WO2009001888A1 - 電界効果トランジスタ、ならびに、該電界効果トランジスタの作製に供される多層エピタキシャル膜 - Google Patents

電界効果トランジスタ、ならびに、該電界効果トランジスタの作製に供される多層エピタキシャル膜 Download PDF

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Abstract

　本発明は、III族窒化物系電界効果トランジスタにおいて、バッファ層中の残留キャリアの伝導によるリーク電流成分を低減して耐圧向上を図り、かつ、チャネルの電子閉じ込め効果（ｃａｒｒｉｅｒ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）を向上させ、ピンチオフ特性を向上させる（ショート・チャネル効果を抑制する）。例えば、本発明をＧａＮ系電界効果トランジスタに適用する際には、チャネル層のＧａＮとは別に、バッファ層として、Ａｌ組成が最上面に向かって最底面から徐々に低下していっているが、途中で部分的にＡｌ組成が増加している箇所を有する、組成変調（組成傾斜）ＡｌＧａＮ層を用いる。また、電子供給層とチャネル層の層厚の合計ａは、作製されるＦＥＴのゲート長Ｌｇに対して、Ｌｇ／ａ≧５を満たすように選択し、その際、チャネル層の層厚は、室温において、チャネル層に蓄積される二次元電子ガスが示す室温のド・ブロイ波長の５倍（約５００Å）を超えない範囲に選択する。
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