JP2020088344A - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このような窒化物半導体を用いたHEMT(High Electron Mobility Transistor;高電子移動度トランジスタ)が提案されている。このようなHEMTは、例えば、GaNからなる電子走行層と、この電子走行層上にエピタキシャル成長されたAlGaNからなる電子供給層とを含む。電子供給層に接するように一対のソース電極およびドレイン電極が形成され、それらの間にゲート電極が配置される。
しかし、パワーデバイスとして用いるためには、ゼロバイアス時に電流を遮断するノーマリーオフ型のデバイスである必要があるため、前述のようなHEMTは、パワーデバイスには適用できない。
この発明の目的は、ゲートリーク電流を低減できる窒化物半導体装置を提供することにある。
この発明の一実施形態では、前記窒化物半導体ゲート層が、前記第2窒化物半導体層上に形成されたアクセプタ型不純物を含む第3窒化物半導体層と、前記第3窒化物半導体層上に積層され、前記第3窒化物半導体層よりもホール濃度が低い第4窒化物半導体層とを含む。
この発明の一実施形態では、前記窒化物半導体ゲート層の上面の両側部上に形成された一対の第1誘電体膜をさらに含み、前記第1金属膜は、前記窒化物半導体ゲート層の上面における前記一対の第1誘電体膜の間部分および前記一対の第1誘電体膜の上面および互いに対向する側面を覆うように形成されている。
この発明の一実施形態では、前記第1誘電体膜がSiN、SiO2、SiONまたはそれらの複合層である。
この発明の一実施形態では、前記第1誘電体膜がSiN、SiO2、SiONまたはそれらの複合膜であり、前記第2誘電体膜がSiN、SiO2、SiONまたはそれらの複合膜である。
この発明の一実施形態では、前記第1領域のTi/N組成比が、前記第2金属膜のTi/N組成比よりも大きい。
この発明の一実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法は、基板上に、電子走行層を構成する第1窒化物半導体層と、電子供給層を構成する第2窒化物半導体層と、アクセプタ型不純物を含む窒化物半導体ゲート層材料膜と、第1誘電体膜とを、その順に形成する第1工程と、前記第1誘電体膜に前記窒化物半導体ゲート層材料膜に達するゲート開口部を形成する第2工程と、前記窒化物半導体ゲート層材料膜上に、少なくとも前記ゲート開口部および前記第1誘電体膜表面における前記ゲート開口部の両側周縁部を覆うように、ゲート電極膜を形成する第3工程と、前記窒化物半導体ゲート層材料膜、前記第1誘電体膜および前記ゲート電極膜を、平面視で前記ゲート開口部およびその両側周縁部の領域が残るように、選択的に除去することにより、リッジ形状の窒化物半導体ゲート層と、前記窒化物半導体ゲート層の上面の両側部上に配置された一対の前記第1誘電体膜と、前記窒化物半導体ゲート層および前記第1誘電体膜の表面上に形成されたゲート電極とからなるゲート部を形成する第4工程と、前記第2窒化物半導体層および前記ゲート部の露出面を覆う第2誘電体膜を形成する第5工程と、前記第2誘電体膜を貫通して前記第2窒化物半導体層に達するソース電極およびドレイン電極を形成する第6工程と、前記第4工程と前記第6工程の間または前記第6工程の後にアニール処理を行う、アニール工程とを含み、前記ゲート電極膜は、前記窒化物半導体ゲート層上に形成されるTiからなる第1金属膜と、前記第1金属膜上に積層されるTiNからなる第2金属膜とからなり、前記アニール工程によって、前記第1金属膜における前記窒化物半導体ゲート層側の表層部に、前記窒化物半導体ゲート層のNと反応することにより、TiNからなる領域が形成される。
この発明の一実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法は、基板上に、電子走行層を構成する第1窒化物半導体層と、電子供給層を構成する第2窒化物半導体層と、アクセプタ型不純物を含む窒化物半導体ゲート層材料膜と、ゲート電極膜と、第3誘電体膜とを、その順に形成する第1工程と、前記第3誘電体膜を、前記ゲート電極膜上のゲート電極形成領域を残して除去する第2工程と、前記第3誘電体膜をマスクとして前記ゲート電極膜をエッチングすることにより、ゲート電極を形成する第3工程と、前記ゲート電極の側面を覆う第1誘電体膜を形成する第4工程と、前記第3誘電体膜および前記第1誘電体膜をマスクとして、前記窒化物半導体ゲート層材料膜をエッチングすることにより、窒化物半導体ゲート層を形成する第5工程と、前記第2窒化物半導体層、窒化物半導体ゲート層、前記ゲート電極、前記第1誘電体膜および前記第3誘電体膜の露出面を覆う第2誘電体膜を形成する第6工程と、前記第2誘電体膜を貫通して前記第2窒化物半導体層に達するソース電極およびドレイン電極を形成する第7工程と、前記第6工程と前記第7工程の間または前記第7工程の後にアニール処理を行う、アニール工程とを含み、前記ゲート電極膜は、前記窒化物半導体ゲート層上に形成されるTiからなる第1金属膜と、前記第1金属膜上に積層されるTiNからなる第2金属膜とからなり、前記アニール工程によって、前記第1金属膜における前記窒化物半導体ゲート層側の表層部に、前記窒化物半導体ゲート層のNと反応することにより、TiNからなる領域が形成される。
