JP2011018844A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このHEMT素子10においては、基板11としてn−GaN(n型のGaNウェハ)が用いられる。この上に、緩衝層12として、組成pが一定でないノンドープのAlpGa1−pN層が用いられる。緩衝層12上には、半絶縁性GaNからなる電子走行層13、n−AlGaNからなる電子供給層14が順次形成される。この緩衝層12の組成においては、下端側においてp=0(GaN)となった領域(基板接続領域121)が、上端側(電子走行層13側)においてもp=0(GaN)となった領域(能動層接続領域122)が、それぞれ設けられている。これらの領域間には、p=1(AlN)となっている領域(高Al組成領域123)が設けられている。高Al組成領域123の抵抗率は、この緩衝層12中で最も高くなっている。
【選択図】図1
Description
本発明の半導体装置は、導電性の窒化ガリウム(GaN)基板上に、緩衝層を介して、化学式AlxMyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y<1、ここで、MはIn、Bのうちの1種を少なくとも含む)で表される組成をもつ能動層が形成された構成を具備し、該能動層において前記基板の基板面と平行な方向に電流が流されて動作する半導体装置であって、前記緩衝層は、化学式AlpMqGa1−p−qN(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q<1)で表される組成をもち、かつ、その厚さ方向において、前記基板と接する側に形成され、p=q=0である基板接続領域と、前記能動層と接する側に形成され、p=x、q=yである能動層接続領域と、前記基板接続領域と前記能動層接続領域との間に形成され、p>xであり、前記基板及び前記能動層よりも高い抵抗率をもつ高Al組成領域と、を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記緩衝層は、その厚さ方向において、前記高Al組成領域と前記基板接続領域との間に形成され、前記高Al組成領域側で前記高Al組成領域と同一の組成、及び前記基板接続領域側で前記基板接続領域と同一の組成となるように変化する傾斜組成をもつ基板側傾斜組成領域と、前記高Al組成領域と前記能動層接続領域との間に形成され、前記高Al組成領域側で前記高Al組成領域と同一の組成、及び前記能動層接続領域側で前記能動層接続領域と同一の組成となるように変化する傾斜組成をもつ能動層側傾斜組成領域と、を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記緩衝層は、その厚さ方向において、前記高Al組成領域におけるp=p1としたときに、p<p1である低Al組成領域と隣接し、当該低Al組成領域を挟んで複数の前記高Al組成領域が配列された構成を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記高Al組成領域が3層以上形成され、前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記高Al組成領域は、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記高Al組成領域よりも、厚いことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記高Al組成領域が4層以上形成され、前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記低Al組成領域は、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記低Al組成領域よりも、薄いことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記高Al組成領域が3層以上形成され、前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記高Al組成領域におけるpの値が、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記高Al組成領域におけるpの値よりも、大きいことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記高Al組成領域が4層以上形成され、前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記低Al組成領域におけるpの値が、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記低Al組成領域におけるpの値よりも、大きいことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記能動層に接続して形成された電極のうちの一つが、前記緩衝層を貫通する貫通電極を介して前記基板に接続されることを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記基板における前記緩衝層が形成された面と反対側の面に裏面電極が形成され、前記貫通電極は、前記基板を貫通し、前記裏面電極に接続されることを特徴とする。
図1に、第1の実施の形態に係るHEMT素子の断面構造(左)、その緩衝層における組成分布(右)を示す。このHEMT素子10においては、基板11としてn−GaN(n型のGaNウェハ)が用いられる。この上に、緩衝層12として、組成pが一定でないノンドープのAlpGa1−pN層が用いられる。緩衝層12上には、半絶縁性GaNからなる電子走行層13、n−AlGaNからなる電子供給層14が、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、MOVPE(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)法等によって順次形成される。電子走行層13及び電子供給層14は、共にHEMT素子10における能動層として機能する。ここで、電子供給層14を構成するn−AlGaNは、n型のAlxGa1−xN(x=0.20程度)である。電子供給層14上には、ソース電極15、ドレイン電極16が形成され、これらの間における電子走行層13と電子供給層14との界面の電子走行層13側に2次元電子ガスが形成される。この2次元電子ガスからなるチャンネルのオン・オフが、空乏層を介してゲート電極17に印加された電圧で制御される。ソース電極15、ドレイン電極16は、共に電子供給層14(n−AlGaN)とオーミック接触をする材料として、例えばTi/Au等で構成される。ゲート電極17は、n−AlGaNとショットキー接触をし、n−AlGaN中に空乏層を形成する材料として、例えばNi/Auで構成される。
