄰近該投影系、统而定 <立之基板提供一基板纟平感測器 (用以便於將-圖案化投影射束《焦至基板）及一基板對準 感測器（用以便於相對於圖案化投影射束而適當地橫向定 位基板）’以使得在曝光期間當基板相對於投影系統或在投 衫系統附近移動時，可量測該基板。在一具有用以提供或 維持投影系統與基板之間的液體之結構的浸沒微影裝置 中’所剩餘以允許提供或操作此等感測器之一或兩者的物 理空間之大小非常有限。在一具有較大投影系統，諸如具 有（諸如）約為1.3之高的數值孔徑（ΝΑ)的投影系統下，尤其 較需要此空間。因此，根據一其中水平感測器及/或對準感 測Is使用一量測輻射束之實施例，該量測輻射束可全部或 部分地穿過投影系統。 圖6示意性摇繪根據本發明之一實施例之一圖案化投影 I07288.doc •16- 1342468 射東及一量測射束穿過一浸沒微影裝置之投影系統之一光 予元件的通路，其展示一例示性投影系統pL之一部分。液 體丨I係安置於投影系統PL與基板W之間。展示一圖案化投 衫射束20於兩點處進入投影系統以之該部分（雖然僅屐示 表不波之2個光線1但是其易於瞭解）。圖案化投影射東2〇 穿過投影系統PL之該部分’隨後穿過液體丨丨且聚焦至基板 W上。 在此實例中’展示一入射水平感測器量測射束22(例如’ 由一或多個雷射源、發光二極體（鹵素）燈等提供）進入投影 系統PL之該部分>量測射束穿過投影系統Pl之該部分，且 隨後穿過液體Π至基板上。量測射束經反射離開基板w， 且隨後作為射出水平感測器量測射束24穿過液體丨丨及投影 系統PL之該部分至一水平感測器偵側器（未展示）。雖然一 水平感測存量測射束被展示且於圖6中加以描述，但是量測 射束可進行替代或另外地為—對準感測器量測射束或其它 任何量測射束β 雖然展示圖案化投影射束2〇及水平感測器量測射束22、 24聚焦於基板之大體上相同的點上以便於精確調平/聚焦 量測，但是無需一定將射束聚焦於大體上相同的點處β舉 例而言，水平感測器量測射束22、24可聚焦於圖案化投影 射束20所聚焦位置之前方的一位置處以使得調平/聚焦計 算及調整可在圖案化投影射束2〇射至基板％之前進行。在 量測射束22、24為（例如）一對準射束時，量測射束22、^ 可聚焦於一與圖案化投影射束2〇不同之位置處，例如聚焦 )072S8.doc 1342468 於一對準標記。 由於里測射束不應曝光基板w之輻射敏感材料，所以 用於量測射束之輕射的波長不應經選擇而曝光幸畐射敏感材 料且因此通常與圖案化投影射束之輪射的波長不同。舉 例而言，在-用於粗俘獲之水平感測器量測射束的情況 下，HeNe雷射賴射可用於量測射束，但為了降㈣膜效 應，應替代性或另外使用寬帶輻射。 φ 然而，在（例如）量測射束與圊案化投影射束使用不同波長 之水平感測器的情況下，由穿過其經由投影系統之量測射 束的水平感測器所情測之焦距與穿過相同投影系統之圖案 化投影射束相關聯的實際焦距很可能不同。此係因為一或 多個投影系統之特徵（諸如折射率）隨波長不同而不同。因 此，在量測射束（具有某一波長）之光學路徑上，折射率之輕 微改變可使得-情側焦距不同於與圖案化投影射束（具有 -不同波長)相關聯之實際焦距。另外或其它1用一量測 • 射束（諸如對準）之其它量測可類似地受到影響。舉例而言， 在對準射束之情況下，基板上之圖案化投影射束之實際橫 向位置可不同於藉由使用一投影至基板上之一對準標記之 對準量測射束的一對準量測所確定之圖案化射束的預期橫 向位置。 在量測射束之光學路徑上之折射率之變化可發生於多種 情形下。實例包括： •液體之溫度及/或量測射束所穿過之光學元件的溫度變 化： & I07288.doc 1342468 -量測射束所穿過之液體及/或光學元件的壓力變化； -液Μ之成分變化（例如，污染物）丨及 _用以调整進入及/或射出投影系統之量測射束路徑的沖 洗氣體之壓力及/或溫度改變。

