JP5680223B2 - ノーマリオフ型ヘテロ接合電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
図1は、本発明に密接に関連する参考形態によるHFETを示す模式的断面図である。なお、本願の図面において、厚さ、長さ、幅などは図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。
ここで、qは電子の電荷、nsはシート電子密度(cm−2)、σ31はAlwGa1−wN層11とAlyGa1−yN層12との分極差に基づく正のシート固定電荷密度、σ43はAlyGa1−yN層12とAlzGa1−zN層13との分極差に基づく負のシート固定電荷密度、t3とt4はそれぞれAlyGa1−yN層12とAlzGa1−zN層13の厚さ、ε3とε4はそれぞれAlyGa1−yN層12とAlzGa1−zN層13の誘電率、Cはチャネルとゲート電極との間の単位面積キャパシタンス(ゲート容量とも称す)、Vgsはゲート・ソース間電圧、そしてVbは(1/q)×(ゲート電極のショットキー障壁高さ)を表す。
Vth=Vb−(1/C)・{σ31+σ43・t4ε3/(t3ε4+t4ε3)}・・(3)
また、1/C=t3/ε3+t4/ε4なので、式(3)は式(4)に変形することができる。
ここで、ε3≒ε4と仮定できるので、式(4)は式(5)に変形することができる。
また、σ31はAlwGa1−wN層11とAlyGa1−yN層12とのAl組成比に依存し、σ31=a(y−w)で表すことができ、σ43はAlyGa1−yN層12とAlzGa1−zN層13とのAl組成比に依存し、σ43=a(z−y)で表すことができる。なお、aは比例定数(C/cm2)を表す。
Vth≒Vb+a(w−z)t4/ε4−a(y−w)t3/ε4・・・(7)
ここで、比例定数aは実験的に求めることができ、a=8.65×10−6C/cm2の値を採用することができる。
図9は、本発明の第1実施形態によるHFETを示す模式的断面図である。図1に比べて、この図9のHFETは、AlwGa1−wN層11とAlyGa1−yN層12との間に、10nm以上50nm未満の厚さtchのアンドープGaNチャネル層11aが挿入されていることのみにおいて異なっている。すなわち、図1のHFETは2重ヘテロ接合をふくんでいるが、図9のHFETは3重ヘテロ接合を含んでいる。挿入されたGaNチャネル層11aは、Gaとは異なる種類の原子であるAlを含まないので、異種原子による電子散乱が少なくて高い電子移動度を生じるチャネル層として作用し得る観点から好ましい。
ここで、σch1はAlwGa1−wN層11とGaNチャネル層11aとの分極差に基づく負のシート固定電荷密度を表し、σ3chはGaNチャネル層11aとAlyGa1−yN層12との分極差に基づく正のシート固定電荷密度を表している。
図7のグラフ中の曲線Tは、図9のHFETにおける実測の電圧電流特性を表している。この場合に、曲線Tの特性を有する図9のHFETは、曲線Dの特性を有する図1のHFETに比べて、Al0.05Ga0.95N層11とAl0.25Ga0.75N層12との間に厚さtch=20nmのGaNチャネル層11aが挿入されていることのみにおいて異なっていた。前述のように、AlGaN層に比べてGaN層は電子の高い移動度を有するので、図9のHFETは低いオン抵抗を有することが期待され得る。
図14は、本発明の第2実施形態によるHFETを模式的な断面図で示している。図9に比べて、この図14のHFETは、AlwGa1−wN層11とGaNチャネル層11aとの間に、厚さt2のAlxGa1−xN層11bが挿入されていることのみにおいて異なっている。すなわち、図9のHFETは3重ヘテロ接合をふくんでいるが、図14のHFETは4重ヘテロ接合を含んでいる。
ここで、σ21はAlwGa1−wN層11とAlxGa1−xN層11bとの分極差に基づく正のシート固定電荷密度を表し、σch2はAlxGa1−xN層11bとGaNチャネル層11aとの分極差に基づく負のシート固定電荷密度を表している。
図7のグラフ中の曲線Qは、図14のHFETにおける実測の電圧電流特性を表している。すなわち、曲線Qの特性を有する図14のHFETは、曲線Dの特性を有する図1のHFETに比べて、Al0.05Ga0.95N層11とAl0.25Ga0.75N層12との間に厚さtch=20nmのGaNチャネル層11aが挿入されているのみならず、Al0.05Ga0.95N層11とGaNチャネル層11aとの間にAl0.1Ga0.9N層11bが挿入されていることにおいて異なっていた。前述のように、AlGaN層に比べてGaN層は電子の高い移動度を有するので、図9のHFETも低いオン抵抗を有することが期待され得る。
Claims (7)
- ノーマリオフ型HFETであって、
順次積層された厚さt1のアンドープAlwGa1−wN層、厚さt2のアンドープAlxGa1−xN層および厚さtchのアンドープGaNチャネル層、
前記チャネル層へ電気的に接続されかつ互いに隔てられて形成されたソース電極とドレイン電極、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記チャネル層上に形成された厚さt3のアンドープAlyGa1−yN層、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において前記AlyGa1−yN層の部分的領域上でメサ型に形成された厚さt4のAlzGa1−zN層、および
前記AlzGa1−zN層上に形成されたショットキーバリア型ゲート電極を含み、
y>x>w>z、t1>t4>t3、および2wtch/(x−w)>t2>1nmの条件を満たすことを特徴とするノーマリオフ型HFET。 - w−z>0.03の条件を満たすことを特徴とする請求項1に記載のノーマリオフ型HFET。
- t4/t3>4の条件を満たすことを特徴とする請求項1または2に記載のノーマリオフ型HFET。
- 前記AlzGa1−zN層はアンドープであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のノーマリオフ型HFET。
- ゲート電極はNi/Au積層、WN層、TiN層、W層、およびTi層のいずれかからなることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のノーマリオフ型HFET。
- 前記AlwGa1−wN層、前記AlxGa1−xN層、前記GaNチャネル層、前記AlyGa1−yN層、および前記AlzGa1−zN層のいずれもが、(0001)面である上側面にGa原子面が現れるGa極性を有していることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のノーマリオフ型HFET。
- ノーマリオフ型HFETであって、
順次積層された厚さt1のアンドープAlwGa1−wN層、
厚さtchのアンドープGaNチャネル層、
前記チャネル層へ電気的に接続されかつ互いに隔てられて形成されたソース電極とドレイン電極、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記チャネル層上に形成された厚さt3のアンドープAlyGa1−yN層、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において前記AlyGa1−yN層の部分的領域上でメサ型に形成された厚さt4のAlzGa1−zN層、および
前記AlzGa1−zN層上に形成されたショットキーバリア型ゲート電極を含み、
y>w>zおよびt1>t4>t3の条件を満たすことを特徴とするノーマリオフ型HFET。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006222191A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
JP2008091392A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2008288474A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sharp Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
WO2009001888A1 (ja) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタ、ならびに、該電界効果トランジスタの作製に供される多層エピタキシャル膜 |
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JP2008091392A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP2008288474A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sharp Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
WO2009001888A1 (ja) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタ、ならびに、該電界効果トランジスタの作製に供される多層エピタキシャル膜 |
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