図1は、この発明の第1実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を説明するための断面図である。図2は、図1のゲート部の詳細な構成を説明するための一部拡大断面図である。
窒化物半導体装置1は、基板2と、基板2の表面に形成されたバッファ層3と、バッファ層3上にエピタキシャル成長された第1窒化物半導体層4と、第1窒化物半導体層4上にエピタキシャル成長された第2窒化物半導体層5と、第2窒化物半導体層5上に形成されたゲート部20とを含む。
窒化物半導体ゲート層21に注入されるアクセプタ型不純物の濃度は、1×1019cm−3以上であることが好ましい。この実施形態では、アクセプタ型不純物は、Mg(マグネシウム)である。アクセプタ型不純物は、Zn(亜鉛)等のMg以外のアクセプタ型不純物であってもよい。窒化物半導体ゲート層21は、ゲート部20の直下の領域において、第1窒化物半導体層4(電子走行層)と第2窒化物半導体層5(電子供給層)との界面付近に生じる二次元電子ガス11を相殺するために設けられている。
ゲート電極23は、一対の誘電体膜22の上面とゲート開口部20aの内面(側面および底面)とを覆うように形成されている。ゲート電極23は、主としてTiからなる下層の第1金属膜31と、第1金属膜31上に積層され、TiNからなる上層の第2金属膜32とを含む。第1金属膜31の膜厚は、5nm〜10nm程度であり、第2金属膜32の膜厚は、50nm〜150nm程度である。
第1金属膜31は、図2に示すように、窒化物半導体ゲート層21に表面が接触している表層部であるTiNからなる第1領域31Aと、第1領域31A以外のTiからなる第2領域31Bとを有する。第1領域31Aは、元々は第2領域31Bと同様にTiから構成されているが、製造過程において窒化物半導体ゲート層21の表層部のNと反応してTiNが形成された領域である。第1領域31AのTi/N組成比は、第2金属膜32のTi/N組成比よりも大きい。例えば、第2金属膜32のTi/N組成比は1程度であり、第1領域31AのTi/N組成比は2程度である。
図3A〜図3Iは、前述の窒化物半導体装置1の製造工程の一例を説明するための断面図であり、製造工程における複数の段階における断面構造が示されている。
次に、図3Cに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、SiN膜72に、ゲート層材料膜71に達するゲート開口部20aが形成される。
次に、図3Eに示すように、フォトリソグラフィにより、TiN膜74における第2金属膜32(ゲート電極23)となる部分を覆うように、TiN膜74上にレジストパターン75が形成される。
このアニール工程によって、窒化物半導体ゲート層21表層部のNと第1金属膜31のTiとが反応し、第1金属膜31における窒化物半導体ゲート層21側の表層部に、TiNからなる第1領域31A(図2参照)が形成される。したがって、第1金属膜31は、図2に示すように、TiNからなる第1領域31Aと、それ以外のTiNからなる第2領域31Bとを有することになる。なお、このアニール工程によって、第1金属膜31の側壁にもTiNができる。この変化は、より多様な薬液洗浄に耐えられる膜によるゲート電極の保護に繋がり、適切な窒化物半導体表面の洗浄によってゲートリーク電流や電流コラプス低減といった効果も得られる。
次に、図3Iに示すように、露出した表面全体を覆うようにソース・ドレイン電極膜76が形成される。
最後に、フォトリソグラフィおよびエッチングによってソース・ドレイン電極膜76がパターニングされることにより、第2窒化物半導体層5にオーミック接触するソース電極14およびドレイン電極15が形成される。こうして、図1に示すような構造の窒化物半導体装置1が得られる。
前述の実施形態におけるゲート電極23をTiNからなるゲート電極に置き換えた構成を比較例ということにする。
図4から、ゲート−ソース間電圧が約3[V]以上の範囲および約−2[V]以下の範囲において、比較例に比べて実施形態では、ゲート−ソース間リーク電流が低減されていることがわかる。
