JP4824920B2 - Iii族元素窒化物結晶半導体デバイス - Google Patents
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Description
12 22 42 72 602 シード層
13a 23a 43a LPE−GaN
13 23 43 73 603 III族元素窒化物結晶基板
14 24 44 74 604 貫通転位
15 25 45 605 薄膜層
16 26 46 606 GaN層
17 27 47 AlGaN層
18 III族元素窒化物結晶層
48 ソース電極
49 ショットキーゲート電極
50 ドレイン電極
500 半導体レーザ
52 58 コンタクト層
53 57 クラッド層
54 56 光ガイド層
55 609 活性層
59 612 絶縁膜
60 611 p型電極
61 614 n型電極
81 ウェハー
82 LPE−GaN基板
83 デバイス構造
84 電極
85 分割面
86 発光面
300 揺動型LPE装置
301 育成炉
302 ヒータ
303 熱電対
304 坩堝固定台
305 回転軸
306 坩堝
307 融解液
308 種結晶
309 流量調節器
310 原料ガス
607 n−GaN層
608 nクラッド層
610 リッジ部
613 pクラッド層
615 選択成長膜
616 対称軸
Claims (19)
- III族元素窒化物結晶基板上に、デバイス構造を形成するIII族元素窒化物結晶層が積層されたIII族元素窒化物半導体デバイスであって、
前記基板が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液(フラックス)中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させることにより製造されたものであり、
前記基板上であって、前記デバイス構造と前記基板との間に薄膜層が形成されており、
前記薄膜層における前記基板中の不純物の拡散係数が、前記基板における前記基板中の不純物の拡散係数よりも小さいことを特徴とする半導体デバイス。 - 前記基板に、貫通転位が存在し、前記貫通転位の領域に不純物としてアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方が存在する請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記不純物が、NaおよびLiの少なくとも一方である請求項1又は2に記載の半導体デバイス。
- 前記貫通転位に対応する部分に前記薄膜層が形成されている請求項2又は3に記載の半導体デバイス。
- 前記薄膜層が、前記基板の表面全体に形成されている請求項1から4のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記薄膜層が、窒化シリコン(SiN)である請求項1から5のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記薄膜層の厚みが、5nm以下である請求項6に記載の半導体デバイス。
- 前記薄膜層の厚みが、3nm以下である請求項6に記載の半導体デバイス。
- 前記薄膜層が、窒化アルミニウム(AlN)、窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(ただし、0<x<1))および炭化シリコン(SiC)からなる群から選択される少なくとも一つである請求項1から5のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記基板と前記薄膜層との間に、さらに、III族元素窒化物結晶層が形成されている請求項1から9のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記結晶層が、気相成長により形成されたものである請求項1から10のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記融解液中のアルカリ金属が、Na、Li、K、Rb、CsおよびFrからなる群から選択される少なくとも一つである請求項1から11のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記融解液中のアルカリ金属が、NaおよびLiの少なくとも一方である請求項1から11のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記融解液中のアルカリ土類金属が、CaおよびMgの少なくとも一方である請求項1から13のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記III族元素が、Ga、AlおよびInからなる群から選択される少なくとも一つである請求項1から14のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記融解液がNaおよびLiの少なくとも一方を含み、前記基板がGaN基板であって、前記薄膜層が窒化アルミニウム(AlN)、窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(ただし、0<x<1))および炭化シリコン(SiC)からなる群から選択される少なくとも一つである請求項1から11のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記基板が、NaおよびLiの少なくとも一方の不純物を含む請求項16に記載の半導体デバイス。
- 前記融解液がLi、NaおよびSnからなる群から選択される1つと、Caとを含み、前記基板がAlN基板であって、前記薄膜層がダイヤモンドである請求項1から11のいずれかに記載の半導体デバイス。
- 前記基板が、NaおよびLiの少なくとも一方の不純物を含む請求項18に記載の半導体デバイス。
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