此外，一或多個其它改變可導致一使用量測射束所量測 之值與與圖案化投影射束相關聯的實際值之間的差異。 舉例而。，圖案化投影射束之波長的變化可使得利用量測 射束所進行之量測不精確。同樣地’量測射束之波長的變 化可使得利用彼量測射束所進行之量測不精確。此外’投 影系統中之一或多個光學元件之移動（操縱）或基板高度之 移動可引起一利用量測射束所量測之值與一與圖案化投影 射束相關聯的實際值之間的差異。

因此，在一實施例中’建構一度量模型/方法以校正一利 用量測射束所量測之曝光參數值與一與圖案化投影射朿相 關聯的所施加曝光參數值之間的差異，該差異可歸因於量 測射束與投影射束之波長之間的差異。 圖7描繪-根據本發明之—實施例之度量方法的示意性 流程圖。 ~ 在步驟30，在量測射束量測一曝光參數Ρ(諸如焦距、基 板高度及/或對準）之同時或接近時刻，—或多個感測器二 量測上述之-或多個物理性質變^舉例而言，壓力感測 器可量測液體、沖洗氣體及/或測量射束所穿過之光學：件 之壓力。丨外或其他，溫度感測器可量测液體、沖洗氣體 及域測量射束所穿過之光學元件之溫度。在一實施例中， I07288.doc •19· :進行多個不同類型之量測(例如，壓力及溫度量測)，及/ 2進行多個相同類型之量測（例如，多個I力量測）。可設

::::數目為符號卜因而，可將-或多個所量測物理性 二=為陣列以。在—實施例中…或多個感測器將一 =測物㈣質值提供為相對於—標稱值（例如，根據該標 冉值可最佳地調節微影裝置)之差異。舉例而言一度感 =器可將所量測之實際溫度（例如，22 3t)與—標㈣度 歹1如’根據該標稱值可最佳地調節微影裝置，例如為) <間的差異提供為溫度量測（意即’ m)。在一實施例中， «解’可擴展該方法至其中未藉由使用一額外計算及/或 量測而建構一標稱值（意即，校準）之情形。 在步驟32，確定或獲得一或多個量測物理性質值XJ對曝 2參數P之影響。可將此影響設定為導數dP/dXJ。舉例而 言，其中曝光參數P為焦距且量測物理性質值XJ為浸沒液

體之溫度及壓力’ dp/dx」可表示焦距相對於溫度及壓力之 變化速率。 在貫％例中，可在步驟32之前或之後確定dp/dx 換 言之，可在離線狀態（意即，在量測射束量測曝光參數 前）或在線狀態（意即，在量測射束量測曝光參數？的同時或 接近該時刻）確定dP/dx」。在一實施例中，dp/dxj可藉由 來自經驗結果之實驗/校準而確定，及/或藉由光學理論（例 如，光線追蹤（optica丨ray tracing))而確定。舉例而言，可 根據將具體值（諸如，在不同條件下特定物理性質之值所形 成的表格，例如在不同溫度下一材料之折射率）應用至相關 107288.doc •20* 1342468 物里及/或數學公式來計算dp/dX」。在另一實施例中 量測來確定㈣X」。此外，侧X」可根據多個㈣ 3射束波長進行確定，或可騎光射束波長盘量測 =束波長之值之間的差異。另外或其他，dp/dx」可根據投 衫系統之類型(例如，用於多個微影裝置之投影系⑹或單獨 地根據一微影裝置中之特定投影系統而確定。 在步驟34,考慮所量測物理性質值X」而至少部分校正量