第1の実施の形態のHEMT素子においては、AlpGa1−pNで構成され、2つの接続領域(基板接続領域、能動層接続領域)、高Al組成領域、2つの傾斜組成領域(基板側傾斜組成領域、能動層側傾斜組成領域)からなる緩衝層が用いられていた。第2の実施の形態のHEMT素子の構造は図1左に示されたものと同様であるが、ここで用いられる緩衝層は、傾斜組成領域を用いずに同様の効果を奏する。
第3の実施の形態において用いられる緩衝層は、第1の実施の形態と第2の実施の形態との両方の特徴を兼ね備え、高Al組成領域123と低Al組成領域126とが交互に複数設けられるが、これらの組成はこれらが設けられた厚さ方向における位置によって異なる。図7は、この一例を示す組成分布である。この例においては、厚さが一定の低Al組成領域126と高Al組成領域123とが等間隔で交互に形成され、低Al組成領域126においてはその深さによらずp=0とされる。一方、高Al組成領域123におけるpの値は深さによって変動し、上下端部で小さく、中央部で大きく設定され、これは図1の組成分布と類似している。この構成は、高Al組成領域123が3層以上設けられた場合に有効である。
第1〜第3の実施の形態に係るHEMT素子においては、緩衝層の構造を最適化することにより、バッファリークが抑制され、オフ抵抗を増大させることができた。しかしながら、実際のHEMT素子等においては、オフ抵抗を増大させるだけでなく、オン抵抗を減少させ、オフ抵抗/オン抵抗比率を増大させることも重要である。図9は、第1〜第3の実施の形態における緩衝層を用いてバッファリークを抑制した上で、更にオン抵抗を減少させ、オフ抵抗/オン抵抗比率を増大させた第4の実施の形態となるHEMT素子の断面図である。
11、31、91 基板(n−GaN)
12、32、92 緩衝層
13、33、93 電子走行層(能動層)
14、34、94 電子供給層(能動層)
15、35、95 ソース電極
16、36、96 ドレイン電極
17、37、97 ゲート電極
38 貫通電極
39 裏面電極
121 基板接続領域(緩衝層)
122 能動層接続領域(緩衝層)
123 高Al組成領域(緩衝層)
124 基板側傾斜組成領域(緩衝層)
125 能動層側傾斜組成領域(緩衝層)
126 低Al組成領域(緩衝層)
Claims (9)
- 導電性の窒化ガリウム(GaN)基板上に、緩衝層を介して、化学式AlxMyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y<1、ここで、MはIn、Bのうちの1種を少なくとも含む)で表される組成をもつ能動層が形成された構成を具備し、該能動層において前記基板の基板面と平行な方向に電流が流されて動作する半導体装置であって、
前記緩衝層は、
化学式AlpMqGa1−p−qN(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q<1)で表される組成をもち、かつ、その厚さ方向において、
前記基板と接する側に形成され、p=q=0である基板接続領域と、
前記能動層と接する側に形成され、p=x、q=yである能動層接続領域と、
前記基板接続領域と前記能動層接続領域との間に形成され、p>xであり、前記基板及び前記能動層よりも高い抵抗率をもつ高Al組成領域と、
を具備する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記緩衝層は、その厚さ方向において、
前記高Al組成領域と前記基板接続領域との間に形成され、前記高Al組成領域側で前記高Al組成領域と同一の組成、及び前記基板接続領域側で前記基板接続領域と同一の組成となるように変化する傾斜組成をもつ基板側傾斜組成領域と、
前記高Al組成領域と前記能動層接続領域との間に形成され、前記高Al組成領域側で前記高Al組成領域と同一の組成、及び前記能動層接続領域側で前記能動層接続領域と同一の組成となるように変化する傾斜組成をもつ能動層側傾斜組成領域と、
を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記緩衝層は、その厚さ方向において、
前記高Al組成領域におけるp=p1としたときに、p<p1である低Al組成領域と隣接し、当該低Al組成領域を挟んで複数の前記高Al組成領域が配列された構成を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記高Al組成領域が3層以上形成され、
前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記高Al組成領域は、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記高Al組成領域よりも、厚いことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記高Al組成領域が4層以上形成され、
前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記低Al組成領域は、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記低Al組成領域よりも、薄いことを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。 - 前記高Al組成領域が3層以上形成され、
前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記高Al組成領域におけるpの値が、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記高Al組成領域におけるpの値よりも、大きいことを特徴とする請求項3から5までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記高Al組成領域が4層以上形成され、
前記緩衝層の厚さ方向における中央部に形成された前記低Al組成領域におけるpの値が、前記緩衝層の厚さ方向における両端部側に形成された前記低Al組成領域におけるpの値よりも、大きいことを特徴とする請求項3から6までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記能動層に接続して形成された電極のうちの一つが、前記緩衝層を貫通する貫通電極を介して前記基板に接続されることを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記基板における前記緩衝層が形成された面と反対側の面に裏面電極が形成され、
前記貫通電極は、前記基板を貫通し、前記裏面電極に接続されることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
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