JP5286338B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、基板、通常は基板の目標部分に所望のパターンを施す機械である。例えば、リソグラフィ装置は、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターン形成装置を使用して、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）上に転写することができる。一般に、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応物質（レジスト）の層上に結像することによって行われる。一般に、１つの基板は、次々とパターン形成される隣接した目標部分からなるネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、１回の動作でパターン全体を露光させることによって各目標部分を照射する、いわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）の放射ビームを介してパターンを走査することによって各目標部分を照射し、これと同時にこの方向と平行又は逆平行に基板を走査する、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターンをパターン形成装置から基板へ転写することも可能である。

リソグラフィ投影装置内で、比較的高屈折率を有する液体、例えば水の中に基板を浸漬させて、投影系の最終素子と基板との間の空間を満たすことが提案されている。露光放射は、液体内ではより短い波長を持つので、より小さいフィーチャの結像が可能となることがこの提案の要点である。（液体の効果は、系の有効開口率（ＮＡ）を増大させ、焦点深度も増大させることとも考えることができる。）固体粒子（例えば、石英）を浮遊させた水など、他の浸漬液も提案されている。

しかし、基板或いは基板及び基板テーブルを液浴（例えば、全体を参照によって本明細書に援用される米国特許第４５０９８５２号を参照）に浸すことは、走査露光中に加速しなければならない大量の液体があることを意味する。このことは、追加のモータ又はより強力なモータを必要とするので、液体内の乱流が好ましくない、かつ予期できない結果をもたらすことがある。

液体供給系が、基板の局部領域上、かつ投影系の最終素子と基板との間にのみ液体を供給することが、提案される解決策の一つである（一般に、基板は投影系の最終素子よりも表面積が大きい）。このような構成にするために提案されている１つの方法が、国際公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。その全体を参照によって本明細書に援用する。図２及び図３に示すように、液体は、好ましくは最終素子に相対的な基板の移動方向に沿って、少なくとも１つの流入口ＩＮから基板上に供給され、投影系の下を通過後、少なくとも１つの流出口ＯＵＴから除去される。つまり、基板が素子の下で−Ｘ方向に走査されるにつれて、液体が素子の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で吸収される。図２は、液体が流入口ＩＮを介して供給され、低圧力源に接続される流出口ＯＵＴから素子の反対側に吸収される構成を概略的に示す。図２では、液体は、最終素子に相対的な基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしも源る必要はない。最終素子の周囲に、様々な向きで多数の流入口と流出口とを配置することが可能である。流出口を両側に持つ４組の流入口が、最終素子の周囲に規則的なパターンで設けられた一例を図３に示す。

例えば、浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正するための方法、装置及び／又はコンピュータ・プログラム製品を提供することが有利であろう。

本発明の一態様によれば、
浸漬式リソグラフィ装置の投影系と基板テーブルとの間の液体を介して投影される測定ビームを使用して露光パラメータを測定することと、測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性値変化に基づいてオフセットを求めることとを含む、浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正するための方法が提供される。

本発明の一態様によれば、
放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン形成されたビームを投影するように構成された投影系と、
投影系と基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給系と、
液体を介して投影された測定ビームを使用して露光パラメータを測定するように構成されたセンサと、
測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性値変化に基づいてオフセットを求めるように構成された補正系と
を含むリソグラフィ装置が提供される。

本発明の一態様によれば、
浸漬式リソグラフィ装置の投影系と基板テーブルとの間の液体を介して投影される測定ビームを使用して露光パラメータを測定するように構成されたソフトウェア・コードと、
測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性値変化に基づいてオフセットを求めるように構成されたソフトウェア・コードと
を含む、浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正するためのコンピュータ・プログラム製品が提供される。

本発明の一態様によれば、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン形成されたビームを投影するように構成され、光学素子を有する投影系と、
投影系と基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成され、光学素子が液体に接続されるように構成された液体供給系と、
光学素子の高さを測定するように構成されたセンサと
を含む、リソグラフィ装置が提供される。

本発明の一態様によれば、
浸漬式リソグラフィ装置において、投影系と投影系の基板テーブルとの間の液体に接続された、投影系光学素子の高さを測定することと、光学素子の移動又は基板テーブルの移動、又はその両方によって結像誤差の少なくとも一部を補正することとを含む、浸漬式リソグラフィ装置の結像誤差を補正するための方法が提供される。

本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ投影装置内で使用される液体供給系を示す図である。 リソグラフィ投影装置内で使用される液体供給系を示す図である。 リソグラフィ投影装置内で使用される別の液体供給系を示す図である。 リソグラフィ投影装置内で使用される別の液体供給系を示す図である。 本発明の一実施例によるリソグラフィ装置における投影系の光学素子を介した放射ビーム経路の概略図である。 本発明の一実施例による方法のフローチャートである。 本発明の一実施例による、リソグラフィ装置における投影系の光学素子の高さ又は高さの変化を測定するために使用されるセンサの概略図である。 本発明の一実施例による、リソグラフィ装置における投影系の光学素子の高さ又は高さの変化を測定するために使用されるセンサの概略図である。

添付の概略的な図面を参照して、ほんの一例として、本発明の実施例をいくつか説明する。図面において、対応する参照符号は対応する部分を示す。

図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の概略図である。この装置は、
放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明系（照明装置）ＩＬと、
パターン形成装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造（例えば、マスク・テーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジスト被膜のウェハ）Ｗを保持するように構成され、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハ・テーブル）ＷＴと、
パターン形成装置ＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＬとを含む。

照明系は、放射を方向付け、形作り、又は調整する屈折光学構成要素、反射光学構成要素、磁気光学構成要素、電磁光学構成要素、静電光学構成要素、又は他のタイプの光学構成要素、或いは、これらのあらゆる組合せなど、様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。