測曝光參數P。在-實施例中’此校正可由如下公式表示: 加=P—量測·sum ⑴{X」*dp/dx」}

其中，P_施加為（例如）在基板曝光期間藉由—圖案化投影 射束所施加之曝光參數，且p_量測為使用量測射束所量= 之曝光參數。因此’項” sum⑴{XJ*dp/dxJ}，·為(例如)應用 於所里測曝光參數以獲得一在基板曝光期間所施加之曝光 參數的累積偏移。累積偏移為歸因於每一所量測物理值X』 而獲得之個別偏差的總和。矩陣運算可用於校正以處理某 些物理性質之間可能的截項，諸如投影系統之操縱器與環 i兄（例如，溫度 '壓力）的依賴性。對於待曝光參數值之確定 及/或應用可連續地或間歇地執行。 因此，在一實例中，一水平感測器可投影一量測射束經 由一 Μ影裝置之投景> 系統的一光學元件且經由一浸沒液體 以量測在基板曝光期間基板之高度F_量測，所量測高度對 應於用於圖案化投影射束之焦距。隨後，可考慮浸沒液體 之溫度（X_ 1)及壓力（X_2)而校正此量測高度（且因此焦距） 以產生一在基板曝光期間所施加之經校正高度施加（且 l0728X.doc i 1342468 因此為焦距）。焦距相對於溫度（dF/dX J )及歷力（dF/dX一2) 杈正函數彳于以提供（例如，藉由實驗及經驗結果）。隨後， 將杈正函數與壓力及溫度之所量測值相乘並將結果相加 (sum(j){Xj*dF/dx」”以產生施加至所量測高度之累積偏 矛夕彳之而產生校正尚度（且因此產生校正焦距）。此可總結為 公式：F—施加=F_量測.sum⑴{x」*dF/dx」}。 在另汽例中’一對準感測器可投影一量測射束經由一 U〜凌置之投影系統的一光學元件且經由一浸沒液體以量 測在基板曝光期間基板之χ_γ位置Lp_量測，所量測χ_γ位 置對應於圓案化投影射束之橫向位移。隨後，可考慮浸沒 液體之溫度（X—1)及壓力（χ_2)而校正此量測χ_γ位置（且因 此k向位移）以產生一在基板曝光期間所施加之經校正χ_γ 位置LP_施加（且因此為橫向位移）。橫向位移相對於溫度 (dLP/dX_])及壓力（dLP/dx_2)之校正函數得以提供（例如， 藉由實驗及經驗結果）。隨後，將校正函數與壓力及溫度之 所量測值相乘並將結果相加（sum(j){Xj*dLp/dx】})以產 生施加至所量測X-Y位置之累積偏移從而產生校正Χ-丫位 置（且因此’產生校正橫向位移）^此可總結為公式· [ρ施 加=LP_量測-sum(j) {X」*dLP/dX」}。 在一實施例中’量測曝光參數可根據用於量測射束及曝 光射束之波長特定地進行校正以產生所施加之曝光參數。 舉例而言，此可用如下公式表示： P_施加=P_量測-△(MV)*(dP/dMV(量測射束波長）_dp/ dMV(曝光波長）） 107288.doc •22· π厶寸υο 其中Ρ_施加為(例如)在基板曝光 戶施加之曝光參數’諸如焦距或橫向位移，？量二:用束 測量射束所量測之曝光參數， -·' (諸如溫度或虔力)與—標稱值)為所量測物理性質值 ^ ^ ^ 吊為—根據其可最佳組態 =裝置之值）的差異，dP/dMv(量測射束波 :對於量測射束波長之所量測物理性質值的變化速率，且

州⑽(曝光波長)為曝光參數相對於量測射束波長之所量 測物理性質值的變化速率。 一微影裝置可具有所界定之不同常數以提供良好或最佳 之效能。舉例而言’微影裝置可具有與投影系統相關聯之 或夕個书數（6者如投影系統十一或多個光學元件之位 置）及/或與對準系統相關聯之一或多個常數(諸如對準標 記組態及/或位置）。在實施例中，度量模型可經建構以根據 此等常數之波長依賴性進行校正。換言之，諸如壓力及/或 溫度之一或多個量測物理性質值可與（例如）常數相對於量

測值之變化速率或相關曝光參數相對於量測值之變化速率 (例如，d對準/d溫度或d焦距/d壓力）聯合使用以產生一校正 常數。 為建構上述方法，可為一微影裝置提供一校正系統，其 經組態或程式化以執行本文描述之方法的實施例。該校正 糸統可為一併入該微影裝置之一處理器或感測器中之電腦 程式。而且，可提過一電腦程式產品（例如，在碟片或記憶 體中之一軟體程式）以執行本文所述方法之實施例。 在一實施例中，投影系統之最终光學元件係剛性安裝至 107288.doc

