JP2005183733A - 高電子移動度トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電子走行層3と電子供給層4のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層4の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層4の厚さよりも薄いことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
例えばサファイア基板のような基板1の上にバッファ層2が形成され、電子走行層3とその電子走行層3に比べて薄い電子供給層4を順次積層したヘテロ接合構造がバッファ層2上に形成されている。そして、ソース電極S、ゲート電極G、ドレイン電極Dが平面配置されている。
このようにすることで、電子供給層4に設けられた凹部7の底平面を、4.0nm以下の高低差または2.0nm以下の高低差にすることができる。しかも、この手法を用いることで、酸化した層のみを選択的にエッチングすることができ、エッチングによるダメージも発生しない。したがって、良好なピンチオフの特性を得ることができ、またウェハ面内の均一性も良好になる。
半導体層を酸化させて酸化層を形成する方法として熱酸化以外に、酸素プラズマやオゾンプラズマ等を用いて半導体層を酸化させる方法も考えられる。しかし、これらの方法では酸化された半導体層にプラズマによるダメージが誘起されるので、電流値が劣化し、また一度に酸化できる厚さが1nm以下と薄く、所望の厚さの酸化層を得るためには酸化工程とエッチングの工程を何回も繰り返さなければならないため、実用的ではない。
成長装置はMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置を用い、基板はサファイア基板1を用いた。
まず、サファイア基板1をMOCVD装置内に導入し、ターボポンプでMOCVD装置内の真空度を1×10-6hPa以下になるまで真空引きした後、真空度を100hPaとし基板を1100℃に昇温した。温度が安定したところで、基板1を900rpmで回転させ、原料となるトリメチルガリウム(TMG)を100cm3/min、アンモニアを12リットル/minの流量で基板1の表面に導入しGaNからなるバッファ層2の成長を行った。成長時間は4minでバッファ層2の膜厚は50nm程度である。
次に、トリメチルアルミニウム(TMA)を50cm3/min、アンモニアを12リットル/minの流量で導入し、アンドープのAlNからなる中間層9を成長し、トリメチルアルミニウム(TMA)を50cm3/min、トリメチルガリウム(TMG)を100cm3/min、アンモニアを12リットル/minの流量で導入し、Al0.2Ga0.8Nからなる電子供給層4の成長を行った。成長時間は40secで、電子供給層4の膜厚は20nmである。このようにして、図3(a)に示した層構造A0が完成する。
そして、燐酸系、塩酸系、フッ酸系若しくは硝酸系のエッチャントを用いて、酸化層11のウエットエッチングを行う。そしてエッチングにより形成された電子供給層4の凹部7の底平面の高低差をAFMで測定した。その結果、最高地点と最低地点の差が1.0nm以下であることが確認された。
本実施例の場合では、ゲート直下に相当する部分8の電子供給層4を構成する半導体層の厚さがゲート直下に相当する部分8以外の電子供給層4を構成する厚さ10nmの半導体層よりも薄く、5nmとなっており、酸化層11の厚さは5nmである。酸化層11とその直下の半導体からなる電子供給層4の最上面は、電子供給層4の凹部7の底平面となっている。
まず、実施例1に係る高電子移動度トランジスタと同様にして、図3(a)に示した層構造A0をエピタキシャル成長した。
2 バッファ層
3 電子走行層
4 電子供給層
5 コンタクト層
6 2次元電子ガス層
7 凹部
8 ゲート直下に相当する部分
9 中間層
10 SiO2膜
11 酸化層
Claims (11)
- 窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層の厚さよりも薄いことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
- 窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子供給層には凹部が形成され、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の上面が前記凹部の底平面を構成することを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
- 前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の面は、4.0nm以下の高低差であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の高電子移動度トランジスタ。
- 前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層は、半導体層の一部を酸化した後、その酸化した層を除去したものであることを特徴とする請求項1〜3記載の高電子移動度トランジスタ。
- 前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層とゲート電極の間に酸化層が介在することを特徴とする請求項1〜3記載の高電子移動度トランジスタ。
- 前記電子供給層はAlxGa1-xN(0<x≦1)、前記電子走行層はGaNであり、前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の厚さは1〜20nmであることを特徴とする請求項1〜5記載の高電子移動度トランジスタ。
- 前記電子供給層はAlxGa1-xN(0<x<1)、前記電子走行層はGaNであって、前記電子走行層と前記電子供給層の間にAlNからなる中間層が挿入され、かつ、前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の厚さは1〜20nmであることを特徴とする請求項1〜4記載の高電子移動度トランジスタ。
- 前記電子供給層はAlxGa1-xN(0<x<1)、前記電子走行層はGaNであって、前記電子走行層と前記電子供給層の間にAlNからなる中間層が挿入され、かつ、前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層以外の電子供給層の厚さは1〜10nmであることを特徴とする請求項1〜3又は請求項5記載の高電子移動度トランジスタ。
- 窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層を成膜する工程及びゲート電極を形成する工程を含む高電子移動度トランジスタの製造方法において、前記電子供給層を成膜した後、前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層を構成する半導体層の厚さ方向の一部の層を酸化して酸化層を形成し、しかる後、その酸化層をウエットエッチングにより除去した後、前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の表面にゲート電極を形成することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。
- 窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層を成膜する工程及びゲート電極を形成する工程を含む高電子移動度トランジスタの製造方法において、前記電子供給層を成膜した後、前記少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層に相当する部分の電子供給層を構成する半導体層の厚さ方向の一部の層を酸化して酸化層を形成し、しかる後、前記酸化層の表面にゲート電極を形成することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。
- 前記酸化層は、酸素又は水により窒化物系化合物半導体が熱酸化されて形成されたことを特徴とする請求項9又は請求項10記載の高電子移動度トランジスタの製造方法。
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