支持体は、パターン形成装置の重みを支える。支持体は、パターン形成装置の向き、リソグラフィ装置の設計、並びに、例えばパターン形成装置が真空状態内で保持されているか否かなど他の状態に応じた形で、パターン形成装置を保持している。支持体は、機械的締付け、真空式締付け、静電的締付、又は他の締付け法を使用してパターン形成装置を保持することができる。支持体は、例えば、必要に応じて固定又は移動可能なフレーム又はテーブルでよい。支持体によって、パターン形成装置を、例えば投影系に対して所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で「レチクル」又は「マスク」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語の「パターン形成装置」と同義語と見なすことができる。

本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与して、基板の目標部分へのパターン形成などを行うために使用することのできる、あらゆる機器を意味するものとして広く解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、例えば、パターンが位相シフトフィーチャ、又はいわゆる補助フィーチャを含む場合、基板の目標部分内の所望パターンに厳密に対応しないことがあることを留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路など、目標部分内に形成されているデバイス内の特定の機能層に対応する。

パターン形成装置は透過性又は反射性であってよい。パターン形成装置の例としては、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、及びプログラム可能なＬＣＤパネルなどがある。リソグラフィでは、種々のマスクがよく知られており、マスクのタイプとしては、バイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク、及び減衰位相シフト・マスク、並びに様々なハイブリッド・マスクなどがある。プログラム可能なミラー・アレイの一例は、様々な方向から入射する放射ビームを反射するようにそれぞれを個別に傾斜させることのできる、小ミラーからなるマトリックス構成を使用している。傾斜ミラーは、ミラー・マトリックスによって反射される放射ビーム内にパターンを付与する。

本明細書で使用する「投影系」という用語は、使用される露光放射、或いは浸漬液の使用又は真空の使用など他のファクタに適した屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁光学系及び静電光学系を含むあらゆるタイプの投影系、又はそれらのあらゆる組合せを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語の「投影系」と同義語と見なすことができる。

次に述べるように、装置は（例えば、透過性マスクを使用した）透過タイプのものである。或いは、装置は（例えば、先に述べたようなタイプのプログラム可能なミラー・アレイを使用した、又は反射性マスクを使用した）反射タイプのものでもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（２段）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものでよい。このような「多段」機械では、追加のテーブルを並行して使用してもよいし、１つ又は複数のテーブル上で予備工程を実行し、その間１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用することもできる。

図１を参照すると、照明装置ＩＬは、放射源ＳＯから放射を受け取る。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマ・レーザである場合は、互いに独立したものであってよい。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射は、例えば、適切な方向付けミラー及び／又はビーム・エキスパンダを含むビーム送出系ＢＤを用いて、放射源ＳＯから照射装置ＩＬへ送られる。他の場合では、例えば、放射源が水銀ランプの場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源ＳＯ及び照射装置ＩＬは、ビーム送出系ＢＤが必要であるならばそれとともに、放射系と呼ぶことができる。

照射装置ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整装置ＡＤを含むことができる。一般に、照明装置のひとみ平面における強度分布の少なくとも外径及び／又は内径の長さ（通常、それぞれσ−アウター及びσ−インナーと呼ばれる）は調整することができる。さらに、照明装置ＩＬは、積算器ＩＮや集光器ＣＯなど様々な他の構成要素も含むことができる。照明装置を使用して放射ビームを調整し、その断面に所望の均一性及び強度分布を持たせることができる。

放射ビームＰＢは、支持構造（例えば、マスク・テーブルＭＴ）上に保持されているパターン形成装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターン形成装置によってパターン形成される。放射ビームＰＢは、マスクＭＡを横切った後、投影系ＰＬを通り抜け、それによってビームは基板Ｗの目標部分Ｃ上に投影される。以下にさらに説明する浸漬フードＩＨは、投影系ＰＬの最終素子と基板Ｗとの間の空間に浸漬液を供給する。

第２の位置決め装置ＰＷ、及び位置センサＩＦ（例えば、干渉機器、リニア・エンコーダ又は容量センサ）を用いて、例えば、放射ビームＰＢの経路内に別の目標部分Ｃが位置するように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えばマスク・ライブラリからの機械的検索の後、又は走査中に、第１の位置決め装置ＰＭ、及び別の位置センサ（これは図１には明確には描かれていない）を使用して、放射ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を形成する長行程モジュール（大雑把な位置決め）及び短行程モジュール（精密な位置決め）を用いて行うことができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を形成する長行程モジュール及び短行程モジュールを使用して行うことができる。ステッパの場合、（スキャナとは反対に）マスク・テーブルＭＴは、短行程アクチュエータのみに接続してもよいし、固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１及びＭ２、並びに基板位置合わせマークＰ１及びＰ２を使用して位置合わせすることができる。図示した基板位置合わせマークは、専用の目標部分を占めているが、目標部分間の空間に配置することもできる（これらは、スクライブ・レーン位置合わせマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に１つ又は複数のダイが設けられている場合、マスク位置合わせマークを、ダイ間に配置することができる。

図示の装置は以下のモードの少なくとも１つで使用できる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止に保たれ、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃ上に１回の動作で（つまり１回の静止露光で）投影される。次いで、別の目標部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴはＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップ・モードでは、露光範囲の最大サイズによって１回の静止露光で結像される目標部分Ｃのサイズが制約される。
２．走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃ上に投影（つまり１回の動的露光）される間、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴとが同時に走査される。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＬの拡大（縮小）特性及び像反転特性によって決めることができる。走査モードでは、露光範囲の最大サイズによって１回の動的露光における目標部分の（非走査方向の）幅が制約されるが、目標部分の（走査方向の）高さは、走査動作の距離によって決まる。
３．別のモードでは、マスク・テーブルＭＴは、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながら基本的に静止に保たれ、基板テーブルＷＴは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃ上に投影される間移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス状の放射源が使用され、プログラム可能なパターン形成装置は、基板テーブルＷＴの移動が終わるたびに、又は走査中の連続的な放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に述べたようなタイプのプログラム可能なミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用しマスクを利用しないリソグラフィに容易に適用することができる。