I -23 - 1342468 投影系統之其它部分之剛體（例如透鏡體）。歸因於靜態力 (/叉/又液體南度及/或技衫系統之過壓力差異）及動態力（寂 寞液體流量及/或動態環境壓力變化），最终光學元件之高度 可發生變化。在一浸沒微影系統中，此可導致對準量測之 間的光學路徑之變化，主要可導致焦距及/或球面像差漂 移。對於ΝΑ為0.75、輕射為1 93 nm且水為浸沒液體之投影 系統而言，敏感度為約1 nm散焦及9 pm Z9漂移每奈米2_位 移。在剛度為5 X 10且最大可允許〇·5 nm之Z9漂移的情況 下，此可導致在連接至液體之光學元件上產生最大力為 N ’該力可產生於浸沒微影裝置中。 因此，在一實施例中，可提供感測器以量測一經組態以 連接至液體之光學元件（諸如，投影系統之最終光學元件） 之高度。在一實施例中，可將感測器建構為所提供之現有 水平感測器之一部分以量測基板或另一物件（諸如基板台） 之高度（例如，相對於投影系統之最終元件），其包括任何感 測器、基準等。在一實施例中，感測器可為一用於此目的 之與水平感測器分離之感測器。 在一實施例中，用以量測光學元件之高度的感測器係— 光學感測器，該光學感測器經組態以偵側自光學元件行進 之量測射束以量測光學元件之高度及視情況將量測射束投 影至光學元件處。參看圖8，其示意性地描繪光學感測器耗 之配置。展示一入射量測射束4〇(例如，由—或多個雷射 源、發光二極體、（鹵素）燈等所提供）被導向光學元件〇E， 該光學元件係連接至液體11。量測射束經反射離開光學元 I07288.doc •24· 1342468

件〇E之頂部表面，且作為射出量測射束“行進至感測器偵 側裔46，邊感測器偵側器46用以確定光學元件之高度。在 貫％例中畺測射束係一水平感測器量測射束，但是其 可4代或另外為一對準感測器量測射束或任何其它量測射 束在一實把例中，量測射束可經反射而離開光學元件〇E 之底部表面（例如為光學元件0 E與液體丨】之界面的表面）。 當射束被反射而離開底部表面時，該射束穿過光學元件⑽ 員P表面至底。P表Φ，於此處射束被反射至且射出頂部 表面。或者’射束可藉由(例如)一射束發射而直接投影至底 部表面上’或自光學元件之下方反射。 只把例中’感測器可經組態以作為