図5のゲート部20Aでは、窒化物半導体ゲート層21が、第2窒化物半導体層5上に形成された第3窒化物半導体層33と、第3窒化物半導体層上に形成された第4窒化物半導体層34とから構成されている点のみが、図1のゲート部20と異なっている。
第3窒化物半導体層33は、アクセプタ型不純物がドーピングされた窒化物半導体からなる。この実施形態では、第3窒化物半導体層33は、アクセプタ型不純物がドーピングされたGaN層(p型GaN層)からなっており、その厚さは50nm〜100nm程度である。第3窒化物半導体層33に注入されるアクセプタ型不純物の濃度は、1×1019cm−3以上であることが好ましく、表面近傍で1×1018cm−3程度まで低減していることが望ましい。この実施形態では、アクセプタ型不純物は、Mg(マグネシウム)である。アクセプタ型不純物は、Zn等のMg以外のアクセプタ型不純物であってもよい。第3窒化物半導体層33は、ゲート部20の直下の領域において、第1窒化物半導体層4(電子走行層)と第2窒化物半導体層5(電子供給層)との界面付近に生じる二次元電子ガス11を相殺するために設けられている。
窒化物半導体装置101は、基板2と、基板2の表面に形成されたバッファ層3と、バッファ層3上にエピタキシャル成長された第1窒化物半導体層4と、第1窒化物半導体層4上にエピタキシャル成長された第2窒化物半導体層5と、第2窒化物半導体層5上に形成されたゲート部40とを含む。
ゲート電極42(第1金属膜51)の下面は、窒化物半導体ゲート層41の上面における2つのサイドウォール44の間部分に接触している。ゲート電極42の両側面は、サイドウォール44によって覆われており、ゲート電極42の上面は絶縁膜43によって覆われている。
パッシベーション膜6は、第2窒化物半導体層5の表面(コンタクトホール7,8が臨んでいる領域を除く)およびゲート部40の側面および表面を覆っている。この実施形態では、パッシベーション膜6はSiN膜からなり、その厚さ50nm〜200nm程度である。パッシベーション膜6は、SiN、SiO2、SiONまたはそれらの複合膜から構成されてもよい。
図8A〜図8Jは、前述の窒化物半導体装置1Bの製造工程の一例を説明するための断面図であり、製造工程における複数の段階における断面構造が示されている。
次に、図8Bに示すように、スパッタ法によって、ゲート層材料膜81上に、第1金属膜51の材料膜であるTi膜82が形成され、続いて、Ti膜82上に、第2金属膜52の材料膜であるTiN膜83が形成される。この後、プラズマCVD法によって、TiN膜83上に、絶縁膜43の材料膜であるSiO2膜84が形成される。
次に、図8Dに示すように、絶縁膜43をマスクとするエッチングにより、TiN膜83およびTi膜82がパターニングされる。これにより、ゲート層材料膜81上に、ゲート電極42と絶縁膜43との積層体が形成される。ゲート電極42は、下層の第1金属膜51と上層の第2金属膜52とからなる。この段階では、第1金属膜51は、Tiからなる。
次に、図8Fに示すように、SiN膜85がエッチングされることにより、サイドウォール44が形成される。
次に、図8Gに示すように、絶縁膜43およびサイドウォール44をマスクとするエッチングにより、ゲート層材料膜81がパターニングされる。これにより、窒化物半導体ゲート層41と、ゲート電極42と、絶縁膜43と、サイドウォール44とからなるゲート部40が形成される。
このアニール工程によって、窒化物半導体ゲート層41の表層部のNと第1金属膜51のTiとが反応し、第1金属膜51における窒化物半導体ゲート層41側の表層部に、TiNからなる第1領域51A(図7参照)が形成される。したがって、第1金属膜51は、図7に示すように、TiNからなる第1領域51Aと、それ以外のTiNからなる第2領域51Bとを有することになる。
次に、図8Jに示すように、露出した表面全体を覆うようにソース・ドレイン電極膜86が形成される。
最後に、フォトリソグラフィおよびエッチングによってソース・ドレイン電極膜86がパターニングされることにより、第2窒化物半導体層5にオーミック接触するソース電極14およびドレイン電極15が形成される。こうして、図6に示すような構造の窒化物半導体装置101が得られる。
前述の第2実施形態では、ゲート電極42が、窒化物半導体ゲート層41上に形成され、主としてTiからなる第1金属膜51と、第1金属膜51上に積層され、TiNからなる第2金属膜52とから構成されている。これにより、ゲート電極42がTiNの金属膜のみから構成されている場合に比べて、ゲート電極42と窒化物半導体ゲート層41との間のバリアハイトを高くできるので、ゲートリーク電流を低減させることができる。
図9のゲート部40Aでは、窒化物半導体ゲート層41が、第2窒化物半導体層5上に形成された第3窒化物半導体層53と、第3窒化物半導体層上に形成された第4窒化物半導体層54とから構成されている点のみが、図6のゲート部40と異なっている。