上述の使用モード又は全く異なる使用モードを組み合わせて、及び／又は変更して使用することもできる。

局部液体供給系による浸漬式リソグラフィのさらなる解決策を図４に示す。液体は、投影系ＰＬの両側にある２つの溝入口ＩＮから供給され、溝入口ＩＮの外側に向かって放射状に配置される複数の離散出口ＯＵＴから除去される。入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは、真中に開口を有するプレート内に配置することができ、その開口を通って投影ビームは投影される。液体は、投影系ＰＬの片側にある一方の入口ＩＮから供給され、投影系ＰＬの反対側にある複数の離散出口ＯＵＴから除去されるので、投影系ＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄膜状の流れが生じる。入口ＩＮと複数の出口ＯＵＴとのどちらの組合せを使用するかは、基板Ｗの移動方向によって決まる（入口ＩＮと複数の出口ＯＵＴとのもう一方の組合せは、非活動状態となる）。

局部液体供給システムによる浸漬式リソグラフィについて提案されている別の解決策は、投影系の最終素子と基板テーブルとの間の空間である境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造を、液体供給系に設けることである。このような解決策を図５に示す。液体閉じ込め構造は、多少Ｚ方向（光軸方向）の相対移動はあり得るが、ＸＹ平面内の投影系に対し実質的に静止している。例えば、本明細書に全体を参照によって援用される米国特許出願第１０／８４４，５７５号を参照されたい。液体閉じ込め構造と基板表面との間にシールが形成される。

図５を参照すると、リザーバ１０によって、投影系の結像領域の周囲に、基板と接触しないシールが形成され、それにより液体が閉じ込められて基板表面と投影系の最終素子との間の空間が満たされる。リザーバは、投影系ＰＬの最終素子の下に位置しかつそれを取り囲む液体閉じ込め構造１２によって形成される。液体は、投影系の下かつ液体閉じ込め構造１２内の空間に供給される。液体閉じ込め構造１２は、投影系の最終素子より少し上に延びているので、液面が最終素子の上まで上昇し、それにより液体緩衝域が形成される。液体閉じ込め構造１２は、実施例では上端部において投影系又はその最終素子の形状にぴったりと一致する、例えば丸い内周面を有する。内周面は底部では、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形の結像領域の形状にぴったりと一致する。

液体は、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間のガス・シール１６によってリザーバ内に閉じ込められる。ガス・シールは、一実施例ではＮ_２或いは別の不活性ガスであるが、例えば、空気や合成空気などのガスによって形成され、液体閉じ込め構造１２と基板との間のギャップに加圧下で流入口１５を介して供給され、第１の流出口１４から抜き取られる。液体を閉じ込める内向きの高速ガス・フローが生じるように、ガス流入口１５の過圧力、第１の流出口１４の真空レベル及びギャップの幾何形状を定める。このようなシステムは、本明細書に全体を参照によって援用される米国特許出願第１０／７０５，７８３号に開示されている。

一実施例では、基板の結像を容易にするために、基板の高さ合わせ及び位置合わせを、基板の露光位置で行うことができる。すなわち、露光中、基板が投影系に相対的に、かつその近くに移動するときに基板を測定することができるように、投影系及び／又は投影系に隣接して位置する基板の周囲に、基板レベル・センサ（パターン形成された投影ビームの基板上への集束を容易にするために使用）及び基板アラインメント・センサ（パターン形成された投影ビームに相対的に、基板横方向の適切な位置決めを容易にするために使用）を設ける。浸漬式リソグラフィ装置では、投影系と基板との間に液体を供給又は維持するために使用される構造によって、こうしたセンサのうちの１つ又は両方を設けるために又は操作するために残された物理空間の量は、非常に制約される。このような空間は、例えば約１．３などの高開口率（ＮＡ）を持つような、より大きな投影系ではさらに制約される。従って、レベル・センサ及び／又はアラインメント・センサが放射測定ビームを使用する一実施例によれば、放射測定ビームの全体又は一部を投影系に通過させることができる。

図６は、本発明の一実施例による浸漬式リソグラフィ装置における投影系の光学素子を通過する、パターン形成された投影ビーム及び測定ビームの経路を概略的に示す図である。投影系ＰＬの実施例の一部分を示す。液体１１を、投影系ＰＬと基板Ｗとの間に配設する。図示するように、パターン形成された投影ビーム２０は、２点から投影系ＰＬの一部分に侵入する（図から明らかなように、これらは波動を表す単なる２本の光線である）。パターン形成された投影ビーム２０は、投影系ＰＬの一部分を通過し、次いで液体１１も通過し、基板Ｗ上に集束する。

この実施例では、図示するように、（例えば、１つ又は複数のレーザ源、発光ダイオード、（ハロゲン）ランプなどによって供給される）レベル・センサ用入射測定ビーム２２は、投影系ＰＬの一部分に侵入する。測定ビームは、投影系ＰＬの一部分を通過し、次いで液体１１も通過し基板上に達する。測定ビームは、基板Ｗに反射し、次いでレベル・センサ用出射測定ビーム２４として液体１１及び投影系ＰＬの一部分を通過し、レベル・センサ検出器（図示せず）に向かって外に出る。図６にはレベル・センサ用測定ビームを示すが、この測定ビームの代わりに、アラインメント・センサ用測定ビーム又は他の測定ビームでもよいし、この測定ビームにこれらのビームを加えてもよい。