(或其它物件）之高度的水平制器4 6之—部分。展示—入射 水平感測器量測射束40(例如，藉由一或多個雷射源 '發光 二極體、（齒素）燈等所提供）射入光學元件〇E。量測射束穿 過光學元件0E ’且隨後穿過液體"至基板（或其它物们 上。量測射束經反射離開基板(或其它物件)，且隨後作為射 出水平感測器射束44穿過液體"及光學元件〇e而射出至— 水平感測器㈣H 46。人射水平感測器量測射束4()之一部 分經反射離開光學之頂部表面，而作為射出量測^ 束悔感測器偵側器46。或者，用以產生射出量測射㈣ 之入射量測射束被以一不同角度導入或具有一不同波長以 =得其經反射而離開光學元件〇Εβ射出水平感測器量_ 及射出量測射束“產生一干涉區域。肖由分析干涉區 域之條紋’可偵側或確定基板（或物件）與光學元件之高度之 Ϊ 07288,doc -25- 1342468 間的差異，且因此確定光學元件之高度的變化。 在一替代或其匕貫化例中’感測器可為一機械感測器、 超音感測器、磁感測器及/或電感測器以量測光學元件之$ 度及局度變化°參看圊9 ’感測器4 6為一用以量測光學元件 0E之高度的機械感測器、超音感測器 '磁感測器及/或電感 測器。 在每一情況下，感測器所量測之高度可用以至少部分校 正光學元件之所置測馬度的變化。在一實施例中，可將一 訊號自感測器46發送至一控制基板台WT之一定位系統pw 的伺服系統50，從而可調整基板（或其它物件）之高度以至少 部分校正光學元件之所量測高度的變化。另外或其他，可 將一訊號發送至一用以控制光學元件高度之位置的伺服系 統5 0 ’從而可調整光學元件之高度以至少部分校正光學元 件之所量測高度的變化。 藉由此機構’可穩定及/或減少藉由改變在連接至液體之 投影系統之光學元件上的力而引起的焦距及球面像差。 為較清晰起見’術語高度包括高度之變化且可包括傾 斜。另外’雖然已結合一微影裝置描述了本文之概念，但 是其可等同地應用於在一光學元件與一物件之表面之間使 用一液體之其它裝置。舉例而言，本文之概念可應用於一 次沒度量裝置，該浸沒度量裝置使用一經由一液體投影之 幸昌射束以量測一物件之特徵。 在歐洲專利申請案第03257072.3號中揭示了一對或雙級 次沒微影裝置。此—裝置係具備兩個台以支持—基板。水 I07288.doc •26· 平量測在無浸沒液體之第一 在一第二物罢食 # 置處之—臺上it行，且曝光 征罢說 進仃其中存在浸沒液體。或者， ™ . #乂佳貫知例中，可將文中所述之 凌置、方法及/或電腦程式產σ 0 卡。 飞屋口口應用於—皁一級/台微影裝置 儘管本文特定參考微影裝置㈣製造中之使用，但應瞭 ^文所34之微影裝置可具有其他應用，諸如製造積體 光子系統、磁域記情體夕道2丨β yJs、， 己噶骽之導引及偵測圖案、平板顯示器、 液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭 解，在該等替代應用之情形中，可將本文中任意使用之術 洁晶圓"或”晶粒"分別看作與更一般之術語"基板，，或"目標 部分"同義。可於曝光之前或之後以（例如）軌道（_通常將抗 蝕劑層塗覆至基板並顯影已曝光之抗蝕劑的工具）或度量 工具及/或檢測工具來處理本文所提及之基板。在可應用 時，可將本文之揭示内容應用於此等或其它基板處理工 '、另外，基板可經多次處理（例如）以產生一多層1C，所以 本文中所使用之術語基板亦可指一已包含多個已處理層之 基板® 本文中所使用之術語"輻射”及"射束"包含所有類型之電 磁輻射，包括紫外（UV)輻射（例如，波長為約365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或 126 nm)。 術語'’透鏡”在内容允許時可指各種類型之光學組件之任 一者或其組合，包括折射光學組件及反射光學組件。 雖然上文已描述了本發明之特定實施例，但是應瞭解， I07288.doc •27· 1342468 本發明可以盥所尨ί+. 士 士， /、 述方式不同之方式進行實踐。舉例而 用時，本發明之實施例可採用一含有描述上述方 —之或夕個機15可讀指令序列的電腦程式形式，或採用 :儲存有此-電腦程式之資料儲存媒體（例如，半導體絕緣 體、磁碟或光碟）的形式。