第3窒化物半導体層53は、アクセプタ型不純物がドーピングされた窒化物半導体からなる。この実施形態では、第3窒化物半導体層53は、アクセプタ型不純物がドーピングされたGaN層(p型GaN層)からなっており、その厚さは50nm〜100nm程度である。第3窒化物半導体層53に注入されるアクセプタ型不純物の濃度は、1×1019cm−3以上であることが好ましく、表面近傍で1×1018cm−3程度まで低減していることが望ましい。この実施形態では、アクセプタ型不純物は、Mg(マグネシウム)である。アクセプタ型不純物は、Zn等のMg以外のアクセプタ型不純物であってもよい。第3窒化物半導体層53は、ゲート部40の直下の領域において、第1窒化物半導体層4(電子走行層)と第2窒化物半導体層5(電子供給層)との界面付近に生じる二次元電子ガス11を相殺するために設けられている。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 基板
3 バッファ層
4 第1窒化物半導体層
5 第2窒化物半導体層
6 パッシベーション膜
7 ソースコンタクトホール
8 ドレインコンタクトホール
9 ソース電極
10 ドレイン電極
11 二次元電子ガス(2DEG)
20,20A,40,40Aゲート部
20a ゲート開口部
21 の窒化物半導体ゲート層
21a 窒化物半導体ゲート層よりもホール濃度の低いp型もしくはn型GaN領域
22 誘電体膜
23 ゲート電極
31 第1金属膜
31A 第1領域
31B 第2領域
32 第2金属膜
33 第3窒化物半導体層
34 第4窒化物半導体層
41 の窒化物半導体ゲート層
41a 窒化物半導体ゲート層よりもホール濃度の低いp型もしくはn型GaN領域
42 ゲート電極
43 絶縁膜
44 サイドウォール
51 第1金属膜
51A 第1領域
51B 第2領域
52 第2金属膜
53 第3窒化物半導体層
54 第4窒化物半導体層
Claims (14)
- 電子走行層を構成する第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に形成され、電子供給層を構成する第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層上に配置され、アクセプタ型不純物を含むリッジ形状の窒化物半導体ゲート層と、
前記窒化物半導体ゲート層上に形成されたゲート電極とを含み、
前記ゲート電極は、前記窒化物半導体ゲート層上に形成され、主としてTiからなる第1金属膜と、前記第1金属膜上に形成されたTiNからなる第2金属膜とを含む、窒化物半導体装置。 - 電子走行層を構成する第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に形成され、電子供給層を構成する第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層上に配置されたリッジ形状の窒化物半導体ゲート層と、
前記窒化物半導体ゲート層上に形成されたゲート電極とを含み、
前記ゲート電極は、前記窒化物半導体ゲート層上に形成されたTiNからなる第1金属膜と、前記第1金属膜上に積層されたTiNからなる第2金属膜とを含み、
前記第1金属膜のTi/N組成比が、前記第2金属膜のTi/N組成比よりも大きい、窒化物半導体装置。 - 前記窒化物半導体ゲート層が、アクセプタ型不純物を含む第3窒化物半導体層のみからなる、請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。
- 前記窒化物半導体ゲート層が、前記第2窒化物半導体層上に形成されたアクセプタ型不純物を含む第3窒化物半導体層と、前記第3窒化物半導体層上に積層され、前記第3窒化物半導体層よりもホール濃度が低い第4窒化物半導体層とを含む、請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第4窒化物半導体層が、ドナー型不純物を含む、請求項4に記載の窒化物半導体装置。
- 前記窒化物半導体ゲート層の上面の両側部上に形成された一対の第1誘電体膜をさらに含み、
前記第1金属膜は、前記窒化物半導体ゲート層の上面における前記一対の第1誘電体膜の間部分および前記一対の第1誘電体膜の上面および互いに対向する側面を覆うように形成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。 - 前記窒化物半導体ゲート層の上面の両側部上に形成された一対の第1誘電体膜をさらに含み、
前記第1金属膜は、前記一対の第1誘電体膜の間に配置されており、