図では、パターン形成された投影ビーム２０並びにレベル・センサ用測定ビーム２２及び２４は、正確な高さ合わせ／焦点測定を容易にするために、基板上のほぼ同じ点に集束しているが、これらのビームは、ほぼ同じ点に集束する必要はない。例えば、パターン形成された投影ビーム２０が集束するよりも早い時点で、レベル・センサ用測定ビーム２２及び２４をある位置に集束させ、それによりパターン形成された投影ビーム２０が基板Ｗに当たる前に、高さ合わせ／焦点計算及び調整を行うことができる。測定ビーム２２及び２４が、例えば位置合わせビームである場合、測定ビーム２２及び２４を、パターン形成された投影ビーム２０とは異なる、例えば位置合わせマークのところに集束させることができる。

測定ビームは、基板Ｗの放射感応物質を露光すべきではないので、測定ビームに使用される放射波長は、放射感応物質を露光しないように選択され、従って通常、パターン形成された投影ビームの放射波長とは異なる。例えば、レベル・センサ用測定ビームの場合、ざっと捉えるには、測定ビーム用にＨｅＮｅレーザ放射を使用することができるが、薄膜効果を低減するために、その代わりに又は加えて、広域放射を使用すべきである。

しかし、例えばレベル・センサの場合、測定ビーム用に、パターン形成された投影ビームとは異なる波長を使用すると、レベル・センサがその測定ビームを投影系に通過させて検出する焦点が、同じ投影系を通過するパターン形成された投影ビームに付随する実際の焦点とは異なる恐れがある。これは、１つ又は複数の投影系の特徴（屈折率など）が、波長とともに変化するからである。このように、（ある波長の）測定ビームの光学経路内のどこかに屈折率変化が起こると、検出された焦点が、パターン形成された（別の屈折率の）投影ビームに付随する実際の焦点とは異なることがある。加えて又は代替に、位置合わせビームなど他の測定ビームを使用した測定結果も、同様の状態になる傾向がある。例えば、位置合わせビームの場合、パターン形成されたビームの基板上の実際の横方向位置は、位置合わせ測定ビームを基板上の位置合わせマーク上に投影して行う位置あわせ測定によって求めた、パターン形成されたビームの予測横方向位置とは異なることがある。

測定ビームの光学経路内での屈折率変化は、様々なことにより起きる。例としては、
測定ビームが通過する液体及び／又は光学素子の温度変化、
測定ビームが通過する液体及び／又は光学素子の圧力変化、
液体の組成変化（例えば、汚染）、
投影系の入射及び／又は出射測定ビームの経路を調整するために使用されるフラッシング・ガス内の圧力及び／又は温度変化
などがある。

さらに、測定ビームを使用して測定した値とパターン形成された投影ビームに付随する実際の値との差も、１つ又は複数の別の変化によって生じる場合がある。例えば、パターン形成された投影ビームの波長変化によって、測定ビームを使用して成される測定が不正確になり得る。同様に、測定ビームの波長変化によって、その測定ビームを使用して成される測定が不正確になり得る。さらに、投影系内の１つ又は複数の光学素子の移動（操作）、或いは基板の高さ移動によって、測定ビームを使用して測定された値と、パターン形成された投影ビームに付随する実際の値とに差が生じることがある。

従って、一実施例では、計測形態／方法を実施して、測定ビームと投影ビームとの波長差に起因する、測定ビームを使用して測定した露光パラメータ値とパターン形成された投影ビームに付随する露光パラメータ適用値との差を補正する。

図７は、本発明の一実施例による計測方法のフローチャートを概略的に示す。

工程３０では、測定ビームによって露光パラメータＰ（焦点、基板高さ、及び／又は位置関係など）を測定する時点又はほぼその時点で、１つ又は複数のセンサ２６が、先に述べた物理特性のうち１つ又は複数を測定する。例えば、圧力センサは、測定ビームが通過する液体、フラッシング・ガス及び／又は光学素子の圧力を測定することができる。加えて又は代替に、温度センサは、測定ビームが通過する液体、フラッシング・ガス及び／又は光学素子の温度を測定することができる。一実施例では、複数の異なるタイプの測定を行うことができるし（例えば、圧力測定や温度測定）、及び／又は同じタイプの測定を複数回行うことができる（例えば、温度を複数回測定）。測定の回数を符号ｊで示す。また、１つ又は複数の測定された物理特性値をアレイＸ₋ｊで表す。一実施例では、１つ又は複数のセンサは、例えばリソグラフィ装置がそれに最適に調整されている公称値に対する差として物理特性測定値を提供する。例えば、温度センサは、実際の測定温度（例えば、２２．３℃）とリソグラフィ装置が最適に調整された公称温度（例えば、２２．１℃）との差を測定温度（つまり、０．２℃）として提供することができる。一実施例では、公称値（つまり、校正）が確定されていない場合にも、追加の計算及び／又は測定を経て、この方法を適用することができることが分かるであろう。

工程３２では、１つ又は複数の物理特性測定値Ｘ₋ｊが露光パラメータＰに及ぼす効果を決定又は求める。この効果は、導関数ｄＰ／ｄＸ₋ｊとして示すことができる。例えば、露光パラメータＰが焦点であり、物理特性測定値Ｘ₋ｊが浸漬液の温度及び圧力である場合、ｄＰ／ｄＸ₋ｊは、温度及び圧力に対する焦点変化率を表すことができる。