兴/ 山 式舉例而g，可將度量模型/方法建 攝為一電腦程式， β 4電細％式可與微影裝置進行互動以 又知所里測資料（例如，自微 _Ρ 〜裝置之一或多個水平感測器 k传一所董測焦距及/或自 θ 1自u〜裝置之一或多個對準感測 裔k仔一所量橫向位移），且返 π;且返回杈正資料（例如，返回 水平感測器量測射束之不同波長而進行校正之所m 距’及/或返回考慮對準感測器量測射束之不同波長而進: 才父正之所量測橫向位移）。 、本發明之-或多個實施例可應用於任何浸沒微影裝置， 並尤其用於(但並非排他地)上文所述之彼等類型…” 沒液體是以液體槽之形式提供，還是僅提供於基板之二 區域。應廣泛地理解本文所涵蓋之液 — 瓶供應糸統。在某此 貫施例中’該液體供應系統可為一機 二 钱構或為可將液體提供 至投影系統與基板及/或基板台之間 ，、 町工間之結構的紐 合。該液體供應系統應包含可將液體提 、 办, 供至碟空間之一或 夕個結構、一或多個液體入口、一或多 一 夕1固軋體入口、一或 多個出口及/或一或多個液體出口。在—每 貫施例中，該空間 之表面可為基板及/或基板台之一部分，或該空間之 完全覆蓋基板及/或基板台之表面。咬今办 W二間可包圍基板及 /或基板台。液體供應系統可視情泥進—斗 步包括—或多個元 I07288.doc -28- 1342468 件以控制液體之位置、數量、品質、形狀、流速或任何其 它特徵。 用於裝置之浸沒液體可根據所要性質及所使用曝光輻射 之波長而具有不同成分。對於〗93 „爪之曝光波長而言，可 使用起純水或基於水之組合物，且因此有時可將浸沒液體 柄作水及與水相關之術語，諸如可使用親水、疏水、濕度 等。 人電腦或其類似物之任何通用電腦上執行，且可按照諸如 C++、Java、Fortran或其類似物之任何程式化語言所產生之 -或多個程式模組或目標程式之一或多者、或其一部分而 執行。且進一步，每一步驟、或建構每-步驟之擋案或目 標或其類似物可藉由專用硬體或為此目的而設計之電路模 組來執行。舉例而言， 存器之拿讀程式、或一載出2 :為一載入非揮發性儲 , 载出或载入資料儲存媒體中之軟體 轾式，諸如機器可讀程式 器或其它數位訊號處理單元之J式：…如微處理 士 1 早7°之邏輯凡件陣列執行之指令。 明可建構為一製造物品，其 發明之方法步驟的電腦可切㈣用於執行本 -可由H… 貝#式馬構件之電腦可用媒體； 機為項取之程式儲存器件；可由一 執行本發明之方法步驟的可觸摸嵌入 益執订從而 式產品；或為—製造物品二…電腦程 構件之電腦可用媒體，在該電：；；：有電腦可讀程式碼 式碼構件包含 電月^式產品中之電腦可讀程 用於使—電腦執行本發明之步驟的電腦可讀 107288.doc -29- 可〔括二彳&製k物°°、裎式储存器件或電腦程式產品 二，'磁片'磁帶、硬碟機、電腦系 如’編或職)及/或電子、磁光學生物 A其類似實施例之程式 理 认、匕括’但不限於經調製或其它處 專一送可續取、被解調/解碼及由一電腦執行之指令的載 貫際上，製造物品、程式儲存器件或電腦程式產品可 二:任：固體或流體傳輸機構、磁或光學傳輸機構或其類 、、用於储存或傳輸可由一機器讀取之訊號以根據本 丄之方法控制通用電腦或專用電腦之操作，及/或 本發明之系統構成其組件。 二發明亦可建構為一系統。該系統可包含一電腦，該電 ::纟4理器及一記憶體器件，且可視情況包括一儲存 益 輸出器件（諸如一視訊顯示器）及/或-輸入器件（諸 如―鍵盤或電腦滑鼠而且’—系統可包含—電腦之互連 :路。電腦可等同地為_單機形式(諸如一傳統 電或整合於另-裝置中(諸如-微影裝置)。 /統可特定地為所需要之目的而建構以執行（例如）本發 =法步驟’或其可包含—或多個通用電腦’該或該等 電腦可藉由—根據本文所教示之儲存於電腦中之電腦程式 而選擇性啟動或組態。系統亦可建構為-硬連線電路之整 體或一部分，式3奢m & $ 次建構為—製造成一專用積體電路之電路組 豆—#文陳述之本發明並非固有地關於一特定電腦系統或 二匕^置。自所給出之描述可易瞭解各種此等系統之所需 結構。 I07288doc -30. 1342468 對本文所描繪之圖式而言， 背離本發明之精神的情況下， 步驟（或操作）進行變化。例如， 以不同順序執行，或可添加、 所有此等變化包含為由隨附申 之一部分。 其僅作為實例而提供。在不 可對本文描述之此等圖式或 在某些情況下，此等步驟可 刪除或修正某些步驟。認為 清專利範圍所陳述之本發明