前記第1金属膜の下面は前記窒化物半導体ゲート層の上面における前記一対の第1誘電体膜の間部分に接触し、前記第1金属膜の側面は前記一対の第1誘電体膜によって覆われている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。 - 少なくとも前記窒化物半導体ゲート層の側面および前記第1誘電体膜の側面を覆う第2誘電体膜をさらに含む、請求項6または7のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1誘電体膜がSiN、SiO2、SiONまたはそれらの複合層である、請求項6〜8のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1誘電体膜がSiN、SiO2、SiONまたはそれらの複合層であり、前記第2誘電体膜がSiN、SiO2、SiONまたはそれらの複合層である、請求項8に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1金属膜は、窒化物半導体ゲート層側の表層部であるTiNからなる第1領域と、前記第1領域以外のTiからなる第2領域とを有する、請求項1に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1領域のTi/N組成比が、前記第2金属膜のTi/N組成比よりも大きい、請求項11に記載の窒化物半導体装置。
- 基板上に、電子走行層を構成する第1窒化物半導体層と、電子供給層を構成する第2窒化物半導体層と、アクセプタ型不純物を含む窒化物半導体ゲート層材料膜と、第1誘電体膜とを、その順に形成する第1工程と、
前記第1誘電体膜に前記窒化物半導体ゲート層材料膜に達するゲート開口部を形成する第2工程と、
前記窒化物半導体ゲート層材料膜上に、少なくとも前記ゲート開口部および前記第1誘電体膜表面における前記ゲート開口部の両側周縁部を覆うように、ゲート電極膜を形成する第3工程と、
前記窒化物半導体ゲート層材料膜、前記第1誘電体膜および前記ゲート電極膜を、平面視で前記ゲート開口部およびその両側周縁部の領域が残るように、選択的に除去することにより、リッジ形状の窒化物半導体ゲート層と、前記窒化物半導体ゲート層の上面の両側部上に配置された一対の前記第1誘電体膜と、前記窒化物半導体ゲート層および前記第1誘電体膜の表面上に形成されたゲート電極とからなるゲート部を形成する第4工程と、
前記第2窒化物半導体層および前記ゲート部の露出面を覆う第2誘電体膜を形成する第5工程と、
前記第2誘電体膜を貫通して前記第2窒化物半導体層に達するソース電極およびドレイン電極を形成する第6工程と、
前記第4工程と前記第6工程の間または前記第6工程の後にアニール処理を行う、アニール工程とを含み、
前記ゲート電極膜は、前記窒化物半導体ゲート層上に形成されるTiからなる第1金属膜と、前記第1金属膜上に積層されるTiNからなる第2金属膜とからなり、
前記アニール工程によって、前記第1金属膜における前記窒化物半導体ゲート層側の表層部に、前記窒化物半導体ゲート層のNと反応することにより、TiNからなる領域が形成される、窒化物半導体装置の製造方法。 - 基板上に、電子走行層を構成する第1窒化物半導体層と、電子供給層を構成する第2窒化物半導体層と、アクセプタ型不純物を含む窒化物半導体ゲート層材料膜と、ゲート電極膜と、第3誘電体膜とを、その順に形成する第1工程と、
前記第3誘電体膜を、前記ゲート電極膜上のゲート電極形成領域を残して除去する第2工程と、
前記第3誘電体膜をマスクとして前記ゲート電極膜をエッチングすることにより、ゲート電極を形成する第3工程と、
前記ゲート電極の側面を覆う第1誘電体膜を形成する第4工程と、
前記第3誘電体膜および前記第1誘電体膜をマスクとして、前記窒化物半導体ゲート層材料膜をエッチングすることにより、窒化物半導体ゲート層を形成する第5工程と、
前記第2窒化物半導体層、窒化物半導体ゲート層、前記ゲート電極、前記第1誘電体膜および前記第3誘電体膜の露出面を覆う第2誘電体膜を形成する第6工程と、
前記第2誘電体膜を貫通して前記第2窒化物半導体層に達するソース電極およびドレイン電極を形成する第7工程と、
前記第6工程と前記第7工程の間または前記第7工程の後にアニール処理を行う、アニール工程とを含み、
前記ゲート電極膜は、前記窒化物半導体ゲート層上に形成されるTiからなる第1金属膜と、前記第1金属膜上に積層されるTiNからなる第2金属膜とからなり、
前記アニール工程によって、前記第1金属膜における前記窒化物半導体ゲート層側の表層部に、前記窒化物半導体ゲート層のNと反応することにより、TiNからなる領域が形成される、窒化物半導体装置の製造方法。
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