一実施例では、ｄＰ／ｄＸ₋ｊを、工程３２で求めることも、工程３２の前でも後でも求めることができる。すなわち、オフライン、つまり測定ビームが露光パラメータＰを測定する前でも、オンライン、つまり測定ビームが露光パラメータＰを測定する時点又はほぼその時点でも、ｄＰ／ｄＸ₋ｊを求めることができる。一実施例では、実験／校正による経験的結果から、及び／又は光学理論（例えば、光学的光線追跡）によってｄＰ／ｄＸ₋ｊを求めることができる。例えば、ｄＰ／ｄＸ₋ｊは、関連する物理公式及び／又は数学的公式に物理数値（異なる条件での特定の物理特性の数値表など、例えば、異なる温度での物質の屈折率）を当てはめることによって計算することができる。別の実施例では、ｄＰ／ｄＸ₋ｊは、実験的測定によって求めることができる。さらに、ｄＰ／ｄＸ₋ｊは、複数の露光ビーム波長及び／又は測定ビーム波長に対して求めることができ、露光ビーム波長と測定ビーム波長との差であってよい。加えて又は代替に、ｄＰ／ｄＸ₋ｊは、投影系のタイプ毎（例えば、複数のリソグラフィ装置内で使用される１つの投影系）でも、１つのリソグラフィ装置内の特定の投影系毎に個別にでも求めることができる。

工程３４では、物理特性測定値Ｘ₋ｊを考慮するために、測定された露光パラメータＰを少なくとも部分的に補正する。一実施例では、この補正は、次のように公式化することができる。
Ｐ₋適用＝Ｐ₋測定−総（ｊ）｛Ｘ₋ｊ＊ｄＰ／ｄＸ₋ｊ｝
ただし、Ｐ₋適用は、例えばパターン形成された投影ビームによって基板を露光中に適用すべき露光パラメータであり、Ｐ₋測定は、測定ビームを使用して測定した露光パラメータである。従って、「総（ｊ）｛Ｘ₋ｊ＊ｄＰ／ｄＸ₋ｊ｝」の項は、例えば基板の露光中、適用すべき露光パラメータを得るために、測定された露光パラメータに適用すべき累積オフセットである。累積オフセットは、測定された物理的数値Ｘ₋ｊのそれぞれに起因するそれぞれのオフセットの総計である。投影系のマニピュレータ及び環境（例えば、温度や圧力）依存性など、特定物理特性間の予想される交差項に対応するように、マトリックス動作を使用して補正することができる。適用すべき露光パラメータの算出及び／又は適用は、継続的又は断続的に行うことができる。

このように、一実施例では、レベル・センサは、リソグラフィ装置における投影系の光学素子を介し、また浸漬液を介して測定ビームを投影して、基板の露光中に基板の高さであるＦ₋測定を測定することができる。測定された高さはパターン形成された投影ビームの焦点に相当する。次いで、浸漬液の温度（Ｘ₋１）及び圧力（Ｘ₋２）を考慮するために、この測定された高さ（従って、焦点）を補正し、基板の露光中に適用すべき補正された高さであるＦ₋適用（従って、焦点）を得ることができる。（例えば、実験又は経験的結果によって）温度（ｄＦ／ｄＸ₋１）及び圧力（ｄＦ／ｄＸ₋２）に対する焦点補正関数を得る。次いで、補正関数に圧力及び温度の測定値を乗じ、合計（総（ｊ）｛Ｘ₋ｊ＊ｄＦ／ｄＸ₋ｊ｝）して測定された高さに適用すべき累積オフセットを求めて、補正された高さ（従って補正された焦点）を得る。これを次の式によってまとめることができる。
Ｆ₋適用＝Ｆ₋測定−総（ｊ）｛Ｘ₋ｊ＊ｄＦ／ｄＸ₋ｊ｝

別の実施例では、アラインメント・センサは、リソグラフィ装置における投影系の光学素子を介して、また浸漬液を介して測定ビームを投影して、基板の露光中に基板のＸ−Ｙ位置であるＬＰ₋測定を測定することができる。測定されたＸ−Ｙ位置は、パターン形成された投影ビームの横方向位置に相当する。次いで、浸漬液の温度（Ｘ₋１）及び圧力（Ｘ₋２）を考慮するために、この測定されたＸ−Ｙ位置（従って、横方向位置）を補正し、基板の露光中に適用すべき補正されたＸ−Ｙ位置であるＬＰ₋適用（従って、横方向位置）を得ることができる。（例えば、実験又は経験的結果によって）温度（ｄＬＰ／ｄＸ₋１）及び圧力（ｄＬＰ／ｄＸ₋２）に対する横方向位置補正関数を得る。次いで、補正関数に圧力及び温度の測定値を乗じ、合計（総（ｊ）｛Ｘ₋ｊ＊ｄＬＰ／ｄＸ₋ｊ｝）して測定されたＸ−Ｙ位置に適用すべき累積オフセットを求めて、補正されたＸ−Ｙ位置（従って補正横方向位置）を得る。これを次の式によってまとめることができる。
ＬＰ₋適用＝ＬＰ₋測定−総（ｊ）｛Ｘ₋ｊ＊ｄＬＰ／ｄＸ₋ｊ｝

一実施例では、測定された露光パラメータを、特に測定ビーム及び露光ビームの波長用に補正して、適用すべき露光パラメータを得る。例えば、これは次のように公式化することができる。
Ｐ＿適用＝Ｐ＿測定−Δ（ＭＶ）＊（ｄＰ／ｄＭＶ（測定ビーム波長）−ｄＰ／ｄＭＶ（露光波長））
ただし、Ｐ＿適用は、例えば、パターン形成された投影ビームによって基板を露光中に適用すべき、焦点又は横方向位置などの露光パラメータ、Ｐ＿測定は、測定ビームを使用して測定された露光パラメータ、Δ（ＭＶ）は、温度又は圧力など物理特性測定値と公称値（通常、リソグラフィ装置が最適に設定されている数値）との差、ｄＰ／ｄＭＶ（測定ビーム波長）は、測定ビーム波長の物理特性測定値に対する露光パラメータの変化率、及びｄＰ／ｄＭＶ（露光波長）は、露光ビーム波長の物理特性測定値に対する露光パラメータの変化率である。