上文之描述僅用以說明 熟習此項技術者易瞭解在 之範疇的情況下可對本發 【圖式簡單說明】 ，而非用於限制本發明。因此， 不背離下文陳述之申請專利範圍 明進行各種修正。

圖1描繪根據本發明之—實施例之微影裝置； 圖2及圖3描繪用於一微影投 又&裝置之一液體供應车姑. 圖4描繪用於一微影投影裝 ，' , 罝之另—液體供應系統· 圊5描繪用於一微影投影裝 一 〜力 成體供應系统. 圖6示意性指繪根據本發明之一實施例束， 微影裝置之投影系統的-光學元件之通路；束穿過— 圖7描繪—根據本發明之方法的流程® ; 圖8示意性描繪根據本發 景> 裝置之投影系統的一光學 感測器；及 明之一杂士 A ,. 只施例一用以量測— 元件之—南度< —高度變化 微 之 圖9示意性描繪根據本發明之一奋 只施例一用以旦：BI 影裝置之投影系統的一光學元 里/、丨—微 丁〜1干之一鬲廑$ _古 感測器。 —阿度變化之 【主要元件符號說明】 I07288.doc -31 - 1342468 10 儲集區 11 液體 12 液體限制結構 14 出口 15 入口 20 圖案化投影射束 22 量測射束 24 量測射束 26 感測器 40 入射量測射束 42 射出量測射束 44 射出量測射束 46 感測器 50 伺服系統 BD 射束傳遞系統 CO 聚光器 IF 位置感測器 IH 浸沒罩 IL 照明器 IN 積光器/入口 M, 遮罩對準標記 m2 遮罩對準標記 MA 圖案化器件/遮罩 MT 遮罩台 107288.doc -32- 1342468 OE 光學元件 OUT 出口 Pi 基板對準標記 P2 基板對準標記 PB 幸畐射束 PL 投影系統 PM 第一定位器 PW 第二定位器 so 輻射源 w 基板 WT 基板台 I07288.doc -33-

Claims (1)

