JP2007221001A - 半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この発明にかかる半導体素子100は、GaN等の窒化物系化合物半導体によって形成される化合物半導体層11と、この化合物半導体層11に対する格子定数差が0.7%以上であるAlN等の窒化物系化合物半導体によって形成される化合物半導体層13と、層領域内の微小部分での格子定数差が0.7%以下である中間層12と含む多層構造を備える。この場合、中間層12は、化合物半導体層11,13の積層界面に介在し、両端の化合物半導体層11,13の接合界面での格子定数差を0.7%以下にする。
【選択図】 図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1にかかる半導体素子の一構成例を示す断面模式図である。図1に示すように、この半導体素子100は、シリコン(Si)等の基板1上に、AlNからなるAlN介在層2と、中間層3と、窒化物系化合物半導体によって形成されるバッファ層4と、半導体動作を担う半導体動作層5とを順次積層して形成される多層構造を有する。また、半導体素子100は、半導体動作層5上に、例えばソース電極6、ゲート電極7、およびドレイン電極8等の複数の電極を有する。
格子定数差(%)=|1−a2/a1|×100 ・・・(1)
例えば、GaNからなる化合物半導体層11とAlNからなる化合物半導体層13との格子定数差D1は、GaNの格子定数a1(=3.189Å)とAlNの格子定数a2(=3.112Å)とを式(1)に代入して算出され、約2.5%になる。また、非ドープGaNからなる電子走行層15とAlNからなる化合物半導体層13との格子定数差は、この格子定数差D1と同値である。
つぎに、この発明の実施の形態2について説明する。上述した実施の形態1では、0.7%以上の格子定数差を有する窒化物系化合物半導体層の間に、層厚方向の任意の微小部分における格子定数差が0.7%以下である中間層を介在させていたが、この実施の形態2では、同じ窒化物系化合物半導体を主成分にする複数の窒化物系化合物半導体層の間に、これら両端の窒化物系化合物半導体層に対して0.7%以上の格子定数差を有し且つ層厚方向の任意の微小部分における格子定数差と両端の接合界面での格子定数差とがいずれも0.7%以下である中間層を介在させている。
つぎに、この発明の実施の形態2の変形例について説明する。上述した実施の形態2では、化合物半導体層22に対して0.7%以上の格子定数差を有する中間層23と化合物半導体層22とを交互に積層して多層構造を形成していたが、この実施の形態2の変形例では、0.7%以上の格子定数差を有する複数の窒化物系化合物半導体層の間に、層厚方向の任意の微小部分における格子定数差が0.7%以下である中間層を介在させ、これら両端の窒化物系化合物半導体層と中間層とを1組とする複合層によって多層構造を形成している。
2 AlN介在層
3 中間層
4,21,31 バッファ層
5 半導体動作層
6 ソース電極
7 ゲート電極
8 ドレイン電極
11,13,22,32,34 化合物半導体層
12,14,23,33,35 中間層
15 電子走行層
15a 2次元電子ガス層
16 電子供給層
17 コンタクト層
15,16 マスク
23a,23b 組成変化層
100,200,300 半導体素子
Claims (11)
- 窒化物系化合物半導体によって形成される第1の層と、
前記第1の層に対する格子定数差が0.7%以上である窒化物系化合物半導体によって形成される第2の層と、
前記第1の層と前記第2の層との積層界面に介在し、前記第1の層の接合界面での格子定数差と前記第2の層の接合界面での格子定数差と両端の前記接合界面に挟まれた領域内の微小部分での格子定数差とがいずれも0.7%以下である中間層と、
を備えたことを特徴とする半導体素子。 - 前記中間層は、前記領域内の微小部分での格子定数差を0.7%以下に維持しつつ層厚方向に対して組成を変化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 窒化物系化合物半導体によって形成される化合物半導体層と、
多層に形成された複数の前記化合物半導体層の積層界面に介在し、両端の前記化合物半導体層の各接合界面での格子定数差がいずれも0.7%以下であり、且つ、両端の前記接合界面に挟まれた領域内の微小部分での格子定数差を0.7%以下に維持しつつ層厚方向に対して組成を変化させ、前記領域内に、前記窒化物系化合物半導体に対する格子定数差が0.7%以上になる微小部分を有する中間層と、
を備えたことを特徴とする半導体素子。 - 前記中間層の組成は、前記層厚方向に対して連続的に変化し、
前記領域内の微小部分での前記組成変化の傾きに対応する格子定数差の変化量は、−0.7%/nm以上、0.7%/nm以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体素子。 - 前記第1の層および前記第2の層は、それぞれ複数であって交互に形成され、
前記中間層は、交互に形成された前記第1の層と前記第2の層との各積層界面に介在することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。 - 複数の前記第1の層のうちの第1の層の下端から次の第1の層の下端までの層厚は、6nm以上、3000nm以下であることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記第1の層と前記第2の層と前記中間層とを含む複合層は、バッファ層を形成することを特徴とする請求項1,2,5,6のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 前記化合物半導体層および前記中間層は、それぞれ複数であって交互に形成されることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子。
- 複数の前記化合物半導体層のうちの化合物半導体層の下端から次の化合物半導体層の下端までの層厚は、6nm以上、3000nm以下であることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子。
- 前記化合物半導体層と前記中間層とを含む複合層は、バッファ層を形成することを特徴とする請求項3,8,9のいずれか一つに記載の半導体素子。
- 前記窒化物系化合物半導体は、AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)を主成分にすることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体素子。
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