リソグラフィ装置は、充分な又は最適な性能を提供するために規定された様々な定数を有することができる。例えば、リソグラフィ装置は、投影系における１つ又は複数の光学素子の位置決めなど投影系に関連する１つ又は複数の定数、並びに／或いは位置合わせマーク構成及び／又は位置合わせマーク配置など位置合わせ系に関連する１つ又は複数の定数を有することができる。実施例では、計測形態を実施して、こうした定数の波長依存性を補正することができる。すなわち、例えば、測定値に対する定数の変化率、又は測定値（例えば、ｄ（位置合わせ）／ｄ（温度）、又はｄ（焦点）／ｄ（圧力））に対する露光パラメータの変化率に関連して、圧力及び／又は温度など１つ又は複数の物理特性測定値を使用して、補正された定数を得ることができる。

上述の方法を実施するために、本明細書に記載する方法の実施例を実行するために構成又はプログラミングされたリソグラフィ装置に補正系を設けることができる。補正系は、リソグラフィ装置の演算処理装置又はセンサ内に組み込んだコンピュータ・プログラムでよい。さらに、コンピュータ・プログラム製品（例えば、ディスク上又はメモリ内のソフトウェア・プログラム）を設けて、本明細書に記載する方法の実施例を実行することができる。

一実施例では、投影系の最終光学素子は、投影系の残り部分（例えば、レンズ本体）の剛体にしっかりと装着される。静的力（浸漬液の高さ及び／又は投影系の過圧力の差）及び動的力（浸漬液の流れ及び／又は動的環境圧力変化）によって、最終光学素子の高さを変更することができる。浸漬式リソグラフィ・システムでは、これによって、位置あわせの測定と測定との間に、主に焦点ドリフト及び／又は球面収差ドリフトにつながり得る、光学経路変化が生じる場合がある。ＮＡが０．７５、放射が１９３ｎｍ、及び浸漬液が水である投影系の場合、感度は、１ｎｍのＺ移動につき、約１ｎｍの焦点はずれ及び９ｎｍのＺ９ドリフトとなり得る。硬さが５×１０^６で、最大許容Ｚ９ドリフトが０．５ｎｍの場合、これが、液体に接続された光学素子上に最大０．３Ｎの力を生じさせることがある。この力は、浸漬式リソグラフィ装置内に生じ得る力である。

従って、一実施例では、センサを設けて、液体に接続するように構成された光学素子の高さ（例えば、投影系の最終光学素子）を測定することができる。一実施例では、センサは、あらゆるセンサや基準などを含め、基板の高さ又は基板テーブルなど別の物体の高さ（例えば、投影系の最終光学素子に対する高さ）を測定するために設けられた既存のレベル・センサの一部をとして実施することができる。一実施例では、センサはレベル・センサとは別の、この目的のためのセンサでよい。

一実施例では、光学素子の高さを測定するセンサは、光学素子から進んでくる測定ビームを検出するように構成され、それにより光学素子の高さを測定し、任意選択で光学素子に測定ビームを投影する光学センサである。図８は、光学センサ４６の構成を概略的に示す。図では、入射測定ビーム４０（例えば、１つ又は複数のレーザ源、発光ダイオード（ハロゲン）ランプなどによって提供される）は、液体１１に接続された光学素子ＯＥに導かれる。この測定ビームは、光学素子ＯＥの上面で反射し、出射測定ビーム４２として、光学素子の高さを求めるために使用されるセンサ検出器４６に至る。一実施例では、この測定ビームはレベル・センサ測定ビームであるが、その代わりに又は加えて、アラインメント・センサ測定ビームでも、他のどんな測定ビームでもよい。一実施例では、測定ビームを、光学素子ＯＥの底面（例えば、光学素子ＯＥと液体１１との間の界面である面）で反射させることもできる。底面で反射させる場合、ビームは光学素子ＯＥの上面を通り抜けて底面に達し、そこでビームは上面に向かって反射し上面から外に出る。或いは、例えば光学素子ＯＥの下から放射又は反射するビームによって、ビームを底面上に直接投影することもできる。

一実施例では、基板（又は他の物体）の高さを測定するために使用されるレベル・センサ４６の一部として、センサを構成することができる。図では、レベル・センサ用入射測定ビーム４０（例えば、１つ又は複数のレーザ源、発光ダイオード（ハロゲン）ランプなどによって提供される）は、光学素子ＯＥに侵入する。測定ビームは、光学素子ＯＥを通り抜け、次いで液体１１を通り抜け基板（又は他の物体）上に達する。この測定ビームは、基板（又は他の物体）に反射し、次いで、液体１１及び光学素子ＯＥを通り抜け、レベル・センサ用出射測定ビーム４４として、センサ検出器４６に向かって外へ出る。レベル・センサ用入射測定ビーム４０の一部は、光学素子ＯＥの上面で反射し、出射測定ビーム４２として、センサ検出器４６に至る。或いは、光学素子ＯＥで反射させるために、出射測定ビーム４２を作るのに使用される入射測定ビームを、異なる角度に導いてもよいし、異なる波長をそれに持たせてもよい。レベル・センサ用出射測定ビーム４４及び出射測定ビーム４２は、干渉領域を作り出す。干渉領域のフリンジを分析することによって、基板（又は他の物体）と光学素子との高さの差を検出又は求めることができ、従って光学素子の高さの変化を求めることができる。

代替の又は追加の一実施例では、センサは、光学素子の高さ又は高さの変化を測定するための、機械的、超音波的、磁気的及び／又は電気的センサでよい。図９を参照すると、センサ４６は、光学素子ＯＥを測定するために使用される機械的、超音波的、磁気的及び／又は電気的センサである。

それぞれのケースにおいて、センサからの測定高さを使用して、光学素子の測定高さの変化を少なくとも部分的に補正することができる。一実施例では、基板テーブルＷＴの位置決め系ＰＷを制御するサーボ系５０に、センサ４６から信号を送信し、それにより基板（又は他の物体）の高さを調整して光学素子の測定高さの変化を少なくとも部分的に補正することができる。加えて又は代替に、光学素子の高さ位置を制御するために使用されるサーボ系５０に信号を送信し、それにより光学素子の高さを調整して光学素子の測定高さの変化を少なくとも部分的に補正してもよい。