1. I34246& _]45387號專利申請幸 中文申請專利範圍替換本(99年3月）十、申請專利範圍：

   年月q 修Jl 一種用於校正一浸沒微影裝置之-曝光參數的方二 方法包含： 使用-量測射束量測—曝光參數，該量測射束經投影 而穿過該浸沒微影裝置之—投影系統與—臺之間的一液 體； 量測影響使用該量测射束進行之—量測的—物理性 質； 基於影響使用該量測射束進行之量測所量測得的物理 性質之1化而確定-偏移’以至少部分校正量測得之 該曝光參數。 2·=請求項1之方法，其中該物理性質包含該液體之⑷ 或（b)壓力，或⑷一成分，或⑷任何⑷至⑷ 之組合。 根：：求項i之方法’其中該物理性質包含一沖洗氣體或 •杈。系統之-光學元件上或兩者之⑷一溫度，或(b) 一 或（C) 一成分，或（d)任何（a)至（c)之組合。 根據β求項！之方法，其中該曝光參數包含使用該投影系 統投影之一圖案化射束之一焦距、固持於該臺之一基板 的一尚度，或兼具兩者。 ，？：求項1之方法其中該曝光參數包含使用該投影系 之圖案化射束之一橫向位移、一固持於該臺之 一基板的〜χ_γ位置，或兼具兩者。 月求項1之方法，其中該物理性質包含該量測射束之 107288-990316.doc ^342468 -波長、冑用該投影系統投影之一圖案化射束之一波 長，或兼具兩者。 ' 根據：长項1之方法，其中該偏移包含該物理性質之該變 化與該曝光參數相對於該物理性質之—變化速率的 乘值。 8·根據請求項…之任一項之方法，其包含投影該量測射 束及一用於曝光該基板之圖案化射纟以f過該投影系統 之一光學元件。 9. 根據請求項！至7之卜項之方法，《中基於該物理性質 之該變化確定該偏移包含基於該量測射束之一波長的該 物理性質之該變化與使用該投影系統投影之一圖案化射 束之一波長的該物理性質的一變化之間的差異確定該偏 移。 10. —種微影裝置，其包含： 一支樓機構，其經組態以固持一圖案化器件，該圖案 化器件經組態以將一圖案賦予一輻射束之橫截面中； 一臺’其經組態以固持一基板； 一投影系統’其經組態以將圖案化的該射束投影至該 基板之一目標部分； 一液體供應系統’其經組態以將液體提供至該投影系 統與該臺之間的一空間； 一感測器，其經組態以使用經投影而穿過該液體之— 量測射束來量測一曝光參數； 一物理性質感測器，其經組態以量測影響使用該量測 107288-990316.doc 1342468 射束進行之一量測的一物理性質；及 一校正系統，其經組態以基於藉由該物理性質感測器 量測得的該物理性質之一改變而確定一偏移，以至少部 分校正量測得之該曝光參數。 11 ·如請求項1 〇之裝置，其中該物理性質包含該液體之（a) 一 溫度，或（b)—壓力，或（C)一成分，或（d)任何（a)至（C)之 組合。 12‘如4求項10之裝置’其中該物理性質包含一沖洗氣體或 該投影系統之一光學元件上或兩者之（a)一溫度，或（b) — 壓力，或（c)一成分，或（d)任何（a)至（c)之組合。 3.如π求項11之裝置，其進一步包含一經組態以量測該液 體之该溫度的溫度感測器、一經組態以量測該液體之該 壓力的壓力感測器’或兼具兩者。 如請求項10之裝置，其中該曝光參數包含該圖案化射束 之一焦距 '該基板之一高度，或兼具兩者。 ^如請求項10之裝置，其中該曝光參數包含該圖案化射束 之—橫向位移、該基板之一 χ_γ位置，或兼具兩者。 16‘如喝求項10之裝置，其中該物理性質包含該量測射束之 一波長、該圖案化射束之-波長，或兼具兩者。 3夂項1 0之裝置’其中該偏移包含該物理性質之該變 化與該曝光參數相對於該物理性f之—變化速率的一相 18. 如請求項10至17之任—項之裝置，其甲該感㈣經組態 以投影該量測射束穿過該圖案化射束經投影所穿過之該 107288-9903 ] 6.doc 1342468 才又衫系統之一光學元件。 19. 如請求項10至17之任—項之裝置，其中該校正系統經組 態以基於該量測射束之一波長之該物理性質之一變化與 該圖案化射束之一波長之該物理性質的一變化之間的差 異而確定該偏移。 20. —種用於校正一浸沒微影裝置之一曝光參數的電腦程式 產品’該電腦程式產品包含： 經組態以使用經投影而穿過該浸沒微影裝置之一投影 系統與一臺之間的一液體一之量測射束量測一曝光參數 之軟體程式碼； 經組態以量測影響使用該量測射束進行之一量測的一 物理性質的軟體程式碼；及 經組態以基於藉由該感測器量測到的該物理性質之一 變化而確定一偏移以至少部分校正量測得之該曝光參數 之軟體程式碼。 2 1.如請求項2 0之電腦程式產品，其中該物理性質包含該液 體之（a)—溫度，或（b)—壓力，或（c) 一成分，或（d)任何（a) 至（c)之組合。 2 2.如請求項2 0之電腦程式產品’其中該物理性質包含一沖 洗氣體或該投影系統之一光學元件上或兩者之（a) 一溫 度，或（b)—壓力，或（c)一成分，或（d)任何0)至（(〇之組 合。 23.如請求項20之電腦程式產品，其中該曝光參數包含使用 該投影系統投影之一圖案化射束之一焦距、固持於該臺 107288-990316.doc 1342468 之一基板的一高度，或兼具兩者。 24. 如請求項20之電腦程式產品，其中該曝光參數包含使用 該投影系統投影之-圖案化射束之—橫向位移、一固持 於該臺之一基板的一 χ_γ位置，或兼具兩者。 25. 如請求項20之電腦程式產品’其中該物理性質包含該量 測射束之-波長、使㈣投㈣統投影之—圖案化射束 之一波長’或兼具兩者。 26. 如請求項20至25之任一項之電腦程式產品，其包含經組 態以藉由該物理性質之該變化與該曝光參數相對於該物 理性質之-變化速率相乘而確定該偏移之軟體程式碼。 27. 如請求項20至25之任一項之電腦程式產品，其包含經組 態以基於該量測射束之一波長的該物理性質之一變化與 使用該投影系統投影之-圖案化射束之_波長㈣物理 性質之-變化之間的差異而確定該偏移的軟體程式碼。 28. —種微影裝置，其包含： 一臺，其經組態以固持—基板； 一投影系、统，其經組態以將一圖案化射束投影至該基 板之一目標部分，該投影系統具有一光學元件； 一液體供應系統，其經組態以將液體提供至該投影系 統與該臺之間的一空間，該光學元件經組態以連接至該 液體；及 一感測器，其經組態以量測該光學元件之一高度。 29·如請求項28之裝置，其中該光學元件係可移動且進 一步包含一經組態以移動該光學元件從而至少部分校正 107288-990316.doc β玄光學元件之高度的一改變之校正系統。 3〇.如請求項28之裝置，其進一步包含一經組態以移動該臺 從而至少部分校正該光學元件之高度的一改變之校正系 統。 3 1 ·如請求項28之裝置，其中該感測器經組態以偵側一自該 光學元件行進之量測射束，從而量測該光學元件之該高 度。 31 ’如請求項3 1之裳置，其中感測器經進一步組態以將該量 測射束投影至該光學元件處。 33. 如請求項28之裝置，其中該感測器經組態以偵側一自該 光學元件反射之量測射束，且經組態以藉由計算該量測 射束與一自該基板或該臺反射之射束之間的干涉所產生 之條紋來量測該光學元件之該高度。 34. 如請求項28至33之任一項之裝置，其中該感測器係一經 組態以量測該基板或該臺之一高度的水平感測器。 35·如請求項28至33之任一項之裝置，其中該光學元件之該 高度之一變化係一對焦距誤差、球面像差或兩者之量 測’且進一步包含一經組態以至少部分校正此焦距誤 差、球面像差或兩者之校正系統。 36.—種用於校正一浸沒微影裝置之一成像誤差的方法，包 含： 量測該浸沒微影裝置中之一投影系統之—光學元件的 一高度’該光學元件係連接至該投景多系統與該投影系統 之一臺之間的一液體；及 107288-9903l6.doc • 6 · 1342468 藉由移動該光學元件而至少部4校正6贫影像誤差。 37.如請求項36之方法，其中該成像誤差係一焦距誤差、一 球面像差或兩者。 3 8 ·如請求項3 6或3 7之方法，其中量測該高度包含將一量測 射束投影至該光學元件處及偵侧一自該光學元件行進之 量測射束。 39. 如請求項36或37之方法，其中量測該高度包含偵側一自 該光學元件反射之量測射束及計算藉由該量測射束與一 自該臺或一固持於該臺之基板反射之射束之間的干涉所 產生之條紋。 40. 如請求項36或37之方法，其中使用一經組態以量測該臺 或固持於忒$之基板的一高度之水平感測器來量測該 南度。

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