この機構を通じて、液体に接続された投影系の光学素子上の、変化する様々な力によって生じる集束ドリフト及び球面収差ドリフトを、安定及び／又は低減させることができる。

さらに明確にするために、高さという用語は、高さの変化を含むことができ、また傾きを含むことができる。加えて、本明細書では、リソグラフィ装置との関連で概念を述べてきたが、こうした概念は、光学素子と物体の表面との間に液体を使用する他の装置にも同等に適用することができる。例えば、本明細書の概念を、液体を介して放射ビームを投影して物体の特徴を測定する浸漬式計測装置に適用することができる。

欧州特許出願第０３２５７０７２．３号では、２段の浸漬式リソグラフィ装置の概念を開示している。このような装置には、基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。浸漬液のないところで第１の位置にあるテーブルによって高さ合わせの測定が数回行われ、浸漬液の存在下で第２の位置にあるテーブルによって露光が行われる。或いは、装置は１つのテーブルのみを有していてもよい。好ましい一実施例では、本明細書に記載する装置、方法及び／又はコンピュータ・プログラム製品が、単一の段／テーブルを有するリソグラフィ装置に適用される。

本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に記載しているが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集積光学系の製造、磁区メモリ用ガイダンス及び検出パターン、平面型表示装置、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど、他への応用もできることを理解されたい。このような代替応用例との関連で、当業者であれば、本明細書で「ウェハ」又は「ダイ」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語である「基板」又は「目標部分」とそれぞれ同義語と見なせることを理解するであろう。本明細書で言う基板は、例えばトラック・ツール（通常、基板にレジスト層を施し露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツール内で露光の前又は後に処理することができる。該当する場合には、本明細書の開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために２回以上処理される場合があり、従って本明細書で使用する基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板も意味することがある。

本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、波長が３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍ、或いはその近傍のもの）を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。

場合によって、「レンズ」という用語は、屈折光学的及び反射光学的構成要素を含む様々なタイプの光学的構成要素のうちいずれか１つ又はそれらの組合せを意味する。

本発明の特定の実施例をいくつか先に記載したが、本発明は、説明した以外の方法でも実施することができることが分かるであろう。例えば、該当する場合、本発明の一実施例では、上述の方法を記載する機械読取り可能な１つ又は複数の指令順序を含むコンピュータ・プログラム、又は、このようなコンピュータ・プログラムを中に蓄積したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光学ディスクなど）の形を取ってもよい。例えば、計測形態／方法を、コンピュータ・プログラムとして実施し、そのコンピュータ・プログラムをリソグラフィ装置に相互作用させて測定データを得（例えば、リソグラフィ装置の１つ又は複数のレベル・センサから測定焦点を得、かつ／又はリソグラフィ装置の１つ又は複数のアラインメント・センサから測定横方向位置を得る）、補正データを返送（例えば、補正された測定焦点を返送して、レベル・センサ用測定ビームの異なる波長を計上し、かつ／又は補正された測定横方向位置を返送してアラインメント・センサ用測定ビームの異なる波長を計上する）してもよい。

本発明の１つ又は複数の実施例はどんな浸漬式リソグラフィ装置にも適用することができる。特に、それだけに限定しないが、浸漬液が液浴の形で供給されようと、基板の局部表面領域上にのみ供給されようと、先に述べたタイプの浸漬式リソグラフィ装置に適用することができる。本明細書で考察する液体供給系は、広く理解されるべきである。ある実施例では、それは、投影系と基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構又はそうしたいくつかの構造の組合せであり得る。それは、液体をその空間に供給する１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体流入口、１つ又は複数のガス流入口、１つ又は複数のガス流出口、及び／又は１つ又は複数の液体流出口の組合せを含むことができる。一実施例では、その空間の面は、基板及び／又は基板テーブルの一部であってもよいし、基板及び／又は基板テーブルの表面を完全にカバーしていてもよいし、基板及び／又は基板テーブルを含んでいてもよい。液体供給系は、任意選択で、液体の位置、量、質、形状、流量、又は他のどんな特徴をも調整するための１つ又は複数の素子をさらに含むことができる。

この装置内で使用される浸漬液は、使用される露光放射の所望の特性及び波長によって、別の組成を有することができる。１９３ｎｍの露光波長の場合、超純水又は水ベースの組成物を使用することができることから、浸漬液は、水と呼ばれる場合があるので、親水性、疎水性、湿気など水関係の用語が使用されることがある。

より一般に、方法の各工程は、メインフレーム・コンピュータ、パーソナル・コンピュータなど通常のあらゆるコンピュータを使用して、Ｃ＋＋、ジャバ、フォートランなど、あらゆるプログラム言語から作られる１つ又は複数のプログラム・モジュール又はプログラム・オブジェクト、或いはそれらの一部に準じて実行することができる。さらに、各工程、或いは各工程を実施するファイル又はオブジェクトなどは、専用ハードウェア又はその目的用に設計された回路モジュールによって実行することができる。例えば、本発明は、不揮発性記憶装置内にロードされたファームウェア・プログラムとしても、機械読取り可能なコードとしてデータ記憶媒体からロードされた又はそれにロードされたソフトウェア・プログラムとしても実施することができる。このようなコードとは、超小型演算処理装置又は他のディジタル信号処理装置など、論理素子アレイによって実行可能な指示のことである。

本発明は、本発明の各方法工程を実行するためのコンピュータ読取り可能なプログラム・コード手段を内部に有する、コンピュータ使用可能な媒体を含む製造物品としても、本発明の各方法工程を行うために機械実行可能な指示プログラムを具体的に組み入れた、機械読取り可能なプログラム記憶装置としても、コンピュータ・プログラム製品としても実施することができるし、コンピュータ読取り可能なプログラム・コード手段を内部に有するコンピュータ使用可能な媒体を含み、コンピュータ・プログラム製品内のコンピュータ読取り可能なプログラム・コード手段が、本発明の各工程をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読取り可能なコード手段を含む、製造物品としても実施することができる。このような製造物品、プログラム記憶装置、又はコンピュータ・プログラム製品は、それだけに限らないが、ＣＤ−ＲＯＭ、ディスケット、テープ、ハード・ドライブ、コンピュータ・システム・メモリ（例えば、ＲＡＭ又はＲＯＭ）、並びに／或いは（それだけに限らないが、コンピュータによる読取り、復調／復号、かつ実行が可能な指示を運ぶために調整され又は操作された搬送波を含め）プログラムの電気的実施例、磁気的実施例、光学的実施例、生物学的実施例、又は類似する他の実施例を含む。実際、こうした製造物品、プログラム記憶装置、又はコンピュータ・プログラム製品は、磁気的であれ光学的であれ、あらゆる固体又は流体の伝送媒体などを含み、本発明の方法に従って、通常の又は専用のコンピュータの動作を制御する機械によって読取り可能な信号を蓄積又は送信し、かつ／或いはその構成要素を本発明のシステムに従って構成することができる。

本発明は、システム内でも実施することができる。こうしたシステムは、演算処理装置及びメモリ装置、また任意選択で、記憶装置、ビデオ表示装置などの出力装置、並びに／或いはキーボード又はコンピュータ・マウスなどの入力装置を含むコンピュータを含むことができる。さらに、こうしたシステムは、コンピュータの相互接続ネットワークを含むことができる。コンピュータは同時に、独立型（従来のデスクトップ型パーソナル・コンピュータなど）でも、別の装置に組み込まれたもの（リソグラフィ装置など）でもよい。

こうしたシステムは、例えば、本発明の各方法工程を行うための必要目的のために特別に構成されたものでもよいし、コンピュータ内に記憶された本明細書の教示によるコンピュータ・プログラムによって選択的に始動又は再構成される、１つ又は複数の汎用コンピュータを含んでいてもよい。こうしたシステムは、全体又は一部分を、ハード・ワイヤード回路としても、又は特定用途集積回路内に作製される回路構成としても、実施することができる。本明細書に記載した本発明は、本質的に、特定のコンピュータ・システムや他の装置に関するものではない。様々なこうしたシステム用の必要構造が、本明細書の記載から明らかになるであろう。

本明細書で示したいくつかの図は、例として提供するものである。本発明の趣旨から逸脱することなく、これらの図又は本明細書に記載した各工程（又は各動作）を変更することができる。例えば、ある場合においては、各工程を別の順番で行ってもよいし、いくつかの工程を加えても、削除しても、修正してもよい。変更形態は全て、添付の特許請求の範囲に記載した発明の一部を含むものと見なす。

先の記載は、限定的なものではなく、例示的なものとする。従って、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載した本発明を変更することができることは、当業者には明らかであろう。

Claims (10)

1. 浸漬式リソグラフィ装置の露光パラメータを補正する方法であって、
   前記浸漬式リソグラフィ装置の投影系とテーブルとの間の液体を介して投影される測定ビームを使用して露光パラメータを測定する工程と、
   前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づき、オフセットを求める工程と、を含み、
   前記物理特性の変化に基づきオフセットを求める工程が、前記測定ビームの波長の物理特性値に対する前記露光パラメータの変化率と、前記投影系を使用して投影されるべきパターン形成されたビームの波長の物理特性値に対する前記露光パラメータの変化率と、の差に基づいてオフセットを求める工程を含む、
   方法。
2. 前記オフセットが、前記両変化率の差と、浸漬液の温度又は圧力と公称値との差と、の乗算を含む、
   請求項１に記載の方法。
3. 前記露光パラメータが、前記投影系を使用して投影されるべきパターン形成されたビームの焦点、又は前記テーブル上に保持された基板の高さ、或いはその両方を含む、
   請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記露光パラメータが、前記投影系を使用して投影されるべきパターン形成されたビームの横方向位置、又は前記テーブル上に保持された基板のＸ−Ｙ位置、或いはその両方を含む、
   請求項１又は２に記載の方法。
5. 前記投影系の光学素子を介して、前記測定ビームと、基板を露光するためのパターン形成されたビームと、を投影する工程を含む、
   請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
6. リソグラフィ装置であって、
   基板を保持するテーブルと、
   パターン形成されたビームを投影する投影系と、
   前記投影系と前記テーブルとの間の空間に液体を供給する液体供給系と、
   前記液体を介して投影された測定ビームを使用して露光パラメータを測定するセンサと、
   前記測定された露光パラメータを少なくとも部分的に補正するために、前記測定ビームを使用して成される測定に影響を及ぼす物理特性の変化に基づきオフセットを求める補正系と、を備え、
   前記補正系が、前記測定ビームの波長の物理特性値に対する前記露光パラメータの変化率と前記パターン形成されたビームの波長の物理特性値に対する前記露光パラメータの変化率との差に基づいてオフセットを求める、
   リソグラフィ装置。
7. 前記オフセットが、前記両変化率の差と、浸漬液の温度又は圧力と公称値との差と、の乗算を含む、
   請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記露光パラメータが、前記パターン形成されたビームの焦点、又は前記基板の高さ、或いはその両方を含む、
   請求項６又は７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記露光パラメータが、前記パターン形成されたビームの横方向位置、又は前記基板のＸ−Ｙ位置、或いはその両方を含む、
   請求項６又は７に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記センサは、前記パターン形成されたビームがそれを介して投影されるべき前記投影系の光学素子を介して、前記測定ビームを投影する、
    請求項６から９の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。

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